CN104396025A - 点接触太阳能电池用的改良掺杂图案 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示对太阳能电池，尤其对点接触太阳能电池进行掺杂的方法。太阳能电池的一个表面可需要对若干部分进行n掺杂，而对其他部分进行p掺杂。可通过使用具有一种导电性的物质的毯覆式掺杂以及具有相反导电性的物质的图案化逆掺杂制程，来消除至少一个光刻步骤。在图案化注入期间掺杂的区域接收充足剂量以便完全反转毯覆式掺杂的效应，且实现与毯覆式掺杂相反的导电性。在一些实施例中，逆掺杂线路还用于降低多数载流子的横向串联电阻。
Description
技术领域
本发明涉及对太阳能电池进行掺杂，且尤其涉及点接触太阳能电池用的掺杂图案。
背景技术
离子注入为用于将更改导电性的杂质引入到半导体衬底中的标准技术。在离子源中使所要杂质材料离子化，使离子加速以形成指定能量的离子束，且将所述离子束对准衬底的表面。所述离子束中的高能离子穿透到半导体材料的主体中，且嵌入到半导体材料的晶格中以形成所要导电性的区域。
离子注入可用于制造太阳能电池。太阳能电池是一种具有内建电场的装置，所述内建电场分离通过将光子吸收在半导体材料中而产生的电荷载流子。此电场通常是通过p-n结(二极管)的形成而产生的，所述p-n结是通过半导体材料的差异掺杂而产生的。以相反极性的杂质来对太阳能电池衬底(例如，表面区域)的一部分进行掺杂会形成p-n结，所述p-n结可用作将光转换为电的光伏装置。
图1示出太阳能电池的第一实施例，且为代表性衬底150的横截面。如箭头所示，光子160通过顶表面162而进入太阳能电池150。这些光子160穿过抗反射涂层152，所述抗反射涂层152经设计以使穿透衬底150的光子160的数量最大化且使反射离开衬底150的光子160的数量最小化。
在内部，太阳能电池150形成为具有p-n结170。此p-n结170被示出为实质上平行于衬底150的顶表面162，但存在p-n结170并不平行于顶表面162的其他实施方案。太阳能电池150经制造以使得光子160通过重掺杂的区域(也称为发射极153)而进入太阳能电池150。在一些实施例中，发射极153可为n型掺杂区域，而在其他实施例中，发射极153可为p型掺杂区域。具有充足能量(高于半导体的带隙)的光子160能够将半导体材料的价带内的电子提升到导带。价带中的对应的带正电的空穴与此自由电子相关联。为了产生可驱动外部负载的光电流，需要分离这些电子空穴(e-h)对。这通过在p-n结170处的内建电场来进行。因此，在p-n结170的耗尽区域中产生的任何e-h对得以分离，扩散到太阳能电池150的耗尽区域的任何其他少数载流子也是如此。因为大多数入射光子160吸收在太阳能电池150的近表面区域中，所以发射极153中产生的少数载流子需要跨越发射极153的深度而扩散以到达耗尽区域且蔓延到另一侧。因此，为了使光产生的电流的收集最大化且使发射极153中的载流子复合的机会最小化，优选具有较浅的发射极153。
一些光子160穿过发射极153且进入基极154。在发射极153为n型区域的情形下，基极154为p型掺杂区域。这些光子160可接着激励基极154内的电子，所述电子能够自由移动到发射极153中，而相关联的空穴保留在基极154中。或者，在发射极153为p型掺杂区域的情况下，基极为n型掺杂区域。在这种情况下，这些光子160可接着激励基极154内的电子，所述电子保留在基极154中，而相关联的空穴移动到发射极153中。由于此p-n结170的存在而导致的电荷分离，光子所产生的额外载流子(电子和空穴)可接着用于驱动外部负载以完成电路。
