CN104380436B - 用于制造太阳能电池的铸锭的切割方法 - Google Patents

Abstract

本发明描述了用于制造太阳能电池的铸锭的切割方法以及所述方法所用的铸锭和夹具。在一个实例中，铸锭的切割方法包括直接用切割装置的夹具夹持所述铸锭的一部分。所述铸锭被部分切割以形成从所述铸锭的未切割部分突出的多个晶片部分。进一步切割所述铸锭，以将所述多个晶片部分与所述未切割部分分离，从而提供多个分立晶片。

Description

用于制造太阳能电池的铸锭的切割方法

技术领域

本发明的实施例涉及可再生能源领域，具体而言，涉及用于制造太阳能电池的铸锭的切割方法。

背景技术

将铸锭(例如硅锭)切为晶片通常涉及使用通过环氧树脂胶粘到铸锭上的矩形梁片。在切片过程中，使用线锯工件保持横梁。完成切片时，例如多线网已完全割穿铸锭并切入横梁时，必须将形成的晶片清晰分离。与横梁的分离必须小心操作，以便保留所形成晶片的最终边缘。在线网切片之后，通常将切片的铸锭装载到脱粘和预清洗机工具中并进行预清洗，然后是环氧树脂脱胶处理。所用的横梁通常由用于浆液切片的玻璃或者用于金刚石线材切片的石墨或树脂材料构成。

附图说明

图1是表示根据本发明的一个实施例的用于制造太阳能电池的铸锭的切割方法的操作的流程图。

图2A示出了根据本发明的一个实施例的用于制造太阳能电池的铸锭的切割方法中的操作，其对应于图1的流程图的操作102。

图2B示出了根据本发明的一个实施例的用于制造太阳能电池的铸锭的切割方法中的操作，其对应于图1的流程图的操作104。

图2C示出了根据本发明的一个实施例的用于制造太阳能电池的铸锭的切割方法中的操作，其对应于图1的流程图的操作106。

图3示出了根据本发明的一个实施例的单晶硅锭的端视图。

图4A示出了根据本发明的一个实施例的多晶硅锭的端视图。

图4B示出了根据本发明的一个实施例的铸锭的端视图。

图5示出了根据本发明的一个实施例的被配置为执行用于制造太阳能电池的铸锭的切割方法的计算机系统的例子的框图。

具体实施方式

本文描述了用于制造太阳能电池的铸锭的切割方法以及该方法所用的铸锭和夹具。在以下的描述中，示出了许多具体细节(例如，具体的铸锭键孔几何形状)以提供对本发明实施例的透彻理解。对本领域的技术人员将显而易见的是在没有这些具体细节的情况下可实施本发明的实施例。在其他情况下，未详细描述众所周知的制造技术，例如由铸锭切割下来的各个晶片形成太阳能电池的方法，以免对本发明的实施例造成不必要的混淆。此外，应当理解在图中示出的多种实施例是示例性的实例并且未必按比例绘制。

本文公开了切割铸锭的方法。在一个实施例中，切割铸锭的方法包括直接使用切割装置的夹具夹持铸锭的一部分。铸锭被部分切割以形成从铸锭的未切割部分突出的多个晶片部分。进一步切割铸锭，以将多个晶片部分与未切割部分分离，从而提供多个分立晶片。

本文还公开了用于制造太阳能电池的铸锭。在一个实施例中，用于制造多个太阳能电池的铸锭具有沿铸锭的中心轴线取向的四个主表面。第一主表面不同于其余三个主表面中的两个或更多个。一对端部近似正交于四个主表面。

本文还公开了铸锭切割过程中所用的夹具。在一个实施例中，用于在切割过程中保持铸锭的夹具包括具有第一多个键的第一端部。第一组键用于直接夹持铸锭的第一组键孔。夹具还包括具有第二多个键的第二端部。第二组键用于直接夹持铸锭的第二组键孔。夹具还包括处于第一端部与第二端部之间并对齐两者的中央部分。中央部分适合与切割装置结合在一起。

材料的单晶铸锭(通常被称作晶锭)使用方法诸如Czochralski方法或Bridgeman技术生长(例如，通过晶体生长)。晶锭可用于生产例如太阳能行业或其他行业诸如电子行业所用的硅晶片。多晶铸锭还可用于形成多种应用所用的晶片。铸锭通常通过在模具中冷冻熔融液体(通常被称作熔体)制造得到。在模具中铸锭的制造被设计用于完全固化并形成后续加工所需的适当的晶粒结构，因为通过冷冻熔体所形成的结构控制材料的物理特性。此外，模具的形状和尺寸被设计为使得易于进行铸锭处理和下游加工。通常，模具被设计为最大程度减少熔体浪费并有助于顶出铸锭，因为损失熔体或铸锭将增加成品的制造成本。结晶材料的物理结构在很大程度上取决于冷却和沉淀熔融金属的方法。

