CN104303167A - 计算机系统和存储器管理的方法 - Google Patents

计算机系统和存储器管理的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104303167A
CN104303167A CN201380024937.6A CN201380024937A CN104303167A CN 104303167 A CN104303167 A CN 104303167A CN 201380024937 A CN201380024937 A CN 201380024937A CN 104303167 A CN104303167 A CN 104303167A
Authority
CN
China
Prior art keywords
memory
data
computer system
type
power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201380024937.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104303167B (zh
Inventor
N·帕斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kaiwei International Co
Marvell International Ltd
Marvell Asia Pte Ltd
Original Assignee
Mawier International Trade Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mawier International Trade Co Ltd filed Critical Mawier International Trade Co Ltd
Publication of CN104303167A publication Critical patent/CN104303167A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104303167B publication Critical patent/CN104303167B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1072Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for memories with random access ports synchronised on clock signal pulse trains, e.g. synchronous memories, self timed memories
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/14Handling requests for interconnection or transfer
    • G06F13/16Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
    • G06F13/1668Details of memory controller
    • G06F13/1694Configuration of memory controller to different memory types
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Sources (AREA)
  • Memory System (AREA)

Abstract

提供了计算机系统和用于计算机系统中的存储器管理的方法。计算机系统包括集成电路,其中该集成电路包括处理单元和耦合到处理单元的存储器控制器。存储器控制器包括被配置为将存储器控制器分别与第一存储器和第二存储器耦合的第一接口和第二接口。第二接口与第一接口分离。该计算机系统包括为第一存储器类型的第一存储器,该第一存储器通过第一接口耦合到存储器控制器。该计算机系统还包括通过第二接口耦合到存储器控制器的第二存储器,其中第二存储器是第二存储器类型的,该第二存储器类型具有与第一存储器类型的功率消耗特性不同的功率消耗特性。

