CN104321835A - 用于电缆的扼流圈 - Google Patents

Abstract

本公开涉及用于抑制诸如共模电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)等不期望信号的扼流圈。扼流圈可以包括布置在电缆上的导电套，并且该套可以被配置为抑制不期望信号。在一些实施例中，导电套可以具有可以在两端电开路的半波长套。可以在电缆与套之间包括额外绝缘材料。多个导电套可以实质上同心地布置在电缆上。扼流圈可以被配置为减少无源互调(PIM)。套可以具有沿着套的长度延伸的纵向槽。套可以包括将套分离为多个面板的多个槽，所述多个槽可以被配置为抑制不同的信号。

Description

用于电缆的扼流圈

技术领域

本公开的一些实施例涉及用于抑制或阻挡不期望的电信号的机制，具体地，涉及与电缆一起使用以抑制或阻挡诸如共模电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)等的不期望信号的扼流圈。

背景技术

在一些实例中，电学系统可能产生不期望信号，该不期望信号可能沿着电学系统的电缆传播。扼流圈可以用于抑制(例如，衰减或阻挡)不期望信号。现有的扼流圈可能具有各种缺点。

发明内容

根据某些方面，提供了一种电学系统，包括具有绝缘外层护套的电缆。该系统可以包括扼流圈，该扼流圈被配置为至少抑制具有目标波长的电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)。扼流圈包括导电套，导电套被布置在电缆的绝缘外层护套上。扼流圈可以包括额外绝缘材料，额外绝缘材料被布置在导电套与电缆的绝缘外层护套之间。额外绝缘材料可以被配置为增加扼流圈对EMI和/或RFI的抑制。

所述电学系统还可以包括天线元件，其中电缆将天线元件耦合到电力组件。电缆可以具有半径，并且在一些情况下，额外绝缘材料的厚度可以为电缆的半径的约1％至约200％。在一些情况下，额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约25％至约100％。在其他实现中，额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约50％至约100％。

额外绝缘材料可以具有与电缆的绝缘外层护套不同的材料类型。

例如，导电套可以是半波长套。

在一些情况下，导电套的长度与所抑制的EMI和/或RFI的自由空间目标波长的一半相差一定量。导电套的长度可以至少部分地基于以下一项或多项来确定：绝缘外层护套的厚度、绝缘外层护套的介电常数、额外绝缘材料的厚度、额外绝缘材料的介电常数、导电套的边缘效应。在一些情况下，导电套具有的长度比自由空间目标波长的一半短所述量。

在一些实施例中，导电套的长度比自由空间目标波长的一半短约1％至约90％。在其他实施例中，导电套的长度比自由空间目标波长的一半短约5％至约50％。导电套的长度为所抑制的EMI和/或RFI的目标波长的约一半。

在一些配置中，导电套可以与电缆电绝缘。系统还可以包括布置在导电套上的外层绝缘层。

在一些实现中，导电套绕着电缆的整个横截面周界延伸。

扼流圈可以被配置为抑制共模EMI和/或RFI。在一些实施例中，扼流圈被配置为抑制具有包括目标波长的波长范围的EMI和/或RFI。

根据另一方面，提供了一种向电缆应用用于至少抑制具有目标波长的电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)的扼流圈的方法。方法可以包括：接入包括绝缘外层护套的电缆。方法还可以包括：将额外绝缘材料布置在绝缘外层护套上。此外，方法可以包括：将导电套布置在额外绝缘材料上。额外绝缘材料可以被配置为增加扼流圈对EMI和/或RFI的抑制。

电缆可以具有半径，并且在一些实施例中，额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约1％至约200％。在其他实施例中，额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约25％至约100％。根据方法的其他实施例，电缆具有半径，并且额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约50％至约100％。

在一些实施例中，额外绝缘材料具有与电缆的绝缘外层护套不同的材料类型。

导电套可以是半波长套。

根据方法的一些实施例，导电套的长度与所抑制的EMI和/或RFI的自由空间目标波长的一半相差一定量，其中，方法还包括：至少部分地基于以下一项或多项来确定导电套的长度：绝缘外层护套的厚度、绝缘外层护套的介电常数、额外绝缘材料的厚度、额外绝缘材料的介电常数、导电套的边缘效应。导电套的长度比自由空间目标波长的一半短所述量。

在一些实施例中，导电套的长度比自由空间目标波长的一半短约1％至约90％。根据其他实施例，导电套的长度比自由空间目标波长的一半短约5％至约50％。

在方法的一些实施例中，导电套与电缆电绝缘。

在一些情况下，导电套的长度可以为所抑制的EMI和/或RFI的目标波长的约一半。

方法还可以包括：将外层绝缘层布置在导电套上。此外，导电套可以绕着电缆的整个横截面周界延伸。此外，扼流圈可以被配置为抑制共模EMI和/或RFI。

在一些情况下，扼流圈被配置为抑制具有包括目标波长的波长范围的EMI和/或RFI。

根据本公开的其他方面，提供了一种电学系统。系统可以包括电缆，具有绝缘外层护套；以及扼流圈，被配置为至少抑制具有目标波长的电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)。扼流圈包括：导电套，所述导电套被布置在电缆的绝缘外层护套上。导电套可以是半波长套，例如，导电套的长度与所抑制的EMI和/或RFI的自由空间目标波长的一半相差一定量。导电套的长度可以至少部分地基于以下一项或多项来确定：绝缘外层护套的厚度、绝缘外层护套的介电常数、以及导电套的边缘效应。

根据额外方面，提供了确定与用于至少抑制具有目标波长的电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)的扼流圈一起使用的导电套的长度的方法。方法可以包括：确定要抑制的EMI和/或RFI的自由空间目标波长。方法还可以包括：使用包括一个或多个计算机处理器的计算机硬件来确定作为半波长套的导电套的长度，其中导电套的长度与所抑制的EMI和/或RFI的自由空间目标波长相差一定量。导电套的长度可以至少部分地基于以下一项或多项来确定：电缆的绝缘外层护套的厚度、绝缘外层护套的介电常数、以及导电套的边缘效应。

根据本公开的另一方面，提供了一种交叉偶极天线系统。系统可以包括交叉偶极天线元件，交叉偶极天线元件包括第一臂和第二臂，所述第一臂和第二臂形成了第一偶极。所述天线元件还包括第三臂和第四臂，所述第三臂和第四臂形成了第二偶极。在一些实施例中，每一个臂位于平面内并且彼此相距约90度，使得每一个臂的近端被布置在中心点附近，并且多个臂中的每一个从中心点开始向远端延伸。交叉偶极天线元件具有实质上水平极化方向。系统还可以包括同轴电缆，同轴电缆将交叉偶极天线元件耦合到电力组件并且具有绝缘外层护套。系统还包括半波长扼流圈，半波长扼流圈被配置为抑制具有目标波长的电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)。半波长扼流圈可以包括第一导电套，第一导电套具有第一长度并且被配置为布置在电缆的外表面上。扼流圈还可以包括第一绝缘层，第一绝缘层被布置在第一导电套与电缆之间。扼流圈还可以包括第二导电套，第二导电套具有第二长度并且被布置在第一导电套上。扼流圈可以包括第二绝缘层，第二绝缘层被布置在第一导电套与第二导电套之间。

在一些实施例中，第一长度可以是目标波长的约一半。在一些实施例中，第二导电套可以被配置为增加对目标波长的EMI和/或RFI的抑制量。在一些实施例中，第二导电套的长度比第一导电套短。

第一导电套和第二导电套可以与电缆电绝缘。

在一些情况下，第一绝缘层可以被配置为增加扼流圈所抑制的EMI和/或RFI的频率范围。

扼流圈可以被配置为抑制共模EMI和/或RFI。在一些实施例中，电缆具有半径，并且第一绝缘层和第二绝缘层具有的组合厚度为电缆的半径的约5％至约200％。

在一些情况下，电缆具有半径，并且其中，额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约50％至约100％。

根据其他方面，天线系统可以包括天线元件和电缆，电缆将天线元件耦合到电力组件。系统可以包括扼流圈，扼流圈被配置为抑制电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)。扼流圈可以包括被配置为布置在电缆的外表面上的第一导电套以及布置在第一导电套上的第二导电套。扼流圈还可以包括绝缘层，绝缘层被布置在第一导电套与第二导电套之间。

在一些实施例中，扼流圈是半波长扼流圈。第一导电套和第二导电套可以作为耦合谐振器操作以抑制EMI和/或RFI。在一些情况下，第一导电套和第二导电套与电缆互耦。

第一导电套和第二导电套与电缆电绝缘。在一些情况下，绝缘材料可以被布置在第一导电套与电缆的绝缘外层护套之间。额外绝缘材料可以被配置为增加扼流圈对EMI和/或RFI的抑制。在一些实施例中，扼流圈被配置为抑制共模EMI和/或RFI。

根据本公开的其他方面，提供了用于抑制电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)的扼流圈。扼流圈可以包括第一导电套，第一导电套被配置为布置在电缆的外表面上。扼流圈还可以包括第二导电套，第二导电套被布置在第一导电套上。扼流圈可以具有绝缘层，绝缘层被布置在第一导电套与第二导电套之间。

在一些情况下，第一导电套是被配置为至少抑制具有目标波长的EMI和/或RFI的半波长套。第二导电套是可以被配置为增加至少对具有目标波长的EMI和/或RFI的抑制的半波长套。扼流圈可以是半波长扼流圈。在一些情况下，第一导电套和第二导电套作为耦合谐振器操作以抑制EMI和/或RFI。在一些实施例中，第一导电套和第二导电套可以与电缆互耦。

在一些实施例中，第一导电套的长度为目标波长的约一半。第一导电套可以被配置为抑制具有包括目标波长的波长范围的EMI和/或RFI。第二导电套可以被配置为增加对具有包括目标波长的波长范围的EMI和/或RFI的抑制。

第二导电套的长度可以比第一导电套短。扼流圈还可以包括额外绝缘材料，额外绝缘材料被布置在第一导电套下方，其中，额外绝缘材料被配置为增加扼流圈对EMI和/或RFI的抑制。

电学系统可以包括扼流圈和电缆，电缆被布置在第一导电套下方。电缆可以包括同轴电缆，同轴电缆包括被配置为发送信号的内导体、布置在内导体上的电缆绝缘层、布置在电缆绝缘层上的防护层、以及布置在防护层上的绝缘外层护套。电缆可以包括绝缘外层护套。此外，扼流圈还可以包括额外绝缘材料，额外绝缘材料被布置在绝缘外层护套与第一导电套之间。额外绝缘材料可以被配置为增加扼流圈对EMI和/或RFI的抑制。

电缆具有半径，并且额外绝缘材料的厚度可以为电缆的半径的约1％至约200％。在其他实现中，电缆具有半径，并且额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约25％至约100％。在其他情况下，电缆具有半径，并且额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约50％至约100％。在一些实施例中，第一导电套和第二导电套中的至少一个可以与电缆电绝缘。

扼流圈还可以包括外层绝缘层，外层绝缘层被布置在第二导电套上。此外，在一些情况下，扼流圈被配置为抑制共模EMI和/或RFI。

根据本公开的其他方面，提供了用于向电缆应用用于抑制电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)的扼流圈的方法。方法可以包括：将第一导电套布置在电缆的外表面上。此外，方法可以包括：将绝缘层布置在第一导电套上并且将第二导电套布置在绝缘层上，使得绝缘层被布置在第一导电套与第二导电套之间。

