KR20120088252A - 태양 전지의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

태양 전지의 제조 방법을 개시한다. 태양 전지의 제조 방법은, 제1 도전형을 갖는 제1 불순물이 도핑된 제1 반도체층 상에, 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 갖는 제2 불순물이 제1 농도로 도핑된 제2 반도체층을 형성하고, 상기 제2 반도체층에 국부적으로 레이저를 조사하여, 제1 방향으로 연장하고, 상기 제2 도전형을 갖는 제2 불순물이 상기 제1 농도보다 높은 제2 농도로 도핑된 이미터 영역을 형성하고, 상기 이미터 영역과 전기적으로 연결되며, 상기 제1 방향으로 연장되는 상부 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 레이저를 조사하는 단계에서, 상기 제1 방향으로 연장하는 라인 타입의 레이저 빔을 이용한다.

Description

태양 전지의 제조 방법{Method of manufacturing solar cell}
본 발명은 태양 전지의 제조 방법에 관련된 것으로서, 더욱 상세하게는 단결정 실리콘을 이용하는 태양 전지의 제조 방법에 관련된 것이다.
태양 전지는 반도체의 pn 접합을 이용하여 태양광을 전기로 변환시키는 반도체 소자이다. 태양 전지로 반도체의 밴드 갭 에너지보다 큰 에너지를 갖는 태양광이 입사되면 전자-정공 쌍이 생성되는데, 상기 전자-정공이 pn 접합부에 형성된 전기장에 의해 전자는 n층으로, 정공을 p층으로 모이게 되어 pn 접합 간에 기전력이 발생하게 된다. 이때 태양 전지의 양단에 부하를 연결하면 전류가 흐르게 된다.
일반적인 단결정 실리콘을 이용한 태양 전지는 p형 실리콘층에 n형 실리콘층이 적층되고, n형 실리콘층 일부에 고농도의 n+ 이미터 영역이 배치될 수 있다. 상기 고농도의 n+ 이미터 영역은 실리콘층과 전극과의 접촉 저항을 감소시키는 기능을 수행하여, 이 부분의 연구가 활발히 진행되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 일 기술적 과제는 감소된 비용 및 시간으로 이미터 영역을 형성함으로써, 생산성이 향상된 태양 전지의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 개념에 따른 일 실시예는 태양 전지의 제조 방법을 제공한다. 상기 태양 전지의 제조 방법은, 제1 도전형을 갖는 제1 불순물이 도핑된 제1 반도체층 상에, 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 갖는 제2 불순물이 제1 농도로 도핑된 제2 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제2 반도체층에 국부적으로 레이저를 조사하여, 제1 방향으로 연장하고, 상기 제2 도전형을 갖는 제2 불순물이 상기 제1 농도보다 높은 제2 농도로 도핑된 이미터 영역을 형성하는 단계 및 상기 이미터 영역과 전기적으로 연결되며, 상기 제1 방향으로 연장되는 상부 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 레이저를 조사하는 단계에서, 상기 제1 방향으로 연장하는 라인 타입의 레이저 빔을 이용할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 레이저를 조사하는 단계에서, 상기 라인 타입의 레이저 빔은 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향을 폭 방향으로 가지며, 상기 레이저 빔의 폭은 상기 상부 전극의 폭과 동일할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 레이저를 조사하는 단계는, 상기 제2 반도체층으로 상기 레이저 빔을 상기 제1 방향으로 이동하면서 조사할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 레이저를 조사하는 단계에서, 상기 라인 타입의 레이저 빔은 상기 제1 방향을 길이 방향으로, 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향을 폭 방향으로 가지며, 상기 레이저 빔의 길이는 상기 상부 전극의 길이와 동일할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 레이저를 조사하는 단계는, 상기 제2 반도체층으로 상기 레이저 빔을 상기 제2 방향으로 이동하며 조사할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 레이저를 조사하는 단계에서, 상기 라인 타입의 레이저 빔의 폭은 상기 상부 전극의 폭과 동일할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 및 제2 반도체층들을 형성하는 단계는, 단결정 실리콘을 포함하는 초기 제1 반도체층에 상기 제1 도전형을 갖는 상기 제1 불순물을 도핑하는 단계, 상기 초기 제1 반도체층을 텍스쳐링하여 상부에 다수의 돌출부들을 갖는 상기 제1 반도체층을 형성하는 단계 및 상기 제1 반도체층 상부에 상기 제2 도전형의 제2 불순물을 확산시켜, 상기 제2 불순물층으로 변환된 제1 반도체층 상부를 얻는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 태양 전지의 제조 방법은, 상기 제2 불순물층 상에 상기 제2 불순물을 포함하는 반도체 산화물층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 