CN104540776B - Mems部件和用于制造的方法 - Google Patents

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Abstract

提出MEMS部件，其具有结晶的基体(GK)，凹口(AN)和包围这个凹口的结构化的构造(A)，其中在第一功能层(MN)中结构化开口(OG)，开口的有效开口截面根据第一功能层(MN)两侧的压力差变化。

Description

MEMS部件和用于制造的方法
背景技术
为了测量压力及特别是用作麦克风，可以把设计成传感器的MEMS装置投入使用。这些MEMS传感器可以按照电容器原理工作，并且然后具有电导通的隔膜和以一定距离所布置的固定电极。由于隔膜偏移所变化的电容可以检测成测量值。
MEMS麦克风的敏感度另外通过其隔膜的机械稳定性确定。为了即使细小的压力差能够被探测，人们努力使用薄而轻的可偏移的隔膜。然而这有缺点，即这些隔膜在高声压或者快速的压力增加的影响下会被损伤。此外隔膜和／或者固定电极会被折断并且因此麦克风或者压力传感器就会被毁坏。
敏感度对于快速增加的高压力最好能够减少的可能性在于，压力平衡开口在薄膜上设置而且这个压力平衡开口要制定得足够大，因此能够对太高的相对压力更快速地消除。然而这会导致在麦克风响应中的较高的下极限频率LLF（LowerLimitingFrequency）。因此麦克风的噪声（Noise）就会增加而信噪比SNR会被减少。因而低频带也会被限制并且所以对低频率的敏感度就会受影响。而LLF值被调整到越高时，隔膜损伤或者固定电极损伤的风险在快速压力增加或者高压力差时就会越低。但是同时传感器的性能就会显著地降低。
发明内容
因此本发明的任务是，给出作为压力传感器或者麦克风使用的MEMS部件，其隔膜对于快速增长直至高声压也有比熟知的解决方案更好的稳定性，同时在此不会使传感器的性能显著地变坏。部分任务在于，用简单的生产方式来提供这样的部件。
这个任务根据本发明通过按照权利要求书1的MEMS部件解决。本发明的有利扩展方案在其他权利要求书中得以显现。
MEMS部件是基于这样的思想，压力平衡开口不会持续性地变大，而是这样来设定的，即它是可变的且它的开口截面是根据增大的压力差来变化的。
MEMS部件具有结晶的基体，该基体用作MEMS结构的载体并且用作为其他的MEMS结构的可结构化的材料。该部件的基体具有凹槽。在基体之上布置有结构化的构造，其包含一个或者多个功能层而且覆盖凹口。在该构造的第一个功能层中开口被结构化，其有效的开口截面根据该层两侧的压力差而变化。
这种变化的开口可以采用减压阀的功能。
简单的作为阀工作的开口得以通过阀瓣来实现，其在压力的作用下会打开，或者其根据作用的压力的高度会打开相应的量。这样的止回阀的简单移位通过在构造的覆盖凹口的层的二维缝隙模型的结构化成功实现，这里是在第一功能层。通过该缝隙模型构成阀瓣。该阀瓣以第一端与其余的第一功能层相连。在另一端，阀瓣是自由结构化，使得它在单侧作用在层上的压力载荷下与其自由结构化的端可以从层的平面翻出。在第一端该阀瓣通过连接桥与剩余功能层连接。因此该连接桥的宽度可以如此选择，使得合适的弹簧常数以及因此期望的阀瓣的偏转特性根据压力的增加得到调整。
该缝隙模型跟随阀瓣的边线，其中阀瓣在三个方向上是与余下的功能层连续分离的。在第一端（对应于第四方向）缝隙模型仅沿着边线的部分切断层，使得缝隙模型在其长度的超过75%上跟随边线。换句话说这意味着，在例如方形阀瓣的情况下阀瓣的宽度比连接桥的宽度更大，连接桥连接阀瓣与功能层的剩余面区域。
在较早设计成长形延伸的形式的阀瓣的情况下缝隙模型在其长度的明显较大的部分（例如超过80%，超过90%或有利超过95%）跟随边线。这导致，连接桥的宽度并且因此抵抗阀瓣的偏移的力常数可以保持较小。
