CN104506143B - 一种射频功率放大器高次谐波抑制电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种射频功率放大器高次谐波抑制电路，包括晶体管，高次谐波抑制电路，基波匹配电路和直流偏置电路；所述高次谐波抑制电路位于晶体管和基波匹配电路之间；所述基波匹配电路和直流偏置电路位于高次谐波抑制电路和负载之间。采用低通滤波器或带通滤波器实现所述高次谐波抑制电路，所述射频功率放大器的基波频率在所述低通滤波器或带通滤波器的通带内，所有谐波频率分量在所述滤波器的阻带内；同时，所述低通滤波器或带通滤波器通带内具有很低的插损，阻带内具有很高的插损。利用本发明所提供高次谐波抑制电路，增强了功率放大器的高次谐波抑制功能，可以提高功率放大器的线性度、效率和输出功率。
Description
技术领域
本发明涉及无线通信功放技术领域，尤其涉及一种射频功率放大器高次谐波抑制电路。
背景技术
目前，随着人们对无线通信服务要求的不断升高，高性能的射频收发机的需求一直以来都是射频微波领域的研究热点。射频功率放大器是无线收发机中最关键的模块之一，也是最耗能的模块。当输入信号增加到一定程度时，射频功率放大器因工作在非线性区而产生一系列的谐波分量，很大程度上影响了功率管放大器的性能。输出功率，效率，线性度是功率放大器最关键的性能指标。所以，如何提升这些指标是射频功率放大器领域的研究热点。
近年来，为了提升射频功率放大器的输出功率，效率，线性度，很多技术已经被提出并且进行了广泛的研究。其中一个比较受关注的技术是谐波抑制技术。一些传统的谐波抑制技术已经被报道。文献[1]提出了在电路输出电路中增加一个四分之一波长的传输线实现抑制谐波的作用；文献[2]利用自谐振频率为二次谐波的电容实现二次谐波抑制；文献[3]-[6]提出了利用缺陷地结构实现谐波抑制功能的技术。文献[7],提出了一种组合的谐波抑制电路。而这些技术只是抑制了二次或者三次谐波，对高次谐波的抑制存在很大的局限性，另外，这些结构，若要实现高次谐波的抑制，需要进一步拓展谐波抑制电路，因此，增加了电路的复杂度，从而反过来会影响射频功率放大器的性能。
参考文献
[1]J.R.Lane,R.G.Freitag,H-K.Hahn,J.E.Degenford,and M.Cohn,“High-efficiency 1-,2-,and 4-W class-B FET power amplifiers,”IEEE Trans.MicrowaveTheory Tech,vol.34,pp.1318–1325,Dec.1986。
[2]E.Camargo and R.M.Steinberg,“A compact high power amplifierforhandy phones,”IEEE MTT-S Int.Microwave Dig,pp.565–568,1994。
[3]D.Ahn,J.S.Park,J.Kim,Y.Qian,and T.Itoh,“A design of thelow-passfilter using the novel microstrip defected ground structure,”IEEE Trans.MTT,vol.49,no.9,pp.83-93,January 2001。
[4]J.-S.Lim,S.-W.Lee,J.S.Park,D.Ahn,and S.Nam,“A 4:1unequalWilkinsonpower divider,”IEEE Microwave and WirelessComponent Lett,vol.11,no.3,pp.124-126,March 2001。
[5]J.-S.Lim,H.-S.Kim,J.-S.Park,D.Ahn,and S.Nam,“A power amplifierwith efficiency improved using defectedground structure,”Microwave andOptical Technology Letters,vol.11,no.4,pp.170-172,2001。
[6]王统，郝明丽；一种射频功率放大器谐波组合电路：中国，201310039803.3[P].2011-01-31。
