CN104362193A - 一种异质结太阳能电池及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制作方法，在背光面的p型非晶硅薄膜表面形成金属薄膜，以及在所述金属薄膜表面形成背面金属极，由于金属薄膜的功函数高于p型非晶硅薄膜，或者在界面形成金属化合物，使其在界面形成反阻挡层或者隧穿层，因此金属薄膜/p型非晶硅界面为欧姆接触，故金属薄膜/p型非晶硅界面的界面电阻很小，与传统P型非晶硅/TCO界面结构相比，避免了TCO与P型非晶硅薄膜之间存在的较大接触电阻，有利于提升电池的填充因子。而且本发明为倒置结构的太阳能电池，避免了金属薄膜对的光吸收，从而避免金属薄膜的光吸收而制约了电池的短路电流。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种异质结太阳能电池及其制作方法。
背景技术
随着太阳能电池BOS(系统平衡部件)成本比例增大，提高电池转换效率变得尤为重要。在晶硅异质结太阳能电池因具有低温制备、低温度系数和高转换效率的特点，被认为是最有竞争力的高效太阳能电池。
晶硅异质结太阳能电池是由多种膜层构成，多种膜层之间存在着多种异质材料界面，例如p型非晶硅/TCO(Transparent Conductive Oxide，透明导电氧化物)、TCO/Ag和P型非晶硅/i型本征非晶硅等界面，这些异质材料界面影响电池结构的效率。p型非晶硅/TCO是指p型非晶硅与TCO两种材料组成的界面。特别是P型非晶硅/ITO(Indium Tin Oxides，掺锡氧化铟)界面，由于P型非晶硅的有效掺杂过低，导致在P型非晶硅/ITO界面处形成较大的传输势垒增加了晶硅异质结太阳能电池结构的界面电阻，该界面电阻较大会使晶硅异质结太阳能电池的填充因子降低。
为了降低电池结构中TCO/P型非晶硅界面的传输势垒，现有技术中主要有以下解决方案：
a.提高P型非晶硅的有效掺杂。P型非晶硅的掺杂元素为硼，但是往往在掺杂过程中大量的硼原子作为杂质原子存在于P型非晶硅薄膜中。在现有技术中通过对掺杂工艺参数进行调整，使P型非晶硅薄膜达到非晶态与晶态的转变点，可以提高硼的有效掺杂率。但此工艺窗口很窄，工艺稳定性较差。
b.将P型非晶硅制作成P型微晶硅发射极结构。制备P型微晶硅有利于降低其与TCO的接触电阻，增加发射极的电导率。但是电池结构对P型微晶硅的要求很高，为了能够利用非晶硅钝化晶粒表面的缺陷，并使制备的P型微晶硅层的电导率较高，P型微晶硅层的厚度应为5-10nm，这要求所制备的P型微晶硅的晶粒直径满足<1nm，且离散分布于非晶硅之间。但此工艺窗口较窄，难以稳定控制，若微晶硅晶化率过高，晶粒尺寸过大，会导致界面缺陷密度较大，严重降低电池的填充因子和开路电压。因此，上述两种方案均不能有效的降低电池结构中TCO/P型非晶硅界面的传输势垒，
综上，异质结太阳能电池结构的TCO/P型非晶硅界面存在的传输势垒，使TCO/P型非晶硅界面的界面串联电阻较大，不利于提升太阳能电池的填充因子。
发明内容
本发明实施例提供一种异质结太阳能电池及其制作方法，用以解决现有技术中存在的异质结太阳能电池结构的TCO/P型非晶硅界面存在的传输势垒，使TCO/P型非晶硅界面的界面串联电阻较大，不利于提升太阳能电池的填充因子问题。
本发明实施例提供一种异质结太阳能电池，包括：
在硅衬底的背面依次形成的第一i型本征非晶硅薄膜、p型非晶硅薄膜，在所述p型非晶硅薄膜表面形成的金属薄膜，以及在所述金属薄膜表面形成的背面金属电极；
在所述硅衬底的正面依次形成的第二i型本征非晶硅薄膜、n型非晶硅薄膜，以及在所述n型非晶硅薄膜表面形成的导电薄膜和所述导电薄膜上的正面金属电极。由于该电池的金属薄膜的功函数高于p型非晶硅薄膜，使金属薄膜/p型非晶硅界面为欧姆接触，在金属电极和p型非晶硅薄膜的界面形成反阻挡层或者隧穿层，降低界面传输电阻，与传统P型非晶硅/TCO界面结构相比避免TCO导电薄膜与P型非晶硅薄膜之间存在的较大接触电阻，有利于提升电池的填充因子。
