CN104483358A - 半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置 - Google Patents
半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104483358A CN104483358A CN201510003098.0A CN201510003098A CN104483358A CN 104483358 A CN104483358 A CN 104483358A CN 201510003098 A CN201510003098 A CN 201510003098A CN 104483358 A CN104483358 A CN 104483358A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- switch
- input ends
- digital
- way reversing
- semiconductor thermoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Abstract
半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，属于半导体热电致冷材料电学性能测试领域。解决了生产过程中对半导体热电致冷材料的电学性能进行测试的过程复杂和破坏测试样品完整性的问题。升降式四相滑动端子包括4个输入端和4个输出端；数字电压表的两个电压测试端分别与升降式四相滑动端子的两个输入端连接，数显恒流源的两个电流测试端分别与升降式四相滑动端子的另两个输入端连接，升降式四相滑动端子的4个输出端分别与赛贝克系数测试模块的4个输入端、大尺寸晶棒电导率测试模块的4个输入端和小块切割样品电导率测试模块的4个输入端连接。它主要用于对半导体热电致冷材料电学性能测试。
Description
技术领域
本发明属于半导体热电致冷材料电学性能测试领域。
背景技术
电导率和塞贝克系数是衡量半导体致冷材料电学性能优劣的重要参数，在半导体致冷材料性能优化与研发过程中电学参数的测试方法已经基本成熟。但是，在材料的生产过程中电学参数的监测过程还存在没有解决的技术难题。
在热电材料的生产过程中，以Bi2Te3基取向固溶体晶棒为例，通常采用熔炼区熔法生产，区熔过程中由于熔区对材料产生分凝作用从而造成在晶棒材料头、尾的成分偏析使材料的热电性能发生变化。通常情况下晶棒的头、尾部热电性能较差，需要对晶棒的头尾进行截取回收利用，以降低材料的生产成本。如何准确选取最佳的截取位置并得到电导率及Seebeck系数均达标的产品是一个难以解决的问题。生产的柱状晶棒各处电学性能是否均匀达标，无法在生产过程中直接进行监测，通常采用的方法是先将晶棒切割成小块条形长方晶体颗粒，对晶体颗粒进行标号再逐个测量，然后通过建立直角坐标系将测量结果描绘成变化曲线来分析产品性能的分布情况。这种方法虽然测试结果精确，但是耗时费力、效率低下，而且还大大破坏了产品的完整性，难于实现对所有晶棒材料电学性能的监测。由于工艺环境的波动必然导致产品之间存在个性化差异，所以对晶棒头、尾切割位置的选取只能做粗略的估算，这必然造成不合格产品的漏检与合格产品的浪费。不合格材料一旦进入器件的生产流程，不仅会造成原材料的巨大浪费，而且会直接影响热电器件的性能则可能会造成更加严重的后果和更大的经济损失。此外，对不同电学参数的测试通常采取不同的测试平台进行，这样的做法不仅造成测试设备的重复设置、体积庞大、资源浪费，同时也不利于测试系统的集约化从而影响其便携性。
目前，在半导体热电致冷材料生产中急需既能够实现材料电学性能精确测试又能实现材料生产过程中电学性能高效率监测的综合性测试装置。本发明专利就是为解决这一实际问题提出的。
发明内容
本发明是为了解决生产过程中对半导体热电致冷材料的电学性能进行测试的过程复杂和破坏测试样品完整性的问题。本发明提供了一种半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置。
半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，它包括数字电压表、数显恒流源、升降式四相滑动端子、赛贝克系数测试模块、大尺寸晶棒电导率测试模块、小块切割样品电导率测试模块；
所述的升降式四相滑动端子包括4个输入端和4个输出端；
数字电压表的两个电压测试端分别与升降式四相滑动端子的两个输入端连接，数显恒流源的两个电流测试端分别与升降式四相滑动端子的另两个输入端连接，
升降式四相滑动端子的4个输出端分别与赛贝克系数测试模块的4个输入端、大尺寸晶棒电导率测试模块的4个输入端和小块切割样品电导率测试模块的4个输入端连接。
所述的大尺寸晶棒电导率测试模块包括可调节探针和样品夹，
所述的可调节探针具有两个接触探头，且两个接触探头之间的距离可调，该两个接触探头用于检测待测晶体样品上任意两点之间的电压，
一个接触探头同时与数显恒流源的一个电流测试端和数字电压表的一个电压测试端连接，
另一个接触探头同时与数显恒流源的另一个电流测试端和数字电压表的另一个电压测试端连接，
