CN104571933B - 具固态储存元件的电子装置及其相关控制方法 - Google Patents

具固态储存元件的电子装置及其相关控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104571933B
CN104571933B CN201310491522.1A CN201310491522A CN104571933B CN 104571933 B CN104571933 B CN 104571933B CN 201310491522 A CN201310491522 A CN 201310491522A CN 104571933 B CN104571933 B CN 104571933B
Authority
CN
China
Prior art keywords
solid
storage element
state storage
data
write
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310491522.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104571933A (zh
Inventor
徐正煜
章广荣
刘嘉桦
杨朝栋
林信宇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jianxing Storage Technology Co., Ltd
Original Assignee
Lite On Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lite On Technology Corp filed Critical Lite On Technology Corp
Priority to CN201310491522.1A priority Critical patent/CN104571933B/zh
Priority to US14/187,659 priority patent/US9165667B2/en
Publication of CN104571933A publication Critical patent/CN104571933A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104571933B publication Critical patent/CN104571933B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/22—Safety or protection circuits preventing unauthorised or accidental access to memory cells
    • G11C16/225—Preventing erasure, programming or reading when power supply voltages are outside the required ranges

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Security & Cryptography (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)

Abstract

一种具固态储存元件的电子装置，包括：一主机；一供电元件，供应电力至该主机与该固态储存元件；以及该固态储存元件包括一控制单元经由一总线连接至该主机；一高速缓存连接至该控制单元；以及一闪存连接至该控制单元；其中，当该供电元件的一剩余电力下降至一临限值时，该主机控制该固态储存元件进入一数据保全模式并禁能该高速缓存；以及，当该供电元件的该剩余电力未下降至该临限值时，该主机控制该固态储存元件进入一高效能模式并致能该高速缓存。