已使用不同的方法将铸锭切为晶片，例如，切为单晶硅片。常用的方法涉及如上所述的铸锭的横梁处理。横梁处理及相关方法的局限性可包括需要额外的处理操作，例如横梁粘合和脱粘、成本较高以及额外的资本开支。例如，横梁粘合通常是一种对材料敏感的操作，优选在温度和湿度受控的环境下进行。横梁脱粘和晶片预清洗是另外的可能耗费人力或者涉及额外的固定设备的处理操作。脱粘/预清洗操作可能使每个晶片的成本增加$0.01-$0.02，而横梁/环氧树脂会使每个晶片的成本增加$0.005-$0.01。对于粘合工具和脱粘/预清洗工具以及增加的额外劳动力，可能需要对额外的资本开支作预算。此外，对于进行横梁与铸锭的粘合处理以及与脱粘/预清洗操作槽排放物有关的处理和废物处置，可能需要更严格的环境受控室。还可预期到横梁与铸锭的粘合及脱粘操作会引起产率损失，因为额外的处理操作通常会引入可计量的产率损失。具体地讲，即使用负责且熟练的人员或昂贵的固定设备，横梁胶粘仍可能是一项繁琐的操作，且存在相关联的出错风险。

用于铸锭切片的横梁方法的其他考虑因素或缺点包括环氧树脂保持强度为干燥时间、温度、湿度以及分段时间的函数。晶片脱粘处理还对于环氧树脂保持强度、脱粘化学过程、温度和时间敏感。环氧树脂的用量也可为关键的，因为过量或不足都可与不希望的崩边或缺角的形成相关联。c此类粘合/锯切/脱粘的总产率损失可能达到3-5％，因此对于获得的可用硅片的影响是不容忽视的。横梁与铸锭的粘合过程根据所用的环氧树脂和横梁材料以及环氧树脂干燥条件不同，可能需要数小时到半天。因此，往往需要提前分配铸锭，通常需要提前至少一个班次。这些宝贵的铸锭会增加工厂队列时间并影响物流吞吐量。伴随脱粘/预清洗操作，需要考虑额外的时间。

根据本发明的实施例，本文描述了无梁铸锭切片方法。在一个实施例中，无梁铸锭切片有效地包括使用铸锭自身(例如，硅锭)作为横梁或结构支撑。以这种方式，可使用铸锭的自夹紧以基本上消除对脱粘操作的需要，如下文更详细地描述。通常与铸锭的横梁切片有关的上述缺点和问题可通过本文所述的无梁铸锭切片的一个或多个实施例得以缓解或消除。这样一来，通常与非锯切外围操作有关的成本将降至最低，且非锯切操作产率损失可不再为产率影响因素在特定实施例中，本文所述的方法对于单晶硅(例如，圆形)铸锭或铸造多晶硅(例如，方形)铸锭可同样具有成本竞争力。

因此，在一个方面，本文描述了铸锭的切割方法。例如，图1是表示根据本发明的一个实施例的用于制造太阳能电池的铸锭的切割方法的操作的流程图100。图2A-图2C示出了根据本发明的一个实施例的用于制造太阳能电池的铸锭的切割方法中的各种操作，其对应于流程图100的操作。

参见流程图100的操作102，铸锭的切割方法包括直接用切割装置的夹具夹持铸锭的一部分。例如，参见相应的图2A，直接使用夹具202夹持铸锭208的两个表面204/206。

在一个实施例中，铸锭208由夹具202沿四个主表面(208A、208B、208C和208D)的第一主表面208A夹持铸锭的两端(例如，其中表面204/206为铸锭208的端部)，所述四个主表面沿铸锭208的中心轴线210取向，如图2A所示。在一个此类实施例中，第一主表面208A不同于其余三个主表面(208B、208C和208D)中的两个或更多个。