缝隙模型可以定义任意边线。除了有角的基本形式以外圆形边线或部分圆形边线以及混合形式和其他形式也适合用于阀瓣的边线。在阀瓣在其上通过连接桥与其余功能层相连的第一端上边线不通过这里中断的缝隙模型而是通过缝隙模型的端之间的最短连接线定义。以此相应地边线在阀瓣第一端至少在连接桥的区域中具有直边缘。在其他情况下它可在两个端上是部分或完全圆形。但是边线还可以具有两个，三个或四个拐角。
缝隙模型总是跟随阀瓣的边线直至连接桥形成的区域。可能的是，可为相同阀瓣设置两个或多个相互分开某距离布置的连接桥。在这种情况下缝隙模型沿着阀瓣的边线多次打通并且构成与其余功能层的一定数量的连接桥。
一个或多个连接桥的宽度连同层的材料常数一起确定偏转阀瓣所需的力。较小弹簧常数导致较快的阀瓣偏转，该较快的阀瓣偏转此后已经在阀瓣两侧或者第一功能层两侧的较低压力差的情况下实现。因此实现由阀瓣形成的阀的较快速打开。
在非偏转状态中缝隙模型（也就是缝隙模型的缝隙的功能层的平面中测定的面）确定开口的大小并且因此压力平衡的速度。通过(外部)边线定义的阀瓣的大小然后确定开口的最大截面积。这个截面积越大，压力平衡可以进行得越快。
但是还可能的是，多个开口并且因此多个阀瓣设置在层中。在这种情况下还可能的是，设置具有不同面积的不同阀瓣，具有不同的通过一个或多个连接桥宽度确定的弹性元件的不同阀瓣或具有不同形状的边线的不同阀瓣。附加地可以改变开口方向。这可以实现，其方式为阀瓣沿其翻开的轴角度上相对彼此布置。在具有平行轴的多个阀瓣的情况下阀瓣的开口方向可以改变180°。
如果不同阀瓣具有不同弹簧常数，则阀瓣的总压力有关的反应性能，也就是全体阀瓣的总开口截面与压力上升的依赖性可以以期望的方式适应。例如当设置已经在较小压力差下打开的具有较小弹簧常数但是相对较小基面的第一阀瓣时合适的性能可以达到。因为通常第一较大压力差可以导致损害隔膜，开口截面的快速提高有利的，这以较大阀瓣面在第二阀瓣时达到，但是其分别具有较大弹簧常数或者宽的连接桥。
在MEMS部件的实施中具有开口的功能层设定成电导通并且设计作为部件的隔膜。平行并且与具有开口的功能层一定距离地在构造中作为另外功能层布置打通的固定电极。在此隔膜是第一功能层，该第一功能层遮盖凹口并且由此在凹口中包围剩余容积（Rückvolumen）。这种MEMS部件可作为压力传感器或麦克风使用。打通的固定电极可以在构造中接近基体布置作为隔膜。但是还可能的是，固定电极布置在隔膜内部，也就是在隔膜的从基体指向前的侧上。在每种情况下打通的固定电极具有孔模型或形成栅，通过栅MEMS部件的隔膜与周围环境相连，使得充满环境中的压力也紧贴隔膜。剩余容积通过其内闭合的大气提供反压力，反压力抵抗隔膜的偏移以及还有阀瓣的偏移。
MEMS部件的隔膜可以根据压力梯度向两侧偏转。还在隔膜向外太大偏移的情况下可以产生对隔膜的损坏，该损坏通过阀瓣的提出的扩展方案避免。
用提出MEMS部件（其中有拐角的第一功能层的凹口其有效开口截面根据层两侧的压力差改变的开口被结构化）较快压力平衡在快速上升或下降外部压力的情况下实现。这导致，甚至例如设计成隔膜的第一功能层的动态性能可保持平坦太大的尖峰。缓慢上升或下降压力然后通过经由缝隙模型提供的开口减少或者平衡。关于阀瓣的大小和弹簧常数作为隔膜工作的层的最大偏移可以如此调整，使得不可能损害第一或还有另外功能层。
在其内部阀瓣以值得重视的程度打开的极限压力PG可通过阀瓣的弹簧常数调整。这种极限压力然后可以根据期望应用和其期望敏感度几乎任意调整。
对于麦克风应用这个值可以在0.05和1.00bar之间，在0.1和0.8bar之间，在0.15和0.60bar之间或在0.2和0.5bar之间选择。
用作隔膜的功能层可以包括多晶硅层。多晶硅可以借助于掺杂物质适应于电导通。这样成功地，将隔膜设计成电容工作的MEMS部件的电极。第二电极由同样适应于电导通的固定电极形成。
