CN104246984A - 用于沉积腔室的冷却的反射接装板 - Google Patents
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Abstract
在一个实施例中，设置一种用于沉积腔室的接装板。所述接装板包含：主体；安装板，所述安装板中心地定位于所述主体上；第一环形部，所述第一环形部从所述安装板的第一表面纵向地延伸且从所述安装板的外表面径向向内设置；第二环形部，所述第二环形部从所述安装板的相对的第二表面纵向地延伸且从所述安装板的所述外表面径向向内设置；及镜面加工表面，所述镜面加工表面设置于所述第二环形部的内部，所述镜面加工表面具有6Ra或更小的平均表面粗糙度。
Description
技术领域
本文揭示的实施例涉及半导体工艺。更特别地，本文揭示的实施例涉及用于半导体基板的材料与热处理的设备和方法。
背景技术
材料工艺与热处理于半导体制造中十分常见，这是为了在基板上制造电子器件。在电子器件制造过程中，半导体基板常受材料工艺影响，所述材料工艺包括沉积、注入或蚀刻，而热处理可能在所述材料工艺之前、期间或之后执行。在一些热处理中，在材料工艺之后利用辐射源，比如灯来加热基板，所述辐射源将辐射能导向至基板以退火和/或于基板上执行快速热处理(RTP)。然而，所述热处理通常执行于分开的腔室中，这需要转移基板至另一腔室。在材料工艺期间，基板可被加热。然而，包含于基板中的大量的热能可能会散失至腔室部件和诸如机械叶片之类的转移装置，这降低了器件制造工艺的效率且增加了工艺时间。机器利用率，即机器运行以处理基板的时间，在减少制造的每一个晶片的成本中是一个关键因素。因此，存在着对更有效的半导体器件制造工艺及设备的持续性需求。
发明内容
揭示用于利用能够沉积材料于基板上的工艺腔室处理基板的方法与设备。所述腔室也用于在沉积之前、期间或之后加热基板。所述腔室还包括接装板(adapter plate)，所述接装板包括灯安装设备和反射表面，所述反射表面用来聚集辐射能至基板的表面。
在一实施例中，提供一种用于沉积腔室的接装板。所述接装板包含：主体；安装板，所述安装板中心地定位于所述主体上；第一环形部，所述第一环形部从所述安装板的第一表面纵向地延伸且从所述安装板的外表面径向向内设置；第二环形部，所述第二环形部从所述安装板的相对的第二表面纵向地延伸且从所述安装板的所述外表面径向向内设置；及镜面加工(mirror-finished)表面，所述镜面加工表面设置于所述第二环形部的内部，所述镜面加工表面具有6Ra或更小的平均表面粗糙度。
在另一实施例中，提供一种用于沉积腔室的接装板。所述接装板包含：主体，所述主体具有第一面和第二面，所述第一面设置于第一平面中，所述第二面与所述第一面相对；第一侧壁，所述第一侧壁接合至第一表面，所述第一侧壁设置于第二平面中，所述第二平面实质上垂直于所述第一平面；第二侧壁，所述第二侧壁接合至第二表面，所述第二侧壁设置于所述第二平面中；及向外延伸的凸缘，所述向外延伸的凸缘耦接在所述第一侧壁与所述第二侧壁间。
在另一实施例中，提供一种用于沉积腔室的接装板。所述接装板包含：主体，所述主体包含第一环形部和第二环形部，所述第一环形部具有第一面，所述第一面设置于第一平面中，所述第二环形部具有第二面，所述第二面设置于所述第一平面中与所述第一面相对；第一侧壁，所述第一侧壁接合至第一表面，所述第一侧壁设置于第二平面中，所述第二平面实质上垂直于所述第一平面；第二侧壁，所述第二侧壁接合至第二表面，所述第二侧壁设置于所述第二平面中；及向外延伸的凸缘，所述向外延伸的凸缘耦接在所述第一侧壁与所述第二侧壁间，所述向外延伸的凸缘具有热控通道的至少一部分形成于所述向外延伸的凸缘中。
附图说明
为了能够详细理解本发明的上述特征，可通过参照实施例而获得以上简要概括的本发明的更详细的描述，一些实施例描绘于附图中。然而，应注意附图仅绘示本发明的典型实施例，因此附图不应被视为对本发明范围的限制，因为本发明可允许其他等同有效的实施例。