通过在外部经由外部负载而将发射极153连接到基极154，可传导电流且因此提供电力。为此，触点151和155(通常为金属)分别设置在发射极153和基极154的外表面上。因为基极154并不直接接收光子160，所以其触点155通常沿着整个外表面而设置。相比之下，发射极153的外表面接收光子160，且因此无法完全以触点151覆盖。然而，如果电子必须行进较大距离才能到达触点151，那么太阳能电池150的串联电阻提高，这会降低功率输出。为了在这两个考虑事项(自由电子必须移动到触点151的距离和暴露的发射极表面163的量)之间作出平衡，多数应用使用呈指状物的形式的触点151。
图1所示的实施例在太阳能电池150的两侧上需要触点151、155，因而减小了光子160可穿过的前表面的可用面积。图2中示出太阳能电池100的第二实施例的横截面。基本上，这个实施例的物理性质是类似的，其中p-n结用于产生电场，所述电场分离所产生的电子空穴对。然而，并非如同先前实施例一样在整个表面上产生p-n结，而是仅在太阳能电池100的部分中产生结。在这个实施例中，可使用负掺杂硅衬底(基极103)。在某些实施例中，通过在前表面中引入额外n型掺杂剂而产生较呈负偏压的前表面场(frontsurface field；FSF)102。接着以抗反射涂层101来涂布此前表面场102。通常，蚀刻此前受照表面以产生锥状或其他非平坦表面，以便增大表面积。金属触点(诸如，p触点107和n触点108)以及指状物110全部位于太阳能电池100的底部非受照表面上。以p型掺杂剂来对底表面的某些部分进行掺杂以产生发射极104。以n型掺杂剂来对其他部分进行掺杂以产生较呈负偏压的背表面场(back surface field；BSF)105。通常，这些发射极104与背表面场105之间的区域未被掺杂，且以氧化硅来钝化。以钝化层106来涂布背表面以增强背表面的反射性。p触点107和n触点108附接到发射极104和背表面场105。图3示出触点设置在背部非受照表面上的一种常用配置。在这个实施例中，触点设置在发射极104和背表面场105中的一者或一者以上上。这种类型的电池被称为点接触太阳能电池。
由于当前能量成本和对环境的关注，太阳能电池在全球正变得愈加重要。高性能太阳能电池的制造或生产的成本的任何降低或高性能太阳能电池的效率的任何改进对全球太阳能电池的实施具有正面影响。这将实现这种清洁能源技术的较广泛的可用性。
点接触太阳能电池的当前制造制程需要对太阳能电池的背侧进行至少两个光刻和扩散步骤，以制造触点和发射极区域。去除任何制程步骤会降低太阳能电池的制造成本和复杂性。此外，改进太阳能电池的效率的任何制程步骤将是有益的。因此，此项技术中需要一种对点接触太阳能电池进行掺杂的改进的方法。
发明内容
现有技术的缺点由本发明来克服，本发明描述对太阳能电池(尤其是点接触太阳能电池)进行掺杂的方法。太阳能电池的一个表面可需要对若干部分进行n掺杂，而对其他部分进行p掺杂。传统上，需要多个光刻和掺杂步骤以实现这种所要配置。相比之下，可通过使用具有一种导电性的物质的毯覆式掺杂以及具有相反导电性的物质的遮罩图案化逆掺杂(counterdoping)制程，来消除一个光刻步骤。在图案化注入期间掺杂的区域接收充足剂量以便完全反转毯覆式掺杂的效应，且实现与毯覆式掺杂相反的导电性。在一些实施例中，逆掺杂线路还用于降低多数载流子的横向串联电阻。
附图说明
为了更好地理解本揭露，参考附图，附图以引用的方式并入本文中。
图1为现有技术的太阳能电池的实施例的横截面图。
图2为现有技术的点接触太阳能电池的实施例的横截面图。
图3为图2的太阳能电池的仰视图。
图4为根据一个实施例的示范性点接触太阳能电池的实施例的横截面图。
图5为太阳能电池制造制程流程的实施例。
图6为太阳能电池制造制程流程的另一实施例。
图7为点接触太阳能电池中的逆掺杂的实施例。
图8为点接触太阳能电池的另一实施例。
图9为结合图8的太阳能电池使用的太阳能电池制造制程流程的实施例。
图10为点接触太阳能电池的另一实施例。
图11为点接触太阳能电池的另一实施例。
图12为结合图10和图11的太阳能电池使用的太阳能电池制造制程流程的实施例。
具体实施方式
