CN104407499A - 使用氢氧化钾溶液显影uviii的电子束光刻高分辨率图形的方法 - Google Patents
使用氢氧化钾溶液显影uviii的电子束光刻高分辨率图形的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104407499A CN104407499A CN201410722266.7A CN201410722266A CN104407499A CN 104407499 A CN104407499 A CN 104407499A CN 201410722266 A CN201410722266 A CN 201410722266A CN 104407499 A CN104407499 A CN 104407499A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- uviii
- potassium hydroxide
- substrate
- photoresist
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
本发明属于电子束光刻微纳加工领域,公开了一种使用氢氧化钾溶液显影电子束光刻用化学放大光刻胶UVIII的方法。其步骤包括:清洗基片,烘干;在基片上旋涂六甲基二硅胺(HMDS)作为粘附层增加光刻胶和基片的粘接力;在基片上旋涂化学放大UVIII电子束光刻胶,前烘;电子束光刻,对UVIII进行曝光;对曝光后的光刻胶进行后烘;用配置的氢氧化钾溶液进行显影、用去离子水进行定影,用氮气枪吹干,得到光刻图形。利用本发明,解决了电子束用化学放大胶的显影问题,相对于传统的ShipleyCD26显影液具有成本低,制备简单,环境友好,可靠性高,得到的图形分辨率高,重复性好等优点,在微纳加工光学器件中有着广泛的应用背景。
Description
技术领域
本发明属于纳米尺度的微细加工技术领域,具体涉及一种电子束光刻高分辨率图形的方法。
背景技术
随着大规模集成电路的特征尺寸进入纳米级,目前微电子工艺向着纳米尺度发展,如何制作出好的纳米结构成为纳米阶段的一个主要问题。这就对微纳加工工艺提出了更高的要求。
电子束光刻如今成为纳米电子器件制作的一个主要工艺手段,是目前国际上公认的高分辨率图像制作技术,已经广泛的在实验室应用。电子束光刻机使用电子束作为束源,对电子束光刻胶进行曝光,使之发生交聚或者降解反应,再经过显影,在光刻胶上制作纳米结构。光刻胶通常是一种可以在溶液中溶解的有机聚合物。工艺中对光刻胶的指标一般有:分辨率、灵敏度、对比度、与衬底的粘附性。最传统的电子束光刻胶是PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)。PMMA为正性光刻胶,分辨率高,但是最大的缺点是灵敏度很低因此曝光时间长,因此开发纳米工艺成本高。美国Shipley公司的UVIII光刻胶是一种化学放大胶,具有较高的热稳定性,与传统的PMMA光刻胶相比,灵敏度很高,分辨率也很高。由于电子束曝光是效率比较低的技术,曝光同样的图形,灵敏度高的光刻胶所用的时间会远远低于灵敏度低的光刻胶,所以减少曝光时间来降低工艺成本尤为重要。一般采用美国Shipley 公司生产的Shipley CD26显影液显影UVIII光刻胶,但是该显影液价格昂贵,运输时间长,保存周期短,不适合大规模生产。本发明提出的氢氧化钾溶液作为UVIII光刻胶的显影液,具有制作方便,价格极其便宜,使用周期长,无需购买,并且显影特性与CD26无差别。
发明内容
本发明的目的在于提出一种简单、方便、便宜的电子束光刻高分辨率图形的方法。
本发明提出的电子束光刻高分辨率图形的方法,采用用氢氧化钾溶液显影电子束光刻用的化学放大UVIII胶,具体步骤为:
步骤1、清洗基片,烘干;
步骤2、在基片上旋涂液态HMDS作为粘附层,用于粘结UVIII和基片;
步骤3、旋涂UVIII光刻胶,前烘;
步骤4、电子束光刻,对UVIII光刻胶进行曝光 ;
步骤5、对曝光后的基片进行热板后烘,对曝光后的UVIII光刻胶用0.5%~1.5%浓度的氢氧化钾溶液作为显影液显影,定影,吹干,得到UVIII曝光后的图形。
上述方案中,所述基片清洗采用微电子标准清洗工艺,即RCA清洗工艺。
上述方案中,所述前烘、后烘使用的是热板,热板的温度为110~130℃,前烘时间50~70s,后烘时间为80~100s。
上述方案中,所述0.5%~1.5%浓度的氢氧化钾溶液,由氢氧化钾粉末和一定体积的去离子水混合而成的。氢氧化钾粉末为分析纯的氢氧化钾粉末。所述定影用的定影液为去离子水,定影时间30~40s;所述吹干使用高纯氮气吹干。
有益效果
从上述技术方案可以看出,本发明提供的这种显影电子束光刻的化学放大UVIII胶的方法,采用氢氧化钾溶液显影,与之前的用Shipley CD26显影液相比,主要有以下四方面的优点:
1、采用0.5%~1.5%浓度的KOH溶液作为电子束光刻胶UVIII的显影液能够得到很好的显影效果,得到的图形的粗糙度较低;
2、由于UVIII是一种灵敏度很高的电子束光刻抗蚀剂,所以利用本发明具有很高的效率以及产率;
