CN104410403A - 双电压亚阈值电平转换器 - Google Patents
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Abstract
本发明属于集成电路技术领域,具体为一种亚阈值电平转换器。其结构包括一个输入反相器,一个电平转换电路,一个输出反相器。其中输入反相器用于产生两个互补的差分输入信号;电平转换电路用于实现输入信号从低电压到高电压的电平转换,输出反相器用于产生全摆幅的高压输出信号。本发明结构简单,能够有效的实现一个信号从亚阈值电压到高电压的电平转换。
Description
技术领域
本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种电平转换器(Level Shifter)。
背景技术
多电压阈(Multi-supply voltage domain)技术在片上芯片系统(System on chip, SoC)及多核计算结构中得到越来越广泛的应用。它通常将芯片划分成多个独立的电压阈或电压岛,每个电压阈下的模块根据其时序的要求工作在恰当的电源电压下。通常,对于时序关键的电压阈,它工作在高的电源电压下(VDDH),以满足芯片对速度性能的要求;对于非关键的电压阈,它则工作在低的电源电压(VDDL)甚至亚阈值电源电压下,以降低芯片的功耗消耗和能量消耗。
电平转换器是多电压系统中一个必不可少的电路,它为各个不同的电压阈提供交互界面,保证信号在各个电压阈之间的传输。正常情况下,信号从高压阈转换到低压阈,普通的缓冲器(buffer)便可实现。但是,如果信号是从低压阈转换到高压阈,尤其是从亚阈值电压阈转换到高压阈,则需要更为复杂的电路。
传统的电平转换器如图1所示,它由一对交叉耦合的PMOS管,一对下拉NMOS管及提供差分输入的低压反相器构成。当输入IN从“0”跳变到VDDL时,M1管将节点OUTB电压下拉至“0”,再通过交叉耦合的PMOS对将输出OUT预充为高电平VDDH。由于低电压区工作的NMOS管提供的下拉电流,比高电压区工作的PMOS提供的上拉电流小几个数量级,导致上拉网络与下拉网络的竟争异常激烈,从而使得传统的电平转换器无法实现亚阈值信号的转换,并且产生很大的短路功耗。
2009年,B. Zhai 在杂志“IEEE Transaction on Very Large Scale Integration”中发表“Energy-efficient subthreshold processor design”,提出了一种多电源线的方法,实现了信号从0.2V到1.2V的转换。但是这种方法需要多个中间电源压,这会带来更多的功耗消耗,并且会增加芯片后端设计的复杂度。2010年,S. Lukemeier 在杂志“I EEE Transaction on Circuits and Systems II: Express Briefs ”中发表“A subthreshold to above-threshold level shifter comprising a Wilson current mirror ”,提出了一种采用威尔逊电流镜的电平转换电路,实现了输入信号从0.1V到1.0V的电平转换。但是,这种采用电流镜的方法消耗了大量的功耗。2012年,Y. Osaki在“IEEE journal of Solid-State Circuits(JSSC)”杂志上发表“A low-power level shifter with logic error correction for extremely low-voltage digital CMOS LSIs”,提出了一种带纠错功能的电平转换电路,实现了信号从0.23V到3V的电平转换,但是它是以牺牲芯片面积和速度性能为代价。针对这些问题,本发明提出了一种亚阈值电平转换器,它能有效的实现信号从亚阈值电压到正常工作电压的电平转换,并且它具有更快的速度,更低的能量消耗和更小的面积。