图1为根据一个实施例的沉积腔室的示意截面图。
图2A为图1的接装板的等距顶视图。
图2B为图2A的接装板的等距底视图。
图2C为图2A的接装板的底部平面图。
图3为图2A的接装板的主体的部分截面图。
图4为图2A的接装板的沿图2C的线4-4的截面图。
图5为图2A的接装板的沿图2C的线5-5的截面图。
图6为图2A的接装板的沿图2C的线6-6的截面图。
图7为图1的接装板与屏蔽环的一部分的放大截面图。
图8A为接装板的另一实施例的等距顶视图，所述接装板可被用于图1的沉积腔室中。
图8B为图8A的接装板的等距底视图。
图9为接装板的一部分的示意截面图，所述图示出形成在所述接装板与相邻部件中和之间的不同传导区。
为了便于理解，已尽可能使用相同的标号以表示各图中共用的相同元件。可以预期的是，在一个实施例中揭示的各元件可被有利地使用于其他实施例而无须特定详述。
具体实施方式
图1为根据一个实施例的沉积腔室100的示意截面图。沉积腔室100包含主体101，主体101具有下侧壁102、上侧壁103及盖部104，下侧壁102、上侧壁103及盖部104界定主体101，主体101包围主体101的内部空间105。接装板106可被设置于下侧壁102与上侧壁103之间。接装板106的一部分可包括主体101的外表面107。基板支撑件，比如基座108，设置于沉积腔室100的内部空间105中。基板传输口109形成于下侧壁102中，以用来转移基板进出内部空间105。
在一个实施例中，沉积腔室100包含溅射腔室，也被称为物理气相沉积(PVD)腔室，所述溅射腔室能够在基板上沉积，例如，钛、氧化铝、铝、铜、钽、氮化钽、钨或氮化钨。适合的物理气相沉积腔室的例子包括Plus和SIP物理气相沉积工艺腔室，两者皆可自加州圣克拉拉市的Applied Materials,Inc.(应用材料公司)购置。可以预期的是购自其他制造商的工艺腔室也可利用此处描述的实施例。
在沉积工艺中，工艺气体可从气源110流至内部空间105。内部空间105的压强可以由泵送设备112来控制，泵送设备112与内部空间105相连通。盖部104可支撑溅射源114，比如靶材。溅射源114可耦接至源组件116，源组件116包含磁体和用于溅射源114的电源。准直器118可被定位于内部空间105内介于溅射源114与基座108之间。屏蔽管120可邻近准直器118和盖部104的内部。准直器118包括多个孔，以引导内部空间105内的气体和/或材料流。准直器118可机械地及电气地耦接至屏蔽管120。在一个实施例中，准直器118比如通过焊接工艺而机械地耦接至屏蔽管120，使得准直器118整合至屏蔽管120。在另一个实施例中，准直器118可在腔室100内电气地浮动。在另一个实施例中，准直器118可耦接至电气电源和/或电气地耦接至沉积腔室100的盖部104。
屏蔽管120可包括管状主体121，管状主体121具有凹槽122形成于管状主体121的上表面中。凹槽122给准直器118的下表面提供接合界面。屏蔽管120的管状主体121可包括肩部区域123，肩部区域123具有内直径，而所述内直径小于管状主体121其余部分的内直径。在一个实施例中，管状主体121的内表面沿锥形表面124径向向内转变至肩部区域123的内表面。屏蔽环126可设置在腔室中与屏蔽管120相邻且在屏蔽管120与接装板106间。屏蔽环126可至少部分地设置在凹槽128中，凹槽128由屏蔽管120的肩部区域123的相对侧形成。一方面，屏蔽环126包括环形部分127，环形部分127可以是轴向地突出的。环形部分127包括比屏蔽管120的肩部区域123的外直径大的内直径。径向凸缘130从环形部分127延伸出。径向凸缘130可相对于屏蔽环126的环形部分127的内直径表面形成一角度，所述角度大于约九十度(90°)。