CN104276603A - 一种调节二氧化钒薄膜的带隙的方法 - Google Patents
一种调节二氧化钒薄膜的带隙的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104276603A CN104276603A CN201310283507.8A CN201310283507A CN104276603A CN 104276603 A CN104276603 A CN 104276603A CN 201310283507 A CN201310283507 A CN 201310283507A CN 104276603 A CN104276603 A CN 104276603A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- band gap
- vanadium dioxide
- dioxide film
- oxide powder
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- GRUMUEUJTSXQOI-UHFFFAOYSA-N vanadium dioxide Chemical compound O=[V]=O GRUMUEUJTSXQOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 128
- 229910021542 Vanadium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 127
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 96
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 68
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims abstract description 24
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 22
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical group [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims abstract description 13
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical group [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical group [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical group [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010955 niobium Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical group [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical group [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 19
- 239000004411 aluminium Chemical group 0.000 claims description 11
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 90
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 18
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 22
- 230000008859 change Effects 0.000 description 20
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 19
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 16
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 description 15
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 12
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 10
- 229910001456 vanadium ion Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 9
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000004448 titration Methods 0.000 description 8
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 8
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 8
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001030 Polyethylene Glycol 4000 Polymers 0.000 description 3
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- -1 Zircosol ZN Chemical compound 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Chemical compound O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- KXGVEGMKQFWNSR-UHFFFAOYSA-N deoxycholic acid Natural products C1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)C(O)C2 KXGVEGMKQFWNSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N gallium nitrate Chemical compound [Ga+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N magnesium nitrate Chemical compound [Mg+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O YIXJRHPUWRPCBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LVIYYTJTOKJJOC-UHFFFAOYSA-N nickel phthalocyanine Chemical compound [Ni+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 LVIYYTJTOKJJOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N nickel(ii) nitrate Chemical compound [Ni+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O KBJMLQFLOWQJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical group 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000004984 smart glass Substances 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- VNDYJBBGRKZCSX-UHFFFAOYSA-L zinc bromide Chemical compound Br[Zn]Br VNDYJBBGRKZCSX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M (3-methylphenyl)methyl-triphenylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC1=CC=CC(C[P+](C=2C=CC=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 BNGXYYYYKUGPPF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BHQCQFFYRZLCQQ-UHFFFAOYSA-N (3alpha,5alpha,7alpha,12alpha)-3,7,12-trihydroxy-cholan-24-oic acid Natural products OC1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)C(O)C2 BHQCQFFYRZLCQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVORCBKUUYGUOL-UHFFFAOYSA-N 1-ethynyl-2,4-dimethoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(C#C)C(OC)=C1 IVORCBKUUYGUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMJNEQWWZRSFCE-UHFFFAOYSA-N 3-ethoxy-3-oxo-2-(thiophen-2-ylmethyl)propanoic acid Chemical compound CCOC(=O)C(C(O)=O)CC1=CC=CS1 PMJNEQWWZRSFCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004380 Cholic acid Substances 0.000 description 1
- 229910021556 Chromium(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000186216 Corynebacterium Species 0.000 description 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- 241001481828 Glyptocephalus cynoglossus Species 0.000 description 1
- 102000001554 Hemoglobins Human genes 0.000 description 1
- 108010054147 Hemoglobins Proteins 0.000 description 1
- 229910021617 Indium monochloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000533950 Leucojum Species 0.000 description 1
- 229910021380 Manganese Chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- GLFNIEUTAYBVOC-UHFFFAOYSA-L Manganese chloride Chemical compound Cl[Mn]Cl GLFNIEUTAYBVOC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N Sucrose Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@]1(CO)O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N 0.000 description 1
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H aluminium sulfate (anhydrous) Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N antimony pentoxide Chemical compound O=[Sb](=O)O[Sb](=O)=O LJCFOYOSGPHIOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K bismuth chloride Chemical compound Cl[Bi](Cl)Cl JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940049676 bismuth hydroxide Drugs 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- ONBIUAZBGHXJDM-UHFFFAOYSA-J bismuth;potassium;tetraiodide Chemical compound [K+].[I-].[I-].[I-].[I-].[Bi+3] ONBIUAZBGHXJDM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K bismuth;trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Bi+3] TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- RRTWEEAEXPZMPY-UHFFFAOYSA-N bromo nitrate Chemical compound [O-][N+](=O)OBr RRTWEEAEXPZMPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007707 calorimetry Methods 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- BHQCQFFYRZLCQQ-OELDTZBJSA-N cholic acid Chemical compound C([C@H]1C[C@H]2O)[C@H](O)CC[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@H]([C@@H](CCC(O)=O)C)[C@@]2(C)[C@@H](O)C1 BHQCQFFYRZLCQQ-OELDTZBJSA-N 0.000 description 1
- 229960002471 cholic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000019416 cholic acid Nutrition 0.000 description 1