MEMS部件的隔膜还可以设计成多层的，其中多晶硅层形成子层，优选对称层构造的中间子层。但是还可能的是，隔膜的子层设计成金属层，其他子层相反由绝缘的或电隔离的材料制成。
隔膜的适合的层构造包括插入两个氮化硅层之间的对称多晶硅层。
提出的MEMS部件的制造准确地如已知MEMS部件的制造一样需要在全面膨胀中的结构化隔膜，还有开口的制造。然后结构化与具有平面的开口的已知MEMS部件不同如此实施，使得通过合适的缝隙模型构成阀瓣。在此部件可在不提高制造花费的情况下制造并且不要求复杂并额外的方法步骤。
附图说明
下面根据实施例和与此有关的附图更详细解释本发明。附图仅示意性并且并非成比例构成，使得不可从附图提取绝对还有相对尺寸。相同或相似起作用的部分以相同附图标记标记。
图1A以示意截面示出已知MEMS麦克风，
图1B以俯视图示出相同麦克风，
图2A以示意截面示出根据本发明的MEMS部件，
图2B以俯视图示出相同部件，
图3A到3H示出缝隙模型的不同实施。
具体实施方式
图1A以示意截面示出从现有技术已知的MEMS麦克风。根据这个附图在下面解释部件的基本工作原理。除了开口和功能之外根据本发明的部件的构造和功能与这里描述的已知MEMS部件互相协调。
MEMS部件具有结晶的基体GK，其中结构化优选具有垂直侧壁的凹口AN。在基体GK的上侧上布置在此包括多个功能层的构造A。这个构造包括设计成隔膜的第一功能层MN，和设计成固定电极FE的第二功能层。构造A的两个功能层覆盖凹口并且彼此成一定距离并且平行地布置。第一功能层MN跨过整个凹口并且向上密封该凹口。然后通过这种方式密封的剩余容积仅通过小并且例如圆的开口OG与MEMS部件上部的大气相连用于缓慢压力交换。
在凹口AN外部的区域中层构造A可以包括另外的层或功能层，该另外的层或功能层尤其是可用作第一和第二功能层之间的距离保持器并且是例如牺牲层的残留，借助于结构化功能层之间的自由中间空间实现。此外另外的层还用于固定功能层在稍后的隔膜的边缘区域中并且优选在基体GK的表面上的凹口的边缘区域中。
这种部件可以作为麦克风使用并且例如作为电容部件驱动。对此第一功能层MN和第二功能层FE调适成电导通并且形成两个电容器电极，其电连接在示意图中未示出。
凹口AN在基体GK的下侧上用后板RP封闭，其与部件一起产生或是其上安装MEMS部件的表面的部分。后板RP还可以是基体GK的部分。这样在凹口内部包围剩余容积，剩余容积可作为参考用于测量外部压力或声波，外部压力或声波产生隔膜两侧的压力差。剩余容积内的内在压力和外部压力之间的压力差导致隔膜MN的偏移，由此到固定电极FE的距离改变并且因此电容器的电容改变。这个值可以作为信号强度或者压力差的尺度使用并且通过相应放大电路输出作为可用信号。通过开口OG建立压力平衡，其中对此要求的持续时间取决于开口的大小或者开口OG的截面面积，这在已知MEMS部件的情况下是常数。
图1B以俯视图示出相同MEMS部件，其中更好表示设置用于压力平衡的开口OG。隔膜在此具有圆形基面，但是不限制在圆形形状，同样地如基体GK不限制在四边形形状。
在隔膜MN和固定电极FE以优选较小距离相对彼此布置时，贴在隔膜MN上的大压力差可以导致隔膜的如此大偏移，使得其敲在固定电极上并且如此存在损伤或损害隔膜的危险。
图2A示出通过避免了该问题的提出的MEMS部件的示意截面。MEMS部件具有结晶的基体GK，其中再次设置打通基体的凹口AN。在上侧上凹口由构造A遮盖。构造包括至少一个第一功能层MN。在第一功能层中设置用于压力平衡的开口OG。但是现在在这方面作为子结构从现有技术已知的布置进一步如此设计，通过合适结构化开口OG其影响如阀，该阀根据贴在第一功能层MN上的压力差改变开口OG的开口截面。在附图中隔膜(第一功能层)在部件的基本状态中并且在正常大小的开口OG的情况下以画线条的线示出。用虚线表示某情况中的部件，其中第一功能层MN下的压力比第一功能层上更大。这导致作为第一功能层的部分的阀瓣的偏移如此，放大开口OG的截面。用虚划线表示该情况，其中第一功能层MN上的压力第一功能层下的压力更大。这导致可移动的功能层向下偏移并且以此同样导致开口OG截面面积的放大。