Description

具固态储存元件的电子装置及其相关控制方法
技术领域
本发明是有关于一种电子装置及其控制方法，且特别是有关于一种具固态储存元件(solid-state storage device，简称SSD)的电子装置及其相关控制方法。
背景技术
由于科技的进步以及消费者的需求，现今的手持式电子装置皆同时具备多种功能。以智能型手机为例，除了移动电话的基本功能之外，更具备上网、收发信件、照相、录像等等功能。因此，电子装置中的各个元件的电力消耗需要被严格的管控，方能够延长电子装置的待机时间。
基本上，现今的电子装置中皆会搭配固态储存元件来储存电子装置中的文件、程序、照片、影像等数据。此类的固态储存元件又可被称为内嵌式多媒体存储卡(embeddedmulti-media card，简称eMMC卡)。
固态储存元件(SSD)为一种与非门闪存(NAND flash memory)。由于闪存为一种非易失性(non-volatile)的存储器，因此，当数据写入闪存后，一旦电子装置的电源关闭后，数据仍可保存在固态储存元件中。
请参照图1，其所绘示为已知电子装置中主机(Host)与固态储存元件(SSD)之间的信号连接示意图。在电子装置100中，固态储存元件110利用一总线120连接至主机112，用以接收主机112发出的读取指令或者写入指令。其中，主机112可为中央处理单元(CPU)，而总线120可为USB总线、IEEE1394总线或SATA总线等等。
再者，固态储存元件110中包括一控制单元101、一高速缓存(cache memory)103与一闪存(flash memory)105。其中，控制单元101利用总线120与主机112之间进行指令与数据的传递。而控制单元101根据主机的指令，以存取闪存105中的数据。再者，高速缓存103连接至控制单元101用以暂时储存主机112输入的写入数据、以及主机112请求的读取数据。
由于固态储存元件110为电子装置100中众多元件的其中之一。因此，如何让固态储存元件110与主机112之间更有效率的运作，并在储存数据安全无虞的情况下，有效地控制固态储存元件110的耗能即为本发明的主要目的。
发明内容
本发明是有关于一种具固态储存元件的电子装置，包括：一主机；一供电元件，供应电力至该主机与该固态储存元件；以及该固态储存元件包括一控制单元经由一总线连接至该主机；一高速缓存连接至该控制单元；以及一闪存连接至该控制单元；其中，当该供电元件的一剩余电力下降至一临限值时，该主机控制该固态储存元件进入一数据保全模式并禁能该高速缓存；以及，当该供电元件的该剩余电力未下降至该临限值时，该主机控制该固态储存元件进入一高效能模式并致能该高速缓存。
本发明是有关于一种具固态储存元件的电子装置的控制方法，包括下列步骤：检测该电子装置中一供电元件的一剩余电力是否下降至一临限值；当该供电元件的该剩余电力下降至该临限值时，控制该固态储存元件进入一数据保全模式并禁能固态储存元件中的一高速缓存；以及当该供电元件的该剩余电力未下降至该临限值时，控制该固态储存元件进入一高效能模式并致能该高速缓存。
为了对本发明的上述及其它方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1所绘示为已知电子装置中主机与固态储存元件之间的信号连接示意图。
图2所绘示为本发明电子装置中主机与固态储存元件之间的信号连接示意图。
图3A所绘示为高速缓存禁能时，主机发出连续写入命令时固态储存元件的能量消耗示意图。
图3B所绘示为高速缓存致能时，主机发出连续写入命令时固态储存元件的能量消耗示意图。
图4A所绘示为本发明电子装置的控制方法的第一实施例。
图4B所绘示为本发明电子装置的控制方法的第二实施例。
[标号说明]
100、200：电子装置 101、201：控制单元
103、203：高速缓存 105、205：闪存
110、210：固态储存元件 112、212：主机
120、220：总线 250：供电元件
具体实施方式
以下详细介绍固态储存元件的操作模式，以及让固态储存元件与主机之间更有效率的控制方法。
请参照图2，其所绘示为本发明电子装置中主机与固态储存元件之间的信号连接示意图。在电子装置200中，固态储存元件210利用一总线220连接至主机212，用以接收主机212发出的读取指令或者写入指令。其中，主机212可为中央处理单元(CPU)，而总线220可为USB总线、IEEE1394总线或SATA总线等等。电子装置200中又包含一供电元件250用以提供电源至主机212及固态储存元件210。
再者，供电元件250可为一电池，供应电力至主机212与固态储存元件210。固态储存元件210中包括一控制单元201、一高速缓存203与一闪存205。控制单元201利用总线220与主机212之间进行指令与数据的传递。而控制单元201根据主机的指令，以存取闪存205中的数据。再者，高速缓存203连接至控制单元201用以暂时储存主机212输入的写入数据、以及主机212要求的读取数据。
再者，于写入数据时，固态储存元件210的控制单元201是以页(page)为单位写入闪存205。页的大小可由闪存制造商来定义，举例来说每一页可为2K bytes、4K bytes或者8K bytes。
根据本发明的实施例，闪存205是由多个多层式晶胞晶粒(MLC die)a～h所组成。举例来说，每个晶粒的储存容量为2G bytes，所以闪存205的容量即为16G bytes。当然，闪存205也可由多个三层式晶胞晶粒(TLC die)a～h所组成。