- OIDPCXKPHYRNKH-UHFFFAOYSA-J chrome alum Chemical compound [K]OS(=O)(=O)O[Cr]1OS(=O)(=O)O1 OIDPCXKPHYRNKH-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229960000359 chromic chloride Drugs 0.000 description 1
- QSWDMMVNRMROPK-UHFFFAOYSA-K chromium(3+) trichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cr+3] QSWDMMVNRMROPK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- GRWVQDDAKZFPFI-UHFFFAOYSA-H chromium(III) sulfate Chemical compound [Cr+3].[Cr+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O GRWVQDDAKZFPFI-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- KXGVEGMKQFWNSR-LLQZFEROSA-N deoxycholic acid Chemical compound C([C@H]1CC2)[C@H](O)CC[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@H]([C@@H](CCC(O)=O)C)[C@@]2(C)[C@@H](O)C1 KXGVEGMKQFWNSR-LLQZFEROSA-N 0.000 description 1
- 229960003964 deoxycholic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001938 differential scanning calorimetry curve Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229940044658 gallium nitrate Drugs 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M indium(1+);chloride Chemical compound [In]Cl APHGZSBLRQFRCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000337 indium(III) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H indium(iii) sulfate Chemical compound [In+3].[In+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O XGCKLPDYTQRDTR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H iron(3+) sulfate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O RUTXIHLAWFEWGM-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910000360 iron(III) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- YXEUGTSPQFTXTR-UHFFFAOYSA-K lanthanum(3+);trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[La+3] YXEUGTSPQFTXTR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);trinitrate Chemical compound [La+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O FYDKNKUEBJQCCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICAKDTKJOYSXGC-UHFFFAOYSA-K lanthanum(iii) chloride Chemical compound Cl[La](Cl)Cl ICAKDTKJOYSXGC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011565 manganese chloride Substances 0.000 description 1
- 235000002867 manganese chloride Nutrition 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000035772 mutation Effects 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- IPLJNQFXJUCRNH-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);dibromide Chemical compound [Ni+2].[Br-].[Br-] IPLJNQFXJUCRNH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BFDHFSHZJLFAMC-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ni+2] BFDHFSHZJLFAMC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGUCKKLSDGRKSH-UHFFFAOYSA-N oxalic acid oxovanadium Chemical compound [V].[O].C(C(=O)O)(=O)O OGUCKKLSDGRKSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I pentachloroniobium Chemical compound Cl[Nb](Cl)(Cl)(Cl)Cl YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 229940059574 pentaerithrityl Drugs 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000015497 potassium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011736 potassium bicarbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000028 potassium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogencarbonate Chemical compound [K+].OC([O-])=O TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940069328 povidone Drugs 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 1