样品夹用于夹持待测晶体样品，还用于接收测试电压。
所述的可调节探针的两个接触探头为柱状铜质电极。
所述的小块切割样品电导率测试模块包括1号双向换向开关和2个测试电极；
1号双向换向开关具有两个输入端、两个输出端和两个可动端，
2个测试电极用于夹固待测晶体样品，且2个测试电极的分别与1号双向换向开关的两个可动端连接，
1号双向换向开关的一个输入端同时与数显恒流源的一个电流测试端和数字电压表的一个电压测试端连接，
1号双向换向开关的另一个输入端同时与数显恒流源的另一个电流测试端和数字电压表的另一个电压测试端连接。
所述的赛贝克系数测试模块包括数字温度控制表、温度控制开关、电压测试开关、2号双向换向开关、1号温度调节开关、2号温度调节开关、恒温电极和温度控制电极；
2号双向换向开关具有两个输入端、两个输出端和两个可动端，
电压测试开关具有两个可动端和两个固定端，
温度控制开关、1号温度调节开关和2号温度调节开关均为单刀单掷开关，
恒温电极和温度控制电极分别用于夹固在待测晶体样品的两端，
数字温度控制表的电流输入端与温度控制开关的一端连接，温度控制开关的另一端与恒温电极连接，
数字温度控制表的两个电流输出端分别与2号双向换向开关的两个输入端连接，2号双向换向开关的两个可动端分别与电压测试开关的两个可动端连接，
电压测试开关两个输出端用于与数字电压表的两个电压测试端连接，
2号双向换向开关的两个输出端分别与恒温电极和温度控制电极连接，
1号温度调节开关和2号温度调节开关的一端均与温度控制电极连接，
1号温度调节开关的另一端和2号温度调节开关的另一端用于与数显恒流源的两个电流测试端连接。
本发明所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置具有如下优点：
1.可以在生产过程中直接测量材料的相关电学性能，方便对生产中材料性能的监测，简化测试过程，提升测试效率。本发明可以测量不同尺寸半导体热电材料柱状晶棒的电导率和塞贝克系数，扩大了可测样品的范围。
2.经验证本发明参照常温下半导体热电材料电导率和塞贝克系数测量的相关标准，采用探针测量技术，可以在生产过程中对产品的电导率变化进行监测，在不损毁产品的前提下，可以对整个产品电导率的均匀性进行测量。
3.本发明提出的半导体热电材料电学性能综合监测装置通过模块组合方式使三个测试模块共用一套测试用电表实现不同尺寸样品、不同电学参数的测试，从而大幅度降低设备成本。该装置设计合理，操作简单，成本低廉，既适于生产企业的产品制造又适于科研院所的产品研发使用。
附图说明
图1为本发明所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置的原理示意图；
图2为大尺寸晶棒电导率测试模块的原理示意图；
图3为小块切割样品电导率测试模块的原理示意图；
图4为赛贝克系数测试模块的原理示意图。
具体实施方式
具体实施方式一：参见图1说明本实施方式，本实施方式所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，它包括数字电压表1、数显恒流源2、升降式四相滑动端子3、赛贝克系数测试模块4、大尺寸晶棒电导率测试模块5、小块切割样品电导率测试模块6；
所述的升降式四相滑动端子3包括4个输入端和4个输出端；
数字电压表1的两个电压测试端分别与升降式四相滑动端子3的两个输入端连接，数显恒流源2的两个电流测试端分别与升降式四相滑动端子3的另两个输入端连接，
升降式四相滑动端子3的4个输出端分别与赛贝克系数测试模块4的4个输入端、大尺寸晶棒电导率测试模块5的4个输入端和小块切割样品电导率测试模块6的4个输入端连接。
具体实施方式二：参见图2说明本实施方式，本实施方式与具体实施方式一所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置的区别在于，所述的大尺寸晶棒电导率测试模块5包括可调节探针5-1和样品夹5-2，
所述的可调节探针5-1具有两个接触探头，且两个接触探头之间的距离可调，该两个接触探头用于检测待测晶体样品7上任意两点之间的电压，
一个接触探头同时与数显恒流源2的一个电流测试端和数字电压表1的一个电压测试端连接，
另一个接触探头同时与数显恒流源2的另一个电流测试端和数字电压表1的另一个电压测试端连接，
样品夹5-2用于夹持待测晶体样品7，还用于接收测试电压。
本发明所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置对长条形切割测试样品的测量精度最为显著。
本实施方式中，大尺寸晶棒电导率测试模块5主要用于对截面直径小于35毫米长度大于10厘米的圆柱状的晶体进行测量。
本实施方式中，采用大尺寸晶棒电导率测试模块5实现的电导率测量方法的具体过程为，
首先，用样品夹5-2夹固待测晶体样品7，可调节探针5-1的两个接触探头分别与待测晶体样品7需要测量的两点相连接，并确保待测晶体样品7与可调节探针5-1接触，数字电压表1的两个探头分别与可调节探针5-1的两个接触探头连接；
其次，将数显恒流源2打到1000mA档位，调节旋钮，使输入电流I为900mA，对待测晶体样品7预热15分钟后读取数字电压表1上的电压值V1；