반도체 산화물층은 상기 제1 반도체층 상부에 상기 제2 도전형의 제2 불순물을 확산시키는 동안 형성될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 이미터 영역을 형성하는 단계는, 상기 반도체 산화물층 및 상기 제2 반도체층에 국부적으로 레이저를 조사하여 상기 반도체 산화물층 및 상기 제2 반도체층을 부분적으로 용융시키는 단계, 상기 용융된 반도체 산화물층의 제2 불순물이 상기 용융된 제2 반도체층으로 확산되어, 상기 제2 농도의 이미터 영역을 형성하는 단계 및 상기 반도체 산화물층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따르면, 상기 태양 전지의 제조 방법은, 상기 제2 반도체층 상에 태양광의 반사를 방지하는 반사 방지막을 형성하는 단계 및 상기 제1 반도체층 하부에 하부 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 개념에 따른 실시예들에 따르면, 라인 타입의 빔을 갖는 레이저를 이용하여 이미터 영역을 형성함으로써, 태양 전지에 소요되는 제조 비용 및 시간을 감소시킬 수 있다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 사시도들이다.
도 3a 내지 도 3c는 도 3의 공정을 설명하기 위한 공정 사시도들 및 단면 확대도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 3, 도 3a 내지 도 3c의 공정 설명하기 위한 평면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 3, 도 3a 내지 도 3c의 공정 설명하기 위한 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 도 3, 도 3a 내지 도 3c의 공정 설명하기 위한 평면도이다.
이상의 본 발명의 목적들, 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 첨부된 도면과 관련된 이하의 바람직한 실시예들을 통해서 쉽게 이해될 것이다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 평면도들을 참고하여 설명될 것이다. 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 예를 들면, 직각으로 도시된 식각 영역은 라운드지거나 소정 곡률을 가지는 형태일 수 있다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이며 발명의 범주를 제한하기 위한 것이 아니다. 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 여기에 설명되고 예시되는 실시예들은 그것의 상보적인 실시예들도 포함한다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 '포함한다(comprises)' 및/또는 '포함하는(comprising)'은 언급된 구성요소는 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
이하, 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 사시도들이고, 도 3a 내지 도 3c는 도 3의 공정을 설명하기 위한 공정 사시도들 및 단면 확대도이다. 도 3c는 도 3b의 A를 확대한 확대 확대도이다.
도 1을 참조하면, 초기 제1 반도체층(도시되지 않음)의 상부를 텍스쳐링하여, 제1 반도체층(100)을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 초기 제1 반도체층은 단결정 실리콘 기판일 수 있다. 또한, 상기 초기 제1 반도체층은 제1 도전형을 갖는 제1 불순물이 제1 농도로 도핑될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 도전형은 p형 도전형일 수 있다. 상기 p형 도전형을 갖는 제1 불순물의 예로는 붕소(B), 갈륨(Ga), 인듐(In) 등을 들 수 있다.
일 예로, 상기 초기 제1 반도체층의 상부로 레이저를 조사하여, 상기 제1 반도체층(100)을 형성할 수 있다. 다른 예로, 상기 초기 제1 반도체층의 상부로 수산화 칼칼륨(KOH)와 같은 알칼리 용액 또는 TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide) 용액을 식각액으로 제공하여, 상기 제1 반도체층(100)을 형성할 수 있다. 상기 초기 제1 반도체층(100)은 상부에 다수의 돌출부들이 형성된 상기 제1 반도체층(100)으로 변환될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 반도체층(100)의 상부는 반전된 피라미드(inverted pyramid) 구조를 갖질 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 제1 반도체층(100) 상부를 제2 반도체층(110)으로 변환시킬 수 있다.
상기 제1 반도체층(100)으로 상기 제1 불순물과 상이한 제2 도전형을 갖는 제2 불순물을 확산시켜, 상기 제1 반도체층(100)의 상부를 상기 제2 반도체층(110)으로 변환시킬 수 있다. 예컨대, 상기 제2 도전형은 n형 도전형일 수 있다. 상기 n형 도전형을 갖는 제2 불순물의 예로는 인(P), 비소(As) 등을 등 수 있다. 또한, 상기 제2 반도체층(110)은 제2 농도로 상기 제2 불순물이 도핑될 수 있다.
