CN104362140A - 一种电流量可选的二极管组 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种电流量可选的二极管组,包括点接触型二极管(10)和面接触型二极管(20),所述面接触型二极管(20)设置在点接触型二极管(10)的外围,所述面接触型二极管(20)与点接触型二极管(10)并列,所述面接触型二极管(20)与点接触型二极管(10)之间设有绝缘层(30)。在电流较小,工作频率较高的应用场合下,使用者连接本发明所述的二极管组中的点接触型二极管的电极引线即可;在电流较大,工作频率较低的应用场合下,使用者连接本发明所述的二极管组中的面接触型二极管的电极引线即可。如此,仅需一个二极管组,即可满足电流较小但工作频率较高和电流较大但工作频率较低的应用要求。
Description
技术领域
本发明涉及晶体管制造技术领域,具体而言,涉及一种电流量可选的二极管组。
背景技术
二极管,在电子元件当中,是一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过。二极管按PN结结构分:有点接触型和面接触型二极管。点接触型管子中不允许通过较大的电流,因PN结电容小,可在高频下工作;面接触型二极管PN结的面积大,允许流过的电流大,但只能在较低频率下工作。
例如,申请号201110299639.0,申请日2011年9月30日的发明专利申请公开了一种点接触型二极管,包括二极管本体,所述的二极管本体是在单晶片上压触一根触丝,且在单晶片及触丝的另一端各焊接有一根引出线,所述的单晶片、触丝、与单晶片和触丝焊接的引出线部分塑封在环氧树脂管内。该发明构造简单,价格便宜,对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言应用范围较广。然而,此种点接触型二极管由于二极管PN结的面积较小,不允许流过较大的电流。
发明内容
本发明所解决的技术问题:现有技术中,点接触型二极管因PN结电容小,不允许通过较大的电流,可在高频下工作;而面接触型二极管PN结的面积大,允许流过的电流较大,但只能在较低频率下工作。
本发明提供如下技术方案:一种电流量可选的二极管组,包括点接触型二极管,所述点接触型二极管包括第一单晶片和第二单晶片、一根金属触丝、第一电极块和第二电极块,所述金属触丝的一端连接在第一单晶片的一端面上,所述第一单晶片的另一端与第一电极块的一端连接,所述第一电极块的另一端连接电极引线,所述金属触丝的另一端连接在第二单晶片的一端面上,所述第二单晶片的另一端与第二电极块的一端连接,所述第二电极块的另一端连接电极引线。所述电流量可选的二极管组还包括面接触型二极管,所述面接触型二极管设置在点接触型二极管的外围,所述面接触型二极管与点接触型二极管并列,所述面接触型二极管与点接触型二极管之间设有绝缘层。
按上述技术方案,由于本发明所述的电流量可选的二极管组包括点接触型二极管和面接触型二极管,两者之间绝缘且并列,所以,在电流较小,工作频率较高的应用场合下,使用者连接本发明所述的二极管组中的点接触型二极管的电极引线即可;在电流较大,工作频率较低的应用场合下,使用者连接本发明所述的二极管组中的面接触型二极管的电极引线即可。如此,仅需一个二极管组,即可满足电流较小但工作频率较高和电流较大但工作频率较低的应用要求。
作为本发明的进一步说明,上述技术方案中的面接触型二极管包括半导体二极管芯片、第三电极块和第四电极块,所述半导体二极管芯片的两端连接第三电极块和第四电极块,所述第三电极块和第四电极块连接电极引线。
作为本发明的进一步改进,所述半导体二极管芯片呈圆环状,所述第三电极块和第四电极块呈圆环状,所述面接触型二极管的电极引线呈圆环状。如此设计,所述面接触型二极管整体呈圆筒状,点接触型二极管即置放在所述圆筒内,点接触型二极管与面接触型二极管的内壁之间填充绝缘材料,所述绝缘材料一则将点接触型二极管与面接触型二极管之间绝缘,二则将点接触型二极管与面接触型二极管连接在一起。为有效地将点接触型二极管和面接触型二极管连接在一起,所述绝缘材料中可适当加入粘剂。
作为本发明的进一步说明,所述第一电极块、第二电极块、第三电极块、第四电极块均包括导电材料。所述导电材料包括金属、含金属成分的材料、以及导电掺杂半导体材料。
作为本发明的进一步改进,所述绝缘层的材料为二氧化硅。二氧化硅除了可做绝缘层外,还可用来消除边缘区域的电场,提高二极管组的耐压值。
作为本发明的进一步改进,所述面接触型二极管的外围塑封环氧树脂。在二极管本上塑封在环氧树脂管内,可确保其电气特性不受影响,提高二极管在使用过程中的稳定性。
附图说明
下面结合附图对本发明做进一步的说明:
图1为本发明一种电流量可选的二极管组的结构示意图;
图2为图1中点接触型二极管的结构示意图;
图3为图1中面接触型二极管的结构示意图。
图4为图3中俯视所述电流量可选的二极管组所得的结构示意图;
图5为图3中A-A剖视图。
图中符号说明:
10-点接触型二极管;111-第一单晶片;112-第二单晶片;120-金属触丝;131-第一电极块;132-第二电极块;141-电极引线;142-电极引线;
20-面接触型二极管;210-半导体二极管芯片;223-第三电极块;224-第四电极块;231-电极引线;232-电极引线;
30-绝缘层;
40-环氧树脂。
具体实施方式
如图1所示,一种电流量可选的二极管组,包括点接触型二极管10、面接触型二极管20。
如图2所示,所述点接触型二极管10包括第一单晶片111和第二单晶片112、一根金属触丝120、第一电极块131和第二电极块132,所述金属触丝120的一端连接在第一单晶片111的一端面上,所述第一单晶片111的另一端与第一电极块131的一端连接,所述第一电极块131的另一端连接电极引线141,所述金属触丝120的另一端连接在第二单晶片112的一端面上,所述第二单晶片112的另一端与第二电极块132的一端连接,所述第二电极块132的另一端连接电极引线142。所述第一电极块131、第二电极块132均包括导电材料。
如图3所示,所述面接触型二极管20包括半导体二极管芯片210、第三电极块223和第四电极块224,所述半导体二极管芯片210的两端连接第三电极块223和第四电极块224,所述第三电极块223连接电极引线231,所述第四电极块224连接电极引线232。如图4、图5所示,所述半导体二极管芯片210呈圆环状,所述第三电极块223和第四电极块224呈圆环状,所述面接触型二极管20的电极引线呈圆环状。其中,所述第三电极块223、第四电极块224均包括导电材料。