一般来说，闪存根据每个晶胞储存数据量的特性可区分为单层式晶胞 (SLC)、多层式晶胞(MLC)、以及三层式晶胞(TLC)。一个单层式晶胞(SLC)可以储存1个位(bit)的数据；多层式晶胞晶粒(MLC)可以储存2个位的数据；三层晶胞(TLC)可以储存3个位的数据。因此，多层式晶胞晶粒中每个晶胞(cell)的数据储存量大于单层式晶胞晶粒中每个晶胞的数据储存量；三层式晶胞晶粒中每个晶胞的数据储存量大于多层式晶胞晶粒中每个晶胞的数据储存量。以下详细介绍固态储存元件210的特性以及本发明的相关控制方法。
[高速缓存的控制]
以写入数据为例，当固态储存元件210接收到主机212的写入命令以及写入数据后，会根据高速缓存203是否被致能(enable)而有不同的写入方式以及耗电量。
当高速缓存203被禁能(disable)时，即为强制数据存取(force unit access，简称FUC)状态。当控制单元201接收到主机212的写入命令以及写入数据后，控制单元201必须立即将写入数据写入闪存205中。
当写入数据已经全部写入闪存205之后，控制单元201回复主机212已经完成该写入命令。接着，主机212会再发出写入命令以及写入数据至固态储存元件210。
请参照图3A，其所绘示为高速缓存禁能时，主机发出连续写入命令时固态储存元件的能量消耗示意图。如图所示，当主机212发出连续写入命令时，控制单元201必须持续地将写入数据直接写入闪存205。此时，由于固态储存元件210持续的进行写入动作，所以其平均耗电量为W1瓦特。
另外，由于无法预测主机212的写入数据量，当主机的写入数据量小于一个页(page)的数据量时，控制单元201需要在写入数据之后增加一些无效数据(dummy data)，使得写入数据以及无效数据的总和为一个页的数据量时，才可以写入闪存205。
因此，当高速缓存203被禁能(disable)时，其写入效率会比较低(lowperformance)，写入放大率(write amplification)较高。再者，当固态储存元件210被无预期地断电时，由于写入数据已经写入闪存205内，所以其突然断电回复(sudden power offrecovery，简称SPOR)能力较佳。亦即，当固态储存元件210被无预期地断电时，其数据遗失(data loss)较少。
另外，当高速缓存203被致能(enable)时。控制单元201会先将写入数据暂时储存于高速缓存203，并且立刻回复主机112写入指令已经完成。此时， 主机112可以继续发出下一笔写入命令以及写入数据。
当高速缓存203累积到特定数据量的写入数据之后，控制单元201才会将高速缓存203中的写入数据一次写入闪存205。
请参照图3B，其所绘示为高速缓存致能时，主机发出连续写入命令时，固态储存元件的能量消耗示意图。于周期A时，高速缓存203尚在累积写入数据，控制单元201并未将写入数据写入闪存，此时固态储存元件210的耗电量极低。于周期B时，写入数据由高速缓存203被写入闪存205时，控制单元201以最高写入效率进行写入动作，此时固态储存元件210的耗电量较高。
如图3B所示，当高速缓存被致能且固态储存元件210持续的进行写入动作时，其平均耗电量为W2瓦特。很明显地，在相同的条件下，高速缓存被致能时其平均耗电量(W2)小于高速缓存被禁能时其平均耗电量(W1)。
另外，由于写入数据需要累积到特定的数据量之后，才会写入闪存205。因此，当高速缓存203被致能(enable)时，其写入效率会比较高(high performance)，写入放大率(write amplification)较低。
再者，当固态储存元件210被无预期地断电时，由于写入数据尚未写入闪存205内，而暂存于高速缓存203中的数据会因断电而消失，所以其突然断电回复(sudden power offrecovery，简称SPOR)能力较差。亦即，当固态储存元件210被无预期的断电时，其数据遗失(data loss)较多。
[闪存的数据备份控制]
众所周知，控制单元201进行写入动作时，是以页为最小单元来写入闪存205。当闪存205由多层式晶胞晶粒(MLC die)a～h所组成时，闪存205中的页可以区分为下页(lowerpage)与上页(upper page)。而控制单元201进行写入动作时，需要先写下页再写上页。
由于闪存205的特性，控制单元201将写入数据写入下页后再将写入数据写入上页的过程中，下页中的写入数据也会被更改。如果控制单元201在进行上页的写入动作时发生不预期的断电，不只上页的写入数据被损毁，连下页的写入数据也会被损毁而无法回复。因此，固态储存元件210对于多层式晶胞晶粒(MLC die)a～h所组成的闪存205可以进行备份设定。
举例来说。当固态储存元件210的备份设定被致能，且控制单元201对多层式晶胞晶粒a进行下页的写入操作时，相同的写入数据会备份于另一多 层式晶胞晶粒之中。例如备份于多层式晶胞晶粒b的下页中。因此，当控制单元201对多层式晶胞晶粒a进行上页的写入操作且发生不预期的断电时，将可以由另一多层式晶胞晶粒b回复已经被损毁下页的写入数据。
当然，如果固态储存元件210的备份设定被禁能时且控制单元201对多层式晶胞晶粒a进行下页的写入操作时，将不会于另一多层式晶胞晶粒备分相同的写入数据。因此，控制单元201进行上页的写入操作时发生不预期的断电，下页的写入数据将被损毁而无法回复。