再次，改变电路中的电流方向后，再次读取数字电压表1上的电压值V2；
最后，根据公式求取电压的平均值V，测量待测晶体样品7的横截面积S和长度L，根据电压的平均值V及输入电流I，通过欧姆定律求得待测晶体样品7的电阻R，
再根据待测晶体样品7的电阻R、待测晶体样品7的横截面积S和长度L，通过公式获得待测晶体样品7的电导率σ，完成对待测晶体样品7电导率σ的测量，ρ表示电阻率。
可调节探针5-1可对待测晶体样品7上的确定两点位置进行检测，不需要对待测晶体样品7进行切割测试，可以保持待测晶体样品7完整性。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式二所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置的区别在于，所述的可调节探针5-1的两个接触探头为柱状铜质电极。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置的区别在于，所述的样品夹5-2采用铜制成。
具体实施方式五：参见图3说明本实施方式，本实施方式与具体实施方式一所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置的区别在于，所述的小块切割样品电导率测试模块6包括1号双向换向开关6-1和2个测试电极6-2；
1号双向换向开关6-1具有两个输入端、两个输出端和两个可动端，
2个测试电极6-2用于夹固待测晶体样品7，且2个测试电极6-2的分别与1号双向换向开关6-1的两个可动端连接，
1号双向换向开关6-1的一个输入端同时与数显恒流源2的一个电流测试端和数字电压表1的一个电压测试端连接，
1号双向换向开关6-1的另一个输入端同时与数显恒流源2的另一个电流测试端和数字电压表1的另一个电压测试端连接。
本实施方式中，1号双向换向开关6-1的每个输入端均作为电压和电流的接入端子。
本实施方式中，小块切割样品电导率测试模块6主要用于对几个厘米尺寸的矩形形柱状的晶体进行测量。
具体实施方式六：参见图4说明本实施方式，本实施方式与具体实施方式一所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置的区别在于，所述的赛贝克系数测试模块4包括数字温度控制表4-1、温度控制开关K1、电压测试开关K2、2号双向换向开关K3、1号温度调节开关K4、2号温度调节开关K5、恒温电极4-3和温度控制电极4-2；
2号双向换向开关K3具有两个输入端、两个输出端和两个可动端，
电压测试开关K2具有两个可动端和两个固定端，
温度控制开关K1、1号温度调节开关K4和2号温度调节开关K5均为单刀单掷开关，
恒温电极4-3和温度控制电极4-2分别用于夹固在待测晶体样品7的两端，
数字温度控制表4-1的电流输入端与温度控制开关K1的一端连接，温度控制开关K1的另一端与恒温电极4-3连接，
数字温度控制表4-1的两个电流输出端分别与2号双向换向开关K3的两个输入端连接，2号双向换向开关K3的两个可动端分别与电压测试开关K2的两个可动端连接，
电压测试开关K2两个输出端用于与数字电压表1的两个电压测试端连接，
2号双向换向开关K3的两个输出端分别与恒温电极4-3和温度控制电极4-2连接，
1号温度调节开关K4和2号温度调节开关K5的一端均与温度控制电极4-2连接，
1号温度调节开关K4的另一端和2号温度调节开关K5的另一端用于与数显恒流源2的两个电流测试端连接。
本实施方式中，通过数字温度控制表实现温度调节和温差测量。
Claims (6)
1.半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，其特征在于，它包括数字电压表(1)、数显恒流源(2)、升降式四相滑动端子(3)、赛贝克系数测试模块(4)、大尺寸晶棒电导率测试模块(5)、小块切割样品电导率测试模块(6)；
所述的升降式四相滑动端子(3)包括4个输入端和4个输出端；
数字电压表(1)的两个电压测试端分别与升降式四相滑动端子(3)的两个输入端连接，数显恒流源(2)的两个电流测试端分别与升降式四相滑动端子(3)的另两个输入端连接，
升降式四相滑动端子(3)的4个输出端分别与赛贝克系数测试模块(4)的4个输入端、大尺寸晶棒电导率测试模块(5)的4个输入端和小块切割样品电导率测试模块(6)的4个输入端连接。
2.根据权利要求1所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，其特征在于，所述的大尺寸晶棒电导率测试模块(5)包括可调节探针(5-1)和样品夹(5-2)，
所述的可调节探针(5-1)具有两个接触探头，且两个接触探头之间的距离可调，该两个接触探头用于检测待测晶体样品(7)上任意两点之间的电压，
一个接触探头同时与数显恒流源(2)的一个电流测试端和数字电压表(1)的一个电压测试端连接，
另一个接触探头同时与数显恒流源(2)的另一个电流测试端和数字电压表(1)的另一个电压测试端连接，
样品夹(5-2)用于夹持待测晶体样品(7)，还用于接收测试电压。