[7]R.Li,D.I.Kim,and C.M.Choi,“Compact low-Passfilter for harmonicssuppression,”Proceedings of Asia-Pacific Microwave Conference 2006。
发明内容
针对现有技术，本发明提供了一种结构简单、能实现高次谐波抑制的射频功率放大器高次谐波抑制电路，以提升射频功率放大器性能的目的。
为了实现上述目的，本发明一种射频功率放大器高次谐波抑制电路，包括晶体管，高次谐波抑制电路和输出匹配电路，所述高次谐波抑制电路位于晶体管和输出匹配电路之间；所述输出匹配电路位于高次谐波抑制电路和负载之间；所述高次谐波抑制电路采用低通滤波器或带通滤波器实现高次谐波抑制。
进一步讲，本发明射频功率放大器高次谐波抑制电路，其中，所述低通滤波器由一对结构对称的并联耦合线和一个串联的电容Cs构成，通过调节藕合线的尺寸和选取电容CS的电容量，在阻带内形成3个有限的传输极点，所述低通滤波器或带通滤波器通频带内具有很低的插损，低频段的通频带内的插损最低为0.07dB，阻带内具有很高的插损；阻带内的插损为30dB以上。
所述高次谐波抑制电路实现抑制的高次谐波大于或等于二次；所述晶体管的栅极连接输入匹配电路，所述输入匹配电路连接有栅极直流偏置电路和稳定电路；所述高次谐波抑制电路为三至六次谐波抑制电路；所述晶体管的漏极与高次谐波抑制电路之间设有漏极直流偏置电路和二次谐波抑制电路。所述输入匹配电路设置在输入端与晶体管之间，所述输入匹配电路由微带构成的单枝节匹配电路构成；所述栅级直流偏置电路由波长为λ/4的传微带线和自谐振频率为基波频率f的电容构成，所述自谐振频率为基波频率f的电容实现波长为λ/4的传微带线的交流短路；所述稳定电路由在栅极直流偏置电路和输入匹配电路之间连接的电阻构成；所述漏极直流偏置电路和二次谐波抑制电路由为λ/4的传微带线和自谐振频率为基波频率f的电容C1和二次谐波频率的电容C2构成，所述电容C1和电容C2并联连接在λ/4的传微带线的一端，λ/4的传微带线的另一端与所述输出匹配电路连接。
所述高次谐波抑制电路实现抑制的高次谐波大于或等于三次；射频功率放大器的基波频率在所述低通滤波器的通频带内或是所述带通滤波器的通频带内，所有谐波频率分量在所述滤波器的阻带内。
所述高次谐波抑制电路实现抑制的高次谐波为三至六次。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明是将具有高次谐波抑制功能的低通滤波器或者带通滤波器插入功率放大器的输出匹配电路和晶体管中间，一方面可以实现对高次谐波的抑制；另一方面，由于输出匹配电路基波位于通频带内，插入的低通滤波器或者带通滤波器不会影响基波阻抗的匹配，从而使基波匹配变得容易实现。因此，利用提出发明的射频功率放大器高次谐波抑制电路，可以提高功率放大器线性度，效率，输出功率性能指标。
附图说明
图1为发明的射频功率放大器高次谐波抑制电路的框图；
图2为具有高次谐波抑制功能的低通滤波器原理图；
图3为四次谐波抑制功能的低通滤波器的插损特性；
图4为四次谐波抑制功能的低通滤波器的阻抗特性；
图5为本发明实施例提供的一种射频功率放大器高次谐波抑制电路的原理图。
具体实施方式
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例和现有技术的描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
如图1所示，本发明一种射频功率放大器高次谐波抑制电路，包括晶体管，高次谐波抑制电路和输出匹配电路，所述高次谐波抑制电路位于晶体管和输出匹配电路之间；所述输出匹配电路位于高次谐波抑制电路和负载之间，所述输出匹配电路包括基波匹配电路和直流偏置电路；所述高次谐波抑制电路采用低通滤波器或带通滤波器实现高次谐波抑制。所述高次谐波抑制电路实现抑制的高次谐波大于或等于三次；射频功率放大器的基波频率在所述低通滤波器或带通滤波器的通频带内，所有谐波频率分量在所述滤波器的阻带内。
图2示出了本发明中采用的具有高次谐波抑制功能的一种结构简单、尺寸较小、较易实现的低通滤波器。所述低通滤波器由一对结构对称的并联耦合线和一个串联的电容Cs构成，通过适当的调节藕合线的尺寸(如图2所示，藕合线长度lc，藕合线宽度w，藕合线间距s)和选取电容CS的电容量，可以在阻带内形成3个有限的传输极点，这样可以使得阻带内插损很大，一般可以达到30dB以上。在低频段的通频带内，插损很小，仅为0.07dB。假设，一实施例中的功率放大器的工作频率为f0＝1.2GHz，通过合适的选取低通滤波器的参数，藕合线长度lc，藕合线宽度w，藕合线间距s，电容CS，可以使得高次谐波(如≥3)落在该滤波器的阻带内，这样就可以实现很好的高次谐波抑制的功能。