发明内容
本发明的目的在于提供一种速度快、能耗低、面积小的亚阈值电平转换器。
本发明提供的亚阈值电平转换器,包括:
一个输入反相器;它的电源电压由低电压阈电源提供,并且它的输入与整个电平转换器的输入相连。
一个电平转换电路;它包括两个反相器、一个PMOS交叉耦合对和两个电源开关PMOS管。其中,第一个反相器的输入与上一级输入反相器的输出相连,供电电源端则与交叉耦合对的第一个PMOS管的漏极相连;第二个反要器的输入与上一级输入反相器的输入相连,供电电源端则与交叉耦合对的第二个PMOS管的漏极相连;交叉耦合对的第一个PMOS管的栅极与第二个反相器的输出相连,而源极则与第一个电源开关管的漏极相连;交叉耦合对的第二个PMOS管的栅极与第一个反相器的输出相连,而源极则与第二个电源开关管的漏极相连;第一个电源开关管的栅极与第一个反相器的输出相连,而源极则与高电压阈电源相连;第二个电源开关管的栅极与第二个反相器的输出相连,而源极也与高电压阈电源相连。第一个反相器,交叉耦合对的第一个PMOS管和第一个电源开关管构成第一个电源反馈环;第二个反相器,交叉耦合对的第二个PMOS管和第二个电源开关管构成第二个电源反馈环。两个电源反馈环通过PMOS交叉耦合对相互作用,两个反相器的下拉NMOS管则分别作为两个反馈环的下拉网络。
一个输出反相器,它的电源电压由高电压阈电源提供,并用它的输入与电平转换电平的第二个反相器输出相连,它的输出则是整个电路的输出。
本发明提供的电平转换器,结构简单,能够有效的实现信号从亚阈值电压到正常工作电压的电平转换,并且它具有更快的速度,更低的能量消耗和更小的面积。
附图说明
图1是传统的电平转换电路。
图2是本发明的电路示意图。
图3是本发明进行操作时的波形示意图。
具体实施方式
本发明描述了一种亚阈值电平转换器,以下阐述本发明的设计思想及实例。
图2所示为本发明实现的亚阈值电平转换器的电路结构。NMOS管M1与PMOS管M2构成输入反相器。输入反相器的输入是IN,输出为INB,并且输入反相器的电源电压与低电压阈电源VDDL相连。NMOS管M3、M4和PMOS管M5、M6、M7、M8、M9、M10构成电路主体部分的电平转换电路。其中,M3和M5构成第一个反相器,它的输入与输入反相器的输出INB相连,输出则与结点NL相连,并且它的电源电压端与PMOS管M6的漏极相连;M4和M8构成第二个反相器,它的输入与输入反相器的输入IN相连,输出则与结点NR相连,并且它的电源电压端与PMOS管M9的漏极相连。
同时,PMOS管M6的栅极与结点NR相连,而源极则与PMOS管M7的漏极相连;PMOS管M9的栅极与结点NL相连,而源极则与PMOS管M10的漏极相连。即,M6与M9交叉耦合。而PMOS管M7与M10则是电平转换电路的两个电源开关管。其中,M7的栅极与结点NL相连,源极则与高电压阈电源VDDH相接;M10的栅极与结点NR相连,源极也同样与高电压阈电源VDDH相接。如此,PMOS管M5、M6、M7构成电平转换电路的第一个电源反馈环,而PMOS管M8、M9、M10则构成电平转换电路的第二个电源反馈环。两个电源反馈环通过交叉耦合的M6、M9相互作用,NMOS管M3、M4则分别是它们的下拉网络。
PMOS管M12与NMOS管M11则构成整个电路的输出反相器,它的输入与结点NR相连,而它的输出则与整个电路的输出相连,并且它的电源电压则由与电压阈电源VDDH相连。