在第一实例中，第一主表面208A不同于其余三个主表面(208B、208C和208D)中的全部三个。具体地讲，图3示出了根据本发明的一个实施例的单晶硅锭的端视图。参见图3，单晶硅锭208的端部204由第一主表面208A及三个其余主表面208B、208C和208D的终端端部形成。其余三个主表面208B、208C和208D各自具有基本平坦部分，所述部分具有表面区域(在被视为伸入纸面的铸锭时)。在一个实施例中，第一主表面208A不具有平坦部分，从而使得铸锭的圆形形状保留在该表面上，如图3所示。在另一个实施例中，第一主表面208A被部分切平以具有基本平坦部分，其表面区域小于其余三个主表面的基本平坦部分的各个表面区域。相比之下，用于基于横梁的切片的单晶铸锭将首先被切平以使所有四个表面大致相同，例如，其中表面208A将以别的方式与表面208B、208C和208D相同，如虚线300所示。然而，根据本发明的一个实施例，表面208A或者未被切平，或者仅部分被切平，以将部分220保留为铸锭的一部分。在一个实施例中，部分220针对铸锭208的无梁切片用作铸锭208的牺牲部分。

在第二实例中，第一主表面208A不同于其余三个主表面(208B、208C和208D)中的仅两个。具体地讲，图4A示出了根据本发明的一个实施例的多晶硅锭的端视图。参见图4A，多晶硅锭208的端部204由第一主表面208A及三个其余主表面208B、208C和208D的终端端部形成。两个主表面208A和208C均具有基本平坦部分，所述部分具有表面区域(在被视为伸入纸面的铸锭时)。其余两个主表面208B和208D均具有基本平坦部分，所述部分的表面区域大于表面208A和208C的表面区域。因此，从端视图来看，铸锭208的形状为矩形。相比之下，用于基于横梁的切片的多晶铸锭将首先被切平以使所有四个表面大致相同，例如，其中表面208A和208C将以别的方式与表面208B和208D相同，如虚线400所示。然而，根据本发明的一个实施例，铸锭208被切平以具有形成矩形横截面的四个主表面，其中第一主表面208A为矩形横截面的短侧边。因此，部分220被保留为铸锭208的一部分。在一个实施例中，部分220针对铸锭208的无梁切片用作铸锭208的牺牲部分。

在一个实施例中，在操作102中夹持铸锭的一部分包括通过夹入在所述铸锭两端的每一端所形成的键孔来夹持所述铸锭的两端。例如，图3和图4A示出了一个实施例，其中铸锭208的端部204具有形成于其一部分中的键孔230。在一个此类实施例中，此类键孔在铸锭的两端204/206提供。在一个实施例中，键孔230邻近第一主表面204A形成，如图3和图4A所示。

应当理解，适合通过切割装置的夹具夹持的任何形状或形状集均可形成铸锭端部中的键孔。一个具体但非限制性的实施例包括形成于铸锭每端的一行三个六边形键孔230，如图3和图4A所示。各种形状和排列可能同等适用，其另一个实例在图4B中示出。参见图4B，一行十字形键孔430包括于铸锭400的端部。可通过机械加工铸锭或化学蚀刻铸锭形成键孔，具体取决于兼容特定夹具所需的尺寸和标度。在另选的实施例中，利用环氧树脂直接将夹具胶粘到铸锭上，而不使用键孔。在此类实施例中，执行无梁方法，可在锯室中将晶片从铸锭上切断。在其他实施例中，直接在铸锭上钻孔或机械加工凹槽。

参见流程图100的操作104，铸锭的切割方法还包括部分切割铸锭以形成多个从铸锭的未切割部分突出的晶片部分。例如，参见相应的图2B，使用线材250(例如，来自线锯)进入铸锭208切出晶片形状252，如在侧边208B处所观察到的。就操作104而言，沿图2B中标记为1的箭头方向进行切割。.

在一个实施例中，切割程度适合最终提供从铸锭208切割的对称晶片。例如，参见图3，单晶硅锭208被部分切割约至虚线300。又如，参见图4A，多晶硅锭208被部分切割约至虚线400。

参见流程图100的操作106，铸锭的切割方法还包括沿与操作104中切割方向正交的方向进一步切割铸锭。就操作106而言，沿图2B中标记为2的箭头方向进行切割。正交方向的此类切割用于将多个晶片部分与未切割部分分离，以提供多个分立晶片。例如，参见相应的图2C，分立晶片260从铸锭208切割并与铸锭208的未切割部分220分立。