本发明中，电路设计制作利用Taconic高频板材，板厚h＝30mil，相对介电常数εr＝3.5，相应的50欧姆微带线线宽约为1.68mm，根据有效介电常数和波速和波长的关系
上述式中，c为真空中的光速，f为基波频率。中文解释公式中相关符号的含义可以得到基波波长λ。
利用ADS电磁仿真仿真软件，通过适当的选取滤波器的参数：藕合线长度lc＝9.5mm，藕合线宽度w＝0.5mm，藕合线间距s＝0.4mm，电容CS＝1.3pF，设计出了具有高次谐波抑制功能的低通滤波器。图3示出了四次谐波抑制功能的低通滤波器的插损特性，以工作频率f0＝1.2GHz为例，可以看出此滤波器对3.6GHz至8GHz以内的信号有很好的抑制作用，此频率范围覆盖了三次谐波频率(3.6GHz)、四次谐波频率(4.8GHz)、五次谐波频率(6GHz)、六次谐波频率(7.2GHz)，因此对三至六次谐波都有很好的抑制功能。而对于基波频率(1.2GHz)，此滤波器的影响很小，只衰减了0.07dB。图4示出了四次谐波抑制功能的低通滤波器的阻抗特性，此滤波器对基波频率阻抗影响很小，几乎没有引入多余的电抗分量，这使得设计输出匹配电路(即基波匹配电路)变得容易实现。
图5示出的是能实现抑制二至六次谐波频率分量的射频功率放大器原理图。该电路包括晶体管、高次谐波抑制电路和输出匹配电路，所述高次谐波抑制电路位于晶体管和输出匹配电路之间，所述高次谐波抑制电路为三至六次谐波抑制电路，所述晶体管的漏极与高次谐波抑制电路之间设有漏极直流偏置电路和二次谐波抑制电路；所述输出匹配电路位于高次谐波抑制电路和负载之间。
所述晶体管的栅极连接输入匹配电路，所述输入匹配电路设置在输入端与晶体管之间，所述输入匹配电路由微带构成的单枝节匹配电路构成，以实现最大增益传输
所述输入匹配电路连接有栅极直流偏置电路和稳定电路，栅级直流偏置电路和稳定电路直接和输入匹配电路并联连接，其中，所述稳定电路由在栅极直流偏置电路和输入匹配电路之间连接的电阻构成，实现电路在整个工作频带的稳定；所述栅级直流偏置电路由波长为λ/4的传微带线和自谐振频率为基波频率f的电容构成，所述自谐振频率为基波频率f的电容实现波长为λ/4的传微带线的交流短路，在λ/4微带线和稳定性电阻连接的一段呈现开路，因此，当栅级直流偏置电路和稳定性电路接入匹配电路时，不会对PA的性能造成影响。
采用的晶体管型号为Cree CGH40010F的10W GaN HEMT。所述漏极直流偏置电路和二次谐波抑制电路由为λ/4的传微带线和自谐振频率为基波频率f的电容C1和二次谐波频率的电容C2构成，所述电容C1和电容C2并联连接在λ/4的传微带线的一端，λ/4的传微带线的另一端与所述输出匹配电路连接。由于λ/4的传微带线的阻抗转换特性，可以实现在λ/4的传微带线与输出匹配电路连接处呈现基波阻抗开路，二次谐波短路的条件，因此，可以对二次谐波起到抑制的作用。三至六次谐波抑制电路由提出的低通滤波器实现。输出匹配电路，由微带电路构成的单枝节匹配电路构成，实现基波的最大功率传输和最大的效率。
尽管上面结合附图对本发明进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨的情况下，还可以做出很多变形，这些均属于本发明的保护之内。
Claims (3)
1.一种射频功率放大器高次谐波抑制电路，包括晶体管，高次谐波抑制电路和输出匹配电路，所述高次谐波抑制电路位于晶体管和输出匹配电路之间；所述输出匹配电路位于高次谐波抑制电路和负载之间；所述输出匹配电路包含基波匹配电路和直流偏置电路；所述高次谐波抑制电路采用低通滤波器或带通滤波器实现高次谐波抑制；所述低通滤波器由一对结构对称的并联耦合线和一个串联的电容Cs构成，通过调节藕合线的尺寸和选取电容CS的电容量，在阻带内形成3个有限的传输极点，阻带内的插损为30dB以上，低频段的通频带内的插损最低为0.07dB；
所述高次谐波抑制电路实现抑制的高次谐波大于或等于二次；
所述晶体管的栅极连接输入匹配电路，所述输入匹配电路连接有栅极直流偏置电路和稳定电路；所述高次谐波抑制电路为三至六次谐波抑制电路；所述晶体管的漏极与高次谐波抑制电路之间设有漏极直流偏置电路和二次谐波抑制电路；