可移动的部分在第一功能层中借助于缝隙模型结构化，借助于缝隙模型定义阀瓣VK。
图2B示出结构化这样的阀瓣VK的简单可能性。附图以俯视图示出在图2A中示出的部件。缝隙模型SM沿着其总长度打通第一功能层MN。缝隙模型跟随阀瓣VK的边线直到连接桥，通过连接桥阀瓣与第一功能层MN的其余面相连并且保持。在第二端上从到功能层的连接释放的阀瓣现在可以从等高面翻出并且但是通过连接桥保持与其余功能层MN相连。
缝隙模型SM打通第一功能层MN并且以此已经制成开口OG，开口OG可以造成第一功能层的两侧之间的具有确定的与开口的大小有关的速度的压力平衡。直到极限压力PG作用在阀瓣VK上的压力还不足够，其足够注意地从等高面出来地移动。
在起作用的有效压力PE(或者压力差)在极限压力PG上的情况下在阀瓣上起作用的力足够其如此偏转，开口OG的有效截面明显放大。根据偏移的度数开口OG的截面面积可以上升最大直到由阀瓣的外部边线包围的面。这样放大的开口在高起作用的压力或者压力差的情况下导致快速压力平衡并且以此导致在第一功能层MN上起作用的力的减少。这样避免由于太高压力的第一功能层MN的太大偏移并且以此避免对其损害。
图3A到3H示出缝隙模型或者通过缝隙模型定义的阀瓣VK的示例性的可能的不同扩展方案。图3A示出缝隙模型，缝隙模型定义矩形到方形阀瓣和连接桥VS。连接桥VS的宽度优选比连接桥VS与其连接的四边形的阀瓣VK的相同侧长度更小。在图3A中连接桥VS还两侧地通过平行于桥延伸的线条定义，使得连接桥VS的长度还通过缝隙模型给定。
图3B示出缝隙模型SM的实施，其中连接桥仅通过边线中的缺口定义。连接桥VS的宽度还在此基本上确定用于从等高面偏移阀瓣要求的力。连接桥的宽度在此通过缝隙模型的两个端相对彼此占据的距离定义。沿着这个距离该两个端不跟随阀瓣的边线。在此连接桥VS造成缝隙模型的中断。
图3B示出类似布置，其中但是缝隙模型二次打通，使得形成两个连接桥VS。两个连接桥在阀瓣或者缝隙模型的相同端布置。但是还可能的是，多个连接桥可在缝隙模型的不同侧设置。
图3D示出本质上和图3C相同的布置，其中仅连接桥在缝隙模型的位置相对的侧上设置。除了矩形形状用于缝隙模型或者用于阀瓣的边线以外还可以设置任意其他的形状。例如还可能的是，边线的至少一个端至少部分地做成圆形。图3E示出该布置，其中通过其阀瓣与其余功能层相连的第一端做成圆形。位置相对的端具有接近矩形的形状。图3F示出跟随相同或类似边线的缝隙模型，其中但是代替两个连接桥设置仅一个连接桥在圆形的端上。图3G示出与图3F类似的边线，其中连接桥设置在矩形设计的第一端上，而第二端是圆形的。图3H示出跟随与图3E到3G类似的边线的缝隙模型，其中但是连接桥在圆形的端上设置。与图3F的缝隙模型相比在此减少连接桥的宽度。
根据本发明的MEMS部件在此可以如图2A一样设计并且在此具有如在图3A到3H中所示的缝隙模型。
例如根据图3A到3H设计的缝隙模型优选接近第一功能层MN的边缘区域，但是在凹口AN上面布置。但是还可能的是，多个缝隙模型设置在凹口AN的上面的功能层上。不同缝隙模型可以不同地成形，可以用其边线定义不同大小阀瓣VK，可以包括不同宽度连接桥并且以此具有对压力差的不同反应性能。但是还可能的是，除了缝隙模型SM以外还设置常规开口OG，该常规开口的开口截面不变。这样还可以更好地调整该有效开口的开口截面，该有效开口的开口截面在没有压力差的情况下或者在仅无害的小压力差的情况下第一功能层的两侧的极限压力PG下给出的。
如具有根据本发明的缝隙模型的在图2A中示出的MEMS部件可以用作过压阀或减压阀用于任意的应用。