本文所述的制程的实施例可由(例如)束线离子注入机(beam-line ionimplanter)、淹没式注入机(flood implanter)或等离子体掺杂离子注入机(plasmadoping ion implanter)执行。这一等离子体掺杂离子注入机可使用射频(RF)或其他等离子体产生源。由束线离子注入机或淹没式注入机产生的离子束可为经质量分析或未经质量分析的。也可使用其他等离子体处理设备或产生离子的设备。也可使用热扩散或炉扩散、太阳能电池衬底的表面上受到加热的膏状物、外延生长或雷射掺杂，以执行本文所述的制程的某些实施例。此外，虽然具体揭露硅太阳能电池，但其他太阳能电池衬底材料也可受益于本文所述的制程的实施例。
图4为示范性点接触太阳能电池的实施例。其他实施例或设计是可能的，且本文所述的制程的实施例不仅限于图4所说明的太阳能电池100。如上所述，太阳能电池100在太阳能电池100的背侧上包含p触点107和n触点108。抗反射涂层101位于太阳能电池100的顶部。前表面场102和基极103可位于抗反射涂层101之下。发射极104和背表面场105位于基极103之下。钝化层106位于发射极104和背表面场105之下。p触点107和n触点108可穿过钝化层106以接触发射极104和背表面场105。在一些实施例中，p++区域121添加在发射极104内，以降低发射极104与p触点107之间的电阻。通常由导电金属制成的指状物110附接到p触点107和n触点108。
此点接触太阳能电池与图2的点接触太阳能电池的不同之处在于整个底表面为经掺杂的。换句话说，并非背表面场105的任何区域为p掺杂的。这增大发射极104的区域的总大小，且增大p-n结的表面积。换句话说，此点接触太阳能电池通过对先前未掺杂的区域进行轻掺杂而扩展现有技术的点接触电池。
使用逆掺杂将允许消除光刻步骤中的至少一者。如果非光刻技术用于在逆掺杂掺杂制程中对掺杂剂进行图案化，那么逆掺杂可消除两个步骤。制程步骤的消除会降低太阳能电池的制造复杂性和制造成本。
图5为太阳能电池制造制程流程的实施例。为了执行太阳能电池(诸如，点接触太阳能电池)的逆掺杂，需要两个步骤：毯覆式掺杂201，用于形成一种类型的半导体材料。例如，可将硼涂覆到整个衬底以形成p掺杂发射极区域。此后，以较高剂量在太阳能电池的选定的离散区域中执行图案化掺杂202。此图案化掺杂202是使用相反导电性的掺杂剂来执行的。因此，如果硼用于毯覆式掺杂，那么V族的元素(诸如，磷)可用于图案化掺杂。因为先前已对应用了图案化掺杂的区域进行掺杂，所以所需的剂量必须足以消除较早的掺杂的效应，且接着引入所要浓度的离子。因此，图案化掺杂产生与毯覆式掺杂所产生的区域相反的导电性的离散区域。
图6为太阳能电池制造制程流程的另一实施例。在这个实施例中，简单地颠倒图5所执行的步骤。为了执行逆掺杂，以较高剂量在太阳能电池的选定的离散区域中执行图案化掺杂301，且接着执行毯覆式掺杂302以形成另一类型的半导体材料。以充足剂量引入图案化掺杂301，以使得后续毯覆式掺杂302不改变其导电性。
图7为逆掺杂的实施例。太阳能电池100包含毯覆式掺杂的区域400和离散的图案化掺杂的区域401。在一些实施例中，离散的图案化掺杂的区域401可为圆形的、长方形的或多边形的。这些离散的图案化掺杂的区域不管形状怎样，都被称为点。毯覆式掺杂的区域400和离散的图案化掺杂的区域401可依序掺杂，或可连结在一起，而无断裂真空(breaking vacuum)。毯覆式掺杂的区域400和离散的图案化掺杂的区域401可使用n型掺杂剂或p型掺杂剂。然而，如上所述，逆掺杂需要一个区域为n型掺杂剂，且另一区域为p型掺杂剂。因此，虽然可首先进行以任一类型的掺杂剂进行的掺杂，但总体上必须使用不同掺杂剂。在一种特定情形下，毯覆式掺杂的区域400为p型发射极，而离散的图案化掺杂的区域401为n型。此外，必须以充足量来应用图案化掺杂，以改变(overcome)由毯覆式掺杂产生的导电性。如果首先执行图案化注入，那么毯覆式掺杂必须不能改变图案化掺杂的区域。在这个实例中，以足够大的量引入n型掺杂剂，以使得毯覆式掺杂的区域400保持为p型，但图案化掺杂的区域401为n型。