进一步地，所述金属薄膜的功函数大于所述p型非晶硅薄膜。使在金属薄膜/p型非晶硅薄膜界面形成反阻挡层或者隧穿层，这样有利于降低电池的界面串联电阻，提升电池填充因子。
进一步地，所述金属薄膜是采用磁控溅射、热蒸发沉积或分子束外延的方式形成的。采用磁控溅射制备的金属薄膜比较均匀致密，更有利于降低金属薄膜/p型非晶硅薄膜界面的传输势垒，以减小电池的界面串联电阻。
进一步地，所述金属薄膜的厚度为1-100nm。由于金属薄膜处于背光面，不需要考虑金属薄膜对光的吸收，因此处于背光面的金属薄膜的厚度在1-100nm之间，优选的，金属薄膜的厚度为10nm。
进一步地，所述金属薄膜是铝金属薄膜、镍金属薄膜、铬金属薄膜或硅合金金属薄膜。优选的，所述金属薄膜为铝薄膜，且厚度为10nm时，铝薄膜/p型非晶硅薄膜界面为欧姆接触，降低了铝薄膜/p型非晶硅薄膜界面的传输势垒，以减小电池的界面串联电阻。
进一步地，在所述硅衬底的背面依次形成的第一i型本征非晶硅薄膜、p型非晶硅薄膜是采用等离子体化学气相沉积PECVD的方式形成的。
进一步地，在所述硅衬底的正面依次形成的第二i型本征非晶硅薄膜，n型非晶硅薄膜是采用PECVD的方式形成的。
本发明实施例提供一种异质结太阳能电池的制作方法，包括：
在硅衬底的背面形成第一i型本征非晶硅薄膜，在所述i型本征非晶硅薄膜表面形成p型非晶硅薄膜；
在所述硅衬底的正面形成第二i型本征非晶硅薄膜，在所述第二i型本征非晶硅薄膜表面形成n型非晶硅薄膜；
在所述p型非晶硅薄膜表面形成金属薄膜，在所述金属薄膜表面形成背面金属电极；
在所述n型非晶硅薄膜表面形成导电薄膜以及在所述导电薄膜的表面形成正面金属电极。由于金属薄膜的功函数高于p型非晶硅薄膜，使其因此金属薄膜/p型非晶硅界面为欧姆接触，在金属电极和p型非晶硅薄膜的界面形成反阻挡层或者隧穿层，降低界面传输电阻，与传统P型非晶硅/TCO界面结构相比，该方法制备的电池结构避免TCO导电薄膜与P型非晶硅薄膜之间存在的较大接触电阻，有利于提升电池的填充因子。
进一步地，所述金属薄膜的功函数大于所述p型非晶硅薄膜。使在金属薄膜/p型非晶硅薄膜界面形成反阻挡层或者隧穿层，这样有利于降低电池的界面串联电阻，提升电池填充因子。
进一步地，采用磁控溅射、热丝蒸发沉积或分子束外延方式在所述p型非晶硅薄膜表面形成所述金属薄膜。采用磁控溅射制备的金属薄膜比较均匀致密，更有利于降低金属薄膜/p型非晶硅薄膜界面的传输势垒，以减小电池的界面串联电阻。
进一步地，所述金属薄膜的厚度为1-100nm。由于金属薄膜处于背光面，不需要考虑金属薄膜对光的吸收，因此处于背光面的金属薄膜的厚度在1-100nm之间，优选的，金属薄膜的厚度为10nm。
进一步地，所述金属薄膜是铝金属薄膜、镍金属薄膜、铬金属薄膜或硅合金金属薄膜。优选的，所述金属薄膜为铝薄膜，且厚度为10nm时，铝薄膜/p型非晶硅薄膜界面为欧姆接触，降低了铝薄膜/p型非晶硅薄膜界面的传输势垒，以减小电池的界面串联电阻。
进一步地，采用等离子体化学气相沉积PECVD的方式在所述硅衬底背面形成所述第一i型本征非晶硅薄膜以及在所述第一i型本征非晶硅薄膜表面形成所述p型非晶硅薄膜。
进一步地，采用等离子体化学气相沉积PECVD的方式在所述硅衬底正面形成所述第二i型本征非晶硅薄膜以及在所述第二i型本征非晶硅薄膜表面形成所述n型非晶硅薄膜。