3.根据权利要求2所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，其特征在于，所述的可调节探针(5-1)的两个接触探头为柱状铜质电极。
4.根据权利要求1所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，其特征在于，所述的样品夹(5-2)采用铜制成。
5.根据权利要求1所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，其特征在于，所述的小块切割样品电导率测试模块(6)包括1号双向换向开关(6-1)和2个测试电极(6-2)；
1号双向换向开关(6-1)具有两个输入端、两个输出端和两个可动端，
2个测试电极(6-2)用于夹固待测晶体样品(7)，且2个测试电极(6-2)的分别与1号双向换向开关(6-1)的两个可动端连接，
1号双向换向开关(6-1)的一个输入端同时与数显恒流源(2)的一个电流测试端和数字电压表(1)的一个电压测试端连接，
1号双向换向开关(6-1)的另一个输入端同时与数显恒流源(2)的另一个电流测试端和数字电压表(1)的另一个电压测试端连接。
6.根据权利要求1所述的半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置，其特征在于，所述的赛贝克系数测试模块(4)包括数字温度控制表(4-1)、温度控制开关(K1)、电压测试开关(K2)、2号双向换向开关(K3)、1号温度调节开关(K4)、2号温度调节开关(K5)、恒温电极(4-3)和温度控制电极(4-2)；
2号双向换向开关(K3)具有两个输入端、两个输出端和两个可动端，
电压测试开关(K2)具有两个可动端和两个固定端，
温度控制开关(K1)、1号温度调节开关(K4)和2号温度调节开关(K5)均为单刀单掷开关，
恒温电极(4-3)和温度控制电极(4-2)分别用于夹固在待测晶体样品(7)的两端，
数字温度控制表(4-1)的电流输入端与温度控制开关(K1)的一端连接，温度控制开关(K1)的另一端与恒温电极(4-3)连接，
数字温度控制表(4-1)的两个电流输出端分别与2号双向换向开关(K3)的两个输入端连接，2号双向换向开关(K3)的两个可动端分别与电压测试开关(K2)的两个可动端连接，
电压测试开关(K2)两个输出端用于与数字电压表(1)的两个电压测试端连接，
2号双向换向开关(K3)的两个输出端分别与恒温电极(4-3)和温度控制电极(4-2)连接，
1号温度调节开关(K4)和2号温度调节开关(K5)的一端均与温度控制电极(4-2)连接，
1号温度调节开关(K4)的另一端和2号温度调节开关(K5)的另一端用于与数显恒流源(2)的两个电流测试端连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510003098.0A CN104483358B (zh) | 2015-01-05 | 2015-01-05 | 半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510003098.0A CN104483358B (zh) | 2015-01-05 | 2015-01-05 | 半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104483358A true CN104483358A (zh) | 2015-04-01 |
| CN104483358B CN104483358B (zh) | 2017-01-25 |
Family
ID=52757927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510003098.0A Expired - Fee Related CN104483358B (zh) | 2015-01-05 | 2015-01-05 | 半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104483358B (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105468068A (zh) * | 2015-11-25 | 2016-04-06 | 广东工业大学 | 一种半导体材料高温热电性能测量用的特种恒流源及其控制方法 |
| CN105911380A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-08-31 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 表征大电流作用下热电材料服役稳定性的测量装置和方法 |
| CN109444605A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-03-08 | 厦门市百岗电气有限公司 | 一种半导体制冷片的在线监测电路和监测方法 |