3、采用0.5%~1.5%浓度的KOH溶液作为电子束光刻胶UVIII的显影液,得到的图形的分辨率很好,单根线的最小分辨率达到了40nm。等间距光栅的最小尺寸做到了100nm。与CD26 相比基本无差别,并且可靠性高,重复性好,在纳米光学结构制备中有着广泛的应用前景;
4、与传统的Shipley CD26显影液相比,本发明能够显著降低成本,本发明的成本大
约是前者成本的1/150。
附图说明
图1为本发明提供的用于电子束光刻胶UVIII的显影液的配置方法流程图。
图2为本发明提供的用于氢氧化钾溶液显影UVIII电子束光刻胶的方法流程图。
图3为本发明提供的用于氢氧化钾溶液显影UVIII电子束光刻胶制作100纳米等间距光栅的工艺流程图。
图4为本发明提供的用于氢氧化钾溶液显影UVIII电子束光刻胶制作100纳米单根线工艺流程图。
图5为本发明提供的用于氢氧化钾溶液显影UVIII电子束光刻胶制作40nm单根线SEM图(光刻胶厚100nm)和制作的100nm单根线SEM图(光刻胶厚300nm)。
图6为本发明提供的用于氢氧化钾溶液显影UVIII电子束光刻胶制作200nm等间距光栅的SEM图(光刻胶厚600nm)。
图7为本发明提供的用于氢氧化钾溶液显影UVIII电子束光刻胶制作150nm等间距光栅的SEM图(光刻胶厚600nm)。
图8为本发明提供的用于氢氧化钾溶液显影UVIII电子束光刻胶制作100nm等间距光栅的SEM图(光刻胶厚300nm)。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加的清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。
本发明是在Si衬底上制作纳米结构的时候曝光UVIII电子束光刻化学放大胶,使用氢氧化钾溶液显影后得到图形,之后通过RIE刻蚀可以转移到Si衬底上,本发明显影液相比目前使用的Shipley CD26显影液有相同的效果,而且能够大幅度降低成本,缩短工艺周期。
本发明提供的这种用于电子束光刻胶UVIII的显影液,是氢氧化钾粉末和去离子水的混合液。
如图1所示,图1 为本发明提供的用于电子束光刻胶UVIII的显影液的配置方法流程图,该方法包括:
步骤1:将氢氧化钾粉末用分析天平称量5~15g放入容器中;
步骤2:用量筒称量980~995mL去离子水(质量1g/cm3)放入相同的容器中;
步骤3:将氢氧化钾粉末和去离子水充分混合,使得溶液混合均匀。
配置大量溶液的目的就是为了使得配置的浓度准确,由于氢氧化钾粉末遇水会放热,并且氢氧化钾属于强碱,所以配置的时候注意在密封容器中进行。
图2是本发明提供的氢氧化钾溶液显影UVIII光刻胶的方法流程图,该方法包括:
步骤1、清洗基片,烘干;所述基片采用微电子标准清洗工艺;
步骤2、在基片上旋涂液态HMDS作为粘附层;
步骤3、在HMDS上旋涂UVIII电子束光刻胶,前烘;
步骤4、电子束光刻,对UVIII光刻胶进行曝光;
步骤5、曝光后对UVIII光刻胶进行后烘,用本发明的显影液进行显影,定影,吹干,得到光刻胶光刻图形。
对于上述方法本发明给出制作等间距光栅和单根线的具体实例。
实例1.制作100nm,150nm和200nm等间距光栅
图3给出了依照本发明实施例提供的氢氧化钾溶液显影UVIII电子束光刻胶制作100nm ,150nm 和200nm光栅的工艺流程图,该方法包括:
步骤1、如图3-1所示,清洗基片,烘干;在基片上旋涂4krmp的液态HMDS作为粘附层;
步骤2、如图3-2所示,在HMDS上旋涂300nm到600nm 厚的UVIII电子束光刻胶,热板130度前烘60s烘干;放入电子束光刻机中;用JEOL6300FS电子束光刻,对UVIII光刻胶进行曝光;
步骤3、如图3-3所示,用热板130度对已曝光基片后烘90s,采用本发明的氢氧化钾溶液对基片进行显影60s,用去离子水定影30s,氮气吹干,得到等间距光栅。具体实例分别做了200nm,150nm和100nm等间距光栅,见图6、7和8。
实例2.制作40nm和100nm单根线
图4给出了依照本发明实施例提供的氢氧化钾溶液显影UVIII电子束光刻胶制作单根线的工艺流程图,该方法包括:
步骤1、如图4-1所示,清洗基片,烘干;在基片上旋涂4krmp的液态HMDS作为粘附层;
步骤2、如图4-2所示,在HMDS上旋涂100nm和300nm 厚的UVIII电子束光刻胶,热板130度前烘60s烘干;放入电子束光刻机中;用JEOL6300FS电子束光刻,对UVIII光刻胶进行曝光;
步骤3、如图4-3所示,用热板130度对已曝光基片后烘90s,采用本发明的氢氧化钾溶液对基片进行显影60s,用去离子水定影30s,氮气吹干,得到40nm 和100nm 单根线。见图5。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (4)
1. 一种电子束光刻高分辨率图形的方法,其特征在于采用用氢氧化钾溶液显影电子束光刻用的化学放大UVIII胶,具体步骤为:
步骤1. 清洗基片,烘干;
步骤2. 在基片上旋涂液态HMDS作为粘附层,用于粘结UVIII和基片;
步骤3. 旋涂UVIII光刻胶,前烘;
步骤4. 电子束光刻,对UVIII光刻胶进行曝光 ;
步骤5. 对曝光后的基片进行热板后烘,对曝光后的UVIII光刻胶用0.5%~1.5%浓度的氢氧化钾溶液作为显影液显影,定影,吹干,得到UVIII曝光后的图形。
2. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述基片清洗采用微电子标准清洗工艺,即RCA清洗工艺。
3. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述前烘、后烘使用的是热板,热板的温度为110~130℃,前烘时间50~70s,后烘时间为80~100s。
4. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于步骤(5)中所述0.5%~1.5%浓度的氢氧化钾溶液,由氢氧化钾粉末和一定体积的去离子水混合而成的;氢氧化钾粉末为分析纯的氢氧化钾粉末;所述定影用的定影液为去离子水,定影时间30~40s;所述吹干使用高纯氮气吹干。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410722266.7A CN104407499A (zh) | 2014-12-03 | 2014-12-03 | 使用氢氧化钾溶液显影uviii的电子束光刻高分辨率图形的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410722266.7A CN104407499A (zh) | 2014-12-03 | 2014-12-03 | 使用氢氧化钾溶液显影uviii的电子束光刻高分辨率图形的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104407499A true CN104407499A (zh) | 2015-03-11 |
Family
ID=52645140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410722266.7A Pending CN104407499A (zh) | 2014-12-03 | 2014-12-03 | 使用氢氧化钾溶液显影uviii的电子束光刻高分辨率图形的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104407499A (zh) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1881076A (zh) * | 2005-06-17 | 2006-12-20 | 茂德科技股份有限公司 | 雷文生相转移掩模及其制备方法与制备半导体元件的方法 |
CN101276149A (zh) * | 2007-03-28 | 2008-10-01 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作百纳米级螺线管或网状结构的方法 |
CN101276751A (zh) * | 2007-03-28 | 2008-10-01 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作晶体管t型纳米栅的方法 |
CN101430503A (zh) * | 2007-11-07 | 2009-05-13 | 中国科学院微电子研究所 | 用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法 |
CN101622580A (zh) * | 2007-02-27 | 2010-01-06 | 日产化学工业株式会社 | 形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物 |
CN102354666A (zh) * | 2011-11-01 | 2012-02-15 | 中国科学院微电子研究所 | 一种t型栅hemt器件及其制作方法 |
CN103107285A (zh) * | 2013-01-15 | 2013-05-15 | 大连东方科脉电子有限公司 | 一种立体显示电极及其制造方法 |
CN103135343A (zh) * | 2011-11-29 | 2013-06-05 | 第一毛织株式会社 | 用于滤色器的光敏树脂组合物及使用其制备的滤色器 |
CN103207545A (zh) * | 2013-03-25 | 2013-07-17 | 北京大学 | 一种采用紫外线固胶的电子束曝光方法 |
-
2014
- 2014-12-03 CN CN201410722266.7A patent/CN104407499A/zh active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1881076A (zh) * | 2005-06-17 | 2006-12-20 | 茂德科技股份有限公司 | 雷文生相转移掩模及其制备方法与制备半导体元件的方法 |
CN101622580A (zh) * | 2007-02-27 | 2010-01-06 | 日产化学工业株式会社 | 形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物 |