在本文所述的制程的实施例中，掺杂剂可为(例如)磷(P)、砷(As)、硼(B)、锑(Sb)或锡(Sn)。还可使用其他掺杂剂物质，且这种应用不仅限于所列举的掺杂剂。
可按照许多方式来执行毯覆式掺杂。例如，可使用离子注入(诸如，以束线离子注入机进行)、淹没式注入机、调整等离子体鞘层的注入机或等离子体掺杂离子注入机，而执行太阳能电池的区域或整个太阳能电池的毯覆式掺杂。也可在太阳能电池衬底上使用至少一种气体或至少一种膏状物，在炉中使用扩散而执行毯覆式掺杂。其他引入掺杂剂的方法也是已知且适用的。在所有情况下，毯覆式掺杂表示离子不加区别地应用于太阳能电池的整个表面的掺杂制程。
相比毯覆式掺杂，图案化掺杂意味仅调整太阳能电池的选定的区域。可按照多种方式来执行此毯覆式掺杂。在一些实施例中，图案化技术用于仅遮蔽(或暴露)衬底的某些部分。在应用此图案化之后，可执行用于应用毯覆式掺杂的上述制程中的一者或一者以上。在第一实施例中，使用遮罩来阻隔不需要逆掺杂的太阳能电池的区域。遮罩可为各种类型。例如，硬式遮罩是应用于衬底且附着到衬底的遮罩。阴影遮罩或接近式遮罩为直接放置在衬底之前且可再用的遮罩。最终，范本遮罩或投影遮罩为相对于衬底放置在一距离处且依赖于光学元件以将图案投影到衬底上的遮罩。在一些实施例中，遮罩中的孔隙通常是使用直边而形成的，且因此，相比圆形的孔隙，可较容易形成正方形或长方形的孔隙。然而，可制造正方形、长方形、多边形或圆形的孔隙。在应用遮罩之后，执行后续扩散或离子注入步骤，以仅将离子引入到衬底的暴露部分。在另一实施例中，接着(例如)使用束线离子注入机、淹没式注入机或等离子体掺杂离子注入机而执行离子注入，且通过遮罩中的一个或一个以上孔隙而仅注入掺杂剂。在另一情形下，将遮罩与炉扩散方法一起使用。
也可使用其他方法来执行图案化掺杂。如上所述，这些图案化方法中的若干方法遮蔽衬底的一部分，以使得仅对暴露部分进行掺杂。例如，光刻法可用于产生光致抗蚀剂遮罩。其他图案化方法用于暴露衬底的一部分。例如，在一个实施例中，使用毯覆式掺杂方法而涂覆电介质层。接着，可使用雷射光束以直接书写到太阳能电池上，以选择性地使毯覆式电介质层熔融以产生遮罩。术语“直接书写”表示以高精度将光束或粒子束(诸如，雷射或离子束)聚焦在衬底处的制程。在入射区域处，射束撞击衬底且导致特定效果。在离子束的情况下，所述效果可为衬底中的注入离子中的一者。在雷射光束的情况下，所述效果可为使入射区域熔融或变形。
在另一实施例中，可将材料印刷到太阳能电池的表面的选定区域上。接着，(例如)使用离子注入而通过由所印刷的材料形成的遮罩而引入掺杂剂。或者，可使用所印刷的材料以选择性地蚀刻下层电介质，从而形成可用于通过在炉中扩散而引入掺杂剂的图案。在另一实施例中，离子束可通过阴影遮罩而直接书写或投影，以改变毯覆式电介质层的蚀刻特性。接着蚀刻此层以仅在选定的区域中暴露衬底。在这些图案化方法中的每一者中，接着使用(例如)离子注入或炉扩散，以将掺杂剂引入到衬底的所要部分。
在其他实施例中，可对太阳能电池执行掺杂剂的直接图案化。图案化掺杂的直接图案化形式意味在不在太阳能电池上使用遮罩或固定掩蔽层的情况下仅对太阳能电池的某些区域进行掺杂。在一个实施例中，可使用离子束以非均一掺杂剂剂量来注入掺杂剂。因此，将太阳能电池的第一部分暴露于离子束且以第一剂量来进行注入。还将太阳能电池的第二部分暴露于离子束且以第二剂量来进行注入。可按照许多方式来实现此剂量差异。
可按照许多方式来产生离子束。例如，可通过形成带状射束而产生离子束。在其他实施例中，产生扫描点束(scanning spot beam)。这些离子束可为经质量分析或未经质量分析的。在其他实施例中，可通过调整等离子体鞘层或通过将离子引导在等离子体中而执行注入。在离子束的下游，将太阳能电池附接到衬底固持器。衬底固持器提供多个程度的移动。例如，衬底固持器可在正交于射束的方向上移动。假设射束在XZ平面中。此射束可为带状射束或扫描点束。衬底固持器可在Y方向上移动。如此一来，衬底的整个表面可暴露于离子束(假设衬底具有小于离子束的宽度(在X尺寸上))。
