CN104538410A - 薄膜晶体管阵列基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示技术领域，公开了一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置。在所述阵列基板上设置有检测线，用于传输检测DGS的信号，当发生DGS时，检测信号通过单向导通元件从栅线(或数据线)输入，从数据线(或栅线)输出，并在数据线(或栅线)端设置报警元件，报警元件接收检测信号，输出相应的报警信号。其中，单向导通元件与栅线(或数据线)的位置一一对应，报警元件与数据线(或栅线)的位置一一对应，通过获取所述报警信号，即可确定发生DGS的位置。即使组装模组后，只需关闭模组，输入检测信号，就可以进行DGS检测。单向导通元件的设置，使得检测组件的设置不会影响模组的正常工作。

Description

薄膜晶体管阵列基板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及显示装置。

背景技术

DGS(Data Gate Short，栅线和数据线短接)是薄膜晶体管液晶显示器件的常见不良之一。而目前检测DGS的手段非常有限，只有在薄膜晶体管阵列基板刚做完的时候，在产线内检测DGS。当组成模组后，如果发生DGS，检测手段非常有限，甚至无法准确找到发生DGS的位置。而且在产品开发的过程中如果无法找到DGS的发生位置，就会耽误产品的开发进程。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，用以检测DGS的发生位置。

本发明还通过一种显示装置，包括如上所述的薄膜晶体管阵列基板，用以提高产品良率。

为解决上述技术问题，本发明实施例中提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条栅线和多条数据线，还包括：

第一检测线，用于传输第一检测信号；

与所述栅线或数据线一一对应设置并电性连接的第一单向导通元件，所述第一单向导通元件的另一端与所述第一检测线电性连接；

第一报警元件，当所述第一单向导通元件与栅线一一对应设置时，所述第一报警元件与数据线一一对应设置，并电性连接，当所述第一单向导通元件与数据线一一对应设置时，所述第一报警元件与栅线一一对应设置，并电性连接，所述第一报警元件用于接收第一检测信号，并输出相应的报警信号。

如上所述的薄膜晶体管阵列基板，优选的是，所述第一单向导通元件与数据线一一对应设置；

所述薄膜晶体管阵列基板还包括：

第二检测线，用于传输第二检测信号；

与栅线一一对应设置并电性连接的第二单向导通元件，所述第二单向导通元件的另一端与所述第二检测线电性连接；

与数据线一一对应设置并电性连接的第二报警元件，所述第二报警元件用于接收第二检测信号，并输出相应的报警信号。

如上所述的薄膜晶体管阵列基板，优选的是，所述第一检测线与栅线为同层结构，所述第二检测线与数据线为同层结构。

如上所述的薄膜晶体管阵列基板，优选的是，所述第一单向导通元件和第二单向导通元件为二极管。

如上所述的薄膜晶体管阵列基板，优选的是，数据线和第一检测线作为所述第一单向导通元件的两个电极；

栅线和第二检测线作为所述第二单向导通元件的两个电极。

如上所述的薄膜晶体管阵列基板，优选的是，所述第一单向导通元件和第二单向导通元件的P型半导体层为同层结构，所述第一单向导通元件和第二单向导通元件的N型半导体层为同层结构。

如上所述的薄膜晶体管阵列基板，优选的是，所述第一报警元件和第二报警元件为发光元件。

如上所述的薄膜晶体管阵列基板，优选的是，所述第一报警元件和第二报警元件为有机发光二极管。

如上所述的薄膜晶体管阵列基板，优选的是，所述第一报警元件的底电极与栅线为一体结构，所述第二报警元件的底电极与数据线为一体结构。

本发明实施例中还提供一种显示装置，包括如上所述的薄膜晶体管阵列基板。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

上述技术方案中，在阵列基板上设置有检测线，用于传输检测DGS的信号，当发生DGS时，检测信号通过单向导通元件从栅线(或数据线)输入，从数据线(或栅线)输出，并在数据线(或栅线)端设置报警元件，报警元件接收检测信号，输出相应的报警信号。其中，单向导通元件与栅线(或数据线)的位置一一对应，报警元件与数据线(或栅线)的位置一一对应，通过获取所述报警信号，即可确定发生DGS的位置。即使组装模组后，只需关闭模组，输入检测信号，就可以进行DGS检测。单向导通元件的设置，使得检测组件的设置不会影响模组的正常工作。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的俯视图一；