在一个实施例中，铸锭的进一步切割包括形成多个分立晶片260，以使得各分立晶片均具有长度大致相同的四个主边缘。例如，参见图3，从铸锭208切割的单晶硅片将具有四个主边缘208B、208C、208D并且沿虚线300全部具有大致相同的长度和几何形状。在一个实施例中，如果铸锭208沿虚线400进行切割，则四个主边缘大致形成正方形，如图4A所示的情形。

然后，在一个实施例中，操作102的部分切割和操作104的进一步切割大致相互正交地进行，例如，首先切入表面208C，然后平行于表面208C切断铸锭208。在一个实施例中，夹具202相对于线材250移动。然而，在另选的实施例中，线材250相对于夹具202移动。

在一个实施例中，进一步切割铸锭208以将多个晶片部分252与未切割部分220分离包括将多个分立晶片260与铸锭208的包括键孔230的部分220分离。在一个此类实施例中，铸锭208的具有键孔的部分220在平行于多个晶片部分252的方向上具有大约或大于10mm的厚度(T)。

在一个实施例中，进一步切割铸锭208的操作106包括用接纳晶片的捕集器270支撑多个晶片部分252，以提供直接进入晶片捕集器270的多个分立晶片260，如图2C所示。在一个实施例中，铸锭208的切割方法还包括重新使用铸锭208的未切割部分220，以随后形成另一铸锭。

在一个实施例中，部分切割(操作104)和进一步切割(操作106)铸锭208包括使用相同的线材切割技术，例如但不限于金刚石线材切割和浆液切片。金刚石线材(DW)切割是采用浸过金刚石细粒子的各种直径和长度的线材的方法，所述金刚石细粒子具有各种预选的尺寸和形状以切断材料。浆液切片的浆液锯通常使用裸线并包括在切削液(例如，聚乙二醇，PEG)中的切割材料(例如，碳化硅，SiC)。相比之下，DW切割通常不使用松散磨料，而仅使用冷却液(水基或二醇基)润滑、冷却切口并除去碎屑。

根据本发明的一个实施例，线锯可指使用金属线或线缆进行切割的机器。通常有两种类型的线锯运动方式，即连续式(或无限或环状)和振荡式(或往复式)。线材可具有单股或编在一起的多股。线锯使用磨料进行切割。根据应用，可使用或可不使用金刚石材料作为磨料，如上所述。单股线锯可粗糙化以具有研磨作用，研磨化合物可粘合到线缆，或者浸有金刚石的小珠(和垫片)可缠在线缆上。

因此，在一个示例性实施例中，就单晶硅锭而言，最初为圆形的铸锭经过切平和抛光处理而形成伪方形铸锭。在切平处理中除去翼材料通常包括除去中心厚度大约在15–20mm的范围内的材料。然而，仅除去硅翼材料的三个面，完整保留第四个面并稍加抛光，保持其与相对侧的平行关系。在铸锭两端的第四个翼区域处，机械加工合适的保持键样式以匹配线锯的工件。或者，可修正线锯的工件，使其匹配硅锭翼区域的样式。任何一种方法均提供机会在线锯切片过程中对铸锭切片时直接保持铸锭。在铸锭切片结束时，暂停线网移动并重新张紧至平坦表面，将晶片捕集器插入线网以保持切割晶片的三个侧边(例如，每个晶片的第四个侧边仍附接到顶部翼上)。值得注意的是，本阶段可能需要考虑线网弓，从而可执行工件的回缩和平坦线网的重新张紧。然后，重新初始化移动线网，并且沿垂直于线网移动方向的铸锭长轴使工件/铸锭相对于线网轻微移动。此类移动可能只需为大约或小于线网主辊槽的一个间距(例如，大约300微米)。使用该二次切割使所有晶片与其余硅翼分离并使之分立。然后，可通过晶片捕集器从线锯获得分立晶片，将其移至预清洗机。或者，可使用冷却剂或额外的清洗剂环路预清洗分立晶片(例如，更可能针对不使用浆液的DW切割过程而实现)，所述预清洗在最终切片/切断操作之前或之后进行。然后，可清洗硅翼的其余部分，并可在拉锭器中循环使用。

在另一个示例性实施例中，就多晶硅锭而言，在铸造铸锭成方形的步骤中保留额外量的硅，例如，在一侧保留大约10mm以提供矩形铸锭。这种额外的材料可用于在其中形成键孔，并从而用于类似上文所述方法的无梁切片方法中。在过程结束时，残留的多晶硅可循环用于多铸造炉中。在单晶硅锭和多晶硅锭两种情况下，对于铸锭切片步骤均不再需要环氧树脂粘合和脱粘操作。