径向凸缘130包括突出部分132，突出部分132形成于径向凸缘130的下表面上。突出部分132可以是圆形脊，从径向凸缘130的表面沿一方向延伸出，所述方向实质上平行于屏蔽环126的环形部分127的内直径表面。突出部分132通常适用于与凹陷凸缘(recessed flange)134接合，凹陷凸缘134形成于设置在基座108上的边缘环136中。凹陷凸缘134可以是形成于边缘环136中的圆型槽。在回流工艺或硅化工艺中，边缘环136可被用来当作沉积环。边缘环136可包括一或更多个反射表面，这些反射表面朝向基板表面聚集能量。突出部132与凹陷凸缘134的接合对准屏蔽环126的中心于基座108的纵轴。基板138(图示支撑于升降销140上)通过介于基座108与机械叶片(未图示)之间的协调定位标度而相对于基座108的纵轴居中。在这种方式中，基板138可被居中于沉积腔室100内，且屏蔽环126可在工艺期间径向地以基板138为中心。
在操作中，具有基板138于其上的机械叶片(未图示)延伸穿过基板传输口109。基座108可降低以允许基板138被转移至从基座108延伸的升降销140。基座108和/或升降销140的升降可由驱动器142控制，驱动器142耦接至基座108。基板138可被降至基座108的基板接收表面144上。随着基板138定位于基座108的基板接收表面144上，溅射沉积可被执行于基板138上。在工艺期间，边缘环136与基板138可以是电气隔离的。因此，基板接收表面144可包括一高度，所述高度大于与基板138相邻的边缘环136的各部分高度，使得基板138免于接触边缘环136。在溅射沉积过程中，基板138的温度可通过使用设置在基座108中的热控通道146来控制。另外，在沉积过程中与基板138相邻的沉积腔室100的部件被配置以提供最佳化体积气流。部件之间的间隙和形成在接装板106中的通孔(图示于图2A中的通孔226)形成多个传导区，这些传导区在约400摄氏度(℃)下提供约7.54至约11.2的传导值(即传导比值(例如，流阻(flow resistance)的倒数，以L/D为单位))。
在溅射沉积之后，可使用升降销140来将基板138提升至与基座108分开的位置。被提升的位置可近邻屏蔽环126和与接装板106相邻的反射器环148两者或其一。接装板106包括一或更多个灯150，灯150耦接至接装板106在反射器环148的下表面与接装板106的反射表面152间。反射表面152可以是弯曲或凹的。灯150提供在可见光波长或近可见光波长的辐射能量，例如在红外线(IR)和/或紫外线(UV)光谱。朝向基板138的背侧(即下表面)聚集来自灯150的辐射能量以加热基板138和基板138上沉积的材料。围绕基板138的腔室部件上的反射表面，比如接装板106的反射表面152和边缘环136的反射表面，用于朝向基板138的背侧聚集辐射能量并使辐射能量远离其他腔室部件，在其他腔室部件处能量会散失和/或不被利用。接装板106可耦接至冷却剂源154，以在加温过程中控制接装板106的温度。
基板138可在几秒内被加热至约300℃至约400℃的第一温度，比如约350℃。加热基板138至所述第一温度可进行回流工艺或硅化工艺。回流工艺被用来减少悬垂(overhang)于基板138的凹槽中的金属。硅化工艺可被用来驱动金属与硅之间的反应。
本文描述的加热方法具有关于金属沉积工艺的优点。当金属被沉积在基板表面上时，所述表面获得反射性。辐射能量的吸收通常会在金属化表面上减少。辐照金属化表面与加热于金属化表面相对的表面，例如基板背侧，相比之下效率较低。相对于加热金属化表面，改良的硅能量吸收提高了热处理工艺的能量效率
在加热基板至第一温度后，基板138降低至基座108的基板接收表面144上的位置。通过传导，利用基座108中的热控通道146，基板138可被快速冷却。基板的温度可在约数秒至一分钟内从第一温度下降至第二温度。第二温度可以是室温，比如约23℃至约30℃，例如约25℃。可通过基板传输口109从沉积腔室100移除基板138，以供进一步处理。