图2表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的俯视图二；

图3表示图2的局部示意图；

图4-图8表示本发明实施例中薄膜晶体管阵列基板的制作过程示意图。

具体实施方式

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括检测线，用于传输检测DGS的检测信号。并在阵列基板上设置单向导通元件和报警元件，所述单向导通元件与栅线(或数据线)一一对应设置并电性连接，所述单向导通元件的另一端与所述检测线电性连接。所述报警元件与数据线(或栅线)一一对应设置并电性连接。在检测过程中，当发生DGS时，所述检测信号通过单向导通元件传输至栅线(或数据线)，报警元件接收检测信号，并输出相应的报警信号。通过获取所述报警信号即可确定发生DGS的位置。即使组装模组后，只需关闭模组，输入检测信号，就可以进行DGS检测。单向导通元件的设置，使得检测组件的设置不会影响产品的正常工作。

具体的，当单向导通元件与栅线一一对应设置并电性连接时，所述报警元件与数据线一一对应设置并电性连接。在检测过程中，当发生DGS时，检测信号通过单向导通元件传输至栅线，再通过DGS点传输至数据线，与数据线电性连接的报警元件接收到检测信号，输出相应的报警信号。

当单向导通元件与数据线一一对应设置并电性连接时，所述报警元件与栅线一一对应设置并电性连接。在检测过程中，当发生DGS时，检测信号通过单向导通元件传输至数据线，再通过DGS点传输至栅线，与栅线电性连接的报警元件接收到检测信号，输出相应的报警信号。

其中，所述检测线可以与栅线(或数据线)交叉分布，并在检测线与栅线(或数据线)的交叉处设置单向导通元件，所述单向导通元件的一端与检测线电性连接，另一端与栅线(或数据线)电性连接。具体的，检测线可以与栅线(或数据线)为同层结构，通过对同一膜层的构图工艺同时形成。

下面将结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

如图1所示，本发明实施例中提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条栅线10和多条数据线20，栅线10和数据线20交叉分布，限定多个像素区域。在阵列基板上还设置有第一检测线1，用于传输检测DGS的第一检测信号。并设置第一单向导通元件2和第一报警元件3，其中，第一单向导通元件2与数据线20一一对应设置并电性连接，第一单向导通元件2的另一端与第一检测线1电性连接。第一报警元件3与栅线10一一对应设置，并电性连接。第一报警元件3用于接收第一检测信号，并输出相应的报警信号。

在检测过程中，首先关闭模组，然后通过第一检测线1传输第一检测信号，当发生DGS时，第一检测信号经过第一单向导通元件2传输至数据线20，再通过DGS点7传输至栅线10，与栅线10电性连接的第一报警元件3接收到第一检测信号，输出相应的报警信号，通过获取所述报警信号可以确定哪条栅线10发生DGS，再通过有限的检测手段，即可确定DGS点的精确位置。

上述技术方案中，在阵列基板上增加检测线、单向导通元件和报警元件，就可以完成对DGS的检测，不会破坏阵列基板本身的结构。即使组装模组后，只需关闭模组，然后通过检测线传输检测信号，也能有效完成DGS检测。单向导通元件的设置，使得检测组件(包括检测线、单向导通元件和报警元件)的设置不会影响模组的正常工作。

其中，第一单向导通元件2可以为二极管。第一报警元件3可以为发光元件，例如：有机发光二极管，具体可以将数据线20作为有机发光二极管的底电极，即有机发光二极管的底电极与数据线20为一体结构，以简化制作工艺。需要说明的是，这里并不是一种限定，只是举例说明第一单向导通元件2和第一报警元件3的器件选择。

为了简化制作工艺，可以设置第一检测线1与栅线10为同层结构，通过对同一栅金属层的构图工艺同时形成。

在一个具体的实施方式中，第一检测线1与数据线20交叉分布，第一单向导通元件2设置在第一检测线1与数据线20的交叉处。以第一单向导通元件2二极管为例，可以设置第一检测线1与数据线20作为第一单向导通元件2的两个电极，只需再增加二极管的P型半导体层和N型半导体层的制作工艺，缺省了电极的制作。