Description

计算机系统和存储器管理的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年5月8日递交的名称为“COST/POWERSENSITIVE PLATFORMS HAVING MIXED TYPES OF DDRSDRAM”的美国临时专利申请61/644,359以及于2012年10月24日递交的名称为“COST/POWER SENSITIVE PLATFORMS HAVINGMIXED TYPES OF DDR SDRAM”的美国临时专利申请61/717,884的优先权,这两个申请以引用的方式全部并入于此。
技术领域
在此描述的技术总体上涉及计算机系统和存储器管理的方法,并且更特别地涉及使用多个不同存储器类型的组合的计算机架构。
背景技术
同步动态随机存取存储器(SDRAM)是与计算机系统的系统总线同步的动态随机存取存储器(DRAM)。SDRAM利用同步接口,该同步接口使得SDRAM在对控制输入做出响应之前等待时钟信号,因此使SDRAM与计算机系统的系统总线同步。SDRAM模块的数据存储区被划分为若干个组,从而允许SDRAM模块同时处理在若干个存储器组之间交织的若干个存储器存取命令。使用多个组允许SDRAM具有比异步DRAM更高的数据存取速率。存在市场上可得的若干类型(例如,族)的SDRAM,包括低功率DDR(LPDDR)(例如,移动DDR)以及双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)。不同类型的SDRAM在某些方面中相互不同(例如,速度、功率消耗和价格等等)。
以上描述作为本领域中相关技术的一般概述而被呈现,并且不应当被解释为承认其包含的任何信息构成对本专利申请的现有技术。
发明内容
提供了计算机系统和用于计算机系统中的存储器管理的方法的示例。一种计算机系统包括集成电路,其中该集成电路包括处理单元和耦合到处理单元的存储器控制器。存储器控制器包括被配置为将存储器控制器分别与第一存储器和第二存储器耦合的第一接口和第二接口。第二接口与第一接口分离。该计算机系统包括为第一存储器类型的第一存储器,该第一存储器通过第一接口耦合到存储器控制器。该计算机系统还包括通过第二接口耦合到存储器控制器的第二存储器,其中第二存储器是第二存储器类型的,该第二存储器类型具有与第一存储器类型的功率消耗特性不同的功率消耗特性。
作为另一示例,一种计算机系统中的存储器管理方法包括确定操作系统的操作模式。如果操作模式是第一模式,则关断为第一存储器类型的第一存储器。该第一存储器与第二存储器是不同的存储器类型的,其中第二存储器是第二存储器类型的,该第二存储器类型具有与第一存储器类型的功率消耗特性的不同的功率消耗特性。如果操作模式不是第一模式,则做出关于将数据存储到第一存储器还是第二存储器的确定。该确定是基于在计算机系统上被执行的过程的存储器需求;过程的类型,该过程的类型指示由过程操纵的数据的类型或者由过程生成的数据的类型;数据在过程完成后是否被留存;或者数据在操作系统的第一模式期间是否被留存。
附图说明
图1描绘了包括耦合到集成电路的第一存储器和第二存储器的示例计算机架构。
图2描绘了另一示例计算机架构,包括耦合到应用处理器或者蜂窝处理器的一个或者多个低功率DDR同步动态随机存取存储器封装体上封装体/分立器件以及一个或者多个双倍数据速率同步动态随机存取存储器器件。
图3描绘了包括关于在手持式设备中使用的应用处理器或者蜂窝处理器和DDR SDRAM的示例使用情况的信息的表格。
图4是描绘了用于包括多个不同类型的DDR SDRAM的计算机架构的软件管理方法的示例逻辑的流程图。
图5描绘了包括分别耦合到第一存储器和第二存储器的第一存储器控制器和第二存储器控制器的示例计算机架构。
图6是描绘了根据本公开内容的实施例的用于计算机系统中的存储器管理的示例方法的步骤的流程图。
具体实施方式
图1描绘了包括耦合到集成电路106的第一存储器102和第二存储器104的示例计算机架构100。第一存储器102和第二存储器104在集成电路106外部并且分别经由第一接口110和第二接口112耦合到集成电路106的存储器控制器108。第一接口110和第二接口112彼此分离,并且在一个实施例中,它们与存储器控制器108分离或者例如被物理地集成到存储器控制器108中。第一存储器102例如包括一个或者多个DDR2、DDR3、DDR3L、DDR3U或者DDR4SDRAM器件,并且第二存储器104例如包括一个或者多个LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4、移动DDR、或者宽I/O SDRAM器件。集成电路106还包括处理单元114。在一个实施例中,处理单元114是能够处理通过内部或者外部中断被驱动的任务的通用处理器。在集成电路106的一个实施例中,处理单元114连接到各种输入和输出设备(例如,键盘、触摸板、显示设备、扬声器等)。
尽管示例计算机架构100将集成电路106描绘为包括单个处理单元114,然而在其他实施例中,多个处理核被用来执行计算机程序的指令。此外,尽管示例计算机架构100描绘了单个存储器控制器108被耦合到第一存储器102以及第二存储器104,然而在其他实施例中,存储器102、104中的每一个被耦合到分离的存储器控制器。在一个实施例中,集成电路106是将处理单元114、存储器控制器108、接口110、112和各种其他部件集成在单个芯片中的片上系统(即,SoC)。在一个实施例中,集成电路106是电池消耗型移动设备(例如,手持式计算设备、智能电话、蜂窝电话、个人数字助理、平板计算机或者膝上型计算机等)或者任何其他类型的计算机系统(例如,台式计算机、服务器等)的一部分。
在图1的示例计算机架构100中,处理单元114经由存储器控制器108和接口110、112被分别耦合到第一存储器102和第二存储器104。当处理单元114需要访问第一存储器102或者第二存储器104时,从处理单元114向存储器控制器108发送读取请求或者写入请求,存储器控制器108转而向第一存储器102或者第二存储器104发送对应的读取请求或者写入请求。因此,来自处理单元114的数据被写入到第一存储器102或者第二存储器104,或者数据被从第一存储器102或者第二存储器104读取到处理单元114。
在图1的示例计算机架构100中,第一存储器102和第二存储器104是两种不同的存储器类型(即,族)的,其中不同的存储器类型在某些方面具有变化的特性。例如,在一个实施例中,当在待机模式中操作时,与第一存储器102相比,第二存储器104消耗更少数量的功率。待机模式是用来保持(即,留存)数据值的低功率模式,并且在这一模式期间不从存储器读取数据也不向存储器写入数据。在一个实施例中,在活跃的正常使用模式期间,第一存储器102和第二存储器104消耗类似数量的功率,并且类似地,在一个实施例中,在重负荷使用的多媒体模式期间,存储器102、104消耗类似数量的功率。在活跃的正常使用模式和重负荷使用的多媒体模式期间,从存储器读取数据、向存储器写入数据、并且将数据保持在存储器中。在一个实施例中,第一存储器102和第二存储器104还在成本方面不同,其中与第二存储器104相比,第一存储器102具有更低成本。在一个实施例中,通过利用第一存储器102和第二存储器104的组合(其中它们具有变化的功率消耗和成本特性),图1的示例计算机架构100同时对于功率消耗和成本两者被优化。在一个实施例中,通过根据数据的预期使用需要来选择性地在一个类型或者另一个类型的存储器处存储和访问数据从而利用不同存储器的变化的功率消耗特性,功率消耗和成本被进一步优化。在一个实施例中,选择性地存储和访问数据被操作系统(OS)或者应用控制。