由以上说明可知，当固态储存元件210数据备份被致能时，其突然断电回复(sudden power off recovery，简称SPOR)能力较佳，但是备份写入数据会较耗电。反之，当固态储存元件210数据备份被禁能时，其突然断电回复能力较差，但是较省电。
同理，当闪存205由三层式晶胞晶粒(TLC die)a～h所组成时，闪存205中的页可以区分为下页、中页(middle page)以及上页。而控制单元201进行写入操作时，需要依序先写下页、中页、上页。同理，当固态储存元件210数据备份被致能时，闪存205的下页与中页的数据都需要进行备份，以防止不预期的断电发生时数据被损毁而无法回复。反之，当固态储存元件210数据备份被禁能时，闪存205的下页与中页的数据不会进行备份，而不预期的断电发生时数据将无法回复。
[实施例]
当了解以上固态储存元件210的特性后，即可因应这些特性而发展出本发明运用于具固态储存元件的电子装置的相关控制方法。
请参照图4A，其所绘示为本发明电子装置的控制方法的第一实施例。当电子装置200开始运作时，主机212可以检测供电元件250的剩余电力(步骤S402)。当检测供电元件250的剩余电力下降至一临限值时，进入数据保全模式(data secure mode)并且禁能高速缓存203(步骤S406)；反之，当检测供电元件250的剩余电力尚未下降至一临限值时，进入高效能模式(high performance mode)并且致能高速缓存203(步骤S404)。
由于现今的电子装置200中的供电元件250(电池)几乎都牢固地包覆于电子装置200的外壳内，几乎没有脱落的可能。因此，除了供电元件250本身电能消耗殆尽之外，几乎不可能发生不预期的断电情况。
因此，当供电元件250的剩余电力大于临限值(例如电池蓄电量的20%) 时，可以确定几乎不会发生不预期的断电情况，因此可以忽略固态储存元件210突然断电回复(SPOR)能力较差的问题。所以，主机212可以控制固态储存元件210进入高效能模式。
于第一实施例的高效能模式时，高速缓存203被致能。固态储存元件210的写入效率会比较高，写入放大率较低，且较不耗电。
反之，当供电元件250的剩余电力小于临限值(例如电池蓄电量的20%)时，有可能发生不预期的断电情况。因此无法忽略固态储存元件210突然断电回复(SPOR)能力较差的问题。所以，主机212需控制固态储存元件210进入数据保全模式。
于第一实施例的数据保全模式时，高速缓存203被禁能。此时，固态储存元件210的写入效率会比较低，写入放大率较大，且较耗电。但是，可以确定写入数据的信赖度(reliability)较高。
请参照图4B，其所绘示为本发明电子装置的控制方法的第二实施例。当电子装置200开始运作时，主机212可以检测供电元件250的剩余电力(步骤S412)。当检测供电元件250的剩余电力下降至一临限值时，进入数据保全模式(data secure mode)并且禁能高速缓存203与致能数据备份(步骤S416)；反之，当检测供电元件250的剩余电力尚未下降至一临限值时，进入高效能模式(high performance mode)并且致能高速缓存203与禁能数据备份(步骤S414)。
同理，当供电元件250的剩余电力大于临限值(例如电池蓄电量的20%)时，可以确定几乎不会发生不预期的断电情况，因此可以忽略固态储存元件210突然断电回复(SPOR)能力较差的问题。所以，主机212可以控制固态储存元件210进入高效能模式。
于第二实施例的高效能模式时，高速缓存203被致能并且禁能数据备份。此时，固态储存元件210的写入效率会比较高，写入放大率较低，且较不耗电。
反之，当供电元件250的剩余电力小于临限值(例如电池蓄电量的20%)时，有可能发生不预期的断电情况。因此无法忽略固态储存元件210突然断电回复(SPOR)能力较差的问题。所以，主机212需控制固态储存元件210进入数据保全模式。
于第二实施例的数据保全模式时，高速缓存203被禁能且致能数据备份。此时，固态储存元件210的写入效率会比较低，写入放大率较大，且较耗电。 但是，可以确定写入数据的信赖度(reliability)较高。
由以上的说明可知，本发明提出一种具固态储存元件的电子装置及其相关控制方法。当主机212确认供电元件250的电力很充足时，可以让固态储存元件210以高效能的方式来进行数据存取。当主机212确认供电元件250的电力不充足时，可以让固态储存元件210以数据可靠性为优先考虑。再者，当电子装置200的供电元件在充电时，可视为供电元件250的剩余电力尚未下降至临限值。
另外，主机212也可以因应固态储存元件的不同模式提供更有效率的数据写入方法。举例来说，当主机212控制固态储存元件210进入高效能模式时，可以发出包装写入指令(packaged write command)至固态储存元件210，让固态储存元件210以高效率来储存大量的写入数据。反之，当主机212控制固态储存元件210进入数据保全模式时，可以发出一般的写入指令(normal write command)至固态储存元件210，让固态储存元件210以数据可靠性为优先考虑来储存写入数据。
综上所述，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视所附的权利要求范围所界定者为准。