第一导电套可以被配置为至少抑制具有目标波长的EMI和/或RFI，并且其中，第一导电套是半波长套。根据方法的实施例，第二导电套被配置为增加具有目标波长的EMI和/或RFI的抑制，并且第二导电套是半波长套。例如，第一导电套的长度可以是目标波长的约一半。

在一些实施例中，第一导电套被配置为抑制具有包括目标波长的波长范围的EMI和/或RFI。第二导电套被配置为增加对具有包括目标波长的波长范围的EMI和/或RFI的抑制。

在一些实施例中，第二导电套的长度比第一导电套短。

方法还可以包括：将额外绝缘材料布置在第一导电套下方。额外绝缘材料可以被配置为增加扼流圈对EMI和/或RFI的抑制。

在一些实施例中，电缆具有半径，并且额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约25％至约100％。在其他实施例中，电缆具有半径，并且额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约50％至约100％。

电缆可以包括被配置为发送信号的内导体、布置在内导体上的电缆绝缘层、布置在电缆绝缘层上的防护层、以及布置在防护层上的绝缘外层护套。

方法还可以包括：将外层绝缘层布置在第二导电套上。扼流圈可以被配置为抑制共模EMI和/或RFI。第一导电套和第二导电套中的至少一个可以与电缆电绝缘。

根据本公开的其他方面，提供了一种蜂窝天线阵列，包括至少两个天线子阵列，其中至少两个天线子阵列中的每一个包括至少两个天线元件。阵列可以包括分离模块，分离模块被配置为将至少两个天线子阵列耦合到至少一个馈电线。阵列还可以包括至少两个电缆，至少两个电缆将分离模块耦合到至少两个天线子阵列。至少两个电缆中的每一个可以具有位于电缆的第一端处或附近的第一扼流圈以及位于电缆的第二端处或附近的第二扼流圈。第一扼流圈和第二扼流圈中的每一个可以被配置为抑制不期望射频(RF)电流。第一扼流圈和第二扼流圈中的每一个可以被配置为呈现低无源互调(PIM)。在一些实施例中，第一扼流圈和第二扼流圈中的每一个包括第一导电套，第一导电套被布置在相应电缆的外表面上。第一纵向槽可以被布置在第一导电套的两端之间。例如，第一纵向槽可以延伸通过整个第一导电套。第二导电套可以布置在第一导电套上。第二纵向槽可以布置在第二导电套的两端之间。此外，第二纵向槽可以延伸通过整个第二导电套。在一些实施例中，绝缘层可以被布置在第一导电套与第二导电套之间。

在一些实施例中，第二导电套的长度可以比第一导电套短。额外绝缘材料可以被布置在第一导电套与电缆的绝缘外层护套之间。

第一导电套的两端可以重叠，使得接近第二端的区域被布置在接近第一端的区域上。绝缘材料可以被布置在接近第一端的区域与接近第二端的区域之间。在一些情况下，接近第一端的区域和接近第二端的区域电容耦合。

阵列还可以包括辐射组件，辐射组件耦合到至少两个电缆之一，辐射组件被配置为发射能量。阵列还可以包括布置在辐射组件上的防护构件。防护构件可以被配置为抑制辐射组件发射的能量中的至少一些。第一扼流圈和第二扼流圈之一可以耦合到防护构件，使得将防护构件定位在辐射组件上使扼流圈被布置在电缆上。

在一些实施例中，耦合到防护构件的扼流圈与防护构件电绝缘。

根据某些实施例，第一导电套和第二导电套与电缆电绝缘。第一导电套和第二导电套中的至少一个可以是半波长套。

第一扼流圈和第二扼流圈中的至少一个还可以包括额外绝缘材料，额外绝缘材料被布置在电缆的绝缘外层护套与第一导电套之间。额外绝缘材料可以被配置为增加扼流圈对EMI和/或RFI的抑制。

在一些实施例中，电缆具有半径，并且额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约25％至约200％。在其他实施例中，电缆具有半径，并且额外绝缘材料的厚度为电缆的半径的约50％至约100％。

根据本公开的另一方面，提供了一种天线阵列系统。系统可以包括多个天线元件。可以包括分离模块，分离模块被配置为将多个天线元件耦合到至少一个馈电线。系统可以包括电缆，电缆将分离模块耦合到多个天线元件中的至少一个。系统包括用于抑制不期望信号的扼流圈，扼流圈被配置为呈现低无源互调(PIM)。扼流圈包括导电套，导电套被布置在电缆的外表面上。纵向槽可以被布置在导电套的两端之间。

天线阵列系统还可以包括辐射组件，辐射组件被耦合到电缆。辐射组件可以被配置为发射能量。系统可以包括防护构件，防护构件被布置在辐射组件上。防护构件可以被配置为抑制辐射组件发射的能量中的至少一些。扼流圈可以被耦合到防护构件，使得将防护构件定位在辐射组件上使扼流圈被布置在电缆上。

在一些情况下，扼流圈与防护构件电绝缘。导电套可以是半波长套。

根据本公开的另一方面，提供了一种电学系统，电学系统包括电缆和用于抑制不期望信号的扼流圈。扼流圈可以被配置为呈现低无源互调(PIM)，并且可以包括布置在电缆的外表面上的导电套。导电套实质上不包括非线性。

在一些实施例中，导电套是无缝的。纵向槽可以被布置在导电套的两端之间。导电套可以绕着电缆的整个横截面周界延伸。在一些实施例中，导电套绕着电缆的横截面周界的约50％至约95％延伸。

绝缘材料可以被布置在导电套的两端之间的纵向槽中。在一些实施例中，空气被布置在导电套的两端之间的纵向槽中。在其他实施例中，导电槽的两端重叠，使得接近第二端的区域被布置在接近第一端的区域上。

绝缘材料可以被布置在接近第一端的区域与接近第二端的区域之间。此外，在一些情况下，接近第一端的区域和接近第二端的区域电容耦合。

电学系统还可以包括多个天线元件。分离模块可以被包括并且被配置为将多个天线元件耦合到至少一个馈电线。电缆可以将分离模块耦合到多个天线元件中的至少一个。扼流圈可以被布置在电缆的耦合到分离模块的一端处或附近。扼流圈可以被布置在电缆的耦合到多个天线元件中的至少一个的一端处或附近。

系统还可以包括辐射组件，辐射组件被耦合到电缆，辐射组件被配置为发射能量。防护构件可以被布置在辐射组件上。防护构件可以被配置为抑制辐射组件发射的能量中的至少一些，其中，扼流圈被耦合到防护构件，使得将防护构件定位在辐射组件上使扼流圈被布置在电缆上。

导电套可以与电缆绝缘。在一些情况下，导电套可以是半波长套。

根据本公开的某些方面，提供了用于向电缆应用用于抑制不期望信号的扼流圈的方法。扼流圈可以被配置为呈现低无源互调(PIM)。方法可以包括：接入电缆。方法还可以包括：将导电套布置在电缆的外表面上。在一些实施例中，导电套实质上可以包括非线性。例如，导电套可以是无缝的。在一些实施例中，纵向槽被布置在导电套的两端之间。例如，导电套可以绕着电缆的小于整个横截面周界延伸。

在一些实施例中，方法还包括：将绝缘材料布置在导电套的两端之间的纵向槽中。空气可以被布置在导电套的两端之间的纵向槽中。在一些情况下，导电套的两端可以重叠，使得接近第二端的区域被布置在接近第一端的区域之上。方法还可以包括：将绝缘材料布置在接近第一端的区域与接近第二端的区域之间。接近第一端的区域和接近第二端的区域可以电容耦合。导电套可以与电缆绝缘。在一些情况下，导电套是半波长套。

根据另一方面，提供了一种电学系统。系统包括电缆和用于抑制不期望信号的扼流圈，扼流圈被配置为呈现低无源互调(PIM)。扼流圈包括：第一导电套，第一导电套被布置在电缆的外表面上。在一些情况下，第一导电套实质上不包括非线性。第二导电套可以被布置在第一导电套上。在一些实施例中，第二导电套实质上不包括非线性。系统还可以包括绝缘层，绝缘层被布置在第一导电套与第二导电套之间。

第一导电套和第二导电套中的至少一个可以是无缝的。

在一些实施例中，纵向槽被布置在第一导电套和第二导电套中的至少一个的两端之间。绝缘材料可以被布置在纵向槽中。此外，导电套的两端可以重叠，使得接近第二端的区域被布置在接近第一端的区域之上。

在一些实施例中，绝缘材料可以被布置在接近第一端的区域与接近第二端的区域之间。在一些情况下，接近第一端的区域和接近第二端的区域电容耦合。

在一些实施例中，第二导电套的长度比第一导电套短。

系统还可以包括额外绝缘材料，额外绝缘材料被布置在第一导电套下方。第一导电套和第二导电套中的至少一个可以与电缆绝缘。例如，第一导电套和第二导电套中的至少一个可以是半波长套。

在某些实施例中，系统包括多个天线元件，并且可以包括分离模块，分离模块被配置为将多个天线元件耦合到至少一个馈电线。电缆可以将分离模块耦合到多个天线元件中的至少一个天线元件。

系统还可以包括辐射组件，辐射组件被耦合到电缆，其中，辐射组件被配置为发射能量。防护构件可以被布置在辐射组件上。防护构件可以被配置为抑制辐射组件发射的能量中的至少一些。在一些情况下，扼流圈被耦合到防护构件，使得将防护构件定位在辐射组件上使扼流圈被布置在电缆上。

根据本公开的各个方面，一种向电缆应用用于抑制不期望信号的扼流圈的方法。扼流圈可以被配置为呈现低无源互调(PIM)。方法可以包括：将第一导电套布置在电缆的外表面上。在一些情况下，第一导电套实质上不包括非线性。方法还可以包括：将绝缘层布置在第一导电套上并且将第二导电套布置在绝缘层上，使得绝缘层被布置在第一导电套与第二导电套之间。第二导电套可以实质上不包括非线性。

在一些情况下，第一导电套和第二导电套中的至少一个是无缝的。根据一些实施例，纵向槽被布置在第一导电套和第二导电套中的至少一个的两端之间。在某些实施例中，绝缘材料被布置在纵向槽中。导电套的两端可以重叠，使得接近第二端的区域被布置在接近第一端的区域之上。

绝缘材料可以被布置在接近第一端的区域与接近第二端的区域之间。在一些情况下，接近第一端的区域和接近第二端的区域电容耦合。在某些实施例中，第二导电套的长度比第一导电套短。方法还可以包括：将额外绝缘材料布置在第一导电套下方。

导电套可以与电缆绝缘。在一些情况下，导电套可以是半波长套。

根据其他方面，提供了一种电学系统，电学系统包括电缆和用于抑制的扼流圈，扼流圈包括布置在电缆的外表面上的导电套。导电套可以包括第一面板和与第一面板相距两个或更多个槽的第二面板，所述两个或更多个槽沿着导电套纵向延伸。