上述实施例中，利用金属薄膜/P型非晶硅的界面欧姆接触性能，在背光面的p型非晶硅薄膜表面形成金属薄膜，以及在所述金属薄膜表面形成背面金属极，由于金属薄膜的功函数高于p型非晶硅薄膜，使其因此金属薄膜/p型非晶硅界面为欧姆接触，在金属电极和p型非晶硅薄膜的界面形成反阻挡层或者隧穿层，降低界面传输电阻，与传统P型非晶硅/TCO界面结构相比避免TCO导电薄膜与P型非晶硅薄膜之间存在的较大接触电阻，有利于提升电池的填充因子。而且，本申请的太阳能电池结构为倒置结构，即电池结构中将p型非晶硅薄膜以及p型非晶硅薄膜表面形成的金属薄膜，都放置在电池的背光面，而将n型非晶硅薄膜置于电池的入光面。这样的倒置结构避免了金属薄膜对的光吸收，从而避免金属薄膜的光吸收而制约了电池的短路电流。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种异质结太阳能电池的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种异质结太阳能电池的制作方法流程图；
图3为本发明实施例提供的一种异质结太阳能电池的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种异质结太阳能电池的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种异质结太阳能电池的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种异质结太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示的本发明实施例提供的一种异质结太阳能电池的结构示意图，该太阳能电池包括：
在硅衬底1的背面依次形成的第一i型本征非晶硅薄膜2、p型非晶硅薄膜3，在p型非晶硅薄膜3表面形成的金属薄膜6，以及在金属薄膜6表面形成的背面金属电极7；
在硅衬底的正面依次形成的第二i型本征非晶硅薄膜4、n型非晶硅薄膜5，以及在n型非晶硅薄膜表面形成的导电薄膜8和导电薄膜上的正面金属电极9。
其中，硅衬底1的正面是指入射光面，硅衬底1的背面是指背光面，硅衬底1为N型，硅衬底1为单晶硅衬底或多晶硅衬底，其厚度为80-200μm，其电阻率为0.5-5Ω·cm，其晶格方向为(100)。
硅衬底的背面的第一i型本征非晶硅薄膜2是采用等离子体化学气相沉积PECVD的方式形成的，其厚度是3-10nm。实施例中的i型本征非晶硅薄膜为硅衬底上的钝化薄膜层，p型非晶硅薄膜3可以是非晶硅薄膜或者微晶硅薄膜，第一i型本征非晶硅薄膜2表面上的p型非晶硅薄膜3是采用PECVD，HWCVD，磁控溅射等方式形成的，其厚度为3-10nm。
将p型非晶硅薄膜3置于电池的背光面，将n型非晶硅薄膜5置于电池的入光面，以形成倒置结构的太阳能电池，其目的是避免金属薄膜6的光吸收，同时将具有金属过渡层结构的发射极p型非晶硅薄膜3置于电池背端，避免对电池短路电流的制约。
硅衬底的正面的第二i型本征非晶硅薄膜4是采用等离子体化学气相沉积PECVD的方式形成的，其厚度是3-10nm。第二i型本征非晶硅薄膜4表面上形成的n型非晶硅薄膜5是采用等离子体化学气相沉积PECVD，HWCVD，磁控溅射的方式形成的，其厚度是3-10nm。
金属薄膜6为在p型非晶硅薄膜3表面形成的金属薄膜。
较佳地，金属薄膜的功函数大于p型非晶硅薄膜。使在金属薄膜/p型非晶硅薄膜界面形成反阻挡层或者隧穿层，这样有利于降低电池的界面串联电阻，提升电池填充因子。实施例中的功函数是指把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量，功函数是金属的重要属性。
较佳地，金属薄膜是采用磁控溅射、热蒸发沉积或分子束外延的方式形成的。比如，利用磁控溅射法在P型非晶硅表面沉积金属薄膜，则要求其溅射或者沉积时离子能量较小，避免对非晶硅薄膜或者界面造成损伤。采用磁控溅射制备的金属薄膜比较均匀致密，更有利于降低金属薄膜/p型非晶硅薄膜界面的传输势垒，以减小电池的界面串联电阻。
较佳地，金属薄膜的厚度为1-100nm。由于具有金属薄膜的发射极置于背光面，不需要考虑金属薄膜对光的吸收，因此处于背光面的金属薄膜的厚度在1-100nm之间，优选的，金属薄膜的厚度为10nm。