在一个实施例中，调整衬底固持器的移动，以便在对应于逆掺杂的区域的区域处产生较长驻留时间(dwell time)。换句话说，在衬底中将不会进行进一步注入的那些部分(即，毯覆式注入区域)上，在Y方向上较快速地移动衬底固持器。一旦离子束位于将逆掺杂的区域上，Y方向上的衬底固持器的速度便减慢。在离子束位于逆掺杂的区域上时，维持此较慢速度。一旦已完全暴露此区域，衬底固持器的平移速度便提高，以便快速通过后续轻微毯覆式注入的区域。重复此制程，直到已对整个衬底进行注入为止。此技术可用于对下文所述的图10和图11所示的线路403进行注入。
也可使用涂覆到太阳能电池的含掺杂剂的膏状物的毯覆层来执行直接图案化。使用扫描雷射光束而选择性地使膏状物熔融，以使得仅对膏状物覆盖的区域的某些区域进行掺杂。这是直接书写的实例。
在替代实施例中，膏状物也可选择性地涂覆到太阳能电池，以使得仅某些膏状物覆盖的区域使用炉来掺杂。可按照许多方式来选择性地涂覆膏状物。丝网印刷、喷墨印刷以及挤压为若干实例。也可使用其他方法，且其他方法在本揭露的范围内。
也可引入额外制程步骤。图8示出具有额外p++区域402的点接触太阳能电池100的仰视图。换句话说，区域402为较重掺杂的发射极区域。在一些实施例中，图案化掺杂的区域401和重掺杂的发射极区域402可为圆形的、长方形的或多边形的。如上所述，不管形状怎样，这些离散的重掺杂的发射极区域都被称为点。例如，引入较重p掺杂的发射极区域402以随后附接到触点可为有益的。在这个实施例中，使用与用于毯覆式注入的掺杂剂相同的掺杂剂来执行第二图案化注入。因此，太阳能电池具有充当发射极的毯覆式掺杂的区域400、n型的图案化掺杂的区域401和重p掺杂的发射极(p++)区域402。图9示出此制程的流程图。毯覆式掺杂步骤201和第一图案化掺杂步骤202是如图4所述。第二图案化掺杂步骤203用于产生重p掺杂的发射极(p++)掺杂区域。如较早描述，这些步骤可按照任何次序执行，且可连结在一起并加以执行，而无断裂真空。
此外，可引入逆掺杂线路以降低多数载流子的横向电阻。图10示出具有连接n型图案化掺杂的区域401的逆掺杂线路403的太阳能电池100的仰视图。这些线路经产生以便连接两个或两个以上的离散的n型图案化掺杂的区域401。
在一些实施例中，逆掺杂线路403横跨太阳能电池100的整个宽度，因而有效地将毯覆式掺杂的区域400分为若干不同部分。可使用阴影遮罩来涂覆这些逆掺杂线路403。在其他实施例中，可使用硬式或软式遮罩来产生此图案化注入。在其他实施例中，可使用静电聚焦离子束来对逆掺杂线路403进行注入。在其他实施例中，如上所述，改变离子束的驻留时间。
在另一实施例中，在例如相互垂直的两个方向上来对逆掺杂线路进行注入。图11示出具有垂直与水平逆掺杂线路403两者的太阳能电池100的仰视图。可在独立制程步骤中或至少部分同时对这两组线路进行注入。可在这些制程步骤之间旋转遮罩或太阳能电池。
图12示出可用于产生图10或图11的太阳能电池的制程的流程图。使用毯覆式掺杂步骤201以产生发射极。使用图案化掺杂步骤202以产生背表面场，同时视情况使用图案化掺杂步骤203以产生重p掺杂的发射极(p++)区域。使用图案化掺杂步骤204以在一个或一个以上制程步骤中产生逆掺杂线路403。如结合背表面场而描述，这些逆掺杂线路是以充足浓度进行注入以便反转毯覆式注入201的导电性。在完成全部注入步骤之后，接着如步骤205所示而对衬底进行退火。