在一些实施例中，第一面板具有被配置为抑制至少具有第一目标波长的信号的第一长度，第二面板具有被配置为抑制至少具有第二目标波长的信号的第二长度。第一长度可以是第一目标波长的约一半。第二长度可以是第二目标波长的约一半。

在一些情况下，第一面板被配置为抑制具有包括第一目标波长的第一波长范围的信号。第二面板可以被配置为抑制具有包括第二目标波长的第二波长范围的信号。

在某些实施例中，系统还包括：具有第一长度的第三面板，其中第三面板通常与第一面板相对布置。系统还可以包括具有第二长度的第四面板，其中第四面板通常与第二面板相对布置。

第一面板的端部可以与第二面板的端部重叠，使得接近第一面板的端部的区域被布置在接近第二面板的端部的区域之上。绝缘材料被布置在接近第一面板的端部的区域与接近第二面板的端部的区域之间。接近第一面板的端部的区域可以电容耦合到接近第二面板的端部的区域。

扼流圈可以被配置为抑制共模电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)。此外，导电套可以与电缆绝缘。

在一些情况下，导电套是半波长套。

在某些实施例中，扼流圈被配置为抑制不期望射频(RF)信号。扼流圈可以被配置为抑制电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)。

根据其他方面，提供了用于向电缆应用用于抑制不期望信号的扼流圈的方法。方法可以包括：接入电缆，以及将导电套布置在电缆的外表面上。导电套可以包括相距两个或更多个纵向槽的两个或更多个面板。

在一些实施例中，第一面板具有被配置为抑制具有第一目标波长的信号的第一长度，第二面板具有被配置为抑制具有第二目标波长的信号的第二长度。第一长度可以是第一目标波长的约一半。第二长度可以是第二目标波长的约一半。第一面板可以被配置为抑制具有包括第一目标波长的第一波长范围的信号。第二面板可以被配置为抑制具有包括第二目标波长的第二波长范围的信号。

在某些实施例中，第三面板具有第一长度，第三面板通常与第一面板相对布置，并且第四面板具有第二长度，第四面板通常与第二面板相对布置。

第一面板的端部可以与第二面板的端部重叠，使得接近第一面板的端部的区域被布置在接近第二面板的端部的区域之上。

方法还可以包括：将绝缘材料布置在接近第一面板的端部的区域与接近第二面板的端部的区域之间。接近第一面板的端部的区域可以电容耦合到接近第二面板的端部的区域。

在一些配置中，扼流圈被配置为抑制共模电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)。导电套可以与电缆绝缘。导电套可以是半波长套。在一些情况下，扼流圈被配置为抑制不期望射频(RF)信号。在一些情况下，扼流圈被配置为抑制电磁干扰(EMI)和/或射频干扰(RFI)。

附图说明

图1是可以包括耦合到电力组件的电缆(例如，同轴电缆)的电学系统的示例性实施例的示意图。

图2是通过图1的线2-2得到的电缆的示例性实施例的横截面图。

图3是具有隐藏不可见的各层的部分的电缆的截面的透视图，以帮助查看各层。

图4是通过图1的线4-4得到的扼流圈和电缆的示例性实施例的横截面图。

图5是图4的扼流圈和电缆的透视图。

图6是示出了四分之一波长扼流圈的示例性实施例的示例性行为的史密斯圆图。

图7是示出了半波长扼流圈的示例性实施例的示例性行为的史密斯圆图。

图8是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。

图9是图8的扼流圈和电缆的透视图。

图10是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。

图11是图10的扼流圈和电缆的透视图。

图12是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。

图13是图12的扼流圈和电缆的透视图。

图14是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。

图15是图14的扼流圈和电缆的透视图。

图16是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。

图17是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。

图18是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。

图19是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。

图20是应用于电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。

图21是图20的扼流圈和电缆的透视图。

图22是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。

图23是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。

图24是图的扼流圈和电缆102的透视图。

图25是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。

图26是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。

图27是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。

图28是耦合到电缆的扼流圈的另一示例性实施例的横截面图。

图29示意性地示出了显示并入到天线阵列装配中的多个扼流圈的示例性实施例。

图30示出了并入到包括辐射组件和防护构件的电学系统中的多个扼流圈。

图31是通过图30的辐射组件和防护构件得到的横截面图。

图32是通过图30的扼流圈得到的横截面图。

具体实施方式

图1是电学系统100的示例性实施例的示意图，该电学系统100可以包括耦合到电力组件104的电缆102(例如，同轴电缆)。在本文公开的各个实施例中，电力组件104可以是天线元件，但是可以使用各种其他电力组件(例如，电视或其他显示设备、计算设备、计算机外围设备、电器等)。

天线元件104可以是水平极化天线元件，例如，交叉偶极天线，其通常由单个同轴电缆驱动，包括比第二对臂(第二偶极)更长的一对臂(第一偶极)，其中，通过臂本身建立相移，例如，无需外部移相器或第二同轴线。在这些情况下，(例如，经由同轴电缆的中心导体)经过电缆102去往天线元件104的辐射可能引起不期望EMI和/或RFI干扰。例如，在同轴电缆102的中心导体上向上去往天线元件104的辐射可能从天线元件104反射并且返回同轴电缆的外表面。这可能在同轴电缆上产生不平衡电流，从而损害天线元件104的性能。例如，不平衡电流可能导致可能干扰天线元件104的水平极化或者以其他方式损害性能的辐射。在以下各项中公开了可以结合电学系统100实现的与天线元件(包括交叉偶极水平极化天线元件)有关的各种特征和要素：于2011年3月24日公开并且于2010年7月21日递交的题为“CROSS-DIPOLE ANTENNA CONFIGURATIONS”的美国专利公开No.2011/0068992、于2011年2月3日公开的并且于2010年5月21日递交的题为“CROSS-DIPOLE ANTENNA COMBINATION”的美国专利公开No.2011/0025569、以及于2011年2月3日公开的并且于2009年8月3日递交的题为“CROSS-DIPOLE ANTENNA”的美国专利公开No.2011/0025573。这些公开中的每一个的全部内容通过引用的方式并入本文并且作为本说明书的一部分。在一个实施例中，天线元件104是交叉偶极水平极化天线，其中，交叉偶极天线的耦合到同轴电缆的中心导体的臂保持传统长度，但是交叉偶极天线的耦合到同轴电缆的防护套的臂被延长同轴电缆的半径(直径的一半)的分数。在‘992、‘569、‘573和公开物中描述了可以与本文所述的电力扼流圈一起使用的天线的各种其他实施例。在一些情况下，替代或除了水平极化，天线元件104具有某种其他极化。例如，在一些情况下，天线元件104可以是垂直极化或圆极化的。此外，虽然在一些情况下天线元件104可以是交叉偶极天线，但是可以使用其他类型的天线(例如，绕杆式天线)。

在一些实施例中，电缆102可以通过连接器106耦合到电力组件104，而在其他实施例中，电缆102可以直接耦合到电力组件104。缆102可以被配置为向电力组件104供电和/或传送去往和/或来自电力组件104的控制信号。例如，在一些实施例中，电缆102可以是天线元件的馈电线。在一些实施例中，电缆102可以直接或经由连接器110将电力组件耦合到另一电力组件108(例如，电源、分离模块、计算设备等)。扼流圈112可以被布置在电缆102上以抑制不期望信号。

扼流圈112可以被布置在电力组件104处或附近(例如，电缆102的端部处或附近)。例如，扼流圈112可以直接被布置在电力组件104或连接器106附近，或者扼流圈112可以与电力组件104或连接器106相距以下距离：小于约0.1mm、小于约0.25mm、小于约0.5mm、小于约1.0mm、小于约1.25mm、小于约1.5mm、小于约3.0mm、小于约5.0mm、小于约10mm、小于约20mm、小于约50mm、小于约100mm，但是可以使用更大的距离。在一些实施例中，扼流圈112可以与电力组件104或连接器106相距以下距离：至少约0.1mm、至少约0.2mm、至少约0.3mm、至少约0.5mm、至少约0.75mm、至少约1.0mm、至少约1.5mm、至少约2.0mm、至少约5.0mm或更大。在一些实施例中，扼流圈112可以被布置在耦合到电缆102的其他电力组件108或连接器110处或附近。在一些实施例中，扼流圈112可以例如通常在电缆102的中间部分处与电力组件104和108二者间隔开。

图2是通过图1的线2-2得到的电缆102的示例性实施例的横截面图。图3是具有隐藏不可见的各层的部分的电缆102的截面的透视图，以帮助查看各层。电缆102可以是同轴电缆，但是可以使用各种类型的电缆。电缆102可以包括内导体114，内导体114被配置为传送去往或来自电力组件104的功率和/或控制信号；电缆绝缘层116，被布置在内导体114上；防护层118，被布置在电缆绝缘层116；以及外层护套120，被布置在防护层118上。

如本文所使用的，术语“上方”和“下方”有时是指各个组件与电缆或扼流圈的中心或纵轴的相对位置。例如，如果第一组件比第二组件更靠近中心或纵轴或者如果第一组件相对于第二组件径向向内布置，则第一组件可以在第二组件“下方”。类似地，如果第二组件比第一组件远离中心或纵轴或者如果第二组件相对于第一组件径向向外布置，则第二组件可以在第一组件“上方”。

内导体114可以是铜线或其他导电材料。电缆绝缘层116可以由诸如氟化乙丙烯(FEP)等的绝缘材料(例如，介电材料)制成。防护层116可以由导电材料(例如，铜)制成并且可以是交错的。外层护套120可以由诸如FEP或聚氯乙烯(PVC)等的绝缘材料制成。可以使用各种其他材料，并且很多其他变形是可能的。例如，在一些实施例中，可以包括金属箔防护套(未示出)，金属箔防护套可以由导电材料(例如，铝)制成，并且可以被布置在例如电缆绝缘层116与防护层118之间。

在天线系统中以及在其他电学系统100中，可以产生不期望信号(例如，射频(RF)信号)。例如，在一些情况下，电缆102可以作为可以发送和/或接收不期望信号(例如，RF信号)的天线元件操作。在一些实例中，不期望电流可以沿着电缆的一部分(例如，沿着电缆102的外部或者沿着电缆102的防护层118)流动，这通常被称作共模电磁干扰(EMI)或射频干扰(RFI)。在一些情况下，不期望电流的流动可能在沿着电缆102的方向上传播，该方向实质上与电流在电缆102的内导体114中传播的方向相反。扼流圈112可以被配置为抑制EMI和/或RFI。扼流圈可以被配置为抑制RF信号(例如，范围从9kHz到300GHz)。

图4是通过图1的线4-4得到的扼流圈112和电缆102的示例性实施例的横截面图。图5是图4的扼流圈112和电缆102的透视图。扼流圈112可以包括导电套122，导电套122可以是由金属(例如，铜)或其他导电材料制成。套112可以具有大体圆柱形形状，并且可以具有大体圆形横截面形状，但是其他横截面形状是可能的(例如，矩形或其他多边形形状)。如图4和图5中所示，套122可以绕着电缆102的整个横截面周界延伸，但是在一些实施例中，导电套122可以绕着电缆102的小于整个横截面周界延伸，如本文所讨论的。导电套122可以是无缝套，其可以是例如导电材料(例如，铜)的挤压件。在一些实施例中，导电套122可以包括缝124(如图5中的虚线所示)，缝124可以实质上平行于套122的纵轴延伸。例如，可以通过弯曲导电材料(例如，铜)的大体平面件使得该材料件的两端彼此相邻或接近来形成套122。如本文所讨论的，可以通过导电材料(例如，焊料、导电粘合剂等)或者通过绝缘材料来连接两端。在一些实施例中，导电套122可以是涂在电缆102的外部的涂层(例如，导电涂料或导电带)。