상기 제1 반도체층(100) 및 상기 제2 반도체층(110) 계면에는 pn 접합부가 생성될 수 있다.
상기 제2 불순물의 확산 공정이 수행되는 동안, 상기 제2 반도체층(110) 상에 반도체 산화물층(120)이 더 형성될 수 있다. 상기 반도체 산화물층(120)도 상기 제1 반도체층(100)의 상부가 변환된 부분이다. 또한, 상기 반도체 산화물층(120)은 상기 제2 불순물을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 반도체 산화물층(120)은 PGS(phosphor silicate glass)를 포함할 수 있다. 상기 PSG의 인(P)이 후속 공정에서 전구체로 사용될 수 있다. 이에 대한 설명은 후속에서 상세하게 하기로 한다.
도 3을 참조하면, 상기 반도체 산화물층(120) 및 제2 반도체층(110)에 국부적으로 레이저를 조사하여 제1 방향(D1)으로 연장하는 이미터 영역(130)을 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 이미터 영역(130)은 상기 제2 반도체층(110)의 일부가 변경됨으로써 형성될 수 있다. 이에 대한 설명은 하기에서 더욱 상세하게 하기로 한다.
도 3a를 참조하면, 상기 반도체 산화물층(120) 및 제2 반도체층(110)에 국부적으로 레이저(200)를 조사한다. 레이저(200)가 조사된 반도체 산화물층(120) 및 제2 반도체층(110)은 용융된다. 용융된 반도체 산화물층(120) 및 제2 반도체층(110)은 제1 방향(D1)으로 연장할 수 있다.
도 3b 및 도 3c를 참조하면, 상기 용융된 반도체 산화물층(120)의 제2 불순물은 상기 용융된 제2 반도체층(110)으로 확산되어, 상기 제2 농도보다 실질적으로 높은 제3 농도의 제2 불순물을 갖는 이미터 영역(130)을 형성할 수 있다. 상기 용융된 반도체 산화물층(120)의 제2 불순물이 상기 이미터 영역(130)의 도핑 전구체(doping precursor)로 기능하여, 상기 이미터 영역(130)이 상기 제2 반도체층(110)의 제2 농도보다 실질적으로 높은 제3 농도의 제2 불순물이 도핑될 수 있다.
상기 이미터 영역(130)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장할 수 있다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 이미터 영역(130)은 상기 제1 방향(D1)을 길이 방향으로 가지며, 상기 제1 방향(D1)과 수직인 제2 방향(D2)을 폭 방향으로 가질 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제2 반도체층(110)은 n 영역이고, 상기 이미터 영역(130)은 n+ 영역일 수 있다. 참고로, 상기 제1 반도체층(100)은 p 영역일 수 있다.
도 3, 도 3a 내지 도 3c에서 사용되는 레이저(200)에 대한 설명은 후속에서 상세하게 하기로 한다.
도 4를 참조하면, 상기 반도체 산화물층(120)을 제거할 수 있다. 예컨대, 상기 반도체 산화물층(120)은 묽은 불산(HF)에 의해 제거될 수 있다. 상기 반도체 산화물층(120)이 제거되어 상기 제2 반도체층(110) 및 상기 이미터 영역(130)의 상부가 노출될 수 있다.
도 5를 참조하면, 상기 제2 반도체층(110) 및 상기 이미터 영역(130) 상에 반사 방지막(140)을 형성할 수 있다.
상기 반사 방지막(140)은 플라즈마 증대 화학기상증착(plasma enhanced chemical vapor depostion) 공정을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사 방지막(140)은 실리콘 질화물을 포함할 수 있다.
상기 반사 방지막(140)은 이후 완성된 태양 전지로 입사되는 태양광이 반사되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 태양 전지로 입사하는 광의 양을 증대시키고, 이로써 태양 전지의 효율을 증대시킬 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 반사 방지막(140) 상면 및 상기 제1 반도체층(100) 하면에 각각 상부 전극(150) 및 하부 전극(160)을 형성할 수 있다.