较佳地，金属薄膜是铝金属薄膜、镍金属薄膜、铬金属薄膜或硅合金金属薄膜。在p型非晶硅表面沉积一层金属薄膜(如铝，镍，铬或者硅合金材料)，金属薄膜的结构为晶态或非者晶态，而且此金属薄膜的功函数大于p型非晶硅薄膜，使其在金属薄膜/p型非晶硅薄膜界面形成反阻挡层或者隧穿层，这样有利于降低电池的界面串联电阻，提升电池填充因子。优选的，金属薄膜为铝薄膜，且厚度为10nm时，铝薄膜/p型非晶硅薄膜界面为欧姆接触，降低了铝薄膜/p型非晶硅薄膜界面的传输势垒，以减小电池的界面串联电阻。
金属薄膜6表面形成的背面金属电极7为导电率较高的薄膜银，或者是采用低温丝网印刷的银，目的是防止金属薄膜6的导电率差。
导电薄膜8是n型非晶硅薄膜5的表面上形成的TCO导电薄膜，常用的TCO导电薄膜为ITO导电薄膜，第一导电薄膜8的厚度是60-100nm，其电阻率是1E-4至6E-4Ω·cm，其透光率约为79％-85％，通常是采用磁控溅射的方式形成的。
正面金属电极9是通过正面电极丝网印刷工艺形成的，通常是银电极。
上述实施例中，利用金属薄膜/P型非晶硅的界面欧姆接触性能，在背光面的p型非晶硅薄膜表面形成金属薄膜，以及在金属薄膜表面形成背面金属极，由于金属薄膜的功函数高于p型非晶硅薄膜，因此金属薄膜/p型非晶硅界面为欧姆接触，故在金属电极和p型非晶硅薄膜的界面形成反阻挡层或者隧穿层，降低界面传输电阻，金属薄膜/p型非晶硅界面的界面电阻很小，与传统P型非晶硅/TCO界面结构相比不存在TCO与P型非晶硅薄膜之间存在的较大接触电阻，有利于提升电池的填充因子。而且，本申请的太阳能电池结构为倒置结构，即电池结构中将p型非晶硅薄膜以及p型非晶硅薄膜表面形成的金属薄膜，都放置在电池的背光面，而将n型非晶硅薄膜置于电池的入光面。这样的倒置结构避免了金属薄膜对的光吸收，从而避免金属薄膜的光吸收而制约了电池的短路电流。
基于相同的技术构思，本发明实施例还提供一种异质结太阳能电池的制作方法，本发明实施例提供的一种异质结太阳能电池的制作方法，如图2所示，包括：
步骤201，在硅衬底的背面形成第一i型本征非晶硅薄膜，在i型本征非晶硅薄膜表面形成p型非晶硅薄膜；
步骤202，在硅衬底的正面形成第二i型本征非晶硅薄膜，在第二i型本征非晶硅薄膜表面形成n型非晶硅薄膜；
步骤203，在p型非晶硅薄膜表面形成金属薄膜，在金属薄膜表面形成背面金属电极；
步骤204，在n型非晶硅薄膜表面形成导电薄膜以及在导电薄膜的表面形成正面金属电极。
实施中，硅衬底可以为N型硅片，在步骤201之前，对N型硅片进行制绒和清洗处理，具体过程为：
制绒处理：配置20L的碱溶液，溶液配比为：NaOH(0.2％<wt<2％),IPA(5％<Vol<15％),Na2SiO3(0.8％<wt<6％)，溶液温度为75-85℃，制绒时间为25-40min。
清洗处理：采用标准的RCA溶液，在温度为65-80℃下对硅片进行清洗，清洗时间为15min。
较佳地，步骤201中，采用等离子体化学气相沉积PECVD的方式在硅衬底背面形成第一i型本征非晶硅薄膜以及在第一i型本征非晶硅薄膜表面形成p型非晶硅薄膜，在第一i型本征非晶硅薄膜表面形成p型非晶硅薄膜时也可采用其他方式，如HWCVD，磁控溅射等。形成的电池结构如图3所示。
具体的，将硅片对硅片送入PECVD真空腔室，使硅片的背面裸露在真空腔中，对腔室进行氢气吹扫2-3次，待温度稳定后进行等离子体起辉沉积第一i型本征非晶硅薄膜。沉积工艺为：温度为150-200℃，压强1-2.5Torr，氢硅比4％-15％，形成的第一i型本征非晶硅薄膜厚度为3-10nm，优选的，第一i型本征非晶硅薄膜的厚度为6nm。然后再对腔室进行氢气吹扫2-3次，待温度稳定后进行等离子体起辉，在第一i型本征非晶硅薄膜表面沉积p型非晶硅薄膜。沉积工艺为：温度为150-200℃，压强1-2.5Torr，氢硅比4％-15％，p型非晶硅薄膜的掺杂元素是硼，B/Si比例为1：5—1：1，P型非晶硅薄膜的厚度为3-10nm，优选的，P型非晶硅薄膜的厚度为6nm。