在并有离子注入的实施例中的任一者中，在注入掺杂剂之后，对衬底进行退火。在退火步骤之后，可将绝缘层涂覆到太阳能电池的背侧。此绝缘层可为任何合适材料，诸如，氧化硅。在一些实施例中，在涂覆绝缘层之后，在绝缘层中形成孔以允许与背表面场和p++区域接触。在其他实施例中，绝缘层形成为不会涂覆在接近背表面场和p++区域的这些区域中。在其他实施例中，可在退火步骤期间热生长氧化硅。接着可使用导电材料来将背表面场连接在一起。使用第二组导电材料以将p++区域或发射极区域连接在一起。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视所附的申请专利范围所界定者为准。
Claims (15)
1.一种产生点接触太阳能电池的方法，其特征在于包括：
提供具有第一导电性的衬底；
以第二导电性的物质来对所述衬底的表面执行毯覆式注入，所述第二导电性与所述第一导电性相反，以便产生所述第一导电性的基极和所述第二导电性的发射极；
使用所述第一导电性的物质来执行所述衬底的所述表面的图案化注入，以在所述表面上产生所述第一导电性的离散逆掺杂区域，其中所述逆掺杂区域电连接到所述基极；以及
使用所述第二导电性的物质来执行所述衬底的所述表面的第二图案化注入，以产生重掺杂的发射极区域。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述逆掺杂区域是圆形或长方形的。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于还包括以所述第一导电性的物质来对所述衬底的所述表面执行图案化注入，以便产生连接所述离散逆掺杂区域的线路。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述线路是在一个方向上。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述线路是在两个垂直方向上，因而产生栅格图案。
6.一种点接触太阳能电池，其特征在于包括：
受照表面；
非受照表面；
n型基极，位于所述受照表面与所述非受照表面之间；
其中所述非受照表面为p掺杂的，以形成基极，且包括：
多个离散逆掺杂n型区域，其与所述基极电接触；以及
多个逆掺杂n型线路，其连接所述离散逆掺杂n型区域。
7.根据权利要求6所述的点接触太阳能电池，其特征在于所述离散逆掺杂n型区域是圆形或长方形的。
8.根据权利要求6所述的点接触太阳能电池，其特征在于所述非受照表面更包括多个离散的重掺杂的发射极区域。
9.根据权利要求6所述的点接触太阳能电池，其特征在于所述线路是在一个方向上。
10.根据权利要求6所述的点接触太阳能电池，其特征在于所述线路是在两个垂直方向上，因而产生栅格图案。
11.一种产生点接触太阳能电池的方法，其特征在于包括：
提供具有第一导电性的衬底；
以第二导电性的物质来对所述衬底的表面执行毯覆式注入，所述第二导电性与所述第一导电性相反，以便产生所述第一导电性的基极和所述第二导电性的发射极；
使用所述第一导电性的物质来执行所述衬底的所述表面的图案化注入，以便对所述表面上的区域进行逆掺杂，以便在所述表面上产生所述第一导电性的离散逆掺杂点，其中所述逆掺杂点电连接到所述基极。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于还包括以所述第一导电性的物质来对所述衬底的所述表面执行图案化注入，以便产生连接所述离散逆掺杂点的线路。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于所述线路是在一个方向上。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于所述线路是在两个垂直方向上，因而产生栅格图案。
15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于所述点是圆形或长方形的。
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