- RCIVOBGSMSSVTR-UHFFFAOYSA-L stannous sulfate Chemical compound [SnH2+2].[O-]S([O-])(=O)=O RCIVOBGSMSSVTR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 1
- YPMOSINXXHVZIL-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneantimony Chemical compound [Sb]=S YPMOSINXXHVZIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CADICXFYUNYKGD-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenemanganese Chemical compound [Mn]=S CADICXFYUNYKGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PUGUQINMNYINPK-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 4-(2-chloroacetyl)piperazine-1-carboxylate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)N1CCN(C(=O)CCl)CC1 PUGUQINMNYINPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000375 tin(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910000349 titanium oxysulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K trifluorolanthanum Chemical compound F[La](F)F BYMUNNMMXKDFEZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H tungsten hexachloride Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)(Cl)(Cl)Cl KPGXUAIFQMJJFB-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002371 ultraviolet--visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 229940102001 zinc bromide Drugs 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L zinc sulfate Chemical compound [Zn+2].[O-]S([O-])(=O)=O NWONKYPBYAMBJT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229960001763 zinc sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910000368 zinc sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrachloride Chemical compound Cl[Zr](Cl)(Cl)Cl DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- ZXAUZSQITFJWPS-UHFFFAOYSA-J zirconium(4+);disulfate Chemical compound [Zr+4].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O ZXAUZSQITFJWPS-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G31/00—Compounds of vanadium
- C01G31/02—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/218—V2O5, Nb2O5, Ta2O5
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/70—Properties of coatings
- C03C2217/74—UV-absorbing coatings
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种调节二氧化钒薄膜的带隙的方法,通过调节用于制备二氧化钒薄膜的二氧化钒粉体的带隙来调节二氧化钒薄膜的带隙,所述方法包括:制备带隙可调的二氧化钒粉体:在水热法制备所述二氧化钒粉体的过程中掺杂入规定量的掺杂元素以使获得的化学组成为V1-xMxO2的二氧化钒粉体的光学带隙在0.6~4.0eV之间连续可调,其中,0<x≤0.5,掺杂元素M为镁、铝、镧、锆、镓、铌、锡、钽、锰、镍、铬、锌、钛、钨、锑、铋、铟或铁;以及制备带隙可调的二氧化钒薄膜:将包含所述带隙可调的二氧化钒粉体的分散液涂覆于衬底上以获得光学带隙在0~4.0eV连续可调的带隙可调的二氧化钒薄膜。
Description
技术领域
本发明涉及化工领域及材料领域中的二氧化钒薄膜制备,特别涉及通过掺杂调节二氧化钒薄膜的带隙的方法。
背景技术
根据统计,我国建筑能耗在社会总能耗中已达到30%,随着我国经济继续发展,建筑节能已成为社会各界共同关注焦点。在建筑能耗中,由玻璃产生的能耗约占建筑能耗的50%,如何降低窗户能耗对节能减排具有重要意义。
目前主要采用Low-E玻璃、气致变色窗和电致变色窗等措施来降低窗户能耗,然而这些节能窗存在成本高、结构复杂、环境自动响应差等不足,无法大规模推广应用。具有智能响应的二氧化钒节能玻璃窗,能机敏适应环境变化而改变进入室内的日照量,实现最大限度的节能,引人关注。
钒的氧化物是多价态、多晶相的复杂体系,其中二氧化钒的晶体结构多达10余种,主要包括A相、B相、C相、M相、R相及水合物等10余种结晶相。目前,研究最多的是具有热致变色性能的M/R相二氧化钒,因其可以广泛应用于智能窗户涂层、光电开光、热敏电阻和光信息存储等领域。
二氧化钒在68℃附近发生可逆相转变,升温过程从单斜结构半导体相变为四方结构的金属相,光学、电学、磁学等性质发生突变。以光学性质为例,低温时在红外光区具有较高的透过率,高温时对外红光具有高的反射和吸收,可见光区在相变前后透过率基本不发生变化,使二氧化钒成为智能窗关键材料。二氧化钒金属相光学带隙为2.5eV,从金属相转变为半导体相过程中,费米面附近能级劈裂,产生一个0.7eV本征带隙,相变后光学带隙仍为2.5eV左右。然而,实验光学带隙值偏低,大约为1.5eV。伴随着结构和电子相变,其光学、电学和磁学等性质发生剧烈变化。这些光学、电学、磁性性质变化与二氧化钒能带结构具有密切关系。
二氧化钒光学、电学和磁学性质通过掺杂、膜系设计和复合膜等手段进行调控,其中掺杂是一种常用的手段。中国专利(CN102120615A)选取21~30过渡元素为掺杂元素来调控二氧化钒粉体形貌和尺寸。中国专利(CN101391814A)利用钨掺杂可以将二氧化钒相变温度降低至室温。可见目前主要利用掺杂手段来调控二氧化钒相变温度、可见光透过率,改善这些性能对二氧化钒具有重要意义。然而目前现有技术并未有任何关于调节二氧化钒带隙的公开。
二氧化钒的带隙与其光学性质、电学性质。二氧化钒薄膜相变前后带隙变化可以很好解释可见光透过率、近红外光透过率和中远红外光反射率变化规律,利用近红外光透过率变化可以应用于智能窗,利用中远红外反射率变化可以应用温控涂层。同时,二氧化钒薄膜相变前后带隙变化为载流子浓度变化、面电阻突变提供解释基础。通过调控二氧化钒薄膜带隙,进而更加有效调节其光学性质、电子相变,为二氧化钒薄膜广泛应用提供有利条件。