상기 상부 전극(150) 및 상기 하부 전극(160)은 각각 통상의 스크린 프린트(screen print) 공정 및 열 공정을 통해 형성될 수 있다. 간략하게 설명하면, 상기 반사 방지막(140) 상면에 제1 금속 페이스트를 도포하고 스크린 프린트로 상기 상부 전극(150)을 형성하고, 열 공정을 수행하여 상기 상부 전극(150) 및 상기 이미터 영역(130) 사이에 오믹 콘택(ohmic contact)을 형성할 수 있다. 한편, 상기 제1 반도체층(100) 하면에 제2 금속 페이스트를 도포하고 스크링 프린트로 상기 하부 전극(160)을 형성하고, 열 공정을 수행하여 상기 하부 전극(160) 및 상기 제1 반도체층(100) 사이에 오믹 콘택을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 상부 전극(150)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장할 수 있다. 상기 상부 전극(150)은 상기 제1 방향(D1)을 길이 방향으로 가지며, 상기 제1 방향(D1)과 수직인 제2 방향(D2)을 폭 방향으로 가질 수 있다. 상기 상부 전극(150)의 길이는 상기 이미터의 길이와 실질적으로 동일하며, 상기 상부 전극(150)의 폭은 상기 이미터의 폭과 실질적으로 동일할 수 있다.
이하에서는, 도 3, 도 3a 및 도 3b에서의 레이저 공정을 본 발명의 몇몇 실시예들에 따라 설명하기로 한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 3의 공정 설명하기 위한 평면도이고, 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도 3의 공정 설명하기 위한 평면도이고, 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 도 3의 공정 설명하기 위한 평면도이다.
다시 도 2 및 도 3, 도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 제1 반도체층(100), 제2 반도체층(110) 및 반도체 산화물층(120)이 순차적으로 적층된 구조물에 레이저(200)를 조사한다. 상기 레이저(200)는 상기 반도체 산화물층(120) 및 제2 반도체층(110)에 국부적으로 조사될 수 있다.
도 7을 참조하면, 조사되는 레이저 빔(LB)은 상기 제1 방향(D1)을 길이 방향으로, 상기 제2 방향(D2)을 폭 방향으로 갖는 라인 타입이다. 또한, 상기 이미터 영역(130)은 상기 제1 방향(D1)을 길이 방향으로, 상기 제2 방향(D2)을 폭 방향으로 가질 수 있다. 상기 레이저 빔(LB)의 폭(W2)은 도 3의 이미터 영역(130)의 폭(W1)과 실질적으로 동일하다. 상기 레이저 빔(LB)의 길이(L2)는 상기 이미터 영역(130)의 길이(L1)보다 실질적으로 작을 수 있다. 상기 레이저 빔(LB)의 길이(L2)가 상기 이미터 영역(130)의 길이(L1)보다 실질적으로 작아 상기 레이저(200)를 상기 제1 방향(D1)으로 이동하면서 상기 레이저 빔(LB)을 상기 제2 반도체층(110)으로 조사시킬 수 있다.
도 8을 참조하면, 조사되는 레이저 빔(LB)은 상기 제1 방향(D1)을 길이 방향으로, 상기 제2 방향(D2)을 폭 방향으로 갖는 라인 타입이다. 또한, 상기 이미터 영역(130)은 상기 제1 방향(D1)을 길이 방향으로, 상기 제2 방향(D2)을 폭 방향으로 가질 수 있다. 상기 레이저 빔(LB)의 길이(L1)는 상기 이미터 영역(130)의 길이(L2)와 실질적으로 동일하다. 상기 레이저 빔(LB)의 폭(W2)은 상기 이미터 영역(130)의 폭(W1)보다 실질적으로 작을 수 있다. 상기 레이저 빔(LB)의 폭(W2)이 상기 이미터 영역(130)의 폭(W1)보다 작아 상기 레이저(200)를 상기 제2 방향(D2)으로 이동하면서 상기 레이저 빔(LB)을 상기 제2 반도체층(110)으로 조사시킬 수 있다.
도 9를 참조하면, 조사되는 레이저 빔(LB)은 상기 제1 방향(D1)을 길이 방향으로, 상기 제2 방향(D2)을 폭 방향으로 갖는 라인 타입이다. 또한, 상기 이미터 영역(130)은 상기 제1 방향(D1)을 길이 방향으로, 상기 제2 방향(D2)을 폭 방향으로 가질 수 있다. 상기 레이저 빔(LB)의 길이(L2)는 상기 이미터 영역(130)의 길이(L1)와 실질적으로 동일하다. 상기 레이저 빔(LB)의 폭(W2)은 상기 이미터 영역(130)의 폭(W1)과 실질적으로 동일하다. 상기 레이저 빔(LB)의 길이(L2) 및 폭(W2)이 상기 이미터의 길이(L1) 및 폭(L2)과 실질적으로 동일하여, 단 한 번의 조사로 상기 이미터 영역(130)을 형성할 수 있다.