具体而言,在一个示例中,计算机架构100的成本和功率消耗特性通过根据某些标准动态地接通或者关断第一存储器102而同时被优化。在一个示例中,更高成本、更低功率消耗的第二存储器104基本上在所有时间被接通并且操作(即,第二存储器104在待机模式、正常使用模式和重负荷使用的多媒体模式中的每个模式期间都被接通并且操作)。在一个实施例中,通过使得更昂贵的第二存储器104相对小并且仅仅留作供例如即使在SoC处于低功率状态时都需要保持可用于访问的数据使用,成本被进一步降低。与之相反,更低成本、更高功率消耗的第一存储器102仅仅在选择的时间段被接通并且操作,而在其他时间段被关断。以这种方式选择性地执行对第一存储器102的接通和关断,以便使得集成电路106在待机模式期间消耗更少功率,同时允许集成电路106以成本高效的方式将其存储器扩展用于重负荷使用的多媒体模式。第一存储器102通过不向第一存储器102供应功率而被关断,从而消除或者降低第一存储器102的自刷新电流和泄露电流。
关于a)第一存储器102是被关断还是接通,以及b)数据是被存储在第一存储器102中还是第二存储器104中的确定基于一个或者多个标准而被做出。该标准包括但不限于:在处理单元114上被执行的OS的操作模式、在处理单元114上被执行的过程的类型、过程的存储器需求以及数据在过程完成之后是否被留存。在一个示例中,如果OS进入待机操作模式(例如,用于留存存储器102、104中的数据值并且禁止对存储器102、104的读取和写入操作的低功率模式),则第一存储器102被关断。在待机模式中,集成电路106的存储器需求为低至中。在OS的待机模式期间,第一存储器102被关断,这是因为当在待机模式中操作时,与第二存储器104相比,第一存储器102消耗更高数量的功率。因此,在一个实施例中,当OS在待机模式中时,其被配置成关断向第一存储器102供应的功率,并且使得第二存储器104执行所有必要的数据留存操作。因此,通过关断向高功率第一存储器的功率供应,降低了能量消耗。同时,由于仅仅不应当丢失的那部分数据使用低功率存储器104被留存,所以相对昂贵的第二存储器104的尺寸被减小。
在另一示例中,在处理单元114上被执行的过程是多媒体计算机程序(例如,交互式视频游戏程序、视频记录程序等),其中,多媒体计算机程序的存储器需求为高。在一个实施例中,由于多媒体计算机程序要求对大数量数据的存储或者由于多媒体计算机程序要求高数据吞吐率(即,从存储器102、104读取数据或者将数据存储到存储器102、104中的高速率)这一事实,存储器需求为高。为了适应多媒体计算机程序的高存储器需求,当多媒体计算机程序在操作时,第一存储器102被接通,从而扩展在计算机架构100中可用的存储器。如上所述,第二存储器104被配置成基本上在所有时间操作,包括重负荷使用的多媒体模式。接通第一存储器102将可用存储器扩展成高于第二存储器104的可用存储器,从而使得与多媒体计算机程序相关联的数据被存储在第一存储器102中。在多媒体计算机程序完成时,向第一存储器102的功率供应被切断,从而使得第一存储器102在随后的待机模式或者正常使用模式期间不会继续被接通,从而基本上消除例如由于泄露导致的无意的功率消耗。
在另一示例中,关于将数据存储在第一存储器102中还是第二存储器104中的确定基于数据在过程完成时是否被留存而被做出。该数据例如是与该过程相关联的数据(即,由过程操纵的数据或者由过程生成的数据)。如果在过程完成时不需要留存与处理相关联的数据,则该过程或者与过程相关联的数据被存储在第一存储器102中。如果在过程完成时必须留存与过程相关联的数据,则该过程或者与过程相关联的数据不被加载到第一存储器102中,而是作为替代被存储在第二存储器104中。如上所述,通过当在过程完成后必须留存数据时不将该数据存储在第一存储器102中,第一存储器102在待机数据留存模式中被关断,而不会丢失任何数据值。由于当在待机数据留存模式中操作时第一存储器104消耗更高数量的功率,所以在这一模式中关断第一存储器102允许在示例计算机架构100中的更低的功率消耗。
以上描述的用于接通和关断第一存储器102以及用于确定将数据存储到第一存储器102还是第二存储器104的基本概念是示例,并且在其他实施例中,使用各种其他因素来管理存储器102、104(例如,基于数据访问速率、存储器尺寸等的因素)。此外,尽管图1的示例计算机架构100描绘了两个存储器102、104和两个接口110、112,但是在其他实施例中,使用更大数量的不同类型存储器和对应的接口。如上所述,使用两个存储器102、104和两个接口110、112允许示例计算机架构100同时优化成本和功率消耗变量。在其他实施例中,通过利用具有其他特性的其他存储器来代替存储器102、104或者通过添加在某些方面与存储器102、104不同的附加存储器,示例计算机架构100针对其他变量或者附加的变量被优化。例如,在一个实施例中,除了在图1的示例中被优化的成本和功率变量之外,示例计算机架构100针对速度或者数据访问速率变量被优化。
图2描绘了另一示例计算机架构200,其包括耦合到应用处理器或者蜂窝处理器206的一个或者多个低功率DDR同步动态随机存取存储器封装体上封装体(PoP)/分立器件202以及一个或者多个双倍数据速率同步动态随机存取存储器204。在一个实施例中,一个或者多个低功率DDR同步动态随机存取存储器PoP/分立器件(此后被称为“LPDDR存储器”)202包括一个或者多个LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4、移动DDR或者宽I/O存储器。在一个实施例中,一个或者多个双倍数据速率同步动态随机存取存储器器件(此后被称为“DDR存储器”)204包括一个或者多个DDR2、DDR3、DDR3L、DDR3U或者DDR4存储器。LPDDR存储器202和DDR存储器204在应用处理器或者蜂窝处理器206外部,并且分别经由第一LPDDR、DDR PHY接口(即,物理接口)210和第二LPDDR、DDR PHY接口212被耦合到应用处理器或者蜂窝处理器206的双通道DDRSDRAM存储器控制器208。第一接口210和第二接口212彼此分离。在一个实施例中,第一接口210和第二接口212被集成在存储器控制器208中,或者第一接口210和第二接口212与存储器控制器208物理上分离并且经由适当的连接耦合到存储器控制器208。
在一个实施例中,应用处理器或者蜂窝处理器206在手持式设备平台(诸如智能电话、膝上型计算机、平板计算机或者任何其他类型的计算机系统(例如,台式计算机或者服务器))中被使用。应用处理器或者蜂窝处理器206被配置成执行指令以支持手持式设备的OS、手持式设备的联网和无线传输协议以及手持式设备的任何数量的其他应用(例如,游戏、视频记录、音乐回放、web浏览、电子邮件等)。处理器206的双通道DDR SDRAM存储器控制器208被配置成同时支持多个不同的DDR SDRAM类型(即,族),包括在图2中描绘的LPDDR存储器类型和DDR存储器类型。存储器控制器208的双通道本质意味着第一通道216和第二通道218中的每个通道具有其自身的PHY物理接口(即,在图2中分别为PHY接口210、212)等。双通道存储器控制器208允许LPDDR存储器202和DDR存储器204的混合,其中LPDDR存储器202通过第一通道216与处理器206对接,并且DDR存储器204通过第二通道218与处理器206对接。在一个实施例中,LPDDR存储器202和DDR存储器204以相同频率或者类似频率被操作。