二氧化钒薄膜通常采用溅射法、化学气相沉积法、离子注入法、溶胶凝胶法等方法制备,然而这些方法存在成本高、控制过程复杂、不适合大规模生产等不足。此外,镀膜玻璃无法对现有建筑玻璃进行节能改造。将具有智能节能作用二氧化钒粉体制备成薄膜,既可以用于现有建筑玻璃上,也可以用于新生产玻璃上。
现有M/R相二氧化钒粉体采用喷雾热分解(美国专利US5427763)、热裂解法(中国专利CN1321067C)、溶胶凝胶法(美国专利US6682596)和水热法(中国专利CN101391814A)等方法制备。
纯二氧化钒薄膜存在相变温度高、可见光透过率低、颜色难看等问题,改善这些不足对二氧化钒智能窗具有重要意义。上述特性通常由掺杂手段来进行调控。目前掺杂专利研究集中在降低相变温度、调节光学性质、调整电学性质等方面。然而未见报道利用二氧化钒能带结构调整光学性质和颜色专利。
发明内容
面对现有技术存在的问题,本专利主要研究带隙可调二氧化钒薄膜制备和应用,进而探究带隙对性能影响。具体地。本发明人通过研究发现在利用带隙可调掺杂二氧化钒粉体制备成二氧化钒薄膜,不仅可以调整薄膜能带结构,还可以调控薄膜光学性质和颜色。
在此,本发明提供一种调节二氧化钒薄膜的带隙的方法,通过调节用于制备二氧化钒薄膜的二氧化钒粉体的带隙来调节二氧化钒薄膜的带隙,所述方法包括:
制备带隙可调的二氧化钒粉体:在水热法制备所述二氧化钒粉体的过程中掺杂入规定量的掺杂元素以使获得的化学组成为V1-xMxO2的二氧化钒粉体的光学带隙在0.6~4.0eV之间连续可调,其中,0<x≤0.5,掺杂元素M为镁、铝、镧、锆、镓、铌、锡、钽、锰、镍、铬、锌、钛、钨、锑、铋、铟或铁;以及
制备带隙可调的二氧化钒薄膜:将包含所述带隙可调的二氧化钒粉体的分散液涂覆于衬底上以获得光学带隙在0~4.0eV连续可调的带隙可调的二氧化钒薄膜。
较佳地,在制备所述二氧化钒粉体的过程中掺杂入掺杂元素镁、铝、镧、锆、镓、铌、锡、钽、锰、镍、铬、锌或钛以使获得的二氧化钒粉体的光学带隙在1.6~4.0eV之间连续可调,进而使所述二氧化钒薄膜的光学带隙在1.5~4.0eV之间连续可调。在更为优选的实施例中,在在制备所述二氧化钒粉体的过程中掺杂入该掺杂元素以使获得的二氧化钒粉体的光学带隙在1.6~2.5eV之间连续可调,进而使所述二氧化钒薄膜的光学带隙在1.5~2.5eV之间连续可调。
又,较佳地,在制备所述二氧化钒粉体的过程中掺杂入掺杂元素钨、锑、铋、铟或铁以使获得的二氧化钒粉体的光学带隙在0~1.4eV之间连续可调,进而使所述二氧化钒薄膜的光学带隙在0~1.4eV之间连续可调。
优选的,0.001<x≤0.5,更优选0.001<x≤0.1,由其优选0.01≤x≤0.05。
本发明通过在水热法制备二氧化钒粉体的过程中掺入规定的掺杂元素并控制掺杂元素的掺入量,以简单易控的方法实现二氧化钒粉体带隙可调,接着利用该带隙可调的二氧化钒粉体制备薄膜实现二氧化钒薄膜的带隙连续可调。本发明的方法在调节二氧化钒薄膜带隙的同时还可调节二氧化钒薄膜的光学性质和颜色,例如改善二氧化钒薄膜可见光透过率和太阳能调控能力,有望在节能减排或能源催化信息等领域将得到应用。
附图说明
图1为实施例1所制得的二氧化钒薄膜相变前后光谱曲线;
图2为实施例1和2所制得的二氧化钒薄膜色度图,其中点1表示实施例1中纯二氧化钒薄膜色度值,点2表示实施例2中镁掺杂二氧化钒薄膜色度值;
图3为实施例1所制得的二氧化钒薄膜紫外可见吸收光谱;
图4为实施例2所制得的二氧化钒薄膜紫外可见吸收光谱。
具体实施方式
以下,参照附图,并结合下述实施方式进一步说明本发明。应理解,附图和/或具体实施方式仅用于说明本发明而非限制本发明。
首先,本实施方式以在水热法制备金红石相二氧化钒粉体过程中掺杂掺杂元素以调节二氧化钒粉体的带隙,并用该带隙可调的二氧化钒粉体制备二氧化钒薄膜来调节二氧化钒薄膜的带隙、光学性质和颜色为例进行说明。
带隙可调的二氧化钒薄膜的制备
本发明采用碱性试剂处理四价钒离子和掺杂离子水溶液得到悬浊液的前驱体处理工序。前驱体处理工序可以采用碱性试剂滴定四价钒离子和掺杂离子水溶液直至生成悬浊液,滴定的终点的pH可为2~12,优选为5~10,更优选为6~8。
本发明中,四价钒离子水溶液可以通过可溶性钒原料溶于水制得。常用可溶性钒原料可以是三价、四价或五价钒盐和/或其水合物,优选为四价可溶性钒盐及其水合物,例如硫酸氧钒(VOSO4)、二氯氧钒(VOCl2)和草酸氧钒无水合物(VOC2O4·5H2O)。应理解,在采用三价或五价钒盐和/或其水合物作为钒原料时,可以先经氧化或还原等预处理形成四价钒盐再溶于水,或者先将三价或五价钒盐和/或其水合物溶于水后再经氧化或还原制得四价钒离子水溶液。还可采用不可溶性钒原料来制备四价钒离子水溶液,将不可溶性钒原料经氧化、还原或溶解等预处理使其可溶化。不可溶性钒原料可以是金属钒、钒氧化物或其组合。
本发明中,掺杂元素可为镁、铝、镧、锆、镓、铌、锡、钽、锰、镍、铬、锌、钛、钨、锑、铋、铟、铁,掺杂离子水溶液可以通过掺杂元素的相应化合物进行制备,所选掺杂试剂可为氯化镁、硫酸镁、氟化镁、氧化镁、硝酸镁、氯化铝、硫酸铝、溴化铝、硝酸铝、氯化镧、硝酸镧、氟化镧、氢氧化镧、氢氧化锆、氯化锆、硝酸氧锆、硫酸锆、氧化镓、硝酸镓、氧化铌、五氯化铌、四氯化锡、硫酸亚锡、二氯化锡、氧化钽、二氯化锰、二氧化锰、硫化锰、硫酸镍、硝酸镍、氟化镍、溴化镍、氢氧化镍、草酸镍、铬酸铵、三氯化铬、硫酸铬、硫酸铬钾、氯化锌、硫化锌、溴化锌、硝酸溴、硫酸锌、二氧化钛、四氯化钛、硫酸氧钛、钨酸铵、六氯化钨、三氧化钨、氟化锑、硫化锑、三氯化锑、五氧化锑、三氧化锑、碘化铋钾、氧化铋、氯化铋、氢氧化铋、氯化铟、硫酸铟、硝酸铟、氧化铟、硫酸铁、氯化铁、硝酸铁一种或几种。此外,所述掺杂离子水溶液也可以利用相应元素单质进行制备。
本发明中,碱性试剂可以为氨水、氢氧化钠水溶液、氢氧化钾水溶液、碳酸钠水溶液、碳酸氢钠水溶液、碳酸钾水溶液、碳酸氢钾水溶液等或其任意组合;优选为氨水、氢氧化钠水溶液、氢氧化钾水溶液,更优选为氢氧化钠水溶液。
滴定完成时,悬浊液的pH值通常为2~12,此时所用的碱性试剂和四价钒离子水溶液的摩尔比通常为1:50~10:1,所用的碱性试剂的量应至少为能形成悬浊液的最少量。即因此,碱性试剂和四价钒离子水溶液的摩尔比大于1:10,优选的优选为10:1~1:5,更优选为1:5~2:1。然而也应理解,碱性试剂也不能过量很多,碱性试剂和四价钒离子水溶液的摩尔比也最好不要超过5:1。滴定以出现悬浊液作为滴定终点,容易观察和控制,无需额外设备。四价钒离子水溶液的浓度可以为0.005~5mol/L,优选为0.01~0.5mol/L。所用碱性试剂的浓度0.5~5mol/L,优选为0.5~2mol/L。掺杂离子水溶液的浓度可以为0.005~2mol/L,优选为0.01~0.5mol/L。掺杂离子和钒离子摩尔比1:1000~1:1,优选1:1000~1:9,更优选1:99~1:19。
上述经碱处理得到的悬浊液转移至水热反应釜,经水热反应、干燥分离可制得带隙可调的二氧化钒粉体。水热反应温度可以为150~400℃,优选为200~350℃,更优选为250~300℃。水热反应时间为1~240小时,优选为2~120小时,更优选为4~40小时。水热反应填充比可以为20~90%,优选30~80%,更优选50~80%。
本发明制得的掺杂二氧化钒粉体具有单一的化学组成,其在本文中表示为V MxV1- xO2,式中,x满足,0<x≤0.5,优选0.001<x≤0.5,更优选,0.001<x≤0.1,尤其优选0.01≤x≤0.05,M为如上所述的掺杂元素。并且,通过X射线衍射(XRD)确定其晶型均为单一的二氧化钒金红石相结构。通过紫外可见光吸收光谱测定本发明提供掺杂二氧化钒粉体的光学带隙在0~4.0eV之间连续可调,优选为1.2~3.0eV,更优选为1.6~2.5eV;本征带隙在0~2eV之间连续可调,优选为0~1.2eV,更优选为0~0.5eV。其中,掺杂入掺杂元素镁、铝、镧、锆、镓、铌、锡、钽、锰、镍、铬、锌或钛可使二氧化钒的光学带隙变宽,具体地,可实现二氧化钒粉体的光学带隙在1.6~4.0eV之间连续可调,本征带隙在0.71~2eV之间连续可调,优选地,光学带隙在1.6~2.5eV之间连续可调,本征带隙在0.71~1.2eV之间连续可调。又,掺杂入掺杂元素钨、锑、铋、铟或铁以使获得的二氧化钒粉体的光学带隙在0~1.4eV之间连续可调,本征带隙在0~0.6eV之间连续可调。
