CN104465139B - 一种双断点万能式断路器的主回路结构 - Google Patents
一种双断点万能式断路器的主回路结构 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及一种双断点万能式断路器的主回路结构，该结构主要包括：上静头母线、上静触头、上动触头、上动触头支持件、动触头软连接、下动触头支持件、下动触头、下静触头、下静触头母线、母线软连接、下接母线；所述上静触头、下静触头分别固接在上静触头母线、下静触头母线上；上动触头、下动触头分别固接在上动触头支持件、下动触头支持件上；所述动触头软连接的两端分别与上动触头支持件、下动触头支持件电连接；母线软连接的两端分别与下静触头母线、下接母线电连接。本发明双断点万能式断路器的主回路结构最大的优点在于上、下触头系统电性平衡度得到很大的提高。
Description
技术领域
本发明属于机电技术领域，特别涉及一种双断点万能式断路器的主回路结构。
背景技术
传统双断点万能式断路器的设计思路是，将现有单断点的拍合式改为直动式，类似侧放的接触器，其中一组灭弧室只能设置在对应于顶部灭弧室的底部位置。这就给排气、更换、观察、维修带来问题和不便。更难解决的问题是，由于重力的作用使上下灭弧点严重不对称，又找不到有效可行的补偿措施。所以，这种思路的研发往往在样机阶段就会夭折。
发明内容
本发明提供了一种电性对称性和动态稳定性都良好的双断点万能式断路器的主回路结构。
一种新型双断点万能式断路器的主回路结构，其主要包括：上静头母线、上静触头、上动触头、上动触头支持件、动触头软连接、下动触头支持件、下动触头、下静触头、下静触头母线、母线软连接、下接母线；所述上静触头、下静触头分别固接在上静触头母线、下静触头母线上；上动触头、下动触头分别固接在上动触头支持件、下动触头支持件上；所述动触头软连接的两端分别与上动触头支持件、下动触头支持件性连接；母线软连接的两端分别与下静触头母线、下接母线性连接；在整个主回路结构中，上静触头母线、上静触头、上动触头、上动触头支持件分别与下静触头母线、下静触头、下动触头、下动触头支持件对称分布，其对称中轴线与水平线呈45°角。所述动触头软连接设置为内弯结构，以增加A区和B区磁场分布的对称度。
所述上静触头与上动触头的接触面的法向、下动触头与下静触头的接触面的法向均与中轴线成一个夹角α（α在5度到45度间），且以中轴线为对称。
本发明双断点万能式断路器的主回路结构，因为所述上、下动触头及动触头支持件，上、下静触头及静触头母线，以与水平成45°角的轴线为对称设置，又因所述动触头软连接有意内弯一定高度。从而可提高上、下触头系统电性平衡度。又因所述动、静触点的接触面的法向与中轴线成一夹角α，有利于减轻轴向电动斥力，同时，夹角2α能使动触头沿中轴线运动接触静触头时位置导正，并能使动、静触点表面小位移搓动，有去除表面氧化层和污渍的作用，以实现良好的电接触。
附图说明
图1为本发明双断点万能式断路器的主回路结构结构示意图；
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行详述。
如图1所示，一种新型双断点万能式断路器的主回路结构，其主要包括：上静头母线1、上静触头2、上动触头3、上动触头支持件4、动触头软连接5、下动触头支持件6、下动触头7、下静触头8、下静触头母线9、母线软连接10、下接母线11。上静触头2、下静触头8分别固接在上静触头母线1、下静触头母线9上；上动触头3、下动触头7分别固定在上动触头支持件4、下动触头支持件6上。动触头软连接5的两端分别与上动触头支持件4、下动触头支持件6电连接。母线软连接10的两端分别与下静触头母线9、下接母线11电连接。在整个主回路结构中，上静触头母线1、上静触头2、上动触头3、上动触头支持件4分别与下静触头母线9、下静触头8、下动触头7、下动触头支持件6对称分布，其对称中轴线12与水平线呈45°角；动触头软连接5设置为内弯一定高度，以符合其设计所需回路系数，增加A区和B区磁场分布的对称度。上静触头2与上动触头3的接触面的法向、下动触头7与下静触头8的接触面的法向均与中轴线12对称设置成一夹角α，则动触头所受的电斥力沿运动方向的分量f=F斥·cosα＜F斥；同时，夹角2α能使动触头沿中轴线运动接触上、下静触头时位置导正，并能使动、静触点表面小位移搓动，有去除表面氧化层和污渍的作用，以实现良好的电性接触。α的度数在5度到45度间。
本发明双断点万能式断路器的主回路结构，因为所述上、下动触头及动触头支持件，上、下静触头及静触头母线，以与水平成45°角的轴线为对称设置，又因所述动触头软连接5有意内弯一定高度。从而可提高上、下触头系统电性平衡度。对于双断点万能式断路器来说，两组触头的同步性和电性平衡度是至关重要的。
Claims (2)
1.一种双断点万能式断路器的主回路结构，其特征在于：该主回路结构主要包括：上静触头母线（1）、上静触头（2）、上动触头（3）、上动触头支持件（4）、动触头软连接（5）、下动触头支持件（6）、下动触头（7）、下静触头（8）、下静触头母线（9）、母线软连接（10）、下接母线（11）；所述上静触头（2）、下静触头（8）分别固接在上静触头母线（1）、下静触头母线（9）上；上动触头（3）、下动触头（7）分别固接在上动触头支持件（4）、下动触头支持件（6）上；所述动触头软连接（5）的两端分别与上动触头支持件（4）、下动触头支持件（6）电连接；母线软连接（10）的两端分别与下静触头母线（9）、下接母线（11）电连接；在整个主回路结构中，上静触头母线（1）、上静触头（2）、上动触头（3）、上动触头支持件（4）分别与下静触头母线（9）、下静触头（8）、下动触头（7）、下动触头支持件（6）对称分布，其对称中轴线（12）与水平线呈45°角；所述动触头软连接（5）设置为内弯结构，以增加由上静触头母线（1）、上静触头（2）、上动触头（3）、上动触头支持件（4）、动触头软连接（5）所三面包围形成的A区和由动触头软连接（5）、下动触头支持件（6）、下动触头（7）、下静触头（8）、下静触头母线（9）所三面包围形成的B区之间磁场分布的对称度。
2.根据权利要求1所述双断点万能式断路器的主回路结构，其特征在：所述上静触头（2）与上动触头（3）的接触面的法向、下动触头（7）与下静触头（8）的接触面的法向均与中轴线（12）成一个夹角α，且以中轴线（12）为对称，α的度数为5～45度之间。
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