导电套122可以具有厚度126，厚度126在套122上实质上均匀。在一些实施例中，导电套122可以很薄，但是可以具有足以使得套122导电的厚度。套122的厚度126可以根据所抑制的信号的频率或波长而改变。例如，套122的厚度可以是至少约2个趋肤深度、至少约3个趋肤深度、至少约4个趋肤深度、至少约5个趋肤深度、至少约7个趋肤深度、至少约10个趋肤深度或者更大，并且套122的厚度126可以不超过约20个趋肤深度、不超过约15个趋肤深度、不超过约10个趋肤深度、不超过约7个趋肤深度、不超过约5个趋肤深度或更小。根据要抑制的目标频率或波长，厚度126可以小于约2mm、小于约1mm、小于约0.5mm、小于约0.25mm、小于约0.1mm或者更小，并且厚度126可以至少约0.01mm、至少约0.05mm、至少约0.075mm、至少约0.1mm、至少约0.15mm、至少约0.2mm、至少约0.5mm或者更大，但是可以使用其他值，这取决于所抑制的信号的频率或波长。这些范围之外的其他厚度也可以用于本文公开的导电套112。

导电套122可以具有长度128，长度128可以与所抑制的信号的频率或波长相对应。本文所公开的各种特征和实施例可以涉及四分之一波长扼流圈。四分之一波长扼流圈可以包括导电套122，导电套122的长度128为所抑制的不期望信号的波长的约四分之一(0.25)。四分之一波长扼流圈的导电套122可以具有短路(例如，电耦合到防护层118)的第一端(例如，距离源(例如，电力组件104)最远的一端)和开路(例如，未电耦合到防护层118)的第二端(例如，距离源(例如，电力组件104)最近的一端)。在该配置中，套122可以表现为或称作处于所抑制的信号的频率或波长的四分之一波长谐振器。如图6中所示，示例性四分之一波长扼流圈的行为在史密斯圆图上被示出为从零欧姆开始并且向发生器旋转四分之一波长或者绕着史密斯圆图旋转一半，到达无穷大。该配置可以产生期望高阻抗，从而有效地抑制(例如，阻挡或衰减)不期望电流(例如，其可能在防护层118中流动)。

在一些实施例中，四分之一波长扼流圈中的套122的长度128不正好等于所抑制的信号的波长的四分之一(0.25)。例如，如果电缆102具有绝缘外层护套120，则信号的传播速度可能减小，这可能导致最佳套长度128小于所抑制的信号的波长的四分之一(0.25)。此外，在一些实例中，在导电套的开路端和/或短路端可能存在边缘场，这也可能改变扼流圈的谐振长度，从而可能导致最佳套长度128不同于所抑制的信号的波长的四分之一(0.25)。如本文所使用的，术语“四分之一波长扼流圈”和“四分之一波长套”是指按照上述原则操作的扼流圈和套(例如，在第一端开路并且在第二端短路至电缆102和/或作为四分之一谐振器操作的导电套122)，即使导电套122的实际长度128可能根据例如外层护套120的厚度、外层护套120的介电常数、和/或套本身的属性而改变使得套122的长度128不等于所抑制的信号的波长的四分之一(0.25)也是如此。

本文所公开的各种特征和实施例可以涉及半波长扼流圈。半波长扼流圈可以包括长度128为所抑制的不期望信号的波长的约一半(0.5)的导电套122。半波长扼流圈的导电套122可以具有开路的两端(例如，端部均未电耦合到电缆102的防护层118)。在端部均未短路的情况下，导电套122可以表现为或称作处于所抑制的信号的频率或波长的半波长谐振器。如图7中所示，示例性半波长扼流圈的行为在史密斯圆图上被示出为在无穷大起始并且向发生器旋转半个波长或者绕着史密斯圆图旋转一周回到无穷大。该配置可以产生期望的高阻抗，从而有效地抑制(例如，阻挡或衰减)不期望电流(其可能在防护层118中流动)。

在一些实施例中，半波长扼流圈中的套122的长度128不正好等于所抑制的信号的波长的一半(0.5)。例如，如果电缆102具有绝缘外层护套120，则可以降低信号的传播速度，这可能导致最佳套长度128小于所抑制的信号的波长的一半(0.5)。此外，在一些实例中，可能在导电套122的开路端之一或二者处存在边缘场，这也可能改变扼流圈的谐振长度，从而可能导致最佳套长度128不同于所抑制的信号的波长的一半(0.5)。如本文所使用的术语“半波长扼流圈”和“半波长套”是指按照上述原则操作的扼流圈和套(例如，在两端开路和/或作为半波长谐振器操作的导电套122)，即使导电套122的实际长度128可能根据例如外层护套120的厚度、外层护套120的介电常数、和/或套本身的属性而改变使得套122的长度128不等于所抑制的信号的波长的一半(0.5)也是如此。

四分之一波长扼流圈可以包括比被配置为抑制相同频率或波长的信号的半波长扼流圈更少的材料。然而，半波长扼流圈可能是有利的，这是因为它不包括与电缆102(例如，与其防护层118)的任何电连接。不包括与电缆102的电连接的半波长扼流圈的一个优点是与移除外层护套120和将套122连接到电缆102的防护层118相关联的降低的工作和成本。与四分之一波长扼流圈相比，不包括与电缆102的电连接的半波长扼流圈的另一优点是提高的兼容性。例如，半波长扼流圈可以与四分之一波长扼流圈针对其是不可能的、不切实际的或困难的电缆(例如，除了同轴电缆和不包括防护层118的电缆之外的电缆)一起使用。不包括与电缆的电连接的半波长扼流圈的另一优点是半波长扼流圈可以(例如，在加装过程中)更容易安装在现有的电学系统上。

图8是耦合到电缆102的扼流圈112的示例性实施例的横截面图。图9是图8的扼流圈112和电缆102的透视图。在一些实施例中，外层绝缘层130被布置在导电套122上。外层绝缘层130可以提供与环境的电绝缘或保护。外层绝缘层130可以由绝缘材料(例如，FEP)制成。本文所讨论的各种绝缘材料可以是介电材料。即使未示出或者具体公开，本文所公开的各种实施例可以可选地包括布置在扼流圈112上的外层绝缘层130。在一些图中，从图中省略了外层绝缘层130，以便于查看其他图。在一些实施例中，可以省略外层绝缘层130。如图9中所示，外层绝缘层130通常可以具有与导电套122相同的长度，但是在一些实施例中，外层绝缘层130可以延伸通过导电套122的一端或两端。例如，外层绝缘层130的材料可以覆盖套122的两端，并且在一些实施例中，外层绝缘层130的材料可以接触电缆102(例如，外层护套120)。

图10是耦合到电缆102的扼流圈112的示例性实施例的横截面图。图11是图10的扼流圈112和电缆102的透视图。额外的绝缘(例如，介电)材料132可以布置在导电套122下方。额外绝缘材料132可以布置在套122与电缆102的外表面(例如，外层护套120的外表面)之间。在一些实施例中，在将导电套122涂在电缆102的外表面上之前，额外绝缘材料132可以涂(例如，涂覆或覆盖)在电缆102的外表面上，或者额外绝缘材料132可以涂在导电套122的内部并且套122和额外绝缘材料132可以一起涂在电缆102上。额外绝缘材料可以是FEP层，但是也可以使用其他绝缘材料。

如上文所讨论的，在一些情况下，可以在外层护套120中覆盖电缆102，外层护套120可以包括绝缘(例如，介电)材料，例如，氟化乙丙烯，并且可以在优化导电套122的长度时考虑外层护套120的属性(例如，外层护套120的介电常数和厚度)。在一些实例中，更厚的外层护套120可能导致更短的套长度128。额外绝缘材料132可以具有在电缆102的处于导电套122下的各个部分处增加电缆102的外层护套120的效果。因此，包括额外绝缘材料132可以允许更短的套长度128，从而可以使用更少导电材料并且可能更少地阻塞电缆102的长度。额外绝缘材料132可以使扼流圈112(例如，半波长扼流圈)(例如，通过增加对不期望信号的抑制量)提供对共模EMI和/或RFI和/或其他电流的更有利的抑制。在一些实施例中，额外绝缘材料132还可以增加扼流圈112的有效频率范围。本文结合目标频率或波长或频率或波长范围的抑制讨论了各个实施例。在一些情况下，扼流圈112可以被配置为优化对特定频率或波长的信号的抑制，并且也可以通过相同的扼流圈112来抑制其他附近频率或波长的信号。例如，在各个实施例中，扼流圈112提供的对各个波长或频率的抑制量的图可能具有针对不同的波长或频率具有不同抑制量的曲线分布，并且在一些情况下，可以针对特定频率或波长(有时在本文中称作目标频率或波长)实现最大抑制量。很多变形是可能的，例如，在一些情况下，信号抑制的分布可能不具有明确定义的最大值，并且目标频率或波长可能是扼流圈被配置为提供针对其的显著信号抑制的特定频率或波长，即使不处于信号抑制的分布的明确定义的最大值也是如此。本文所讨论的一些特征被配置为增加抑制量，这可能导致对目标波长或频率更大的信号抑制。在一些情况下，向目标波长或频率施加的抑制量的增加也可能导致扼流圈112的有效抑制的频率或波长范围的增加。

图12是耦合到电缆102的扼流圈112的示例性实施例的横截面图。图13是图12的扼流圈112和电缆102的透视图。在一些实施例中，扼流圈112可以包括布置在第一导电套122上的第二导电套136。套136和122可以实质上同心地布置。在一些实施例中，额外绝缘材料132可以被布置在第一导电套122下方(如图12和13所示)，但是在一些实施例中，可以省略额外绝缘材料132。绝缘层134可以被布置在第一导电套122上方、第二导电套136下方和/或第一导电套122与第二导电套136之间。绝缘层134可以由诸如FEP等的绝缘(例如，介电)材料制成。绝缘层134的厚度和/或其他特征可以与本文所讨论的额外绝缘材料132的层类似。

第一导电套122(例如，其长度128)和第二导电套136(例如，其长度138)均可以被配置为抑制不期望信号。第一导电套122可以被配置为抑制信号的第一频率或波长范围，并且第二导电套136可以被配置为抑制信号的第二频率或波长范围。(由第一套122抑制的)信号的第一范围可能与(由第二套136抑制的)信号的第二范围重叠，但是在一些实施例中，第一范围和第二范围不重叠。在一些实施例中，套122和136可以被配置为抑制信号的实质上相同的频率或波长范围。在一些实施例中，第二导电套136可以增加扼流圈112的有效频率或波长范围。各个长度的套122和135可以用于提供各种不同类型的信号抑制。多个套122和136的使用可以有效地增加扼流圈112的频率或波长范围。导电套122和136可以是四分之一波长套、半波长套或其组合。在一些实施例中，套122和136可以作为耦合谐振器(例如，非独立谐振器)操作。在一些实施例中，套122和136可以与电缆102互耦以促进对不期望信号的抑制。