本发明的方法不仅如上述可以调节二氧化钒的带隙,还可以调节制备的二氧化钒的形貌尺寸和/或相变温度。通过透射电子显微镜(TEM)观测本发明提供掺杂二氧化钒粉体为颗粒状、棒状或花状,其尺寸在5nm~2μm之间。粉体的长径比优选为1:1~50:1。所述掺杂二氧化钒粉体的尺寸为5nm~2μm,优选在至少一个维度上不大于100nm,更优选在三个维度上均不大于100nm,最优选在三个维度上均不大于50nm。所述棒状优选为短棒状,所述颗粒状可以为例如近球形、椭圆形、雪花形、立方形、片形等。通过二氧化钒粉体的升温示差扫描量热曲线确定二氧化钒粉体的相变温度,本发明提供掺杂二氧化钒粉体的相转变温度在-50~120℃之间连续可调,优选为-30~80℃,更优选为50~80℃。
带隙可调的二氧化钒薄膜的制备:
将带隙可调掺杂二氧化钒粉体研磨后放入含水(优选去离子水)的容器内,并不断搅拌,加入一定量改性剂,搅拌1~120min后超声1~60min,制得分散液;将所得分散液涂覆在金属衬底或者非金属衬底上,再于室温或者烘箱中干燥后,即可制得掺杂二氧化钒薄膜。
在一个示例实施例中,带隙可调掺杂二氧化钒粉体为0.05~1g,优选为0.1~0.5g,更为优选为0.2~0.3g。去离子水1~50mL,优选为1~10mL,更为优选为5~10mL。改性剂为0.05~5g,优选为0.5~5g,更为优选为0.5~2g。
所述改性剂包括高分子聚合物改性剂、有机酸改性剂和糖类改性剂等。所述高分子聚合物改性剂包括但不限于分散剂LBD-1、聚乙二醇-4000、聚乙二醇-6000、聚乙烯吡咯酮;有机酸改性剂包括但不限于琥珀酸、胆酸、去氧胆酸;糖类改性剂包括但不限于半乳糖、蔗糖、季戊四醇;此外改性剂还包括尿素。
本发明的方法可以提供带隙可调二氧化钒薄膜光学带隙在0.3~4.0eV连续可调,优选为1.0~3.0eV,更优选为1.3~2.5eV。例如在一个示例中,如上述,在制备所述二氧化钒粉体的过程中掺杂入掺杂元素镁、铝、镧、锆、镓、铌、锡、钽、锰、镍、铬、锌或钛以使获得的二氧化钒粉体的光学带隙在1.6~4.0eV之间连续可调,进而使所述二氧化钒薄膜的光学带隙在1.5~4.0eV之间连续可调。优选地,在制备所述二氧化钒粉体的过程中掺杂入该掺杂元素以使获得的二氧化钒粉体的光学带隙在1.6~2.5eV之间连续可调,进而使所述二氧化钒薄膜的光学带隙在1.5~2.5之间连续可调。在又一个示例中,在制备所述二氧化钒粉体的过程中掺杂入掺杂元素钨、锑、铋、铟或铁以使获得的二氧化钒粉体的光学带隙在0~1.4eV之间连续可调,进而使所述二氧化钒薄膜的光学带隙在0~1.4eV之间连续可调。
本发明提供的带隙可调二氧化钒薄膜厚度为0.1nm~1mm,优选为1nm~200μm,更优选为0.1μm~20μm。
本发明提供的带隙可调二氧化钒薄膜还可调节其光学性质和颜色。具体地,本发明提供带隙可调二氧化钒薄膜可见光积分透过率在10~80%,优选为30~70%,更优选为40~60%;太阳能调控率在0%~30%,优选为0%~20%,更优选为0%~10%;薄膜色度值a*在-50~50之间,优选为0~20;薄膜色度值b*在-20~60之间,优选为10~40。
本发明的特点及显著创新之处在于:
1)利用液相法制备掺杂二氧化钒粉体,使用常见钒盐和掺杂剂作为原料即可实现二氧化钒带隙的连续可调,带隙可调掺杂二氧化钒粉体制备成二氧化钒薄膜,成本低,操作简单;
2)带隙可调二氧化钒薄膜,不仅可以调整薄膜能带结构,还可以调控薄膜光学性质和颜色。
本发明的方法还可应用于能源信息设备,包括微型光电开关器件、热敏电阻、电池材料和光信息存储器件等,还可以应用于节能涂料、节能油漆、温控装置(例如太阳能温控装置)以及节能涂层,也可以应用于既有建筑、车船等表面的节能改造。
本发明进一步例如以下实施例以更好地说明本发明。同样应理解,以下实施例只用于对本发明进行进一步说明,不能理解为对本发明保护范围的限制,本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例具体的温度、时间等也仅是合适范围中的一个示例,即、本领域技术人员可以通过本文的说明做合适的范围内选择,而并非要限定于下文示例的具体数值。
实施例1
将10g VOSO4溶解于50ml去离子水中,用1mol/L的NaOH溶液滴定,并不断搅拌,待滴定完全后将悬浊液装入盛有45ml去离子水的50ml水热釜中,240℃水热反应96小时,离心干燥得到二氧化钒粉体。XRD谱图所示其晶相为纯M相。DSC曲线表明二氧化钒粉体具有相变性质,相变温度为67℃。紫外可见吸收光谱显示其光学带隙为1.53eV,本征带隙为0.7eV。
将1g上述制备的VO2粉体研磨后放入含20ml水的小烧杯内,并不断搅拌,加入0.5g聚乙烯吡咯烷酮K-30,搅拌30min后超声60min,制得分散液。采用旋涂方法将所得分散液涂覆于玻璃基板上,再于室温或者烘箱中干燥后,即可制得二氧化钒薄膜。图1展示二氧化钒薄膜光谱曲线,相变前后光波透过率发生显著变化。利用光谱数据进行计算,发现薄膜相变前后可见光积分透过率为45.3%和43.5%,太阳能的调控率为13.1%,表明薄膜具有优异光学性能。图2色度图表明二氧化钒薄膜的色度a*和b*分别为3.62和23.67,图3紫外可见吸收光谱曲线表明薄膜的光学带隙为1.52eV。
实施例2
将5g VOCl2和0.005g MgCl2溶解于50ml去离子水中,用0.5mol/L的NH3·H2O溶液滴定,并不断搅拌,待滴定完全后将悬浊液装入盛有45ml去离子水的50ml水热釜中,290℃水热反应18小时,离心干燥得到镁掺杂二氧化钒粉体,其化学式为Mg0.007V0.993O2。镁掺杂二氧化钒粉体物相为M相,相变温度为64℃。0.7%镁掺杂二氧化钒粉体光学带隙为1.60eV,本征带隙为0.72eV。
将1g Mg0.007V0.993O2粉体重复实施例1中实验制得镁掺杂二氧化钒薄膜。利用光谱数据进行计算,发现薄膜相变前后可见光积分透过率为52.4%和49.7%,太阳能的调控率为11.2%。图2色度图表明镁掺杂二氧化钒薄膜的色度a*和b*分别为1.62和21.2,图4紫外可见吸收光谱曲线表明薄膜的光学带隙为1.60eV。
实施例3
将5g VOCl2和0.12g MgCl2重复实施例2中实验制得镁掺杂二氧化钒粉体,其化学式为Mg0.071V0.929O2,物相为M相,相变温度为50℃。7.1%镁掺杂二氧化钒粉体光学带隙为2.00eV,本征带隙为0.90eV。
将1g Mg0.071V0.929O2粉体重复实施例1中实验制得镁掺杂二氧化钒薄膜。利用光谱数据进行计算,发现薄膜相变前后可见光积分透过率为58.4%和60.7%,太阳能的调控率为8.2%。镁掺杂二氧化钒薄膜的色度a*和b*分别为0.21和17.4,紫外可见吸收光谱曲线表明薄膜的光学带隙为2.03eV。
实施例4
用8g VOCl2和0.3g TiCl4重复实施例2中实验制得钛掺杂二氧化钒粉体,其化学式为Ti0.031V0.969O2,物相为M相,相变温度为65℃。3.1%钛掺杂二氧化钒粉体光学带隙为2.03eV,本征带隙为0.86eV。
将1g Ti0.031V0.969O2粉体重复实施例1中实验制得钛掺杂二氧化钒薄膜。利用光谱数据进行计算,发现薄膜相变前后可见光积分透过率为53.0%和49.8%,太阳能的调控率为13.0%。钛掺杂二氧化钒薄膜的色度a*和b*分别为1.2和20.5,紫外可见吸收光谱曲线表明薄膜的光学带隙为2.05eV。
实施例5
用5g VOCl2和0.18g AlCl3重复实施例2中实验制得铝掺杂二氧化钒粉体,其化学式为Al0.074V0.926O2,物相为M相,相变温度为78℃。7.4%铝掺杂二氧化钒粉体光学带隙为2.5eV,本征带隙为1.3eV。