LPDDR存储器202和DDR存储器204在a)成本以及b)在待机模式中的功率消耗方面彼此不同。在一个实施例中,待机模式是用于留存数据值的低功率模式,其中不允许对存储器202、204的读取和写入操作。LPDDR存储器202和DDR存储器204的组合允许计算机架构200同时对于成本和功率消耗两者被优化。在待机模式中,与DDR存储器204相比,LPDDR存储器202具有更低的功率消耗。例如,在待机模式中,LPDDR存储器202的功率消耗在数量级上比DDR存储器204好三倍。作为一个示例,MicronMT41K128M16DDR3L,533MHz-993MHz,2Gb在1.35V具有为12mA的自刷新电流(IDD6),从而导致在低功率待机模式中为16.2mW的功率消耗,并且Micron MT41J128M16DDR3533MHz-1066MHz,2Gb在1.5V具有为12mA的自刷新电流(IDD6),从而导致在低功率待机模式中为18mW的功率消耗。对比而言,例如,MicronMT42L128M16LP DDR2,533MHz,2Gb在1.8V具有为1.2mA加上在1.2V具有为2.5mA的自刷新电流(IDD6),从而导致在低功率待机模式中为5.16mW的功率消耗。在一个实施例中,在活跃功率模式(即,用于在存储器202、204中读取、写入和保持数据的模式)中,在LPDDR存储器202和DDR存储器204之间在功率消耗几乎没有差异,并且在一个实施例中,LPDDR存储器202和DDR存储器204的性能类似。在一个实施例中,LPDDR存储器202比DDR存储器204更昂贵(例如,在数量级上贵1.7至2.0倍)。
在图2的示例计算机架构200中,LPDDR存储器202充当被配置成基本上在所有时间都被接通并且操作的持久性存储器(例如,LPDDR存储器202在待机模式、正常使用模式以及重负荷多媒体使用模式中的每个模式期间操作)。在一个实施例中,LPDDR存储器202仅仅需要足够大以存储当架构200进入低功率(即,待机)状态时应当被留存的预期数量的数据,再加上一些附加的空间作为安全措施。示例计算机架构200中的其他存储器是常规的DDR DRAM存储器(例如,DDR存储器204)。DDR存储器204一般而言仅仅用于在重负荷多媒体使用模式期间扩展可用存储器(例如,当处理器206上的存储器需求为高时,其中高存储器需求要求对大数量数据的存储或者数据的高吞吐量)。因此,基于处理器206上的存储器需求或者基于在处理器206上被执行的过程的存储器需求而接通或者关断DDR存储器204。此外,如以下所描述的,基于关于在过程完成后是否需要将要存储的数据留存在存储器中的确定而将DDR存储器204用于数据存储。如果在过程完成之后不需要留存数据,则将DDR存储器204用于存储该数据。
在图2的示例计算机架构200中,利用LPDDR存储器202和DDR存储器204的混合,用于正常使用情况和低功率待机使用情况的基本存储器仅仅包括LPDDR存储器202。在一个实施例中,基本存储器是应用处理器或者蜂窝处理器206能够访问的总共4Gb地址映射中的1Gb。对于正常使用情况和低功率待机使用情况,DDR存储器204被关断的。在一个实施例中,在低功率待机使用情况期间,被接通的LPDDR存储器202处于自刷新模式。通过动态添加(即,接通)DDR存储器204,在图2的示例计算机架构200中的可用存储器在重负荷多媒体使用情况中被扩展。在重负荷多媒体使用情况期间,LPDDR存储器202保持接通并且被用来存储数据。通过接通DDR存储器204,可用存储器例如被增加到应用处理器或者蜂窝处理器206访问的总共4Gb地址映射中的2Gb。以下关于图3更详细地描述重负荷多媒体使用情况、正常使用情况和待机使用情况的特性。
关于将数据存储在DDR存储器204还是LPDDR存储器202中的确定基于在处理器206上被执行的过程的操作模式(即,过程是否是在重负荷使用的多媒体模式中操作)或者基于过程的存储器需求(即,存储器需求是高、低还是中)而被做出。在一个实施例中,关于将数据存储在DDR存储器204中还是LPDDR存储器202中的确定还基于在过程完成后是否留存数据而被做出。该数据例如包括与过程相关联的数据(例如,由过程操纵的数据或者由过程生成的数据)。如果在过程完成后不需要留存与过程相关联的数据,则该过程或者与过程相关联的数据被存储在DDR存储器204中。如果在过程完成后必须留存与过程相关联的数据,则与过程相关联的数据不被存储在DDR存储器204中,并且该数据作为替代被存储在LPDDR存储器202中。在一个实施例中,通过当在过程完成后必须留存数据时不将数据存储在DDR存储器204中,DDR存储器204在待机数据留存模式期间被关断,从而因此降低示例计算机架构200的功率消耗。如以上所指出的,在待机数据留存模式中,与LPDDR存储器202相比,DDR存储器204消耗更大数量的功率。
在一个实施例中,通过按照以上所述的方式使用LPDDR存储器202和DDR存储器204的组合,降低了示例计算机架构200的材料清单(即,BOM)。如上所述,使用不太昂贵的DDR存储器204来在存储器需求为高或者在过程完成后不需要留存数据的情况下扩展存储器。因为在低功率待机模式期间DDR存储器204被关断并且仅仅LPDDR存储器202被用来存储在低功率待机模式中需要被留存的数据。结果,在一个实施例中,由于在低功率模式中非低功率存储器基本上完全被关断,所以不仅使用了较低成本存储器,此外,架构200的待机电流和功率消耗也被最小化。所描述的存储器管理的方法利用了LPDDR存储器202在例如自刷新模式时的低电流优点。
在计算机架构200中使用的LPDDR存储器202(即,包括一个或者多个LPDDR2、LPDDR3、LPDDR4、移动DDR或者宽I/O SDRAM器件)和DDR存储器204(即,包括一个或者多个DDR2、DDR3、DDR3L、DDR3U或者DDR4S DRAM器件)仅仅是示例。以上关于图2描述的存储器管理的方法适用于包括两个或者更多个类型的片外易失性存储器的所有系统(例如,包括作为封装体上封装体、封装体中的系统、多芯片模块和贯穿硅过孔配置以及作为两个或者多个分立部件可用的存储器和SoC),其中一种类型的易失性更昂贵并且在待机模式期间需要更多功率,而另一种类型不太昂贵但是具有更高待机电流。在其他实施例中,与以上关于图2描述的计算机架构和存储器管理的方法类似的计算机架构和存储器管理的方法使用封装体内的存储器、封装体上封装体配置中的存储器、在贯穿硅过孔配置中的存储器或者一个或者多个分立存储器被实现。此外,双通道存储器控制器208是一个示例,并且在其他实施例中,使用包括多于两个通道(即,包括多于两个物理接口)的多通道存储器控制器。在另一实施例中,不使用双通道存储器控制器208,并且作为替代使用两个或者更多个分离的存储器控制器,其中分离的存储器控制器中的每个存储器控制器是单通道或者多通道存储器控制器。
图3描绘了包括关于在手持式设备中使用的应用处理器或者蜂窝处理器和DDR SDRAM的示例使用情况的信息的表格300。表格300中包括的列包括操作模式302、示例功能304、存储器需求306以及存储器使用308。操作模式列302描述由应用处理器或者蜂窝处理器和DDR SDRAM支持的操作模式。在一个实施例中,操作模式由操作系统(OS)或者在应用处理器或者蜂窝处理器上被执行的一个或者多个过程决定。例如,在一个实施例中,OS使得应用处理器或者蜂窝处理器和DDR SDRAM进入待机低功率(即,数据留存)模式。相反,例如,在一个实施例中,具有使得将视频被记录在手持式设备上的指令的特定过程(例如,计算机程序)使得应用处理器或者蜂窝处理器和DDR SDRAM在重负荷使用多媒体操作模式中操作。