在一些实施例中，套122的最佳长度128可能受到套136、绝缘层134、额外绝缘(例如，介电)材料132、外层护套120和/或套122的属性的影响。例如，针对半波长扼流圈，套122的实际长度128可以不同于(例如，大于或小于)所抑制的信号的波长(例如，自由空间波长)的一半(0.5)。在一些实施例中，套136的最佳长度138可能受到套136、绝缘层134、额外绝缘(例如，介电)材料132、外层护套120和/或套122的属性的影响。例如，针对半波长扼流圈，套136的实际长度138可以不同于(例如，大于或小于)所抑制的信号的波长的一半(0.5)。

如图12和图13所示，扼流圈112可以包括两个导电套122和136。在一些实施例中，可以添加额外导电套(未示出)以抑制额外信号或信号范围，或者增强套122和/或136对信号的抑制。例如，在一些实施例中，可以使用三个、四个、五个或更多个套。在一些实施例中，可以使用三个导电套(例如，被定位为实质上同心的)，并且三个套可以被配置为抑制各个频率范围，但是在一些实施例中，可以使用多于三个套。第二套136的长度138可以比第一套122的长度128更短。在一些实施例中，每一个套的长度可以比布置在其下方的套的长度更短。在一些实施例中，套的长度可以比布置在其下方的一个或多个套更长。例如，第二套136的长度138可以比第一套128的长度128更长，并且在一些情况下，导电材料可以实质上在第二套136与第一套122重叠的区域处在电缆102的外表面与第二套136之间延伸。

如本文结合图10至图13所讨论的，包括额外绝缘材料132和/或包括一个或多个额外导电套136(例如，定位为与套122和/或电缆102同心的)可以增加扼流圈112的厚度146和外径142。在一些实现中，限制扼流圈112的厚度146和/或外径142可能是有利的。例如，在一些实现中，如果扼流圈112具有较大的厚度146和/或外径142，则扼流圈112可能干扰电学系统100的其他特征。在一些情况下，扼流圈112可能表现为抑制沿着电缆102(例如，沿着外层护套120或防护层118)返回的电流，但是实际上，由于较大的厚度146和/或外径142，扼流圈112可能阻挡从与电缆102连接的电力组件104(例如，天线元件)辐射的RF辐射。

结合图10描述了各个尺寸，但是所述尺寸可能涉及本文所公开的各个实施例(例如，图4至图5以及图8至图26的扼流圈配置)。电缆102可以具有外径140。电缆102的外径140可能实质上等于扼流圈112的内径。扼流圈112的外径142可以小于或等于电缆的外径140的约3倍、小于或等于电缆的外径140的约2.5倍、小于或等于电缆102的外径140的约2倍、小于或等于电缆102的外径140的约1.5倍、小于或等于电缆102的外径140的约1.25倍、小于或等于电缆102的外径140的约1.1倍。扼流圈的外径142可以大于或等于电缆102的外径140的约1.05倍、大于或等于电缆102的外径140的约1.1倍、大于或等于电缆102的外径140的约1.25倍、大于或等于电缆102的外径140的约1.5倍、大于或等于电缆102的外径140的约2倍。扼流圈112的外径142可以在电缆102的外径140的约1.25与约3倍之间、从电缆102的外径140的约1.5到约2.5倍、从电缆102的外径140的约1.75到约2.25倍、从电缆102的外径140的约1.25到约2倍、从电缆102的外径140的约1.5到约2倍、或者从电缆102的外径140的约1.75到约2倍。在一些实施例中，这些范围之外的各个尺寸也是可能的。

电缆102可以具有外径144，外径144可以实质上等于扼流圈112的内径。扼流圈112的厚度146可以小于或等于电缆102的外径144的约1.5倍、小于或等于电缆102的外径144的约1.25倍、小于或等于电缆102的外径144的约100％、小于或等于电缆102的外径144的约75％、小于或等于电缆102的外径144的约50％、或者小于或等于电缆102的外径144的约25％。扼流圈112的厚度146可以大于或等于电缆102的外径144的约10％、大于或等于电缆102的外径144的约25％、大于或等于电缆102的外径144的约50％、大于或等于电缆102的外径144的约75％、或者大于或等于电缆102的外径144。在一些实施例中，这些范围之外的各种尺寸也是可能的。

在包括(例如，布置在套122下方和电缆102的外层护套120上方的)额外绝缘材料132的实施例中，额外绝缘材料132的厚度148可以小于或等于电缆102的外径144的约1.25倍、小于或等于电缆102的外径144的约100％、小于或等于电缆102的外径144的约75％、小于或等于电缆102的外径144的约50％、小于或等于电缆102的外径144的约25％、或者小于或等于电缆102的外径144的约10％。额外绝缘材料132的厚度148可以大于或等于电缆102的外径144的约5％、大于或等于电缆102的外径144的约10％、大于或等于电缆102的外径144的约25％、大于或等于电缆102的外径144的约50％、或者大于或等于电缆102的外径144的约75％。在一些实施例中，这些范围之外的各种尺寸也是可能的。

额外绝缘材料132的属性(例如，厚度148和材料类型)和/或一个或多个额外导电套136的属性(例如，套长度138、套厚度、和套材料)影响扼流圈112的有效频率范围和对所抑制的信号施加的抑制量。因此，可以调整这些参数以达到针对扼流圈112的期望有效频率或波长范围。也可以调整这些参数以达到期望的信号抑制量。在一些情况下，可以按照扼流圈112的第一侧上(例如，沿着防护层118传播)的不期望信号(例如，在电流到达扼流圈112之前)的电流量与扼流圈的第二侧上的不期望信号(例如，在电流通过扼流圈112之后)的电流量的比值来测量信号抑制量。如果扼流圈112未对电流进行抑制，则比值将为一比一。增加的信号抑制导致扼流圈112的第一侧上的电流与扼流圈112的第二侧上的电流的比值更高。在一些实施例中，可以按照电缆102外部存在的(例如，在扼流圈112中传播的)电流量与正在电缆102中(例如，在电缆102的防护层118或绝缘层116和/或120中)传播的不期望电流量的比值来测量对不期望信号施加的抑制量。在一些实施例中，本文所公开的扼流圈112可以用于阻挡不期望电流的约50％至约96％、约60％至约80％、约50％至60％，但是可以阻挡各种其他不期望电流量。

在一些实施例中，扼流圈112可以被配置为抑制无源互调(PIM)。PIM可能例如在两个或更多个信号(例如，高功率音调)在设备非线性处混合时发生。非线性可能是由于异金属之间、同轴电缆之间、连接器之间、安装硬件之间、原子级不清洁的类金属之间等的接合引起的。PIM可能例如在多频通信系统(例如，天线阵列、陆地移动无线电站、和/或卫星地球站)中发生，其中，产生了不同频率的多个信号(例如，高功率信号)。与其他类型的信号抑制器(例如，铁氧体磁环)相比，本文公开的扼流圈112的各个示例性实施例可以被配置为不产生PIM或者产生低PIM量。例如，扼流圈112可以实质上不包括非线性。在一些实施例中，导电套122可以是绕着电线102的整个横截面周界延伸的连续材料件。例如，导电套122可以是无缝的，并且套122可以是管道的挤压件或拉长件。在一些实施例中，导电套122可以实质上不包括非线性。因此，在一些实施例中，结合图4至图5以及图8至图13所述的扼流圈112可以被配置为抑制PIM。

在一些情况下，导电套122可以由缠绕电缆102的导电(例如，金属)层形成，并且在一些情况下，套122可以包括缝124(如图5中所示)。在一些情况下，导电层的两端之间的接合(例如，在缝124处)可能产生PIM。可以通过用于连接导电层的两端以形成套122的导电粘合剂、焊料、铜焊等增加接合(例如，缝124)的线性。在一些实施例中，可以实质上不使用金属接触(这可能产生PIM)来构造套122。

图14是耦合到电缆102的扼流圈112的示例性实施例的横截面图。图15是图14的扼流圈112和电缆的透视图。在一些实施例中，形成套122的导电套的两端可以彼此间隔开使得在两端之间不进行金属接触。槽150(例如，纵向槽)可以在导电套122的两端之间延伸，并且槽150可以大体上平行于扼流圈112和/或电缆102的纵轴延伸。本文公开的各个套(例如，针对各种不同配置的扼流圈的四分之一波长套和半波长套)可以被修改以包括槽150从而产生有效地抑制EMI和/或RFI并且还被配置为抑制PMI的扼流圈。在一些实施例中，槽150可以延伸套122的整个纵向长度或者实质上整个纵向长度，如图15中所示。在一些实施例中，槽150可以延伸套122的小于整个长度。例如，槽可以延伸以下距离：套122的整个长度的至少约25％、至少约50％、至少约75％、至少约85％、至少约90％、至少约95％、至少约98％、或者更大。在一些实施例中，槽150可以延伸以下距离：槽122的整个长度的99％或更小、或者98％或更小、或者95％或更小、或者85％或更小、或者75％或更小、或者50％或更小。在一些实施例中，套122可以包括在套122的相对侧之间延伸的较小耦合部分(未示出)，这可以便于将套122固定在电缆102上。在一些实施例中，槽150可以具有较小宽度。例如，扼流圈的约10密耳的间隙可能是足够的。在一些实施例中，槽150的宽度可以足够大以实质上防止间隙上的电流“弧”。槽150的宽度可以足够小使得扼流圈112可以有效地减轻PIM并且还可以被配置为抑制不期望信号(例如，作为被配置为抑制EMI和/或PMI的1/2波长开路端接扼流圈)，如本文所讨论的。在一些实施例中，槽150的宽度可以从约0.1mm至约1mm、从约0.25mm至约0.75mm、约0.25mm、或者约0.5mm，但是也可以使用(例如，这些范围之外的)其他值。槽150在槽150的实质上整个长度上可以具有实质上均匀的宽度，但是在一些实施例中，槽150在槽150的长度上可以具有变化(例如，逐渐变细或振荡)的宽度。在一些实施例中，槽150可以在以下各项上具有实质上均匀的宽度：槽150的整个长度的至少约25％、至少约50％、至少约75％、至少约85％、至少约90％、至少约95％、至少约98％、至少约99％、或整个长度、或者槽150的整个长度的99％或更少、或者98％或更少、或者95％或更少、或者85％或更少、或者75％或更少、或者50％或更少、或者25％或更少。