但是优选应用可在于在另外的扩展方案中的在图2A中示出的MEMS部件，其中其扩展到MEMS压力传感器或MEMS麦克风。在此可以与在图1A中类似地以已知的方式设置有第二功能层，第二功能层是压力传感器或麦克风的固定电极FE。在其他未示出的实施中MEMS部件可以具有两个固定电极FE，其中第二固定电极FE然后布置在用作隔膜MN的第一功能层的下面。这种麦克风可以差别化地操作并且允许精确地检测测量值。
在MEMS压力传感器或MEMS麦克风中作为隔膜MN设计的第一功能层MN优选是导电的掺杂的多晶硅层。为了提供机械稳定性第一功能层可以具有多层构造方式。优选地两个机械稳定的层之间插入多晶硅层，例如在两个氮化硅层之间插入。还可能的是，作为隔膜MN设计的第一功能层设置为金属层。
构造A的其余功能层优选地由结构稳定的并且必要时电传导的层材料构成。
此外优选在方法阶段中，在产生凹口AN之前通过层沉积方法实现在基体GK上制造构造A。通过单个层沉积之间的不同结构化步骤可以结构化子层。但是还可能的是，同时结构化构造的多个功能层。可以产生功能层之间的空腔，其方式为在那里沉积牺牲材料并且首先在稍后的方法步骤中析取。结构化步骤优选通过化学或物理蚀刻方法实现，其中该结构可通过抗蚀剂给定。但是还可能的是，结构化通过位置准确的材料损伤直接并且没有抗蚀剂掩膜的情况下进行。
在操作作为压力传感器或麦克风设计的MEMS部件时凹口AN的下侧通过后板RP遮盖。类似于构造A这可以通过相应层沉积产生。在这种情况下在第一方法步骤中后板具有开口，通过开口凹口AN可通过蚀刻产生。在第二或其他方法步骤中然后开口再次封闭。
但是还可能的是，下侧上的凹口AN通过芯片作为后板RP封闭，优选通过其上安装MEMS部件的半导体芯片进行。但是还可能的是，使用其他坚实载体材料用于封闭通过凹口形成的空腔或在电路板上MEMS部件如此安装，使得向下密封凹口并且封闭剩余容积。
提出的MEMS部件具有优势，其可以已知的方式在没有额外方法花费的情况下制造。在至今圆形或类型形状的开口OG在隔膜中结构化时，现在在其位置上将缝隙模型结构化，缝隙模型可在没有附加的花费的情况下制造。如此获得的MEMS麦克风具有低下极限频率LLF，减少噪声并且在此示出改善的信噪比。
部件具有正常的工作模式，其中部件如常规MEMS麦克风表现。在极限压力PG上面开口OG的开口截面的根据本发明的扩展如此大，使得其导致快速压力平衡。这快速减小隔膜两侧的压力差并且在此导致较小的隔膜偏转。通过这种方式减少该风险，即隔膜或相邻固定电极由于隔膜的太大的偏移损害。
本发明不限制在实施例或附图上。本发明的基本思想在于仅仅证实为，根据邻近的压力改变的开口截面设置在MEMS部件的隔膜中。
附图标记列表
GK 结晶的基体
AN 凹口
A 结构化的构造
MN 第一功能层，隔膜
OG 开口
开口的开口截面
SM 二维缝隙模型
VK 可移动的阀瓣
FE 固定电极
RP 后板
PE 有效压力
PG 极限压力

Claims (21)

1.MEMS部件，
-具有结晶的基体(GK)，所述结晶的基体具有凹口(AN)，
-具有所述基体上的结构化的构造(A)，所述构造包括至少一个第一功能层(MN)并且遮盖所述凹口，
-其中在所述构造的第一功能层中在凹口上的区域中结构化开口(OG)，所述开口的有效开口截面根据第一功能层两侧的压力差变化，
-其中所述开口(OG)通过打通第一功能层的二维缝隙模型(SM)形成，
-其中所述缝隙模型定义了阀瓣(VK)，所述阀瓣在第一端上通过连接桥与所述第一功能层(MN)的其余面部分相连并且以第二端自由地结构化，
-其中所述阀瓣从预定单侧的压力载荷起能从第一功能层的等高面翻出并且因此放大开口(OG)的截面。
2.如权利要求1所述的MEMS部件，
-其中所述阀瓣(VK)在至少一个第一端上能通过连接桥与所述第一功能层(MN)的其余部分相连并且以第二端自由结构化并且如此从等高面翻出。