进一步地，如图2所示，在阵列基板上还设置有第二检测线4，用于传输第二检测信号。并设置第二单向导通元件5和第二报警元件6，第二单向导通元件5与栅线10一一对应设置并电性连接，第二单向导通元件5的另一端与第二检测线4电性连接。第二报警元件6与数据线20一一对应设置并电性连接。第二报警元件6用于接收第二检测信号，并输出相应的报警信号。结合图2和图3所示，在检测过程中，关闭模组，首先通过第一检测线1传输第一检测信号，当发生DGS时，第一检测信号经过第一单向导通元件2传输至数据线20，再通过DGS点8传输至栅线10，与栅线10电性连接的第一报警元件3接收到第一检测信号，输出相应的报警信号，通过获取所述报警信号可以确定哪条栅线10发生DGS；然后通过第二检测线4传输第二检测信号，第二检测信号经过第二单向导通元件5传输至栅线10，再通过DGS点8传输至数据线20，与数据线20电性连接的第二报警元件6接收到第二检测信号，输出相应的报警信号，通过获取所述报警信号可以确定哪条数据线20发生DGS。其中，发生DGS的栅线10和数据线20的交点即为DGS点，精确确定DGS点的坐标。

当然，也可以首先施加第二检测信号确定哪条数据线20发生DGS，然后施加第一检测信号确定哪条栅线10发生DGS，同样可以精确确定DGS点的坐标。

本发明实施例中还可以仅设置第二检测线4、第二单向导通元件5和第二报警元件6，用于检测哪条数据线20发生DGS，然后再通过有限的检测手段，即可确定DGS点的精确位置。

其中，第二单向导通元件5可以为二极管。第二报警元件6可以为发光元件，例如：有机发光二极管，具体可以将栅线10作为有机发光二极管的底电极，即有机发光二极管的底电极与栅线10为一体结构，以简化制作工艺。需要说明的是，这里并不是一种限定，只是举例说明第二单向导通元件5和第二报警元件6的器件类型。

为了简化制作工艺，可以设置第二检测线4与数据线20为同层结构，通过对同一源漏金属层的构图工艺同时形成。

在一个具体的实施方式中，第二检测线4与栅线10交叉分布，第二单向导通元件5设置在第一检测线4与栅线10的交叉处。以第二单向导通元件5二极管为例，可以设置第二检测线4与栅线10作为第二单向导通元件5的两个电极，只需再增加二极管的P型半导体层和N型半导体层的制作工艺，缺省了电极的制作。

优选地，在阵列基板上同时形成第一检测线1、第一单向导通元件2和第一报警元件3，以及第二检测线4、第二单向导通元件5和第二报警元件6，能够快速确定DGS点的坐标，及时进行修复。

具体可以设置第一检测线1与数据线20交叉分布，第二检测线4与栅线10交叉分布。并在第一检测线1与数据线20的交叉处设置第一单向导通元件2，在第二检测线4与栅线10的交叉处设置第二单向导通元件5。为了简化制作工艺，设置第一检测线1与栅线10为同层结构，通过对同一栅金属层的构图工艺形成。并设置第二检测线4与数据线20为同层结构，通过对同一源漏金属层的构图工艺形成。

当第一报警元件3和第二报警元件6为有机发光二极管时，第一报警元件3的底电极与栅线10为一体结构，第二报警元件6的底电极与数据线20为一体结构。

当第一单向导通元件2和第二单向导通元件5为二极管时，可以将第一检测线1与数据线20作为第一单向导通元件2的两个电极，第二检测线4与栅线10作为第二单向导通元件5的两个电极。并设置第一单向导通元件2和第二单向导通元件5的P型半导体层为同层结构，通过对同一P型半导体薄膜的构图工艺同时形成。第一单向导通元件2和第二单向导通元件5的N型半导体层为同层结构，通过对同一N型半导体薄膜的构图工艺同时形成。

以底栅型薄膜晶体管阵列基板为例，结合图4-图8所示，本发明实施例中的制作方法具体包括：

步骤S1、在衬底基板(图中未示出)上形成栅金属层，对栅金属层进行构图工艺，形成栅线10和第一检测线1，其中，栅线10和第一检测线1平行设置，如图4所示；

具体地，可以采用溅射或热蒸发的方法在衬底基板上沉积一层厚度为的栅金属层，栅金属层可以是Cu，Al，Ag，Mo，Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金，栅金属层可以为单层结构或者多层结构，多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。

在栅金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，显影，使光刻胶形成光刻胶不保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于栅线10和第一检测线1的所在区域，光刻胶不保留区域对应于其他区域；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶不保留区域的栅金属层，剥离剩余的光刻胶，形成栅线10和第一检测线1。

步骤S2、在栅线10上形成有第一报警元件的第一发光层30，如图5所示；

其中，第一发光层30位于非显示区，栅线10作为第一报警元件的第一底电极。

步骤S3、在完成步骤S2的衬底基板上形成栅绝缘层(图中未示出)，对栅绝缘层进行构图工艺，形成过孔，露出第一检测线1和栅线10，其中，所述过孔与数据线和栅线的位置一一对应，第一检测线1作为第一单向导通元件的一个电极，栅线10作为第二单向导通元件的一个电极；