其特征在于：
所述输入匹配电路设置在输入端与晶体管之间，所述输入匹配电路由微带构成的单枝节匹配电路构成；
所述栅极直流偏置电路由波长为λ/4的传微带线和自谐振频率为基波频率f的电容构成，所述自谐振频率为基波频率f的电容实现波长为λ/4的传微带线的交流短路；
所述稳定电路由在栅极直流偏置电路和输入匹配电路之间连接的电阻构成；
所述漏极直流偏置电路和二次谐波抑制电路由为λ/4的传微带线和自谐振频率为基波频率f的电容C1和二次谐波频率的电容C2构成，所述电容C1和电容C2并联连接在λ/4的传微带线的一端，λ/4的传微带线的另一端与所述输出匹配电路连接。
2.根据权利要求1所述射频功率放大器高次谐波抑制电路，其特征在于，所述高次谐波抑制电路实现抑制的高次谐波大于或等于三次；射频功率放大器的基波频率在所述低通滤波器的通频带内或是所述带通滤波器的通频带内，所有谐波频率分量在所述滤波器的阻带内。
3.根据权利要求2所述射频功率放大器高次谐波抑制电路，其特征在于，所述高次谐波抑制电路实现抑制的高次谐波为三至六次。
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Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101746107B1 (ko) * | 2016-04-12 | 2017-06-14 | (주)에프씨아이 | 적응형 전력증폭기 및 이를 포함하는 rf 송신기 |
| CN106603017A (zh) * | 2016-11-16 | 2017-04-26 | 电子科技大学 | 一种谐波抑制功率放大器 |
| CN108736839A (zh) * | 2017-04-16 | 2018-11-02 | 天津大学（青岛）海洋工程研究院有限公司 | 一种提高高效e逆f类功率放大器载波频率的匹配电路 |
| CN107547057A (zh) * | 2017-07-21 | 2018-01-05 | 深圳市景程信息科技有限公司 | 基于双线结构的逆f类功率放大器 |
| CN107508566A (zh) * | 2017-07-21 | 2017-12-22 | 深圳市景程信息科技有限公司 | 用于逆f类功率放大器的双线输出匹配网路 |
| CN207124609U (zh) * | 2017-07-21 | 2018-03-20 | 深圳市景程信息科技有限公司 | 逆f类功率放大器的双线输出匹配电路 |
| CN108173522A (zh) * | 2017-12-30 | 2018-06-15 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 栅极电源偏置电路和功率放大器 |
| CN110120789A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-08-13 | 佛山臻智微芯科技有限公司 | 一种带有高次谐波抑制的宽带匹配电路结构 |
| CN109921746A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-06-21 | 佛山臻智微芯科技有限公司 | 一种改善射频功率放大器性能的阻抗匹配电路结构 |
| CN110224707A (zh) * | 2019-05-31 | 2019-09-10 | 惠州Tcl移动通信有限公司 | 一种band14信号的抑制电路和智能终端设备 |
| CN110212868A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-09-06 | 辽宁工程技术大学 | 一种基于梳状滤波的功率放大器 |
| CN110545078B (zh) * | 2019-07-18 | 2023-03-24 | 电子科技大学 | 一种微带功率放大器 |
| CN112468096B (zh) * | 2020-12-11 | 2024-06-14 | 昆山鸿永微波科技有限公司 | 一种毫米波功率放大器芯片谐波抑制技术方法及装置 |
| CN112928997A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-06-08 | 重庆邮电大学 | 基于可调有源带通滤波器的GaN后失真高线性度功率放大器 |