如在表格300中所描绘的,对于重负荷使用/多媒体使用操作模式,示例功能包括交互式游戏应用和视频记录应用等。重负荷使用/多媒体使用操作模式中的存储器需求为高,并且应用处理器或者蜂窝处理器和DDR SDRAM的活跃功率在手持式设备的总体功率消耗中扮演重要角色。参照图2,示例计算机架构200包括LPDDR存储器202和DDR存储器204。在重负荷使用/多媒体使用操作模式期间,LPDDR存储器202和DDR存储器204两者都被接通并且用来存储数据。从在应用处理器或者蜂窝处理器上被执行的软件的角度来看,计算机系统架构的可用物理存储器在重负荷使用/多媒体使用模式期间处于其最大值,这是由于可用存储器包括所有可用的DDRSDRAM存储器(例如,LPDDR存储器202和DDR存储器204两者)。在一个实施例中,当以相同频率运行时,LPDDR存储器202和DDR存储器204的活跃功率消耗和性能类似。由于在该实施例中活跃功率消耗和性能中的类似性,对于软件来说透明的是存储器缓冲器中的一些存储器缓冲器被分配给LPDDR存储器202并且存储器缓冲器中的一些存储器缓冲器被分配给DDR存储器204。
如在表格300中所图示的,对于正常使用操作模式,示例功能包括音乐回放、web浏览和电子邮件功能等。正常使用操作模式中的存储器需求为中,并且应用处理器或者蜂窝处理器和DDRSDRAM的活跃功率在手持式设备的总体功率消耗中扮演重要角色。参照图2,在一个实施例中,在正常使用操作模式期间,软件决定通过关断DDR存储器204来将其存储器使用最小化到基本存储器并且降低功率,从而使得LPDDR存储器202是在正常使用模式期间被使用的仅有存储器。尽管图3的表格指示出在正常使用操作模式期间DDR存储器204被关断,然而在其他示例中,在正常使用操作模式期间,允许DDR存储器204保持被接通并且存储数据。
在待机操作模式中,示例功能包括数据留存(即,在待机模式期间,数据值被简单地保持在存储器中,并且数据值不被写入存储器也不从存储器读取)。在待机操作模式中的存储器需求为低至中,并且手持式设备的功率消耗由应用处理器或者蜂窝处理器和DDRSDRAM的待机电流决定。在待机操作模式中,DDR存储器204被关断,并且仅仅LPDDR存储器202被接通。LPDDR存储器202的内容需要被留存,并且因此LPDDR存储器202进入自刷新状态,并且使DDR存储器204(如果还未被关断)关断(即,对于存储在DDR存储器204中的数据没有数据留存)。在一个实施例中,由于在待机操作模式中DDR存储器204被关断,所以关于是否将数据存储到DDR存储器204的确定基于在过程完成后是否需要留存数据而被做出。这是以上参照图2被描述的。
图4是描绘了用于包括多个不同类型的DDR SDRAM的计算机架构的软件管理方法的示例逻辑的流程图400。如以上参照图2所述,在包括LPDDR存储器202和DDR存储器204的计算机架构200中,基于在处理单元上被执行的过程的存储器需求、在处理器206上执行的OS的操作模式或者过程的数据留存需求管理DDR存储器204(即,是接通还是关断的以及是否用来存储数据)。图4的流程图400的示例逻辑图示了在管理DDR存储器204中评估和使用这些变量的示例方法。在402,计算机架构的可用存储器被划分为组1和组2。可用存储器包括LPDDR DRAM器件和DDR DRAM器件。组1被指派给映射到LPDDR DRAM器件的地址,在低功率模式期间LPDDR DRAM器件是状态留存的。组2被指派给映射到DDRDRAM器件的地址,在低功率模式期间DDR DRAM器件的功率被关断。
在404,OS被加载,并且从组1执行OS内核。应用和应用的工作空间驻留在组1或者组2中的任一个组中。在406,做出关于OS是否需要加载任务的确定。在406,还做出关于运行的应用或者任务是否请求OS分配存储器的确定。如果没有任务被加载并且运行的应用或者任务不需要OS分配存储器,则在408,做出关于OS是否能够进入待机模式的确定。如果OS不能进入待机模式,则再次做出在406的确定。如果OS能够进入待机模式,则在410,LPDDR器件被置于自刷新状态,并且DDR器件被关断功率。此时,在待机模式期间不需要的所有应用和任务被终止,并且被指派给这些应用和任务的存储器变得空闲。在412,做出关于OS是否能够退出待机模式的确定。贯穿待机模式的时序时间,重复在412的确定,直到OS能够退出待机模式。当OS能够退出OS待机模式时,在414,DDR器件的功率被接通并且被重新初始化,并且LPDDR器件被带出自刷新状态。在接通DDR器件的功率并且将LPDDR器件带出自刷新状态后,再次做出在406的确定。
如果确定OS需要加载任务或者如果确定运行的应用或者任务请求OS分配存储器,则在416,做出关于任务或者应用是否是在待机模式期间需要驻留在存储器中的类型的确定。如果在待机模式期间不需要任务驻留在存储器中,则在418,OS将任务加载到组2中或者向应用或者任务指派来自组2的缓冲器。如果在待机模式期间需要任务驻留在存储器中,则在420,OS将任务加载到组1中或者向应用或者任务指派来自组1的缓冲器。基于在416的确定将任务加载到组1或者组2中的任一个组中反映了以下事实:当在待机模式中执行数据留存时,与DDR DRAM器件相比,LPDDR DRAM器件消耗更低数量的功率。由于这一事实,在一个实施例中,DDRDRAM器件仅被用于存储与在待机模式期间不需要驻留在存储器中的任务相关联的数据。在任务被加载到组1或者组2中之一或者任务或者应用被指派了来自组1或者组2的缓冲器之后,再次做出在406的关于OS是否需要加载任务的确定。
图5描绘了包括分别耦合到第一存储器502和第二存储器504的第一存储器控制器508和第二存储器控制器509的示例计算机架构500。在图5中,第一存储器控制器508和第二存储器控制器509是集成电路506的一部分,并且都耦合到集成电路506的处理单元514。第一接口510和第二接口512分别用于将第一存储器控制器508和第二存储器控制器509与第一存储器502和第二存储器504耦合。尽管在图5中描绘了两个存储器502、504,两个接口510、512和两个存储器控制器508、509,然而在其他实施例中,使用每个这些部件中的多于两个(例如,如由图5中的在存储器、接口和存储器控制器之间的虚线所指示的)。存储器502、504为两个不同的存储器类型,其中两个不同的存储器类型具有不同的功率消耗特性。
根据以上关于图1至图4描述的方法来管理存储器502、504。由于在图5的示例中使用两个分离的存储器控制器508、509的事实,图5的示例计算机架构500与以上描述的计算机架构不同,其中先前附图利用了单个双通道存储器控制器(例如,在图1和图2中分别为双通道存储器控制器108、208)。使用分离的存储器控制器508、509允许在实现与针对图1至4描述的类似的计算机架构和存储器管理的方法中使用单通道存储器控制器。
图6是描绘了根据本公开内容的实施例的用于计算机系统中的存储器管理的示例方法的步骤的流程图600。在602,确定OS的操作模式。在604,如果操作模式是第一模式,则为第一存储器类型的第一存储器被关断。第一存储器与第二存储器是不同存储器类型的,其中第二存储器是第二存储器类型的,该第二存储器类型具有与第一存储器类型的功率消耗特性不同的功率消耗特性。在606,如果操作模式不是第一模式,则做出关于将数据存储到第一存储器还是第二存储器的确定。该确定例如基于以下各项中的一个或者多个:在计算机系统上被执行的过程的存储器需求;过程的类型,其中过程的类型指示由过程操纵的数据的类型或者由过程生成的数据的类型;在过程完成后是否留存数据;或者在OS的第一模式期间是否留存数据。在某些实施例中,使用其他不同适当的度量来做出这一确定。
本说明书描绘了关于使得本领域技术人员能够做出和使用要求保护的本发明的示例。可专利范围包括其他示例。此外,在各种实施例中,通过包括能够由设备处理子系统执行的程序指令的程序代码,本文描述的方法和系统被实现在许多不同类型的处理设备上。软件程序指令包括源代码、目标代码、机器代码、或者可操作以使得处理系统执行本文描述的方法和操作的任何其他存储的数据。然而,在一个实施例中使用其他实现方式,诸如固件或者甚至被配置为执行本发明描述的方法和系统的适当设计的硬件。
本申请使用示例来例示本发明。本发明的可专利范围包括其他示例。