| CN109521349A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-03-26 | 河北科技大学 | 半导体发电模块最大输出功率的测量方法及系统 |
| CN113687179A (zh) * | 2021-10-27 | 2021-11-23 | 南通泓金贝电子科技有限公司 | 一种半导体器件的自动化测试装置 |
| CN114325109A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-04-12 | 上海申和投资有限公司 | 一种圆柱形晶棒的电导率的测量方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000074862A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Sharp Corp | 交流加熱によるゼーベック係数の測定方法およびこれに用いる測定用サンプルの構造 |
| CN101038265A (zh) * | 2007-04-23 | 2007-09-19 | 华中科技大学 | 一种测量半导体薄膜材料塞贝克系数和电阻率的装置 |
| CN102053100A (zh) * | 2010-12-06 | 2011-05-11 | 中山大学 | 热电材料参数自动测定仪 |
| CN102914560A (zh) * | 2012-10-16 | 2013-02-06 | 上海大学 | 一种测量薄膜热电性能参数的装置和方法 |
| CN103091651A (zh) * | 2013-01-24 | 2013-05-08 | 江西理工大学 | 冲击电流计测量铁磁介质磁滞回线的方法 |
| CN104297110A (zh) * | 2014-09-19 | 2015-01-21 | 中南大学 | 一种无需测厚的晶粒尺寸超声无损评价方法 |
-
2015
- 2015-01-05 CN CN201510003098.0A patent/CN104483358B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000074862A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Sharp Corp | 交流加熱によるゼーベック係数の測定方法およびこれに用いる測定用サンプルの構造 |
| CN101038265A (zh) * | 2007-04-23 | 2007-09-19 | 华中科技大学 | 一种测量半导体薄膜材料塞贝克系数和电阻率的装置 |
| CN102053100A (zh) * | 2010-12-06 | 2011-05-11 | 中山大学 | 热电材料参数自动测定仪 |
| CN102914560A (zh) * | 2012-10-16 | 2013-02-06 | 上海大学 | 一种测量薄膜热电性能参数的装置和方法 |
| CN103091651A (zh) * | 2013-01-24 | 2013-05-08 | 江西理工大学 | 冲击电流计测量铁磁介质磁滞回线的方法 |
| CN104297110A (zh) * | 2014-09-19 | 2015-01-21 | 中南大学 | 一种无需测厚的晶粒尺寸超声无损评价方法 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105468068A (zh) * | 2015-11-25 | 2016-04-06 | 广东工业大学 | 一种半导体材料高温热电性能测量用的特种恒流源及其控制方法 |
| CN105911380A (zh) * | 2016-04-15 | 2016-08-31 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 表征大电流作用下热电材料服役稳定性的测量装置和方法 |
| CN105911380B (zh) * | 2016-04-15 | 2019-09-13 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 表征大电流作用下热电材料服役稳定性的测量装置和方法 |
| CN109521349A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-03-26 | 河北科技大学 | 半导体发电模块最大输出功率的测量方法及系统 |
| CN109521349B (zh) * | 2018-11-19 | 2020-11-24 | 河北科技大学 | 半导体发电模块最大输出功率的测量方法及系统 |
| CN109444605A (zh) * | 2018-12-14 | 2019-03-08 | 厦门市百岗电气有限公司 | 一种半导体制冷片的在线监测电路和监测方法 |
| CN113687179A (zh) * | 2021-10-27 | 2021-11-23 | 南通泓金贝电子科技有限公司 | 一种半导体器件的自动化测试装置 |