Claims (6)

1.一种具固态储存元件的电子装置，包括：
一主机；
一供电元件，供应电力至该主机与该固态储存元件；以及
该固态储存元件包括一控制单元经由一总线连接至该主机；一高速缓存连接至该控制单元；以及一闪存连接至该控制单元，该闪存是由多个三层式晶胞晶粒所组成；
其中，当该供电元件的一剩余电力下降至一临限值时，该主机控制该固态储存元件进入一数据保全模式并禁能该高速缓存，当该固态储存元件进入该数据保全模式时，更致能一数据备份使该固态储存元件将一写入数据记录于该闪存的一下页或者一中页时，进行该数据备份；以及，当该供电元件的该剩余电力未下降至该临限值时，该主机控制该固态储存元件进入一高效能模式并致能该高速缓存，当该固态储存元件进入该高效能模式时，更禁能该数据备份使该固态储存元件将该写入数据记录于该闪存的该下页或者该中页时，不进行该数据备份。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，当该固态储存元件进入该高效能模式时，该主机发出包装写入指令至该固态储存元件；当该固态储存元件进入该数据保全模式时，该主机发出一般写入指令至该固态储存元件。
3.根据权利要求1所述的电子装置，其中当该供电元件在充电时，该剩余电力被视为尚未下降至该临限值。
4.一种具固态储存元件的电子装置的控制方法，该固态储存元件中包括多个三层式晶胞晶粒所组成的一闪存，包括下列步骤：
检测该电子装置中一供电元件的一剩余电力是否下降至一临限值；
当该供电元件的该剩余电力下降至该临限值时，控制该固态储存元件进入一数据保全模式并禁能固态储存元件中的一高速缓存，当该固态储存元件进入该数据保全模式时，更致能一数据备份使该固态储存元件将一写入数据记录于该闪存的一下页或者一中页时，进行该数据备份；以及
当该供电元件的该剩余电力未下降至该临限值时，控制该固态储存元件进入一高效能模式并致能该高速缓存，当该固态储存元件进入该高效能模式时，更禁能该数据备份使该固态储存元件将该写入数据记录于该闪存的该下页或者该中页时，不进行该数据备份。
5.根据权利要求4所述的控制方法，其中，当该固态储存元件进入该高效能模式时，该电子装置的一主机发出包装写入指令至该固态储存元件；当该固态储存元件进入该数据保全模式时，该主机发出一般写入指令至该固态储存元件。
6.根据权利要求4所述的控制方法，其中当该供电元件在充电时，该剩余电力被视为尚未下降至该临限值。
CN201310491522.1A 2013-10-18 2013-10-18 具固态储存元件的电子装置及其相关控制方法 Active CN104571933B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310491522.1A CN104571933B (zh) 2013-10-18 2013-10-18 具固态储存元件的电子装置及其相关控制方法
US14/187,659 US9165667B2 (en) 2013-10-18 2014-02-24 Electronic device with solid state drive and associated control method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310491522.1A CN104571933B (zh) 2013-10-18 2013-10-18 具固态储存元件的电子装置及其相关控制方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104571933A CN104571933A (zh) 2015-04-29
CN104571933B true CN104571933B (zh) 2017-10-13