Claims (20)

1.一种计算机系统,包括:
集成电路,所述集成电路包括:
处理单元,以及
耦合到所述处理单元的存储器控制器,所述存储器控制器包括被配置为将所述存储器控制器分别与第一存储器和第二存储器耦合的第一接口和第二接口,其中所述第二接口与所述第一接口分离;
第一存储器类型的所述第一存储器,所述第一存储器通过所述第一接口耦合到所述存储器控制器;以及
所述第二存储器,所述第二存储器通过所述第二接口耦合到所述存储器控制器,所述第二存储器是第二存储器类型,所述第二存储器类型具有与所述第一存储器类型的功率消耗特性不同的功率消耗特性。
2.根据权利要求1所述的计算机系统,其中所述第一存储器是双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM),并且其中所述第二存储器是低功率双倍数据速率同步动态随机存取存储器(LPDDR SDRAM)或者移动双倍数据速率存储器。
3.根据权利要求1所述的计算机系统,
其中当在待机模式中操作时所述第二存储器比所述第一存储器消耗更少功率,所述待机模式是用于保持数据值并且禁止数据被读取和写入的低功率模式;
其中当在活跃模式中操作时所述第一存储器和第二存储器消耗相同或者类似数量的功率,所述活跃模式用于读取、写入和保持数据值;以及
其中所述第一存储器和所述第二存储器以相同或者类似频率操作。
4.根据权利要求3所述的计算机系统,其中所述第二存储器在所述待机模式期间被状态留存,并且其中所述第一存储器在所述待机模式期间被关断,所述第一存储器通过不向所述第一存储器供应功率而被关断以消除或者降低所述第一存储器的泄露电流。
5.根据权利要求3所述的计算机系统,其中基于以下做出关于将数据存储到所述第一存储器还是所述第二存储器的确定:
在所述处理单元上被执行的过程的存储器需求;
所述过程的类型,其中所述过程的类型指示由所述过程操纵的数据的类型或者由所述过程生成的数据的类型;
在所述处理单元上被执行的操作系统的操作模式,所述操作系统的所述操作模式包括所述待机模式和活跃模式;
所述过程是否是在所述待机模式期间不需要驻留在所述第一存储器或者第二存储器中的类型;
所述数据在所述过程完成后是否被留存;或者
所述数据在所述待机模式期间是否被留存。
6.根据权利要求5所述的计算机系统,其中当所述过程的存储器需求为高时所述数据被存储在所述第一存储器中,高存储器需求包括对大数量数据的存储或者高速率,以所述高速率从所述第一存储器或者所述第二存储器读取所述数据或者向所述第一存储器或者所述第二存储器中存储所述数据。
7.根据权利要求5所述的计算机系统,其中当所述处理单元执行用于多媒体计算机程序的指令时所述数据被存储在所述第一存储器中,所述多媒体计算机程序包括交互式游戏功能或者视频记录功能。
8.根据权利要求1所述的计算机系统,其中在所述计算机系统的正常使用操作模式期间所述第一存储器被关断以降低所述计算机系统的功率消耗,所述第一存储器通过不向所述第一存储器供应功率而被关断以消除或者降低所述第一存储器的泄漏电流,并且其中所述正常使用操作模式包括音乐回放、web浏览或者电子邮件功能。
9.根据权利要求1所述的计算机系统,
其中所述处理单元是被配置为在移动设备中操作的蜂窝处理器或者应用处理器,所述蜂窝处理器或者所述应用处理器被配置为执行用于所述移动设备的操作系统、所述移动设备的应用或者所述移动设备的联网协议的指令,以及
其中所述存储器控制器是被配置为同时与多个类型的双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)对接的双通道存储器控制器,所述双通道存储器控制器包括作为物理(PHY)接口的所述第一接口和所述第二接口。
10.根据权利要求1所述的计算机系统,其中所述计算机系统是消耗来自电池的功率的移动设备。
11.一种计算机系统中的存储器管理方法,所述方法包括:
确定操作系统的操作模式;
如果所述操作模式是第一模式则关断为第一存储器类型的第一存储器,所述第一存储器与第二存储器是不同的存储器类型,其中所述第二存储器是第二存储器类型,所述第二存储器类型具有与所述第一存储器类型的功率消耗特性的不同的功率消耗特性;以及
如果所述操作模式不是所述第一模式则基于以下做出关于将数据存储到所述第一存储器还是所述第二存储器的确定:
在所述计算机系统上被执行的过程的存储器需求,
所述过程的类型,所述过程的类型指示由所述过程操纵的数据的类型或者由所述过程生成的数据的类型,
所述数据在所述过程完成后是否被留存,或者
所述数据在所述操作系统的所述第一模式期间是否被留存。
12.根据权利要求11所述的方法,还包括:
做出关于将所述数据存储到所述第一存储器还是所述第二存储器的确定,其中所述第一存储器是双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM),并且其中所述第二存储器是低功率双倍数据速率同步动态随机存取存储器(LPDDR SDRAM)或者移动双倍数据速率存储器。
13.根据权利要求11所述的方法,还包括:
做出关于将所述数据存储到所述第一存储器还是所述第二存储器的确定,其中当在待机模式中操作时所述第二存储器比所述第一存储器消耗更少的功率,所述待机模式是用于保持数据值并且禁止数据被读取和写入的低功率模式,其中当在活跃模式中操作时所述第一存储器和所述第二存储器消耗相同或者类似数量的功率,所述活跃模式用于读取、写入和保持数据值,并且其中所述第一存储器和所述第二存储器以相同或者类似频率操作。
14.根据权利要求11所述的方法,还包括:
如果所述过程是在所述待机模式期间不需要驻留在所述第一存储器或者所述第二存储器中的类型:
通过向所述第一存储器供应功率来接通所述第一存储器,供应的所述功率使得所述第一存储器能够存储数据值,以及
将所述过程加载到所述第一存储器中或者向所述过程指派来自所述第一存储器的缓冲器;以及
如果所述过程是在所述待机模式期间需要驻留在所述第一存储器或者所述第二存储器中的类型:
通过不向所述第一存储器供应所述功率来关断所述第一存储器以消除或者降低所述第一存储器的泄漏电流,以及
将所述过程加载到所述第二存储器中或者向所述过程指派来自所述第二存储器的缓冲器。
15.根据权利要求11所述的方法,还包括:
当所述过程的存储器需求为高时将所述数据存储在所述第一存储器中,高存储器需求包括对大数量数据的存储或者高速率,以所述高速率从所述第一存储器或者所述第二存储器读取所述数据或者将所述数据存储到所述第一存储器或者所述第二存储器中。
16.根据权利要求11所述的方法,还包括:
当所述处理单元执行用于多媒体计算机程序的指令时将所述数据存储在所述第一存储器中,所述多媒体计算机程序包括交互式游戏功能或者视频记录功能。
17.根据权利要求11所述的方法,还包括:
在所述计算机系统的正常使用操作模式期间关断所述第一存储器以降低所述计算机系统的功率消耗,所述第一存储器通过不向所述第一存储器供应功率而被关断以消除或者降低所述第一存储器的泄漏电流,其中所述正常使用操作模式包括音乐回放、web浏览或者电子邮件功能。
18.根据权利要求11所述的方法,还包括:
关断耦合到所述存储器控制器的第一存储器,其中所述存储器控制器是被配置为同时与多个类型的双倍数据速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)对接的双通道存储器控制器,所述双通道存储器控制器包括作为物理(PHY)接口的所述第一接口和所述第二接口。
19.根据权利要求11所述的方法,还包括:
确定所述计算机系统的所述操作系统的所述操作模式,其中所述计算机系统是消耗来自电池的功率的移动设备。
20.根据权利要求11所述的方法,还包括:
基于所述计算机系统的功率消耗做出关于将所述数据存储到所述第一存储器还是所述第二存储器的确定,其中做出所述确定以降低所述计算机系统的功率消耗。
CN201380024937.6A 2012-05-08 2013-05-07 计算机系统和存储器管理的方法 Active CN104303167B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261644359P 2012-05-08 2012-05-08
US61/644,359 2012-05-08
US201261717884P 2012-10-24 2012-10-24
US61/717,884 2012-10-24
PCT/IB2013/001286 WO2013167970A1 (en) 2012-05-08 2013-05-07 Computer system and method of memory management