도 7 내지 도 9에서 설명된 라인 타입의 레이저 빔(LB)을 이용하여 상기 이미터 영역(130)을 형성하면, 일반적으로 사용되는 원 타입의 레이저 빔(LB)보다 조사 횟수를 감소시킬 수 있다. 따라서, 상기 이미터 영역(130)의 형성 시간 및 비용이 감소되어 태양 전지를 제조하는 시간 및 비용이 감소할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징으로 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 제1 반도체층 110: 제2 반도체층
130: 이미터 영역 140: 반사 방지막
150: 상부 전극 160: 하부 전극

Claims (10)

  1. 제1 도전형을 갖는 제1 불순물이 도핑된 제1 반도체층 상에, 상기 제1 도전형과 다른 제2 도전형을 갖는 제2 불순물이 제1 농도로 도핑된 제2 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 제2 반도체층에 국부적으로 레이저를 조사하여, 제1 방향으로 연장하고, 상기 제2 도전형을 갖는 제2 불순물이 상기 제1 농도보다 높은 제2 농도로 도핑된 이미터(emitter) 영역을 형성하는 단계; 및
    상기 이미터 영역과 전기적으로 연결되며, 상기 제1 방향으로 연장되는 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 레이저를 조사하는 단계에서, 상기 제1 방향으로 연장하는 라인 타입(line type)의 레이저 빔을 이용하는 태양 전지의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 레이저를 조사하는 단계에서,
    상기 라인 타입의 레이저 빔은 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향을 폭 방향으로 가지며, 상기 레이저 빔의 폭은 상기 이미터 영역의 폭과 동일한 태양 전지의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 레이저를 조사하는 단계는,
    상기 제2 반도체층으로 상기 레이저 빔을 상기 제1 방향으로 이동하면서 조사하는 태양 전지의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 레이저를 조사하는 단계에서,
    상기 라인 타입의 레이저 빔은 상기 제1 방향을 길이 방향으로, 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향을 폭 방향으로 가지며, 상기 레이저 빔의 길이는 상기 이미터 영역의 길이와 동일한 태양 전지의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 레이저를 조사하는 단계는,
    상기 제2 반도체층으로 상기 레이저 빔을 상기 제2 방향으로 이동하며 조사하는 태양 전지의 제조 방법.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 레이저를 조사하는 단계에서,
    상기 라인 타입의 레이저 빔의 폭은 상기 이미터 영역의 폭과 동일한 태양 전지의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 반도체층들을 형성하는 단계는,
    단결정 실리콘을 포함하는 초기 제1 반도체층에 상기 제1 도전형을 갖는 상기 제1 불순물을 도핑하는 단계;
    상기 초기 제1 반도체층을 텍스쳐링하여(texturing) 상부에 다수의 돌출부들을 갖는 상기 제1 반도체층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 반도체층 상부에 상기 제2 도전형의 제2 불순물을 확산시켜, 상기 제2 불순물층으로 변환된 제1 반도체층 상부를 얻는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 불순물층 상에 상기 제2 불순물을 포함하는 반도체 산화물층을 형성하는 단계를 더 포함하되,
    상기 반도체 산화물층은 상기 제1 반도체층 상부에 상기 제2 도전형의 제2 불순물을 확산시키는 동안 형성되는 태양 전지의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 이미터 영역을 형성하는 단계는,
    상기 반도체 산화물층 및 상기 제2 반도체층에 국부적으로 레이저를 조사하여 상기 반도체 산화물층 및 상기 제2 반도체층을 부분적으로 용융시키는 단계;
    상기 용융된 반도체 산화물층의 제2 불순물이 상기 용융된 제2 반도체층으로 확산되어, 상기 제2 농도의 이미터 영역을 형성하는 단계; 및
    상기 반도체 산화물층을 제거하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 반도체층 상에 태양광의 반사를 방지하는 반사 방지막을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 반도체층 하부에 하부 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
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