栅绝缘层材料可以选用氧化物、氮化物或者氮氧化物，可以为单层、双层或多层结构。具体地，栅绝缘层可以是SiNx，SiOx或Si(ON)x。

步骤S4、在完成步骤S3的衬底基板上依次形成第一单向导通元件的第一半导体层40和第二单向导通元件的第二半导体层50，第一半导体层40和第二半导体层50包括层叠设置的P型半导体层和N型半导体层。第一半导体层40的P型半导体层通过栅绝缘层中的过孔与第一检测线1接触设置，第二半导体层50的P型半导体层通过栅绝缘层中的过孔与栅线10接触设置，如图6所示；

步骤S5、在完成步骤S4的衬底基板上形成源漏金属层，对所述源漏金属层进行构图工艺，形成数据线20、第二检测线2和第一报警元件的第一顶电极31。其中，第一顶电极31与第一发光层31接触设置，数据线20和第二检测线2平行设置，栅线10和数据线20横纵交叉分布。数据线20与第一半导体层40的N型半导体层接触设置，作为第一单向导通元件的另一电极；第一检测线2与第二半导体层50的N型半导体层接触设置，作为第二单向导通元件的另一电极，如图7所示；

步骤S6、在数据线20上形成第二报警元件的第二发光层60，结合图8所示

其中，第二发光层60位于非显示区，数据线20作为第二报警元件的第二底电极。

步骤S7、在第二发光层60上形成第二报警元件的第二顶电极61，如图8所示。

其中，第二顶电极61材料可以为透明导电材料。

以上是本发明实施例中底栅型薄膜晶体管阵列基板的主要制作工艺过程，对于其他结构(如：栅电极、有源层、源电极和漏电极、像素电极)与现有技术中的制作工艺相同，不再具体详述。

本发明实施例中还提供一种显示装置，包括上述的薄膜晶体管阵列基板，能够实现DGS的有效检测，提高产品良率。

本发明的技术方案，在阵列基板上设置有检测线，用于传输检测DGS的信号，当发生DGS时，检测信号通过单向导通元件从栅线(或数据线)输入，从数据线(或栅线)输出，并在数据线(或栅线)端设置报警元件，报警元件接收检测信号，输出相应的报警信号。其中，单向导通元件与栅线(或数据线)的位置一一对应，报警元件与数据线(或栅线)的位置一一对应，通过获取所述报警信号，即可确定发生DGS的位置。即使组装模组后，只需关闭模组，输入检测信号，就可以进行DGS检测。单向导通元件的设置，使得检测组件的设置不会影响模组的正常工作。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括多条栅线和多条数据线，其特征在于，还包括：

第一检测线，用于传输第一检测信号；

与所述栅线或数据线一一对应设置并电性连接的第一单向导通元件，所述第一单向导通元件的另一端与所述第一检测线电性连接；

第一报警元件，当所述第一单向导通元件与栅线一一对应设置时，所述第一报警元件与数据线一一对应设置，并电性连接，当所述第一单向导通元件与数据线一一对应设置时，所述第一报警元件与栅线一一对应设置，并电性连接，所述第一报警元件用于接收第一检测信号，并输出相应的报警信号。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一单向导通元件与数据线一一对应设置；

所述薄膜晶体管阵列基板还包括：

第二检测线，用于传输第二检测信号；

与栅线一一对应设置并电性连接的第二单向导通元件，所述第二单向导通元件的另一端与所述第二检测线电性连接；

与数据线一一对应设置并电性连接的第二报警元件，所述第二报警元件用于接收第二检测信号，并输出相应的报警信号。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一检测线与栅线为同层结构，所述第二检测线与数据线为同层结构。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一单向导通元件和第二单向导通元件为二极管。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，数据线和第一检测线作为所述第一单向导通元件的两个电极；

栅线和第二检测线作为所述第二单向导通元件的两个电极。

6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一单向导通元件和第二单向导通元件的P型半导体层为同层结构，所述第一单向导通元件和第二单向导通元件的N型半导体层为同层结构。

7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一报警元件和第二报警元件为发光元件。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一报警元件和第二报警元件为有机发光二极管。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一报警元件的底电极与栅线为一体结构，所述第二报警元件的底电极与数据线为一体结构。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。