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104303167A true CN104303167A (zh) 2015-01-21
CN104303167B CN104303167B (zh) 2018-01-23

Family

ID=48951468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380024937.6A Active CN104303167B (zh) 2012-05-08 2013-05-07 计算机系统和存储器管理的方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9881657B2 (zh)
KR (1) KR101665611B1 (zh)
CN (1) CN104303167B (zh)
WO (1) WO2013167970A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107430548A (zh) * 2015-03-06 2017-12-01 东芝存储器株式会社 存储装置的控制方法、及存储装置
CN110609805A (zh) * 2018-06-14 2019-12-24 格科微电子(上海)有限公司 系统级芯片的实现方法
CN110727401A (zh) * 2019-09-09 2020-01-24 无锡江南计算技术研究所 一种访存系统
CN111104358A (zh) * 2018-10-26 2020-05-05 美超微电脑股份有限公司 解聚计算机系统
CN111857570A (zh) * 2020-06-10 2020-10-30 瑞芯微电子股份有限公司 一种dram接口类型探测方法及存储介质
CN114860163A (zh) * 2020-04-28 2022-08-05 华为技术有限公司 一种存储系统、内存管理方法和管理节点

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8862973B2 (en) * 2009-12-09 2014-10-14 Intel Corporation Method and system for error management in a memory device
US9158616B2 (en) * 2009-12-09 2015-10-13 Intel Corporation Method and system for error management in a memory device
KR102019717B1 (ko) * 2013-01-29 2019-09-09 삼성전자 주식회사 휴대 단말기의 메모리 관리 장치 및 방법
WO2016023519A1 (en) * 2014-08-15 2016-02-18 Mediatek Inc. Method for managing multi-channel memory device to have improved channel switch response time and related memory control system
US9747963B2 (en) * 2014-11-03 2017-08-29 Mediatek Inc. Multi-channel memory system using asymmetric channel frequency scaling and related power management method
CN107112043B (zh) 2015-01-28 2021-01-29 惠普发展公司有限责任合伙企业 支持不同类型的存储器装置
US10268382B2 (en) * 2015-06-18 2019-04-23 Mediatek Inc. Processor memory architecture
US9824742B1 (en) 2016-04-28 2017-11-21 Qualcomm Incorporated DRAM access in self-refresh state
US10628064B2 (en) * 2017-08-17 2020-04-21 Qualcomm Incorporated Parameter override mechanism for memory systems
US11262921B2 (en) * 2017-12-21 2022-03-01 Qualcomm Incorporated Partial area self refresh mode
US11768701B2 (en) * 2019-09-17 2023-09-26 Western Digital Technologies, Inc. Exception analysis for data storage devices
US11733763B2 (en) * 2020-08-06 2023-08-22 Micron Technology, Inc. Intelligent low power modes for deep learning accelerator and random access memory

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1286442A (zh) * 1999-08-31 2001-03-07 皇家菲利浦电子有限公司 具有共享一个共用存储器的多个处理器的装置
US20030061432A1 (en) * 1997-12-17 2003-03-27 Huppenthal Jon M. Computer system architecture and memory controller for close-coupling within a hybrid processing system utilizing an adaptive processor interface port
CN101689145A (zh) * 2007-03-30 2010-03-31 拉姆伯斯公司 包括具有不同类型集成电路存储器设备的分层存储器模块的系统
US20100232247A1 (en) * 2009-03-16 2010-09-16 Canon Kabushiki Kaisha Data storage apparatus and control method of data storage apparatus
US20100281309A1 (en) * 2009-04-30 2010-11-04 Gilbert Laurenti Power Management Events Profiling
CN102402490A (zh) * 2010-09-16 2012-04-04 苹果公司 具有与业务类别关联的端口的多端口存储器控制器

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6378018B1 (en) 1997-10-10 2002-04-23 Intel Corporation Memory device and system including a low power interface
JP2002007200A (ja) * 2000-06-16 2002-01-11 Nec Corp メモリ制御装置及び動作切替方法並びにインターフェース装置、半導体集積チップ、記録媒体
JP3756818B2 (ja) 2002-01-09 2006-03-15 株式会社メガチップス メモリ制御回路および制御システム
US7114041B2 (en) 2002-12-20 2006-09-26 Lsi Logic Corporation AMBA modular memory controller
US7243254B1 (en) * 2003-11-05 2007-07-10 Lsi Corporation Low power memory controller that is adaptable to either double data rate DRAM or single data rate synchronous DRAM circuits
JP4789420B2 (ja) * 2004-03-04 2011-10-12 トヨタ自動車株式会社 車両制御システムにおけるデータ処理装置
JP2009163582A (ja) * 2008-01-09 2009-07-23 Sony Corp メモリ制御装置およびメモリシステム
US20090292934A1 (en) * 2008-05-22 2009-11-26 Ati Technologies Ulc Integrated circuit with secondary-memory controller for providing a sleep state for reduced power consumption and method therefor
US8281169B2 (en) * 2008-08-27 2012-10-02 Wireless Silicon Group, Inc. Method and system for power management for a handheld mobile electronic device executing-in-place an application kernel from execute-in-place non-volatile memory (XIP NVM)
WO2011080771A1 (en) * 2009-12-29 2011-07-07 Marco Ferrario Timing violation handling in a synchronous interface memory
US8589650B2 (en) * 2010-05-17 2013-11-19 Texas Instruments Incorporated Dynamically configurable memory system
US20120072677A1 (en) * 2010-09-16 2012-03-22 Sukalpa Biswas Multi-Ported Memory Controller with Ports Associated with Traffic Classes
US8314807B2 (en) * 2010-09-16 2012-11-20 Apple Inc. Memory controller with QoS-aware scheduling
US8930647B1 (en) * 2011-04-06 2015-01-06 P4tents1, LLC Multiple class memory systems
US20120272036A1 (en) * 2011-04-22 2012-10-25 Naveen Muralimanohar Adaptive memory system
US9619357B2 (en) * 2011-09-28 2017-04-11 International Business Machines Corporation Hybrid storage devices
JP2013109707A (ja) * 2011-11-24 2013-06-06 Toshiba Corp 情報処理装置、及びプログラム

