KR101092469B1 - 태양 전지 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (20)
- 제1 도전형 불순물이 도핑된 실리콘 반도체 기판;상기 실리콘 반도체 기판의 일면에 상기 제1 도전형과 반대 극성을 갖는 제2 도전형 불순물이 도핑된 에미터층;상기 에미터층과 전기적으로 연결되는 복수의 포인트 접촉부; 및상기 복수의 포인트 접촉부를 전기적으로 연결하는 복수의 전극 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 포인트 접촉부 각각의 너비는 상기 복수의 전극 라인 각각의 너비보다 같거나 작은 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 전극 라인은 금속 재료로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 전극 라인은 Ag, Au, Al. Cu 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 전극 라인은 투명 전극인 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 제5항에 있어서,상기 투명 전극은 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide: ITO), 주석계 산화물, 아연계 산화물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 포인트 접촉부 각각은 도트(dot) 형인 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 포인트 접촉부 각각의 너비가 50㎛ 이상 80㎛이하인 태양 전지.
- 제1항에 있어서,이웃하는 포인트 접촉부 간의 간격은 2㎜ 이상 3㎜ 이하인 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 포인트 접촉부 각각은 원형 또는 다각형 형태인 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 에미터층 위에 위치하는 반사 방지막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 복수의 전극 라인 각각의 너비는 50㎛ 이상 80㎛이하인 태양 전지
- 제1항에 있어서,이웃하는 전극 라인 간의 간격은 2㎜ 이상 3㎜ 이하인 태양 전지.
- 제1항에 있어서,상기 실리콘 반도체 기판의 타면에 후면 전극을 더 포함하는 태양 전지.
- 제14항에 있어서,상기 실리콘 반도체 기판과 상기 후면 전극 사이에 1층 이상의 유전체층을 더 포함하는 태양 전지.
- 반도체 기판의 일면에 에미터층을 형성하는 단계;상기 에미터층과 전기적으로 연결되는 복수의 포인트 접촉부(point-contact)를 형성하는 단계; 및상기 복수의 포인트 접촉부를 전기적으로 연결하는 복수의 전극 라인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
- 제16항에 있어서,상기 복수의 포인트 접촉부 형성 단계는상기 에미터층 위에 복수의 포인트 접촉부를 인쇄하는 단계,인쇄된 상기 복수의 포인트 접촉부를 열처리하여 건조하는 단계, 그리고건조된 상기 복수의 포인트 접촉부를 소성하여 상기 에미터층과 접촉하는 상기 복수의 접촉부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법.
- 제16항에 있어서,상기 복수의 전극 라인 형성 단계는상기 복수의 포인트 접촉부 위에 복수의 전극 라인을 인쇄하는 단계, 그리고인쇄된 상기 복수의 전극 라인을 건조하여 상기 복수의 포인트 접촉부와 전기적으로 연결되는 상기 복수의 전극 라인을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
- 제16항에 있어서,상기 복수의 전극 라인은 투명 전극인 태양 전지의 제조 방법.
- 제16항에 있어서,상기 에미터층 형성 단계 이후에, 상기 에미터층 위에 반사 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 복수의 포인트 접촉부는 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층과 전기적으로 연결되는 태양 전지의 제조 방법.
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