图3所示为本发明实现的亚阈值电平转换器的波形操作示意图。当电路处于保持状态时,输入IN为“0”,INB为VDDL。此时,结点NL 会被下拉至“0”,而结点NR则通过第二个电源反馈环预充至一个中间电平(大约0.7倍的VDDH)。当输入IN从“0”跳变为VDDL时,INB则跳变为“0”。此时,NMOS管M3完全关断,PMOS管M5完全打开,而NMOS管M4和PMOS管M8则分别处于弱打开与弱关断状态。由于此时结点NR为一个高电平,而结点NL为“0”,则电源开关管M10与交叉耦合管M6被关断,电源开关管M7与交叉耦合管M9被打开,所以NR会被下拉管M4速度拉至于一个低电平。当结点NR的电压小于M10和M6的阈值电压时,M10和M6被开启。结点NR会通过第二个电源反馈环进行自行充电,而另一边,结点NL也会通过第一个电源反馈进行自行充电。当结点NL的电压大于M7和M9的阈值电压时,M7和M9被关断。因此,两个电源反馈环都被切断,则结点NR会被下拉管M4完全下拉至“0”,而结点NL则会处于一个中间电压值,这个电压值由通过M7与M3的亚阈值电流来决定,通常,它大约为VDDH的0.7倍。最后,下拉至“0”的结点NR通过输出反相器将输出OUT上拉为高电平VDDH。
当IN从VDDL跳变为“0”时,整个电路开始进入保持状态,此时,NMOS管M4完全关断,PMOS管M8完全打开,而NMOS管M3和PMOS管M5则分别处于弱打开与弱关断状态。由于此时结点NL为一个高电平,而结点NR为“0”,则电源开关管M7与交叉耦合管M9被关断,电源开关管M10与交叉耦合管M6被打开,所以NL会被下拉管M3速度拉至于一个低电平。当结点NL的电压小于M7和M9的阈值电压时,M7和M9被开启。结点NL会通过第一个电源反馈环进行自行充电,而另一边,结点NR也会通过第二个电源反馈进行自行充电。当结点NR的电压大于M10和M6的阈值电压时,M10和M6被关断。因此,两个电源反馈环都被切断,则结点NL会被下拉管M3完全下拉至“0”,而结点NR则会处于一个中间电压值,这个电压值由通过M10与M4的亚阈值电流来决定,通常,它也大约为VDDH的0.7倍。最后,上拉至高电平的结点NR通过输出反相器将输出OUT下拉为“0”。
Claims (3)
1. 一种亚阈值电平转换器,其特征在于包括:一个输入反相器、一个电平转换电路、一个输出反相器;
所述输入反相器,它的电源电压由低电压阈电源提供,并且它的输入与整个电平转换器的输入相连;
所述电平转换电路,它包括:两个反相器、一个PMOS交叉耦合对和两个电源开关PMOS管;其中,第一个反相器的输入与上一级输入反相器的输出相连,电源端与交叉耦合对的第一个PMOS管的漏极相连;第二个反相器的输入与上一级输入反相器的输入相连,供电电源端与交叉耦合对的第二个PMOS管的漏极相连;交叉耦合对的第一个PMOS管的栅极与第二个反相器的输出相连,源极与第一个电源开关管的漏极相连;交叉耦合对的第二个PMOS管的栅极与第一个反相器的输出相连,源极与第二个电源开关管的漏极相连;第一个电源开关管的栅极与第一个反相器的输出相连,源极与高电压阈电源相连;第二个电源开关管的栅极与第二个反相器的输出相连,源极与高电压阈电源相连;第一个反相器、交叉耦合对的第一个PMOS管和第一个电源开关管构成第一个电源反馈环;第二个反相器、交叉耦合对的第二个PMOS管和第二个电源开关管构成第二个电源反馈环;两个电源反馈环通过PMOS交叉耦合对相互作用,两个反相器的下拉NMOS管分别作为两个反馈环的下拉网络;
所述输出反相器,它的电源电压由高电压阈电源提供,并用它的输入与电平转换电平的第二个反相器输出相连,它的输出则是整个电路的输出。
2. 根据权利要求1所述的亚阈值电平转换器,其特征在于:输入反相器的电源电压与低电压阈电源相连,电平转换电路与输出反相器的电源电压与高电压阈电源相连。
3. 根据权利要求1所述的亚阈值电平转换器,其特征在于:当输入从“0”跳变为一个低电压电平“1”时,输出产生一个高电压电平“1”;当输入跳回到“0”时,输出同样产生一个正常的“0”值。
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