将1g Al0.074V0.926O2粉体重复实施例1中实验制得铝掺杂二氧化钒薄膜。利用光谱数据进行计算,发现薄膜相变前后可见光积分透过率为59.0%和63.8%,太阳能的调控率为7.4%。铝掺杂二氧化钒薄膜的色度a*和b*分别为0.2和12.9,紫外可见吸收光谱曲线表明薄膜的光学带隙为2.48eV。
实施例6
用10g VOC2O4·5H2O和0.4g SnO2重复实施例2中实验制得锡掺杂二氧化钒粉体,其化学式为Sn0.049V0.951O2,物相为M相,相变温度为80℃。4.9%锡掺杂二氧化钒粉体光学带隙为2.4eV,本征带隙为1.2eV。
将0.5g Sn0.049V0.951O2粉体重复实施例1中实验制得锡掺杂二氧化钒薄膜。利用光谱数据进行计算,发现薄膜相变前后可见光积分透过率为56%和53.9%,太阳能的调控率为8.6%。锡掺杂二氧化钒薄膜的色度a*和b*分别为2.1和20.7,紫外可见吸收光谱曲线表明薄膜的光学带隙为2.37eV。
实施例7
将10g VOC2O4·5H2O和1.40g ZrO(NO3)2重复实施例2中实验制得锆掺杂二氧化钒粉体,其化学式为Zr0.12V0.88O2,物相为M相,相变温度为84℃。15%锆掺杂二氧化钒粉体光学带隙为3.2eV,本征带隙为1.6eV。
将0.5g Zr0.12V0.88O2粉体重复实施例1中实验制得锆掺杂二氧化钒薄膜。利用光谱数据进行计算,发现薄膜相变前后可见光积分透过率为72.2%和68.0%,太阳能的调控率为3.1%。锆掺杂二氧化钒薄膜的色度a*和b*分别为0.1和10.7,紫外可见吸收光谱曲线表明薄膜的光学带隙为3.15eV。
实施例8
将10g VOC2O4·5H2O和0.02g FeSO4溶解于50ml去离子水中,用2mol/L的Na2CO3溶液滴定,并不断搅拌,待滴定完全后将悬浊液装入盛有45ml去离子水的50ml水热釜中,280℃水热反应48小时,离心干燥得到铁掺杂二氧化钒粉体,其化学式为Fe0.02V0.98O2。铁掺杂二氧化钒粉体物相为M相,相变温度为58℃。2%铁掺杂二氧化钒粉体光学带隙为1.35eV,本征带隙为0.60eV。
将0.5g Fe0.02V0.98O2粉体研磨后放入含10ml水的小烧杯内,并不断搅拌,加入0.4g聚乙二醇-4000,搅拌20min后超声20min,制得分散液。采用旋涂方法将所得分散液涂覆于玻璃基板上,再于室温或者烘箱中干燥后,即可制得铁掺杂二氧化钒薄膜。利用光谱数据进行计算,发现薄膜相变前后可见光积分透过率为42.0%和39.8%,太阳能的调控率为9.7%。铁掺杂二氧化钒薄膜的色度a*和b*分别为3.8和25.6,紫外可见吸收光谱曲线表明薄膜的光学带隙为1.33eV。
实施例9
将10g VOC2O4·5H2O和0.14g FeSO4重复实施例8中实验制得铁掺杂二氧化钒粉体,其化学式为Fe0.10V0.90O2,物相为M相,相变温度为79℃。10%铁掺杂二氧化钒粉体光学带隙为0.80eV,本征带隙为0.38eV。
将0.5g Fe0.10V0.90O2粉体重复实施例8中实验制得铁掺杂二氧化钒薄膜。利用光谱数据进行计算,发现薄膜相变前后可见光积分透过率为30.0%和32%,太阳能的调控率为4.1%。铁掺杂二氧化钒薄膜的色度a*和b*分别为8.2和29.6,紫外可见吸收光谱曲线表明薄膜的光学带隙为0.78eV。
实施例10
将5g VOCl2和0.1g Sb2O3重复实施例8中实验制得锑掺杂二氧化钒粉体,其化学式为Sb0.054V0.946O2,物相为M相,相变温度为53℃。5.4%锑掺杂二氧化钒粉体光学带隙为1.2eV,本征带隙为0.53eV。
将0.5g Sb0.054V0.946O2粉体重复实施例8中实验制得锑掺杂二氧化钒薄膜。利用光谱数据进行计算,发现薄膜相变前后可见光积分透过率为25%和27%,太阳能的调控率为6.1%。锑掺杂二氧化钒薄膜的色度a*和b*分别为6.2和27.6,紫外可见吸收光谱曲线表明薄膜的光学带隙为1.23eV。
实施例11
将10g VOC2O4·5H2O和0.2g Bi2O3重复实施例8中实验制得铋掺杂二氧化钒粉体,其化学式为Bi0.16V0.84O2,物相为M相,相变温度为83℃。16%铋掺杂二氧化钒粉体光学带隙为0.62eV,本征带隙为0.28eV。
将1.0g Bi0.16V0.84O2粉体重复实施例8中实验制得铋掺杂二氧化钒薄膜。利用光谱数据进行计算,发现薄膜相变前后可见光积分透过率为20%和23%,太阳能的调控率为1.5%。铋掺杂二氧化钒薄膜的色度a*和b*分别为10.2和34.1,紫外可见吸收光谱曲线表明薄膜的光学带隙为0.65eV。
实施例12
将10g VOSO4和0.2g InCl3重复实施例8中实验制得铟掺杂二氧化钒粉体,其化学式为In0.073V0.927O2,物相为M相,相变温度为56℃。7.3%铟掺杂二氧化钒粉体光学带隙为1.0eV,本征带隙为0.49eV。
将1.0g In0.073V0.927O2粉体重复实施例8中实验制得铟掺杂二氧化钒薄膜。利用光谱数据进行计算,发现薄膜相变前后可见光积分透过率为30%和32%,太阳能的调控率为3.9%。铟掺杂二氧化钒薄膜的色度a*和b*分别为10.2和30.1,紫外可见吸收光谱曲线表明薄膜的光学带隙为0.97eV。
产业应用性:本发明的方法简单易控,可应用于节能减排设备,例如节能薄膜、节能涂料、太阳能温控装置;或能源信息设备,例如,微型光电开关器件、热敏电阻、电池材料和光信息存储器件。
Claims (7)
1.一种调节二氧化钒薄膜的带隙的方法,其特征在于,通过调节用于制备二氧化钒薄膜的二氧化钒粉体的带隙来调节二氧化钒薄膜的带隙,所述方法包括:
制备带隙可调的二氧化钒粉体:在水热法制备所述二氧化钒粉体的过程中掺杂入规定量的掺杂元素以使获得的化学组成为V1-xMxO2 的二氧化钒粉体的光学带隙在0~4.0eV之间连续可调,其中,0<x≤0.5,掺杂元素M为镁、铝、镧、锆、镓、铌、锡、钽、锰、镍、铬、锌、钛、钨、锑、铋、铟或铁;以及
制备带隙可调的二氧化钒薄膜:将包含所述带隙可调的二氧化钒粉体的分散液涂覆于衬底上以获得光学带隙在0~4.0eV连续可调的带隙可调的二氧化钒薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在制备所述二氧化钒粉体的过程中掺杂入掺杂元素镁、铝、镧、锆、镓、铌、锡、钽、锰、镍、铬、锌或钛以使获得的二氧化钒粉体的光学带隙在1.6~4.0eV之间连续可调,进而使所述二氧化钒薄膜的光学带隙在1.5~4.0eV之间连续可调。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在制备所述二氧化钒粉体的过程中掺杂入该掺杂元素以使获得的二氧化钒粉体的光学带隙在1.6~2.5eV之间连续可调,进而使所述二氧化钒薄膜的光学带隙在1.5~2.5eV之间连续可调。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在制备所述二氧化钒粉体的过程中掺杂入掺杂元素钨、锑、铋、铟或铁以使获得的二氧化钒粉体的光学带隙在0~1.4eV之间连续可调,进而使所述二氧化钒薄膜的光学带隙在0~1.4eV之间连续可调。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的方法,其特征在于,0.001<x≤0.5。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,0.001<x≤0.1。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,0.01≤x≤0.05。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310283507.8A CN104276603A (zh) | 2013-07-08 | 2013-07-08 | 一种调节二氧化钒薄膜的带隙的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310283507.8A CN104276603A (zh) | 2013-07-08 | 2013-07-08 | 一种调节二氧化钒薄膜的带隙的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104276603A true CN104276603A (zh) | 2015-01-14 |