在一些实施例中，可以通过使用诸如无缝挤压或拉长管道等的连续套来减轻引起PIM的金属接触。在一些实施例中，套122可以缠绕电缆102。缠绕的套122的两端可以间隔开以形成槽150。在一些实施例中，可以连接两端。例如，可以以减少或消除非线性的方式将套122的两端焊接在一起、焊合在一起、或者通过导电粘合剂等连接在一起。在一些实施例中，焊合或焊接等可能引起可能实质上很小的非线性。在一些实施例中，可以使用材料152至少部分地填充槽150，其中材料152可以与套122的材料不同，例如如图16中所示。在一些实施例中，焊料或粘合剂材料(例如，导电粘合剂)可以用于将套122的两端连接或固定在一起。在一些实施例中，导电材料(例如，金属)可以用于连接或固定套122的两端中的一个或多个。在一些实施例中，绝缘(例如，介电)材料(例如，FEP或PVC)可以连接套122的两端和/或可以至少部分地填充形成在套122的两端之间的槽150。在一些实施例中，可以使用空气或其他气体物质至少部分地或实质上完全地填充槽150。如图17中所示，在一些实施例中，外层绝缘层130(例如，布置在扼流圈112上的外层护套)可以具有至少部分地填充或实质上填充槽150的部分。在一些实施例中，额外绝缘材料132(其可以可选地布置在套122与电缆102的外层护套120之间)可以延伸到槽150中，如图18中所示。在一些实施例中，额外绝缘材料132可以填充整个槽150的至少一部分或实质上整个槽150。

在一些实施例中，套122的两端可能重叠。在图19中示出了包括具有重叠的两端的套122的扼流圈112的示例性实施例。接近套122的第二端的区域可以布置在接近套122的第一端的区域上(径向向外)。槽150可以布置在套122的重叠端部之间。在一些实施例中，电绝缘(例如，介电)材料可以布置在套122的重叠端部之间。例如，额外绝缘材料132(其可以可选地布置在套122与电缆102的外层护套120之间)可以延伸到形成在套122的端部之间的槽150中。在一些实施例中，额外绝缘材料132可以填充整个槽150的至少一部分或者实质上整个槽150。外层护套(图19中未示出)可以填充槽150的至少一部分或实质上整个槽150。在一些实施例中，外层护套(未示出)的材料可以延伸到槽150中，并且可以部分地或实质上完全地填充槽150。在一些实施例中，套122的端部可以电容耦合(例如，使得套122的端部可以形成电容器或作为电容器操作)。

在一些实例中，(与不具有槽150的扼流圈112相比)，槽150可能影响扼流圈112的性能，这可能导致(与不具有槽150的扼流圈112相比)不同的最佳套长度128。因此，槽150的属性(例如，槽150的宽度以及填充材料的类型)可以用于确定套122的长度128，并且在一些情况下，可以执行重新优化以考虑槽150、填充材料和/或扼流圈112的其他特征。

图20是应用于电缆102的扼流圈112的示例性实施例的横截面图。图21是图20的扼流圈112和电缆102的透视图。图20至图21的扼流圈112可以具有与图12至图13的扼流圈112类似的配置，并且结合图12至图13讨论的特征可以应用于图21的扼流圈112。导电套122和136的端部可以由相应的槽150和154分离。槽154可以与本文所讨论的槽150类似，并且结合槽150所述的特征也可以应用于槽154。槽150和154可以实质上布置在扼流圈112的相同侧(如图20至图21所示)(例如，槽154布置在(例如，实质上直接布置在)槽150上)。槽150和154可以布置在扼流圈112的相对侧(如图22中所示)，但是可以使用针对槽150和154的各种其他相对位置。如图22中所示，在一些实施例中，外层护套130的材料可以延伸到槽154中。可以使用外层护套130的材料、绝缘层134的材料、单独的绝缘填充材料、空气等来部分地或实质上完全地填充槽154。

图23是耦合到电缆102的扼流圈112的示例性实施例的横截面图。图24是图23的扼流圈112和电缆102的透视图。扼流圈112可以包括多个槽158a-d，多个槽158a-d可以分离导电套122的多个面板156a-d。如图23至24所示，扼流圈112可以包括四个槽158a-d，四个槽158a-d可以将套122分离为四个面板156a-d。其他配置是可能的，例如，可以使用1、2、3、5、6、7、8或更多个槽和/或面板。在一些实施例中，除了空间约束之外，对扼流圈112中采用的槽的数量可以没有任何限制。在一些实施例中，多个槽158a-d可以产生多个面板156a-d，多个面板156a-d可以相互电绝缘。例如，可以使用来自外层护套130的绝缘材料(如图26中所示)、使用来自绝缘层132的绝缘材料(与图18类似)、使用单独的绝缘材料(如图25中所示)或使用空气来部分地或实质上完全地填充槽158a-d。

参照图24，面板156a-d中的至少两个可以具有不同的长度，例如以用于抑制具有不同波长的信号，这可以增加扼流圈112的有效频率和/或波长范围。在一些实施例中，所有面板156a-d可以具有彼此不同的长度。在一些实施例中，面板156a-d中的两个或更多个可以具有实质上相同的长度，并且可以协作以抑制相同频率或波长或其范围的不期望信号。例如，相对面板156a和156c可以具有实质上彼此相同的长度(例如，第一长度)，而相对面板156b和156d可以具有实质上彼此相同的长度(例如，与第一长度不同(例如，更短)的第二长度)。因此，面板156a-d可以具有与相邻面板156a-d中的一个或两个不同的长度。具有第一长度的面板156a和156c可以被配置为抑制第一频率范围或频带，具有第二长度的面板156b和156d可以被配置为抑制与第一频率范围或频带不同的第二频率范围或频带。因此，扼流圈112可以是双频带扼流圈。在一些实施例中，可以(例如，通过额外面板或通过额外套)抑制额外频率范围或频带。很多变形是可能的。在一些实施例中，所有面板156a-d可以具有实质上相同的长度，例如使得面板156a-d协作以抑制具有相同波长或频率或其范围的信号。不同面板156a-d所抑制的不同频率或波长范围或频带可以重叠或不重叠。

参照图27，在一些实施例中，面板156a-d中的一个或多个可以具有与相邻面板156a-d重叠的端部。例如，面板156a和156c的端部可以被布置在面板156b和156d的相应端部上(例如，径向向外)。绝缘材料(例如，额外绝缘材料层132的一部分、或单独的绝缘材料等)可以被布置在面板156a-d的重叠端部之间。在一些实施例中，面板156a-d的重叠端部可以电容耦合(例如，使得套122的面板156a-d的重叠端部可以形成电容器或作为电容器操作)。

参照图28，在一些实施例中，可以包括一个或多个额外套136，这些套可以具有由多个槽164a-d分离的多个面板162a-d。面板162a-d和槽164a-d可以与本文所讨论的面板156a-d和槽158a-d类似。绝缘层134可以被布置在套122的面板156a-d与套136的面板162a-d之间。一个或多个额外套136的面板162a-d可以增加扼流圈112的有效频率或波长范围，和/或可以增加由扼流圈112提供的信号抑制量。

包括一个或多个槽(例如，图14至28)的实施例可以具有覆盖电缆102或扼流圈112的小于整个横截面周界的套122，但是在一些情况下，可以在套112的重叠部分之间形成一个或多个槽(例如，如图19和图27中所示)，并且套112可以绕着电缆102的整个横截面周界延伸。在多面板套122中(例如，如图23至图28中所示)，(例如，在与套122的所有两个或更多个面板相交的位置处得到的)两个或更多个面板的组合的横截面周界可以绕着电缆102或扼流圈112的小于整个横截面周界延伸。在包括一个或多个槽的实施例中(例如，图14至图28)，套112可以绕着电缆102或扼流圈112的横截面周界的至少约25％、至少约40％、至少约50％、至少约60％、至少约70％、至少约80％、至少约90％、至少约95％、或更大延伸。在一些实施例中，套122可以绕着电缆102或扼流圈112的小于约98％、小于约95％、小于约80％、小于约70％、小于约60％、小于约50％、小于约40％、或者更小延伸。各种扼流圈和套在本文中被公开为具有大体圆柱形形状，例如，具有大体圆形横截面形状。可以使用各种其他横截面形状的扼流圈和套(例如，矩形或其他多边形形状)。在一些实施例中，扼流圈或套的横截面形状可以大体上符合与扼流圈或套相关联的电缆的横截面周界的形状。例如，如果使用具有非圆形横截面形状(例如，矩形形状)的电缆，则向其应用的扼流圈或套可以具有非圆形横截面形状(例如，矩形形状)。

本文公开的扼流圈112的各个实施例的特征中的很多特征可以组合以形成各种不同的组合和子组合。在一些实施例中，相同类型或不同类型的多个套122和136(例如，2、3、4、5或更多个套)(例如，各种组合的无缝套、有缝套、开槽套、具有重叠的端部的套、和/或多面板套)可以(例如，实质上同心地)耦合到电缆102。如上所述，在一些实施例中，三个、四个、五个或更多个套可以在扼流圈112中一起(例如，实质上同心地布置)使用。在一些实施例中，扼流圈的每一个套被配置为抑制PIM。很多其他变形是可能的。例如，本文所公开的扼流圈可以具有布置在其上的外层护套130，即使未具体讨论或在附图中示出也是如此。此外，可以从本文所讨论的各个实施例中省略额外绝缘材料132，使得套122可以被直接布置在电缆102的外表面附近。虽然附图中的一些不一定按比例绘制，但是附图中所示的尺寸旨在形成本公开的一部分。

在一些实施例中，多个扼流圈或多个套可以沿着电缆102的长度串联放置，以实现更宽的频带范围。在一些实例中，除了对电缆102的空间约束之外，对可以串联放置的扼流圈或套的数量没有限制。例如，扼流圈112可以包括沿着电缆102的长度串联的2、3、4、5个或者在一些情况下更多个套。可以沿着电缆102的长度串联放置单层套或多层套。在一些实施例中，可以将两个或更多个套串联放置在额外绝缘材料132的相同层上，或者可以将串联放置的套布置在额外绝缘材料132的单独层上。

如上所述，半波长套的实际或最佳长度可以与所抑制的信号的波长的一半不同，并且四分之一波长套的实际或最佳长度可以与所抑制的信号的波长的四分之一(0.25)不同。在一些实施例中，四分之一波长套或半波长套的长度可以基于以下一项或多项来确定：

·频率(例如，要抑制的信号的频率)；

·电缆的直径；

·电缆的外层护套的厚度；

·电缆的外层护套的介电常数；

·布置在套下方的额外绝缘材料的厚度；

·额外绝缘材料的介电常数；和/或

·套的边缘效应。

根据上述因素，半波长套的实际或最佳长度可以与自由空间波长的一半的距离相差(例如，更大或更小)小于或等于约1％、小于或等于约3％、小于或等于约5％、小于或等于约10％、小于或等于约15％、小于或等于约20％、小于或等于约30％、小于或等于约40％、小于或等于约50％、小于或等于约75％、或者小于或等于约95％、至少约1％、至少约2％、至少约3％、至少约5％、至少约7％、至少约10％、至少约15％、至少约20％、至少约30％、至少约50％、至少约70％、或至少约90％。举例说明，如果外层护套和/或额外绝缘材料具有足够厚度，则可以将半波长套的长度充分缩短使得与所抑制的自由空间波长的一半(0.5)的值相比，半波长套的长度实际上更接近所抑制的自由空间波长的四分之一(0.25)的值。在一些实施例中，半波长套可以被配置为针对在信号在其中传播的结构中传播的信号抑制具有目标波长的信号。例如，不期望信号可以在电缆102的在防护层118外部的绝缘外层护套120中传播。因此，在绝缘外层护套120中传播的信号的波长可能比自由空间中的信号的波长小。因此，在该示例中，被配置为抑制不期望信号的半波长套122的长度可能比信号的自由空间波长的一半小。然而，半波长套122的长度可以为当正在防护层118外部的绝缘外层护套120中传播时的信号的波长的约一半。