如图1所示,所述面接触型二极管20设置在点接触型二极管10的外围,所述面接触型二极管20与点接触型二极管10并列,所述面接触型二极管20与点接触型二极管10之间设有绝缘层30。所述点接触型二极管20的电极引线141和电极引线142一端突出绝缘层30。所述绝缘层30的材料为二氧化硅。
如图1所示,所述面接触型二极管20的外围塑封环氧树脂40。所述面接触型二极管20的电极引线231和电极引线232的一端突出所述环氧树脂40。
以上内容仅为本发明的较佳实施方式,对于本领域的普通技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (6)
1.一种电流量可选的二极管组,包括点接触型二极管(10),所述点接触型二极管(10)包括第一单晶片(111)和第二单晶片(112)、一根金属触丝(120)、第一电极块(131)和第二电极块(132),所述金属触丝(120)的一端连接在第一单晶片(111)的一端面上,所述第一单晶片(111)的另一端与第一电极块(131)的一端连接,所述第一电极块(131)的另一端连接电极引线(141),所述金属触丝(120)的另一端连接在第二单晶片(112)的一端面上,所述第二单晶片(112)的另一端与第二电极块(132)的一端连接,所述第二电极块(132)的另一端连接电极引线(142),其特征在于:还包括面接触型二极管(20),所述面接触型二极管(20)设置在点接触型二极管(10)的外围,所述面接触型二极管(20)与点接触型二极管(10)并列,所述面接触型二极管(20)与点接触型二极管(10)之间设有绝缘层(30)。
2.如权利要求1所述的一种电流量可选的二极管组,其特征在于:所述面接触型二极管(20)包括半导体二极管芯片(210)、第三电极块(223)和第四电极块(224),所述半导体二极管芯片(210)的两端连接第三电极块(223)和第四电极块(224),所述第三电极块(223)和第四电极块(224)连接电极引线(231;232)。
3.如权利要求2所述的一种电流量可选的二极管组,其特征在于:所述半导体二极管芯片(210)呈圆环状,所述第三电极块(223)和第四电极块(224)呈圆环状,所述面接触型二极管(20)的电极引线呈圆环状。
4.如权利要求3所述的一种电流量可选的二极管组,其特征在于:所述第一电极块(131)、第二电极块(132)、第三电极块(223)、第四电极块(224)均包括导电材料。
5.如权利要求1所述的一种电流量可选的二极管组,其特征在于:所述绝缘层(30)的材料为二氧化硅。
6.如权利要求1~5项中任一项所述的一种电流量可选的二极管组,其特征在于:所述面接触型二极管(20)的外围塑封环氧树脂(40)。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2948050A (en) * | 1953-12-15 | 1960-08-09 | Philips Corp | Method of manufacturing electrode systems comprising semi-conductive bodies, more particularly crystal diodes or transistors |
JPS5763872A (en) * | 1980-10-06 | 1982-04-17 | Nec Corp | Semiconductor device |
CN101630677A (zh) * | 2009-08-11 | 2010-01-20 | 常州佳讯光电产业发展有限公司 | 高频快恢复二极管 |
CN102082140A (zh) * | 2010-12-20 | 2011-06-01 | 常州佳讯光电产业发展有限公司 | 双向高压瞬态抑制二极管 |
CN103035747A (zh) * | 2011-09-30 | 2013-04-10 | 孔明 | 点接触型二极管 |
CN103871874A (zh) * | 2012-12-17 | 2014-06-18 | 中国振华集团永光电子有限公司 | 大功率硅瞬态电压抑制二极管的制作方法及结构 |
CN204809220U (zh) * | 2014-10-11 | 2015-11-25 | 东莞市柏尔电子科技有限公司 | 一种电流量可选的二极管组 |
-
2014
- 2014-10-11 CN CN201410535268.5A patent/CN104362140B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2948050A (en) * | 1953-12-15 | 1960-08-09 | Philips Corp | Method of manufacturing electrode systems comprising semi-conductive bodies, more particularly crystal diodes or transistors |
JPS5763872A (en) * | 1980-10-06 | 1982-04-17 | Nec Corp | Semiconductor device |
CN101630677A (zh) * | 2009-08-11 | 2010-01-20 | 常州佳讯光电产业发展有限公司 | 高频快恢复二极管 |
CN102082140A (zh) * | 2010-12-20 | 2011-06-01 | 常州佳讯光电产业发展有限公司 | 双向高压瞬态抑制二极管 |
CN103035747A (zh) * | 2011-09-30 | 2013-04-10 | 孔明 | 点接触型二极管 |
CN103871874A (zh) * | 2012-12-17 | 2014-06-18 | 中国振华集团永光电子有限公司 | 大功率硅瞬态电压抑制二极管的制作方法及结构 |
CN204809220U (zh) * | 2014-10-11 | 2015-11-25 | 东莞市柏尔电子科技有限公司 | 一种电流量可选的二极管组 |
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