Family
ID=52252020
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310283507.8A Pending CN104276603A (zh) | 2013-07-08 | 2013-07-08 | 一种调节二氧化钒薄膜的带隙的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104276603A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110926604A (zh) * | 2019-12-03 | 2020-03-27 | 合肥工业大学 | 一种基于铬-铌共掺杂二氧化钒外延薄膜的光热探测单元 |
CN112919539A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-06-08 | 北京理工大学 | 一种钨铌共掺杂二氧化钒粉体及制备方法 |
CN115231920A (zh) * | 2022-06-27 | 2022-10-25 | 纯钧新材料(深圳)有限公司 | 一种二氧化钒块体材料及其制备方法与应用 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2726545A1 (fr) * | 1994-11-09 | 1996-05-10 | Peintures Jefco | Microparticules de dioxyde de vanadium, procede d'obtention desdites microparticules et leur utilisation, notamment pour des revetements de surface |
CN101383384A (zh) * | 2008-10-24 | 2009-03-11 | 昆明理工大学 | 光电半导体银铜复合氧化物薄膜材料 |
CN101700909A (zh) * | 2009-11-25 | 2010-05-05 | 中国科学技术大学 | 水热法制备具有智能节能性能的二氧化钒的方法 |
CN102120615A (zh) * | 2011-01-21 | 2011-07-13 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种掺杂二氧化钒粉体、分散液及其制备方法和应用 |
-
2013
- 2013-07-08 CN CN201310283507.8A patent/CN104276603A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2726545A1 (fr) * | 1994-11-09 | 1996-05-10 | Peintures Jefco | Microparticules de dioxyde de vanadium, procede d'obtention desdites microparticules et leur utilisation, notamment pour des revetements de surface |
CN101383384A (zh) * | 2008-10-24 | 2009-03-11 | 昆明理工大学 | 光电半导体银铜复合氧化物薄膜材料 |
CN101700909A (zh) * | 2009-11-25 | 2010-05-05 | 中国科学技术大学 | 水热法制备具有智能节能性能的二氧化钒的方法 |
CN102120615A (zh) * | 2011-01-21 | 2011-07-13 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种掺杂二氧化钒粉体、分散液及其制备方法和应用 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110926604A (zh) * | 2019-12-03 | 2020-03-27 | 合肥工业大学 | 一种基于铬-铌共掺杂二氧化钒外延薄膜的光热探测单元 |
CN112919539A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-06-08 | 北京理工大学 | 一种钨铌共掺杂二氧化钒粉体及制备方法 |
CN115231920A (zh) * | 2022-06-27 | 2022-10-25 | 纯钧新材料(深圳)有限公司 | 一种二氧化钒块体材料及其制备方法与应用 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2666754B1 (en) | Preparation of a doped vo2 powder | |
CN102120615B (zh) | 一种掺杂二氧化钒粉体、分散液及其制备方法和应用 | |
CN102120614B (zh) | 一种制备二氧化钒粉体的方法 | |
CN103242821B (zh) | 一种核壳结构的热致变色复合粉体及其制备方法 | |
CN103554997B (zh) | 碳包覆二氧化钒纳米颗粒及其制备方法 | |
CN103880080A (zh) | 水热辅助均匀沉淀法制备二氧化钒粉体的方法 | |
Chen et al. | VO2/Nickel-bromine-ionic liquid composite film for thermochromic application | |
CN101700909A (zh) | 水热法制备具有智能节能性能的二氧化钒的方法 | |
CN113249091B (zh) | 一种ato包覆铯钨青铜复合纳米粉体及其制备方法 | |
CN105502503A (zh) | 一种六方晶钨青铜纳米短棒粒子及其制备方法 | |
CN102757094B (zh) | 一种稳态a相二氧化钒纳米棒的制备方法 | |
CN103173208A (zh) | 一种热致变色复合纳米粉体及其制备方法和用途 | |
CN105481015B (zh) | 一种二氧化钒纳米粉体的制备方法及应用 | |
CN104030356B (zh) | 掺杂二氧化钒粉体和薄膜及其制备方法 | |
CN106928994A (zh) | 一种光致变色复合纳米粉体及其制备方法、应用 | |
CN102616849A (zh) | 一种液相法直接合成m相二氧化钒纳米颗粒的方法 | |
CN104261693B (zh) | 一种二氧化钒基热致变色复合粉体及其制备方法 | |
Shen et al. | Solid-state-reaction synthesis of VO 2 nanoparticles with low phase transition temperature, enhanced chemical stability and excellent thermochromic properties | |
CN103173207B (zh) | 一种制备热致变色复合纳米粉体的方法 | |
CN104276603A (zh) | 一种调节二氧化钒薄膜的带隙的方法 | |
CN104276602A (zh) | 一种调节二氧化钒粉体的带隙的方法 | |
CN105694615A (zh) | 一种高性能二氧化钒基热致变色复合材料 | |
CN108557886B (zh) | 一种反应釜、一种二氧化钒纳米粉体及其制备方法 | |
CN104030355B (zh) | 掺杂二氧化钒粉体和薄膜及其制备方法 | |
CN113773707A (zh) | 一种防水性二氧化钒智能控温涂层及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150114 |