为了确定半波长套的适合长度，所抑制的不期望信号的自由空间波长的一半(0.5)的长度可以用作基点或起始点，并且可以至少部分地基于上文具体说明的变量中的一个或多个的值来调整(例如，缩短或延长)长度。例如，如果包括额外绝缘材料(例如，从而增加外层护套的有效厚度)，则可以缩短套的长度以适应额外绝缘(例如，介电)材料。可以通过分析或数值方法计算或者可以凭经验确定边缘效应的调整。在一些实施例中，可以以上文阐述的顺序来考虑上文具体说明的因素中的两个或更多个，但是也可以以各种其他顺序来考虑因素。在一些实施例中，可以将因素中的两个或更多个一起考虑。可以通过首先考虑要抑制的信号的频率来确定套的长度。然后，可以通过考虑电缆的直径和/或外层护套的厚度来调整套的长度。然后，可以通过考虑电缆的外层护套的介电常数来调整套的长度。然后，可以调整套的长度以适应套的边缘效应。各种其他顺序或其他备选方式是可能的。在一些实施例中，可以在优化过程的多个步骤(例如，每一个步骤)对套进行重新优化，这可以便于确认套正在期望频率范围内执行。可以使用包括一个或多个计算机处理器的计算机硬件来确定套的长度，如本文所讨论的。

本文公开的扼流圈可以与各种类型的设备一起并且在各种不同的上下文中使用。例如，扼流圈可以被布置在向电子设备(例如，天线)提供功率和/或信号的电缆(例如，同轴电缆)上。图29示意性地使出了显示并入到天线阵列装配600中的多个扼流圈的示例性实施例。通过举例说明的方式示出了图29的实施例，并且与图29中所示的示例不同的很多其他配置是可能的。在所示的实施例中，包括总计16个天线元件602，但是在阵列中可以包括各种其他数量的天线元件602(例如，2、3、4、8、16、24、32、64或者更多天线元件)，并且本文所公开的套也可以与单个天线元件结合使用。天线阵列装配600可以包括耦合到一个或多个馈电线604的多个天线元件602(例如，这可能导致图29中未示出的无线发射机或接收机)。在一些实施例中，多个天线元件602可以耦合到一个馈电线604，但是在一些实施例中，每一个天线元件602可以耦合到单独的馈电线和/或单独的无线发射机或接收机。

在一些实施例中，多个天线元件602可以并入到天线子阵列606中，该天线子阵列606可以是印刷电路板天线子阵列。在所示实施例中，四个天线元件602被并入到天线子阵列606中，但是其他数量的天线元件602可以并入到一个或多个天线子阵列606中(例如，2、3、4、5、6、7、8或更多个天线元件)。天线子阵列606可以包括用于容纳一个或多个电缆610的一个或多个输入端，并且可以包括使电缆610能够可拆卸地耦合到天线子阵列606的一个或多个连接器。子阵列606可以包括具有线(例如，导电轨线)的印刷电路板，该线用于在一个或多个输入端与天线元件602之间发送功率和/或信号。

天线阵列600可以包括分离模块608，分离模块608可以被配置为将多个天线元件602耦合到一个或多个馈电线604。分离模块608可以是组合器、分配器或分离器，并且在一些实施例中，分离模块可以包括印刷电路板或者并入到印刷电路板中。分离模块608可以包括用于容纳一个或多个馈电线604的一个或多个馈电线输入端。分离模块608和一个或多个馈电线604可以具有连接器，连接器被配置为可拆卸地将一个或多个馈电线604耦合到分离模块608。分离模块608可以包括多个天线元件输入端，天线元件输入端被耦合到多个天线元件602。天线元件输入端的数量可以大于馈电线输入端的数量，并且在一些情况下，可以使用单个馈电线604。电缆610(例如，同轴电缆)可以将天线元件602耦合到分离模块608。分离模块608和电缆610可以具有连接器，连接器可拆卸地将电缆610耦合到分离模块608。

天线阵列600可以包括一个或多个扼流圈。例如，扼流圈612可以被布置在分离模块608与无线发射机或接收机之间的馈电线604上。扼流圈612可以被布置在分离模块608近处或附近，如图所示，或者扼流圈612可以与分离模块608分隔开。在一些实施例中，除了或替代扼流圈612，扼流圈可以被布置在无线天线或接收机(图29中未示出)附近或近处。一个或多个扼流圈可以被布置在将天线元件602耦合到分离模块608的电缆610中的一个或多个上。一个或多个扼流圈614可以被布置在分离模块608的输入端近处或附近(例如，电缆601的端部处或附近)。在一些实施例中，扼流圈614可以与分离模块608的输入端分隔开。一个或多个扼流圈616可以被布置在单独的天线元件602近处或附近，或者一个或多个扼流圈616可以与天线元件602分隔开。在包括天线子阵列606的实施例中，一个或多个电缆610可以(例如，通过将天线子阵列606的印刷电路板耦合到分离模块608的印刷电路板)将天线子阵列606耦合到分离模块608。天线子阵列606和电缆610可以包括连接器，连接器被配置为可拆卸地将电缆610耦合到天线子阵列606。扼流圈616可以被布置在天线子阵列606近处或附近(例如，电缆610的端部处或附近)，或者扼流圈616可以与天线子阵列606分隔开。

扼流圈612、614和616中的每一个可以具有与本文公开的各个扼流圈相同或类似的特征。例如，在一些实施例中，扼流圈612、614和616可以被配置为具有例如由于较低的非线性或实质上没有非线性而导致的低无源互调(PIM)。在一些实施例中，扼流圈612、614和616可以包括如本文公开的导电套(例如，半波长套)。在一些实施例中，扼流圈612、614和616中的一个或多个可以包括多个套，多个套可以例如(例如，同心地)布置在彼此上。扼流圈612、614和616可以共享共同的特征或设计，或者天线阵列600的各个不同的扼流圈612、614和616可以具有与阵列600的其他扼流圈612、614和616中的一个或多个不同的特征。例如，在一些实施例中，天线阵列600的所有扼流圈612、614和616可以被配置为减少或消除PIM，或者扼流圈612、614和616中的一些可以被配置为减少PIM而其他扼流圈未被配置为减小PIM。阵列600的各个不同的扼流圈612、614和616可以被配置为减小或消除不同频率的信号，或者扼流圈612、614和616中的两个或更多个可以被配置为减小或消除实质上相同频率的信号。扼流圈612、614和616可以具有不同长度或类似长度或实质上相同长度的套。

参照图30，在一些实施例中，本文公开的扼流圈可以与保护辐射组件的防护构件一起使用。图30示出了辐射组件702和防护构件704，防护构件704被配置为衰减或阻挡从辐射组件702辐射的能量(例如，射频辐射)中的至少一些。在天线阵列装配700的上下文中，阵列托盘706可以支撑一个或多个电缆708a和708b(例如，同轴电缆)。电缆708a和708b可以在天线阵列装配700的两个组件之间延伸。例如，电缆708a和708b开可以将天线元件或天线子阵列耦合到馈电线或分离模块(例如，功率分配器)。在一些实施例中，第一(例如，上部)电缆708a的第一端(例如，上部)处的连接器710可以被配置为连接到(例如，可拆卸地连接到)天线元件或天线子阵列。在一些实施例中，第二(例如，下部)电缆708b的第二端(例如，下部)处的连接器712可以被配置为连接到(例如，可拆卸地连接到)天线阵列700的馈电线或分离模块(例如，功率分配器)。连接器710和712中的一个或多个可以是DIN连接器，但是可以在电缆708a和708b的端部处使用各种其他连接器类型或其他端子。

装配700可以包括辐射组件702。第一(例如，上部)电缆708可以从辐射组件702延伸到第一(例如，上部)连接器710，并且第二(例如，下部)电缆708b可以从辐射组件702延伸到第二(例如，下部)连接器712。辐射组件702可以是移相器，但是可以使用各种其他类型的辐射组件702。例如，辐射组件可以是处理器，例如，中央处理单元(CPU))、RF无线电台、有源或无源设备等。辐射组件702(例如，移相器)可以包括印刷电路板或者并入到印刷电路板中。在一些实施例中，辐射组件702可以不包括印刷电路板或者不并入到印刷电路板中。在一些实施例中，电缆708a和708b以及辐射组件702可以包括连接器，连接器被配置为可拆卸地将电缆708a和708b耦合到辐射组件702。

防护构件704可以被配置为衰减或阻挡从辐射组件702辐射的能量(例如，射频辐射)中的至少一些。图31是通过防护构件704和辐射组件702得到的示意性横截面图。防护构件704可以是适应辐射组件702的覆盖物。防护构件704可以具有例如顶部714和侧壁716，并且底部可以打开以提供对防护构件704的内部的接入。如图31中所示，防护构件704可以被放置在辐射组件702上，使得辐射组件702被容纳在防护构件704的内部。在一些实施例中，绝缘体718可以被布置在防护构件704与阵列托盘706之间，以使防护套704与阵列托盘706电绝缘。防护构件704可以由导电材料(例如，铝)制成，并且阵列托盘706也可以由导电材料(例如，铝)制成。绝缘体718可以是塑料或其他绝缘材料。在一些实施例中，绝缘体718也可以将辐射组件702与阵列托盘706电绝缘。例如，绝缘体718可以包括在辐射组件702和防护构件704下方延伸的绝缘材料。

再次参照图30，装配700可以包括一个或多个扼流圈720a和720b。在所示实施例中，第一扼流圈720a被布置在第一(例如，上部)电缆708a上，第二扼流圈720b被布置在第二(例如，下部)电缆708b上。扼流圈720a和720b可以被配置为抑制共模EMI或RFI，如本文所讨论的。扼流圈720a和720b可以被配置为抑制PIM，如本文所讨论的。扼流圈720a和720b可以被布置在防护构件704近处或附近，或者它们可以与防护构件704分隔开。在一些实施例中，一个或多个扼流圈720a和720b可以耦合到防护构件704。例如，扼流圈720a或720b可以通过粘合剂或其他适合的附接机制附接到防护构件704外部(例如，其侧壁716)。如本文所讨论的，扼流圈720a或720b可以包括导电套，并且绝缘材料可以被布置在扼流圈720a或720b的导电套与导电防护构件704之间。一个或多个扼流圈720a和720b可以被定位在防护构件704上，使得当防护构件704被定位在辐射组件702上时扼流圈720a和720b适应电缆708a和708b。

图32是通过扼流圈720a和电缆708a得到的示意性横截面图。扼流圈720a可以包括仅部分地绕着电缆708a的横截面周界延伸的套。例如，套可以包括间隙，并且扼流圈可以被配置为抑制PMI，如本文所讨论的。在一些实施例中，套可以延伸电缆708a的横截面周界的至少约25％、至少约40％、至少约50％、至少约60％、至少约70％、至少约80％、至少约90％、或者更大。在一些实施例中，套可以延伸电缆708a的横截面周界的小于约95％、少于约80％、少于约70％、少于约60％、少于约50％、少于约40％、或者更小。在一些实施例中，套可以绕着电缆708a的横截面周界的约50％延伸。仅部分地绕着电缆708a的横截面周界延伸的套可以用于防止套接触阵列托盘706。此外，仅部分地绕着电缆708a的横截面周界延伸的套可以用于以下实施例：通过当防护构件704被定位在辐射组件702上时使扼流圈720a放置在电缆708a上，来将扼流圈720a耦合到防护构件704。在一些实施例中，套可以绕着电缆708a的整个横截面周界延伸，如本文针对扼流圈的某些示例性实施例所述的。