| CN113422584A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-09-21 | 北京无线电测量研究所 | 一种功率放大器 |
| CN113346850B (zh) * | 2021-06-17 | 2022-09-23 | 南京邮电大学 | 一种多次谐波抑制的高效射频功率放大器 |
| CN219227561U (zh) * | 2022-04-18 | 2023-06-20 | 深圳飞骧科技股份有限公司 | 射频放大器电路和射频芯片 |
| CN115360835B (zh) * | 2022-08-30 | 2024-04-30 | 余姚市中意人工智能研究中心 | 一种家用呼吸机的传感器能量采集系统 |
| CN115967357A (zh) * | 2023-03-16 | 2023-04-14 | 北京领创医谷科技发展有限责任公司 | 射频功放输出谐波抑制电路 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1391354A (zh) * | 2001-06-08 | 2003-01-15 | 三菱电机株式会社 | 高效率高频放大器及无线发送装置 |
| CN1707848A (zh) * | 2004-06-11 | 2005-12-14 | 夏普株式会社 | 低通滤波电路、功率放大器以及高频通信装置 |
| JP2006295371A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電力増幅モジュール |
| CN101674051A (zh) * | 2009-09-22 | 2010-03-17 | 锐迪科微电子（上海）有限公司 | 提高射频功率放大器效率的方法及射频功率放大器电路 |
| CN102570991A (zh) * | 2012-02-22 | 2012-07-11 | 刘轶 | 射频功率放大器的输出匹配电路 |
| CN103825564A (zh) * | 2014-02-24 | 2014-05-28 | 华南理工大学 | 一种具有带通滤波响应的高效率宽带功率放大器 |
| CN204290884U (zh) * | 2014-12-25 | 2015-04-22 | 天津大学 | 一种射频功率放大器高次谐波抑制电路 |
-
2014
- 2014-12-25 CN CN201410826980.0A patent/CN104506143B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1391354A (zh) * | 2001-06-08 | 2003-01-15 | 三菱电机株式会社 | 高效率高频放大器及无线发送装置 |
| CN1707848A (zh) * | 2004-06-11 | 2005-12-14 | 夏普株式会社 | 低通滤波电路、功率放大器以及高频通信装置 |
| JP2006295371A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電力増幅モジュール |
| CN101674051A (zh) * | 2009-09-22 | 2010-03-17 | 锐迪科微电子（上海）有限公司 | 提高射频功率放大器效率的方法及射频功率放大器电路 |
| CN102570991A (zh) * | 2012-02-22 | 2012-07-11 | 刘轶 | 射频功率放大器的输出匹配电路 |
| CN103825564A (zh) * | 2014-02-24 | 2014-05-28 | 华南理工大学 | 一种具有带通滤波响应的高效率宽带功率放大器 |
| CN204290884U (zh) * | 2014-12-25 | 2015-04-22 | 天津大学 | 一种射频功率放大器高次谐波抑制电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104506143A (zh) | 2015-04-08 |
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20180403 Termination date: 20201225 |