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030061432A1 (en) * 1997-12-17 2003-03-27 Huppenthal Jon M. Computer system architecture and memory controller for close-coupling within a hybrid processing system utilizing an adaptive processor interface port
CN1286442A (zh) * 1999-08-31 2001-03-07 皇家菲利浦电子有限公司 具有共享一个共用存储器的多个处理器的装置
CN101689145A (zh) * 2007-03-30 2010-03-31 拉姆伯斯公司 包括具有不同类型集成电路存储器设备的分层存储器模块的系统
US20100232247A1 (en) * 2009-03-16 2010-09-16 Canon Kabushiki Kaisha Data storage apparatus and control method of data storage apparatus
US20100281309A1 (en) * 2009-04-30 2010-11-04 Gilbert Laurenti Power Management Events Profiling
CN102402490A (zh) * 2010-09-16 2012-04-04 苹果公司 具有与业务类别关联的端口的多端口存储器控制器

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107430548A (zh) * 2015-03-06 2017-12-01 东芝存储器株式会社 存储装置的控制方法、及存储装置
CN107430548B (zh) * 2015-03-06 2021-02-05 东芝存储器株式会社 存储装置的控制方法、及存储装置
CN110609805A (zh) * 2018-06-14 2019-12-24 格科微电子(上海)有限公司 系统级芯片的实现方法
CN110609805B (zh) * 2018-06-14 2024-04-12 格科微电子(上海)有限公司 系统级芯片的实现方法
CN111104358A (zh) * 2018-10-26 2020-05-05 美超微电脑股份有限公司 解聚计算机系统
CN111104358B (zh) * 2018-10-26 2023-03-28 美超微电脑股份有限公司 解聚计算机系统
CN110727401A (zh) * 2019-09-09 2020-01-24 无锡江南计算技术研究所 一种访存系统
CN114860163A (zh) * 2020-04-28 2022-08-05 华为技术有限公司 一种存储系统、内存管理方法和管理节点
CN114860163B (zh) * 2020-04-28 2023-08-22 华为技术有限公司 一种存储系统、内存管理方法和管理节点
US11861204B2 (en) 2020-04-28 2024-01-02 Huawei Technologies Co., Ltd. Storage system, memory management method, and management node
CN111857570A (zh) * 2020-06-10 2020-10-30 瑞芯微电子股份有限公司 一种dram接口类型探测方法及存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
US9881657B2 (en) 2018-01-30
KR101665611B1 (ko) 2016-10-12
KR20150017725A (ko) 2015-02-17
CN104303167B (zh) 2018-01-23
WO2013167970A1 (en) 2013-11-14
US20130304981A1 (en) 2013-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104303167A (zh) 计算机系统和存储器管理的方法
CN102405498B (zh) 可配置带宽存储器装置及方法
US7826283B2 (en) Memory device and method having low-power, high write latency mode and high-power, low write latency mode and/or independently selectable write latency
US8082437B2 (en) Computer having flash memory and method of operating flash memory
US6876593B2 (en) Method and apparatus for partial refreshing of DRAMS
US6968468B2 (en) Digital computer utilizing buffer to store and output data to play real time applications enabling processor to enter deep sleep state while buffer outputs data
KR20170057704A (ko) 액세스 동작과 리프레쉬 동작의 충돌을 제어하는 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템
US8078890B2 (en) System and method for providing memory performance states in a computing system
US20140032984A1 (en) Memory module and a memory test system for testing the same
CN103593324A (zh) 一种具有自学习功能的快速启动低功耗计算机片上系统
JP2023508660A (ja) ダブルデータレートメモリトレーニングの削減によるメモリコンテキスト復元、システムオンチップのブート時間の短縮
KR20170127948A (ko) 메모리 모듈 및 이를 포함하는 시스템
US10318418B2 (en) Data storage in a mobile device with embedded mass storage device
US20170147230A1 (en) Memory device and memory system having heterogeneous memories
US20220171551A1 (en) Available memory optimization to manage multiple memory channels
JP2022161812A (ja) 低電力のコヒーレントメモリデバイスにアクセスする場合のプロセッサストールの回避法
US20200250060A1 (en) Memory controller and memory system including the memory controller
US11907141B1 (en) Flexible dual ranks memory system to boost performance
KR20190094570A (ko) 메모리 장치의 파워 다운 모드를 동적으로 제어하는 시스템 및 시스템의 제어 방법
CN117762236A (zh) 存储器、存储控制装置、片上系统及终端设备
US20240211160A1 (en) System Memory Training with Chipset Attached Memory
CN110739013B (zh) 动态随机存取存储器
KR20220091358A (ko) 접속된 대기 상태에 있는 메모리 디바이스의 전력 제어
US20060143371A1 (en) Integrated memory management apparatus, systems, and methods
KR20230043692A (ko) 메모리 모듈 데이터 폭의 유연한 구성을 위한 인에이블링 로직

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20200424

Address after: Singapore City

Patentee after: Marvell Asia Pte. Ltd.

Address before: Ford street, Grand Cayman, Cayman Islands

Patentee before: Kaiwei international Co.

Effective date of registration: 20200424

Address after: Ford street, Grand Cayman, Cayman Islands

Patentee after: Kaiwei international Co.

Address before: Hamilton, Bermuda

Patentee before: Marvell International Ltd.

Effective date of registration: 20200424

Address after: Hamilton, Bermuda

Patentee after: Marvell International Ltd.

Address before: Babado J San Mega Le

Patentee before: MARVELL WORLD TRADE Ltd.

TR01 Transfer of patent right