在一些实施例中，防护构件704可能使辐射的能量(例如，射频辐射)的被防护构件704拦截的至少一部分耦合到电缆708a和708b。扼流圈720a和720b可以被配置为衰减或阻挡电缆708a和708b上的能量(例如，射频辐射)流。

虽然图30示出了单个电缆集合708a和708b以及单个辐射组件702(例如，移相器)装配，但是阵列托盘706可以支撑多个(例如，2、3、4、6、10或更多个)电缆集合和辐射组件(例如，移相器)，其可以耦合到多个天线元件或天线子阵列。阵列托盘706可以被竖直地定位在天线阵列装配700中，并且可以具有约6英尺的高度和约1英尺的宽度，但是阵列托盘706可以具有各种其他尺寸，这取决于天线阵列装配700的特性。在一些实施例中，可以包括天线罩(图30中未示出)，并且天线罩可以被定位为保护天线阵列装配700。

除了图30中所示的配置之外的各种不同的配置是可能的，并且防护构件704以及上述一个或多个套720a和720b可以在除了天线阵列装配之外的各种其他上下文中使用。虽然图30示出了退出防护构件704的两个电缆708a和708b，但是可以使用不同数量的电缆(例如，1、3、4、5、8、12或更多个电缆)，这取决于辐射组件702的配置，并且电缆中的一些或全部可以包括一个或多个扼流圈。

本文所述的各个示例性逻辑框、模块和过程可以实现为电子硬件、计算机软件或这二者的组合。为了清楚地说明硬件和软件的这种可互换性，各种示例性组件、框、模块和状态已经在上文中围绕其功能进行了大体描述。然而，虽然单独地示出了各个模块，但是它们可以共享相同的基本逻辑或代码中的一些或全部。可以取而代之地单片实现本文所述的特定逻辑框、模块和过程。

本文所述的各种示例性逻辑框、模块、过程可以由被设计为执行本文所述的功能的机器来实现或执行，例如，计算机、处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、或者其他可编程逻辑设备、分立门或晶体管逻辑、分立硬件组件或其任意组合。处理器可以是微处理器、控制器、微控制器、状态机、其组合等。处理器还可以实现为计算设备的组合，例如，DSP和微处理器的组合、多个微处理器或处理器内核、一个或多个图形或流处理器、一个或多个微处理器与DSP的结合或者任何其他此类配置。

本文所述的过程的框或状态可以直接用硬件、处理器执行的软件模块或这二者的组合来具体实现。例如，上述过程中的每一个也可以用由诸如计算机或计算机处理器等的一个或多个机器执行的软件模块来具体实现或完全自动化。模块可以位于计算机可读存储介质中，例如，RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、能够存储固件的存储器、或者本领域中公知的任何其他形式的计算机可读存储介质。示例性计算机可读存储介质可以耦合到处理器，使得处理器可以从计算机可读存储介质读取信息并且向计算机可读存储介质写入信息。备选地，计算机可读存储介质可以是处理器的组成部分。处理器和计算机可读介质可以位于ASIC中。

根据实施例，本文所述的过程或算法中的任意一个的特定动作、事件或功能可以用不同的顺序来执行、可以被添加、合并或全部省去。因此，在特定实施例中，为了实现过程，不是所有描述的工作或事件都是必须的。此外，在特定实施例中，可以例如通过多线程处理、中断处理或经由多个处理器或处理器内核同时而不是顺序地执行动作或事件。

除非专门另外说明或在所使用的上下文中另外理解，否则本文使用的尤其诸如“可以”、“可能”、“也许”、“可”、“例如”等的条件语言通常旨在表达特定的实施例包括而其他实施例不包括特定特征、要素和/或状态。因此，这种条件语言通常并不旨在暗示对于一个或多个实施例无论如何需要特征、要素和/或状态、或者一个或多个实施例必须包括用于在具有或不具有作者输入或提示的情况下决定在任何特定实施例中是否包括或要执行这些特性、要素和/或状态的逻辑。

虽然上述详细描述已经被示出、描述并且指出应用于各个实施例的新颖特征，但是将理解的是，可以在不偏离本公开的精神的情况下对所示的逻辑框、模块和过程的形式和细节进行各种省略、替代和改变。如将认识到的，可以在未提供本文阐述的所有特征和益处的形式中具体实现本文所述的发明的特定实施例，这是因为一些特征可以与其他特征分离使用或实现。

Claims (33)

1.一种电学系统，包括：

电缆，具有绝缘外层护套；以及

扼流圈，被配置为至少抑制具有目标波长的电磁干扰EMI和/或射频干扰RFI，所述扼流圈包括：

导电套，所述导电套被布置在所述电缆的所述绝缘外层护套上；以及

额外绝缘材料，所述额外绝缘材料被布置在所述导电套与所述电缆的所述绝缘外层护套之间，其中所述额外绝缘材料被配置为增加所述扼流圈对EMI和/或RFI的抑制。

2.根据权利要求1所述的电学系统，还包括：天线元件，其中所述电缆将所述天线元件耦合到电学组件。

3.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述电缆具有半径，并且所述额外绝缘材料的厚度为所述电缆的所述半径的约1％至约200％。

4.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述电缆具有半径，并且所述额外绝缘材料的厚度为所述电缆的所述半径的约25％至约100％。

5.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述电缆具有半径，并且所述额外绝缘材料的厚度为所述电缆的所述半径的约50％至约100％。

6.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述额外绝缘材料具有与所述电缆的所述绝缘外层护套不同的材料类型。

7.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述导电套是半波套。

8.根据权利要求7所述的电学系统，其中，所述导电套的长度与所抑制的所述EMI和/或RFI的自由空间目标波长的一半相差一定量，其中所述导电套的所述长度是至少部分地基于以下一项或多项来确定的：所述绝缘外层护套的厚度、所述绝缘外层护套的介电常数、所述额外绝缘材料的厚度、所述额外绝缘材料的介电常数、以及所述导电套的边缘效应。

9.根据权利要求8所述的电学系统，其中，所述导电套的长度比所述自由空间目标波长的一半短所述量。

10.根据权利要求8所述的电学系统，其中，所述导电套的长度比所述自由空间目标波长的一半短约1％至约90％。

11.根据权利要求8所述的电学系统，其中，所述导电套的长度比所述自由空间目标波长的一半短约5％至约50％。

12.根据权利要求7所述的电学系统，其中，所述导电套与所述电缆电绝缘。

13.根据权利要求7所述的电学系统，其中，所述导电套的长度约为所抑制的所述EMI和/或RFI的所述目标波长的约一半。

14.根据权利要求1所述的电学系统，还包括：外层绝缘层，所述外层绝缘层被布置在所述导电套上。

15.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述导电套绕着所述电缆的整个横截面周界延伸。

16.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述扼流圈被配置为抑制共模EMI和/或RFI。

17.根据权利要求1所述的电学系统，其中，所述扼流圈被配置为抑制具有包括所述目标波长的波长范围的EMI和/或RFI。

18.一种天线系统，包括：

天线元件；

同轴电缆，所述同轴电缆将所述天线元件耦合到电学组件并且具有绝缘外层护套；以及

扼流圈，被配置为抑制具有目标波长的电磁干扰EMI和/或射频干扰RFI，所述扼流圈包括：

第一导电套，所述第一导电套具有第一长度并且被配置为布置在电缆的外表面上；

第一绝缘层，所述第一绝缘层被布置在所述第一导电套与所述电缆的所述绝缘外层护套之间；

第二导电套，所述第二导电套具有第二长度并且被布置在所述第一导电套上；以及

第二绝缘层，所述第二绝缘层被布置在所述第一导电套与所述第二导电套之间。

19.根据权利要求18所述的天线系统，其中，所述第一长度为所述目标波长的约一半。

20.根据权利要求19所述的天线系统，其中，所述第二导电套被配置为增加对所述目标波长的EMI和/或RFI的抑制的量。

21.根据权利要求20所述的天线系统，其中，所述第二导电套的长度比所述第一导电套短。

22.根据权利要求18所述的天线系统，其中，所述第一导电套和所述第二导电套与所述电缆电绝缘。

23.根据权利要求18所述的天线系统，其中，所述第一绝缘层被配置为增加所述扼流圈所抑制的EMI和/或RFI的频率范围。

24.根据权利要求18所述的天线系统，其中，所述扼流圈被配置为抑制共模EMI和/或RFI。

25.根据权利要求18所述的天线系统，其中，所述电缆具有半径，并且所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的组合厚度为所述电缆的所述半径的约5％至约200％。

26.根据权利要求18所述的天线系统，其中，所述电缆具有半径，并且所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的组合厚度为所述电缆的所述半径的约50％至约100％。

27.一种天线系统，包括：

天线元件；

电缆，所述电缆将所述天线元件耦合到电学组件；以及

扼流圈，所述扼流圈被配置为抑制电磁干扰EMI和/或射频干扰RFI，所述扼流圈包括：

第一导电套，所述第一导电套被配置为布置在所述电缆的外表面上；

第二导电套，所述第二导电套被布置在所述第一导电套上；

以及

绝缘层，所述绝缘层被布置在所述第一导电套与所述第二导电套之间。

28.根据权利要求27所述的天线系统，其中，所述扼流圈是半波扼流圈。

29.根据权利要求27所述的天线系统，还包括：额外绝缘材料，所述额外绝缘材料被布置在所述第一导电套与所述电缆的绝缘外层护套之间，其中，所述额外绝缘材料被配置为增加所述扼流圈对EMI和/或RFI的抑制。

30.一种用于抑制电磁干扰EMI和/或射频干扰RFI的扼流圈，所述扼流圈包括：

第一导电套，所述第一导电套被配置为布置在电缆的外表面上；

第二导电套，所述第二导电套被布置在所述第一导电套上；以及

绝缘层，所述绝缘层被布置在所述第一导电套与所述第二导电套之间。

31.根据权利要求30所述的扼流圈，其中，所述第一导电套是被配置为至少抑制具有目标波长的EMI和/或RFI的半波套。

32.根据权利要求31所述的扼流圈，其中，所述第二导电套是被配置为增加至少对具有所述目标波长的EMI和/或RFI的抑制的半波套。

33.一种电学系统，包括：

电缆，所述电缆具有绝缘外层护套；以及

扼流圈，所述扼流圈被配置为至少抑制具有目标波长的电磁干扰EMI和/或射频干扰RFI，所述扼流圈包括布置在所述电缆的所述绝缘外层护套上的导电套，所述导电套是半波套，其中，所述导电套的长度与所抑制的所述EMI和/或RFI的自由空间目标波长的一半相差一定量，所述导电套的所述长度是至少部分地基于以下一项或多项来确定的：所述绝缘外层护套的厚度、所述绝缘外层护套的介电常数、以及所述导电套的边缘效应。