在一个实施例中，太阳能电池由上述无梁切片方法所生成的晶片中的一个制成。例如，光伏电池可使用无梁切片方法制成的单晶硅片形成。光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于直接转化太阳辐射为电能的器件。一般来讲，使用半导体加工技术在基板的表面附近形成p-n结而将太阳能电池制造在半导体晶片或基板上。照射在基板表面上并进入基板内的太阳辐射在基板主体中形成电子和空穴对。电子和空穴对迁移至基板中的p掺杂区域和n掺杂区域，从而在掺杂区域之间生成电压差。将掺杂区域连接到太阳能电池上的导电区域，以将电流从电池引导至与其耦合的外部电路。然而，应当了解，上述无梁铸锭切片方法不限于生成用于制造太阳能电池的晶片。

方面还包括制造或机械加工用于铸锭的直接(无梁)切片的合适夹具。例如，再次参见图2A，在切割过程中用于保持铸锭208的夹具202包括第一端部202A和第二端部202B。在一个实施例中，端部202A和202B中的每一个均具有多个键以直接夹持铸锭相应的键孔组。夹具202还包括位于第一端部202A和第二端部202B之间并对齐两者的中央部分202C，其适合与切割装置结合在一起。在一个实施例中，每个端部202A和202B均包括一行三个六边形键，其例如适用于夹持图3和图4A的键孔230。在一个实施例中，每个端部202A和202B均包括一行十字形键，其例如适用于夹持图4B的键孔430。在一个实施例中，中央部分202C还适合相对于线切割器沿第一切割方向和第二切割方向移动铸锭208，所述第一切割方向和第二切割方向相互正交。在一个实施例中，夹具202的尺寸适合非常稳定地保持铸锭，允许不超过几微米的移动。

在本发明的一个方面，将本发明的实施例作为计算机程序产品或软件产品提供，其包括具有存储于其上并且用于计算机系统(或其他电子装置)编程以根据本发明的实施例执行进程和方法的指令的机器可读介质。机器可读取介质可包括以机器(例如，计算机)可读取形式存储或传输信息的任何机构。例如，在一个实施例中，机器可读(例如，计算机可读)介质包括机器(例如，计算机)可读取存储介质(例如，只读存储器(“ROM”)、随机存储器(“RAM”)、磁盘存储介质或光存储介质、闪存存储器等)。

图5以计算机系统500的形式示出了机器的图解示意图，在该计算机系统内，执行用于使机器执行本文所述的任何一种或多种方法的一套指令。例如，根据本发明的一个实施例，图5示出了被配置为执行用于制造太阳能电池的铸锭的切割方法的计算机系统的例子的框图。在可供选择的实施例中，机器在局域网(LAN)、内联网、外联网或英特网中连接(例如，网络连接)到其他机器。在一个实施例中，机器作为服务器或客户端在客户端-服务器网络环境中运行，或作为对等机在对等(或分布式)网络环境中运行。在实施例中，所述机器为个人计算机(PC)、平板计算机、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、移动电话、Web装置、服务器、网络路由器、交换机或桥接器，或能够执行规定该机器所采取的操作的一套指令(连续的或以其他方式)的任何机器。另外，虽然仅示出了单一机器，但是还将采用术语“机器”以包括任意集合的机器(例如，计算机或处理器)，所述机器单独地或共同地执行一套(或多套)指令以执行本文所述的任意一种或多种方法。在一个实施例中，机器-计算机系统500包含线材切割装置或与线材切割装置相关联，所述线材切割装置可包括用于切割铸锭的夹具。

计算机系统500的实例包括处理器502、主存储器504(例如，只读存储器(“ROM”)、闪存存储器、动态随机存储器(DRAM)，例如，同步DRAM(SDRAM)等)、静态存储器506(例如，闪存存储器、静态随机存储器(SRAM)等)以及辅助存储器518(例如，数据存储装置)，其通过总线530相互通信。在一个实施例中，使用了数据处理系统。

处理器502代表了一个或多个通用的处理装置，例如，微处理器、中央处理单元等。更具体地讲，在一个实施例中，处理器502是复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器、执行其他指令集的处理器或执行指令集组合的处理器。在一个实施例中，处理器502为一个或多个专用的处理装置，例如，特定用途集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器等。处理器502执行处理逻辑526以进行本文所述的操作。