Family

ID=52826035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310491522.1A Active CN104571933B (zh) 2013-10-18 2013-10-18 具固态储存元件的电子装置及其相关控制方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9165667B2 (zh)
CN (1) CN104571933B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102272228B1 (ko) * 2014-05-13 2021-07-06 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 저장 장치 및 그것의 동작 방법
KR20160133283A (ko) * 2015-05-12 2016-11-22 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 저장장치를 운영하는 방법 및 이를 구현한 전자장치
WO2016187801A1 (zh) * 2015-05-26 2016-12-01 崔开平 一种用于储存介质的数据管理方法及固态硬盘与控制芯片
CN105302478B (zh) * 2015-09-23 2019-09-24 联想(北京)有限公司 一种数据存储方法及电子设备
CN106569730B (zh) * 2015-10-08 2019-03-22 光宝电子(广州)有限公司 固态储存装置及其相关资料写入方法
TWI611410B (zh) * 2016-05-13 2018-01-11 群聯電子股份有限公司 資料寫入方法、記憶體控制電路單元與記憶體儲存裝置
CN107402716B (zh) * 2016-05-20 2021-06-08 合肥兆芯电子有限公司 数据写入方法、存储器控制电路单元与存储器储存装置
TWI621129B (zh) 2016-10-25 2018-04-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置及其資料寫入方法
US10048887B2 (en) 2016-10-27 2018-08-14 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for single level cell caching
CN107577810A (zh) * 2017-09-27 2018-01-12 北京小米移动软件有限公司 数据写入方法、装置及计算机可读存储介质
CN110471798A (zh) * 2019-08-21 2019-11-19 深圳市时创意电子有限公司 一种有效改善Pair-Page掉失数据的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101197190A (zh) * 2006-09-06 2008-06-11 三星电子株式会社 一种对多层非易失性存储器设备编程的方法
CN101499313A (zh) * 2009-01-06 2009-08-05 成都市华为赛门铁克科技有限公司 一种确保数据安全的方法、设备及存储系统
CN102004707A (zh) * 2010-11-15 2011-04-06 记忆科技(深圳)有限公司 一种固态硬盘掉电保护的方法及其装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7272732B2 (en) * 2003-06-30 2007-09-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Controlling power consumption of at least one computer system
US20100228922A1 (en) * 2009-03-09 2010-09-09 Deepak Limaye Method and system to perform background evictions of cache memory lines
US20140068313A1 (en) * 2012-08-31 2014-03-06 Shinobu SHIMPUKU Storage device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101197190A (zh) * 2006-09-06 2008-06-11 三星电子株式会社 一种对多层非易失性存储器设备编程的方法
CN101499313A (zh) * 2009-01-06 2009-08-05 成都市华为赛门铁克科技有限公司 一种确保数据安全的方法、设备及存储系统
CN102004707A (zh) * 2010-11-15 2011-04-06 记忆科技(深圳)有限公司 一种固态硬盘掉电保护的方法及其装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20150109859A1 (en) 2015-04-23
CN104571933A (zh) 2015-04-29
US9165667B2 (en) 2015-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104571933B (zh) 具固态储存元件的电子装置及其相关控制方法
US9383808B2 (en) Dynamic allocation of power budget for a system having non-volatile memory and methods for the same
CN102436419B (zh) 非易失性存储器系统及管理其电源的方法
US10438669B2 (en) Flash storage device with data integrity protection
CN101183801B (zh) 一种掉电保护方法、系统和装置
EP3872641B1 (en) Storage device and method of operating the storage device
US20150153799A1 (en) Startup Performance and Power Isolation
KR101506675B1 (ko) 보조 전원 장치를 갖는 사용자 장치
TWI473099B (zh) 記憶體儲存裝置、記憶體控制器與控制方法
US20150113305A1 (en) Data storage device
CN109933280A (zh) 数据存储装置及其操作方法
CN103092765B (zh) 固态存储系统、装置及数据写入方法
CN104881375A (zh) 存储系统掉电数据保护方法和装置
CN109473138A (zh) 存储装置及其刷新方法
WO2015081129A2 (en) Hard power fail architecture
CN104115116B (zh) 用于在休眠状态的装置中管理数据的系统和方法
JP2014532929A (ja) 埋め込みメモリ及び埋め込み式記憶システム
CN103198861B (zh) 存储器储存装置、存储器控制器与控制方法
CN113345500B (zh) 用来进行恢复管理的方法及设备
EP4125090B1 (en) Storage device including protection circuit for secondary power source and method of controlling secondary power source
CN1534426A (zh) 存储装置/半导体处理系统
CN107608824B (zh) 一种非易失性计算装置及其工作方法
CN103777732B (zh) 连接器的控制方法、连接器与存储器储存装置
CN104464802A (zh) 存储装置和数据保护方法
WO2015054073A1 (en) Method of protecting data in a storage device, storage device and storage device system

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20200107

Address after: 21 / F, 392 Ruiguang Road, Neihu district, Taipei, Taiwan, China

Patentee after: Jianxing Storage Technology Co., Ltd

Address before: Taipei City, Taiwan, China

Patentee before: Lite-On Technology Corporation