较佳地，步骤202中，采用等离子体化学气相沉积PECVD的方式在硅衬底正面形成第二i型本征非晶硅薄膜以及在第二i型本征非晶硅薄膜表面形成n型非晶硅薄膜，形成的电池结构如图4所示。
具体的，将硅片对硅片送入PECVD真空腔室，使硅片的正面裸露在真空腔中，对腔室进行氢气吹扫2-3次，待温度稳定后进行等离子体起辉沉积第二i型本征非晶硅薄膜。沉积工艺为：温度为150-200℃，压强1-2.5Torr，氢硅比4％-15％，第二i型本征非晶硅薄膜的厚度为3-10nm，优选的，第二i型本征非晶硅薄膜的厚度6nm；然后对腔室进行氢气吹扫2-3次，待温度稳定后进行等离子体起辉，在第二i型本征非晶硅薄膜表面沉积n型非晶硅薄膜。沉积工艺为：温度为150-200℃，压强1-2.5Torr，氢硅比4％-15％，n型非晶硅薄膜的掺杂元素是磷，P/Si比例为1：5至1：1，形成的n型非晶硅薄膜的厚度为3-10nm，优选的，n型非晶硅薄膜的厚度为8nm。
步骤203中，步骤203中，采用磁控溅射等方式在p型非晶硅薄膜表面形成金属薄膜，为了防止金属薄膜的导电率差，在金属薄膜表面形成的背面金属电极，形成背面金属电极后的电池结构如图5所示。
较佳地，金属薄膜的功函数大于p型非晶硅薄膜。使在金属薄膜/p型非晶硅薄膜界面形成反阻挡层或者隧穿层，这样有利于降低电池的界面串联电阻，提升电池填充因子。
较佳地，采用磁控溅射、热丝蒸发沉积或分子束外延方式在p型非晶硅薄膜表面形成金属薄膜。
比如，利用磁控溅射法在P型非晶硅表面沉积金属薄膜，则要求其溅射或者沉积时离子能量较小，避免对非晶硅薄膜或者界面造成损伤。采用磁控溅射制备的金属薄膜比较均匀致密，更有利于降低金属薄膜/p型非晶硅薄膜界面的传输势垒，以减小电池的界面串联电阻。
较佳地，金属薄膜的厚度为1-100nm。由于具有金属薄膜的发射极置于背光面，不需要考虑金属薄膜对光的吸收，因此处于背光面的金属薄膜的厚度在1-100nm之间，优选的，金属薄膜的厚度为10nm。
较佳地，金属薄膜是铝金属薄膜、镍金属薄膜、铬金属薄膜或硅合金金属薄膜。在p型非晶硅表面沉积一层金属薄膜(如铝，镍，铬或者硅合金材料)，金属薄膜的结构为晶态或非者晶态，而且此金属薄膜的功函数大于p型非晶硅薄膜，使其在金属薄膜/p型非晶硅薄膜界面形成反阻挡层或者隧穿层，这样有利于降低电池的界面串联电阻，提升电池填充因子。优选的，金属薄膜为铝薄膜，且厚度为10nm时，铝薄膜/p型非晶硅薄膜界面为欧姆接触，降低了铝薄膜/p型非晶硅薄膜界面的传输势垒，以减小电池的界面串联电阻。
实施中，为了防止金属薄膜的导电率差，可在金属薄膜表面形成的背面金属电极，例如采用低温丝网印刷的方式形成一层导电率较高的薄膜银。
步骤204中，采用磁控溅射的方式在n型非晶硅薄膜表面形成导电薄膜，导电薄膜通常是ITO导电薄膜，ITO导电薄膜的厚度为80nm，其电阻率是1.2E-4Ω·cm，其透光率约为83％。然后再导电薄膜上制作正面金属电极，通常是银电极，可通过正面电极丝网印刷工艺形成。形成正面金属极后的电池结构如图6所示。
上述实施例中，步骤201与步骤202之间，以及步骤203和步骤204之间没有严格的时序要求。
上述实施例中，利用金属薄膜/P型非晶硅的界面欧姆接触性能，在背光面的p型非晶硅薄膜表面形成金属薄膜，以及在金属薄膜表面形成背面金属极，由于金属薄膜的功函数高于p型非晶硅薄膜，因此金属薄膜/p型非晶硅界面为欧姆接触，故在金属电极和p型非晶硅薄膜的界面形成反阻挡层或者隧穿层，降低界面传输电阻，金属薄膜/p型非晶硅界面的界面电阻很小，与传统P型非晶硅/ITO界面结构相比避免了ITO与P型非晶硅薄膜之间存在的较大接触电阻，有利于提升电池的填充因子。而且，本申请的太阳能电池结构为倒置结构，即电池结构中将p型非晶硅薄膜以及p型非晶硅薄膜表面形成的金属薄膜，都放置在电池的背光面，而将n型非晶硅薄膜置于电池的入光面。这样的倒置结构避免了金属薄膜对的光吸收，从而避免金属薄膜的光吸收而制约了电池的短路电流。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (14)