在一个实施例中，计算机系统500还包括网络接口装置508。在一个实施例中，计算机系统500还包括视频显示单元510(例如，液晶显示器(LCD)或阴极射线管(CRT))、字母数字输入装置512(例如，键盘)、光标控制装置514(例如，鼠标)以及信号发生装置516(例如，扬声器)。

在一个实施例中，辅助存储器518包括机器可存取存储介质(或更具体地讲，计算机可读存储介质)531，该机器可存取存储介质上存储有一套或多套体现任意一种或多种本文所述的方法或功能(例如，管理自光电系统的输出可变性的方法)的指令(例如，软件522)。在实施例中，软件522在由计算机系统500执行期间完全地或至少部分地存在于主存储器504或处理器502中，该主存储器504和处理器502还构成机器可读存储介质。在一个实施例中，经由网络接口装置508通过网络520进一步传输或接收软件522。

虽然在实施例中该机器可存取存储介质531被示为单一介质，但是将采用术语“机器可读存储介质”以包括存储一套或多套指令的单一介质或多种介质(例如，集中的或分散的数据库，或相关的高速缓存和服务器)。还采用术语“机器可读存储介质”以包括能够存储或编码由机器执行的一套指令的任意介质，该组指令使得机器执行本发明实施例的任意一种或多种方法。相应地采用术语“机器可读存储介质”以包括(但不限于)固态存储器和光学及磁性介质。

因此，本发明公开了用于制造太阳能电池的铸锭的切割方法以及该方法所用的铸锭和夹具。根据本发明的一个实施例，切割铸锭的方法包括直接用切割装置的夹具夹持铸锭的一部分。铸锭被部分切割以形成从铸锭的未切割部分突出的多个晶片部分。进一步切割铸锭，以将多个晶片部分与未切割部分分离，从而提供多个分立晶片。在一个此类实施例中，夹持铸锭的一部分包括通过夹入在所述铸锭两端的每一端所形成的键孔来夹持所述铸锭的两端。

Claims (13)

1.一种切割铸锭的方法，所述方法包括：

直接用切割装置的夹具夹持所述铸锭的一部分，其包括沿四个主表面的第一主表面夹持所述铸锭的两端，所述四个主表面沿所述铸锭的中心轴线取向；

部分切割所述铸锭，以形成从所述铸锭的未切割部分突出的多个晶片部分；

进一步切割所述铸锭，以将所述多个晶片部分与所述未切割部分分离，从而提供多个分立晶片，

其中部分切割所述铸锭和进一步切割所述铸锭均包括使用相同的线材切割技术，

其中部分切割所述铸锭和进一步切割所述铸锭的方向实质上相互正交。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一主表面不同于其余三个主表面中的两个或更多个。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述铸锭包括单晶硅，所述其余三个主表面各自包括具有表面区域的基本平坦部分，并且所述第一主表面包括具有表面区域的基本平坦部分，所述第一主表面的基本平坦部分的表面区域小于所述其余三个主表面的基本平坦部分的表面区域中的每一个。

4.根据权利要求3所述的方法，其中进一步切割所述铸锭包括形成所述多个分立晶片，以使得各分立晶片均包括长度相同的四个主边缘。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述铸锭包括多晶硅，所述四个主表面形成矩形横截面，并且其中所述第一主表面为所述矩形横截面的短侧边。

6.根据权利要求5所述的方法，其中进一步切割所述铸锭包括形成所述多个分立晶片，以使得各分立晶片均包括形成正方形的四个主边缘。

7.根据权利要求1所述的方法，其中夹持所述铸锭的一部分包括通过夹入在所述铸锭两端的每一端所形成的键孔来夹持所述铸锭的两端。

8.根据权利要求7所述的方法，其中进一步切割所述铸锭以将所述多个晶片部分与所述未切割部分分离包括将所述多个分立晶片与所述铸锭的包含所述键孔的一部分分离。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述铸锭的包含所述键孔的一部分在平行于所述多个晶片部分的方向上具有等于或大于10mm的厚度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述线材切割技术选自金刚石线材切割和浆液切片。

11.根据权利要求1所述的方法，其中进一步切割所述铸锭基于所述夹具沿所述铸锭长轴相对于所述线材切割技术1个间距的移动而进行。

12.根据权利要求1所述的方法，其中进一步切割所述铸锭包括用接纳晶片的捕集器支撑所述多个晶片部分，以提供直接进入所述晶片捕集器的所述多个分立晶片。

13.根据权利要求1所述的方法，还包括：

重新使用所述铸锭的未切割部分以形成第二铸锭。