| CN113687179B (zh) * | 2021-10-27 | 2021-12-21 | 南通泓金贝电子科技有限公司 | 一种半导体器件的自动化测试装置 |
| CN114325109A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-04-12 | 上海申和投资有限公司 | 一种圆柱形晶棒的电导率的测量方法 |
| CN114325109B (zh) * | 2021-12-24 | 2024-05-28 | 上海申和投资有限公司 | 一种圆柱形晶棒的电导率的测量方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104483358B (zh) | 2017-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104483358A (zh) | 半导体热电致冷材料电学参数综合监测装置 | |
| CN105486925B (zh) | 一种测量电阻率和塞贝克系数的装置及其使用方法 | |
| CN103293184B (zh) | 一种基于准、非稳态法测试建筑材料导热系数的实验装置 | |
| CN102297877A (zh) | 一种薄膜热电性能参数的测量装置和方法 | |
| Middleton et al. | Measurement of the thermoelectric power of germanium at temperatures above 78 K | |
| CN102967624B (zh) | 一种Seebeck系数测试装置 | |
| CN103472304B (zh) | 一种弹性探针阵列多通道电阻测量方法和装置 | |
| US20180143087A1 (en) | Manufacturing method of heat flux sensor and heat flow generation device for use in the manufacturing method | |
| CN110873823A (zh) | 一种半导体材料的电阻率测试方法 | |
| CN112198469A (zh) | 一种霍尔效应自动测量系统及其测量方法 | |
| CN203133171U (zh) | 用于对电子电路的晶片进行测试的测试装置 | |
| CN105301093A (zh) | 一种超导线圈缺陷位置检测系统 | |
| CN205229306U (zh) | 一种半导体材料电阻率和塞贝克系数的测量装置 | |
| CN106370932B (zh) | 基于伪测量值法的薄层硅片电阻率检测方法及系统 | |
| CN102645597A (zh) | 一种高温超导带材失超传播速度测量装置 | |
| CN103076576A (zh) | 磁场强度测量装置 | |
| CN105467218A (zh) | 电路短路保护用断路器接触电阻测试方法 | |
| Burkov et al. | Methods and apparatus for measuring thermopower and electrical conductivity of thermoelectric materials at high temperatures | |
| CN205027820U (zh) | 一种用于测量热电块体元件电阻的系统 | |
| CN206038730U (zh) | 一种用于薄膜热电参数测试新型样品台 | |
| Anatychuk et al. | Methods and equipment for quality control of thermoelectric materials | |
| Šimša et al. | Electrical properties of single crystals of hexagonal ferrites with the W structure | |
| Kedia et al. | Design, development, and testing of a thermopower measurement system by studying the electron transport properties on indium and nitrogen co-doped sputtered ZnO films | |
| Hu et al. | Measurements of electrical resistivity and Seebeck coefficient for disc-shaped samples | |
| RU46857U1 (ru) | Устройство для термомагнитных измерений под давлением |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170125 Termination date: 20190105 |