CN101276149A (zh) * | 2007-03-28 | 2008-10-01 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作百纳米级螺线管或网状结构的方法 |
CN101276751A (zh) * | 2007-03-28 | 2008-10-01 | 中国科学院微电子研究所 | 一种制作晶体管t型纳米栅的方法 |
CN101430503A (zh) * | 2007-11-07 | 2009-05-13 | 中国科学院微电子研究所 | 用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法 |
CN102354666A (zh) * | 2011-11-01 | 2012-02-15 | 中国科学院微电子研究所 | 一种t型栅hemt器件及其制作方法 |
CN103135343A (zh) * | 2011-11-29 | 2013-06-05 | 第一毛织株式会社 | 用于滤色器的光敏树脂组合物及使用其制备的滤色器 |
CN103107285A (zh) * | 2013-01-15 | 2013-05-15 | 大连东方科脉电子有限公司 | 一种立体显示电极及其制造方法 |
CN103207545A (zh) * | 2013-03-25 | 2013-07-17 | 北京大学 | 一种采用紫外线固胶的电子束曝光方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5721601B2 (ja) | タッチパネル、及びタッチパネルの製造方法 | |
Kumar et al. | Development of nickel-based negative tone metal oxide cluster resists for sub-10 nm electron beam and helium ion beam lithography | |
KR20190099429A (ko) | 감방사선성 조성물, 패턴 형성 방법 및 금속 산화물 | |
CN105339457A (zh) | 用于增强化学物质产生的试剂 | |
CN103980417A (zh) | 新型树枝状聚合物类正性光刻胶树脂及其制备方法与应用 | |
CN104134749B (zh) | 多层柔性平面内嵌迭片电极及其制备方法与在有机场单晶场效应晶体管中的应用 | |
KR20190103229A (ko) | 감방사선성 조성물 및 패턴 형성 방법 | |
CN110032040A (zh) | 化学放大胶组合物及其在紫外光刻的应用 | |
WO2015000213A1 (zh) | 一种负性化学放大光刻胶及其成像方法 | |
CN104919370A (zh) | 上层膜形成用组合物以及使用其的抗蚀图案形成方法 | |
CN103784149B (zh) | 一种多金属沉积技术显现潜指纹的方法 | |
CN105807557B (zh) | 一种用于光学曝光的高分辨率柔性复合掩模板及其制备方法 | |
Popescu et al. | Sensitivity enhancement of the high-resolution xMT multi-trigger resist for EUV lithography | |
CN105348432A (zh) | 一类聚合物型硫鎓盐类光生酸剂、制备方法及其应用 | |
CN104934303B (zh) | 一种制备蝴蝶翅膀仿生微纳结构的方法 | |
Santillan et al. | In situ analysis of negative-tone resist pattern formation using organic-solvent-based developer process | |
CN103207545B (zh) | 一种采用紫外线固胶的电子束曝光方法 | |
CN104407499A (zh) | 使用氢氧化钾溶液显影uviii的电子束光刻高分辨率图形的方法 | |
CN101759140B (zh) | 一种制备硅纳米结构的方法 | |
Takei et al. | Application of natural linear polysaccharide to green resist polymers for electron beam and extreme-ultraviolet lithography | |
CN101154036A (zh) | 一种光控法控制玻璃刻蚀深度的方法 | |
CN105807563B (zh) | 光刻胶组合物及其制备方法和构图方法 | |
Koller et al. | Direct fabrication of micro/nano fluidic channels by electron beam lithography | |
CN102778811B (zh) | 一种氧化镍基记忆存储薄膜微细图形的制备方法 | |
CN102820311A (zh) | 一种制作偏振敏感光电探测器的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150311 |