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：
在硅衬底的背面依次形成的第一i型本征非晶硅薄膜、p型非晶硅薄膜，在所述p型非晶硅薄膜表面形成的金属薄膜，以及在所述金属薄膜表面形成的背面金属电极；
在所述硅衬底的正面依次形成的第二i型本征非晶硅薄膜、n型非晶硅薄膜，以及在所述n型非晶硅薄膜表面形成的导电薄膜和所述导电薄膜上的正面金属电极。
2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属薄膜的功函数大于所述p型非晶硅薄膜。
3.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属薄膜是采用磁控溅射、热蒸发沉积或分子束外延的方式形成的。
4.如权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属薄膜的厚度为1-100nm。
5.如权利要求1-4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述金属薄膜是铝金属薄膜、镍金属薄膜、铬金属薄膜或硅合金金属薄膜。
6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在所述硅衬底的背面依次形成的所述第一i型本征非晶硅薄膜、所述p型非晶硅薄膜是采用等离子体化学气相沉积PECVD的方式形成的。
7.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在所述硅衬底的正面依次形成的所述第二i型本征非晶硅薄膜、所述n型非晶硅薄膜是采用PECVD的方式形成的。
8.一种异质结太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
在硅衬底的背面形成第一i型本征非晶硅薄膜，在所述i型本征非晶硅薄膜表面形成p型非晶硅薄膜；
在所述硅衬底的正面形成第二i型本征非晶硅薄膜，在所述第二i型本征非晶硅薄膜表面形成n型非晶硅薄膜；
在所述p型非晶硅薄膜表面形成金属薄膜，在所述金属薄膜表面形成背面金属电极；
在所述n型非晶硅薄膜表面形成导电薄膜以及在所述导电薄膜的表面形成正面金属电极。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述金属薄膜的功函数大于所述p型非晶硅薄膜。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，采用磁控溅射、热丝蒸发沉积或分子束外延方式在所述p型非晶硅薄膜表面形成所述金属薄膜。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述金属薄膜的厚度为1-100nm。
12.如权利要求8-11任一项所述的方法，其特征在于，所述金属薄膜是铝金属薄膜、镍金属薄膜、铬金属薄膜或硅合金金属薄膜。
13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，采用等离子体化学气相沉积PECVD的方式在所述硅衬底背面形成所述第一i型本征非晶硅薄膜以及在所述第一i型本征非晶硅薄膜表面形成所述p型非晶硅薄膜。
14.如权利要求8所述的方法，其特征在于，采用等离子体化学气相沉积PECVD的方式在所述硅衬底正面形成所述第二i型本征非晶硅薄膜以及在所述第二i型本征非晶硅薄膜表面形成所述n型非晶硅薄膜。
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