3.如权利要求1所述的MEMS部件，
-其中所述阀瓣(VK)如此构成，使得开口(OG)的截面只要限制在打通第一功能层(MN)的二维缝隙模型(SM)的面上，如对应于压力差的邻近的有效压力PE比给定极限压力PG更小，
-其中在具有PE≥PG的真正作用于所述部件的压力PE的情况下所述阀瓣翻出，
-其中所述极限压力PG如此选择，使得部件的损害在具有极限压力的载荷的情况下消除。
4.如权利要求1-3中任一项所述的MEMS部件，
-其中所述阀瓣(VK)的大小通过闭合的边线定义，
-其中所述缝隙模型(SM)沿着阀瓣的边线多次打通地中断，使得所述阀瓣在第一端上通过两个或多个彼此在距离上彼此分开布置的连接桥与第一功能层的其余面部分相连。
5.如权利要求1-3中任一项所述的MEMS部件，
-其中所述阀瓣(VK)的大小通过闭合的边线定义，
-其中所述缝隙模型(SM)跟随边线直至超过其长度的75%，
-其中在边线上缝隙模型的缺失至100%的部分对应于一个或多个连接桥的宽度。
6.如权利要求5所述的MEMS部件，
-其中所述缝隙模型(SM)跟随边线直至超过其长度的80%。
7.如权利要求6所述的MEMS部件，
-其中所述缝隙模型(SM)跟随边线直至超过其长度的90%。
8.如权利要求7所述的MEMS部件，
-其中所述缝隙模型(SM)跟随边线直至超过其长度的95%。
9.如权利要求1-3中任一项所述的MEMS部件，
其中所述阀瓣(VK)在第一端，在第二端或在两端上具有圆形边线。
10.如权利要求4所述的MEMS部件，
其中所述边线具有至少一个拐角。
11.如权利要求1-3中任一项所述的MEMS部件，
其具有超过一个阀瓣(VK)。
12.如权利要求1-3中任一项所述的MEMS部件，
其中构造不同大小的阀瓣(VK)，所述阀瓣的开口截面具有不同的压力依赖性。
13.如权利要求1-3中任一项所述的MEMS部件，
-其中具有开口(OG)的第一功能层(MN)设计成导电的并且是MEMS部件的隔膜，
-其中所述构造平行并且到具有开口(OG)的第一功能层(MN)一定距离地具有打通的固定电极(FE)作为第二功能层，
-其中在所述凹口(AN)中所述隔膜包围剩余容积，
-所述MEMS部件能使用为压力传感器或麦克风。
14.如权利要求13所述的MEMS部件，
其中所述隔膜具有多晶硅层或金属层。
15.如权利要求1-3中任一项所述的MEMS部件，
其中所述阀瓣(VK)能在两个方向上从第一功能层(MN)的等高面翻出。
16.如权利要求3所述的MEMS部件，
其中所述极限压力PG通过测定连接桥的宽度调整到位于0.05和1.00bar之间的值。
17.如权利要求16所述的MEMS部件，
其中所述值位于0.1和0.8bar之间。
18.如权利要求17所述的MEMS部件，
其中所述值位于0.15和0.60bar之间。
19.如权利要求18所述的MEMS部件，
其中所述值位于0.2和0.5bar之间。
20.用于制造根据权利要求1-19之一所述的MEMS部件的方法，
-其中由至少第一功能层(MN)制成的构造(A)在基体(GK)上施加并且结构化，
-其中为结构化第一功能层(MN)这关于其基面定义并且与全面的结构化一起集成地产生缝隙模型(SM)，
-其中所述缝隙模型跟随阀瓣(VK)的边线到其长度的超过75%，
-其中在基体(GK)中产生凹口(AN)，所述凹口由功能层如此遮盖，使得在此包围容积，
-其中所述缝隙模型(SM)在凹口上的区域中产生。
21.如权利要求20所述的方法，
-其中在所述第一功能层(MN)上在其结构化之后全平面地施加牺牲层，
-其中所述牺牲层在产生凹口(AN)之后至少在凹口上的区域完全地腐蚀或溶解。
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