图2A为图1的接装板106的等距顶视图。图2B为图2A的接装板106的等距底视图。图2C为图2A的接装板106的底部平面图。接装板106包括具有凸缘202的主体200，凸缘202可包含图1的腔室100的外表面107。凸缘202可以是安装板，所述安装板中心地定位且从第一环形部204和第二环形部206径向地延伸。第一环形部204和第二环形部206中的每一个可由凸缘202的外表面107径向向内设置。凸缘202可包括开口208，这些开口208形成于第一表面207A与相对的第二表面207B之间。开口208供紧固件(未图示)使用，以便于主体200耦接至沉积腔室100(图示于图1中)。凸缘202也可包括形成于其中的热控通道210(图2B中以虚线图示)。热控通道210在热控通道210的进口212处耦接至冷却剂源154。热控通道210的出口214可耦接至储存器(reservoir)216，储存器216可以是热交换器或排水道。主体200可由金属材料，比如铝，来制造。
参照图2B，主体200可包含一或更多个径向凹槽218，径向凹槽218至少部分地形成于第一环形部204中。径向凹槽218中的每一个径向凹槽可包括开口220，开口220穿过第一环形部204而形成。径向凹槽218被用于灯安装设备219，灯安装设备219用于固持及提供电力至灯150(两者皆于图2A中以虚线图示)。灯150中的每一个灯可以是U形的且灯150的端部与插座连接，所述插座设置在灯安装设备219上。径向凹槽218中的每一个径向凹槽也可包括长形通道222，长形通道222形成于第一环形部204的向内延伸的表面224中。长形通道222被用来附接电缆至设置在径向凹槽218中的灯安装设备219。孔(bore)223可形成于第一环形部204中，以为缆线提供从主体200的外部到长形通道222及到径向凹槽218的通口。
一方面，径向凹槽218中的每一个径向凹槽设置于主体200的相对侧(例如，彼此相隔约180度)以支撑半圆形灯的端部。长形通道222可形成为实质上直线的槽，所述槽与第一环形部204的向内延伸的表面224的半径相切。第一环形部204也可包括多个通孔226，这些通孔226穿过第一环形部204的向内延伸的表面224而形成。通孔226中的每一个通孔包括中心线，所述中心线可平行于主体200的纵轴228。通孔226于工艺过程中被用于最佳化体积流(即增加气体传导)。通孔226中的每一个通孔可包括约0.40英寸至约0.54英寸的直径，第一环形部204可包括约30至约70个通孔226。在处理过程中，在反射器环148与径向凸缘130之间的间隙中的气流与穿过通孔226的气流在约400℃下提供约14.22的结合的传导值。
主体200也可包括多个狭槽230，这些狭槽230形成于反射表面152(图示于图2A)中。狭槽230被配置以耦接到支撑构件300(图示于图3)，支撑构件300支撑灯150。第一环形部204的向内延伸的表面224也可包括多个轴向凹槽232。轴向凹槽232被用于接收紧固件夹具(fastener fixture)305(图示于图3)来固锁支撑构件300。狭槽230中的每一个狭槽可彼此间隔约40度至约60度的间隔。
在一个实施例中，反射表面152是凹的且包括光滑表面。反射表面152可形成在约8英寸的半径上。一方面，反射表面152具有约6或更小的表面粗糙度(平均表面粗糙度(Ra))。在一个实施例中，反射表面152在约85度的入射角下包含约85％的反射率。在另一实施例中，反射表面152在约20度的入射角下包含约72％的反射率。在另一实施例中，反射表面152在约60度的入射角下包含约72％的反射率。
图3为图2A的接装板106的主体200的部分截面图。支撑构件300图示于截面中且设置于狭槽230中。支撑构件300包括通孔310，通孔310接收紧固件315。紧固件315固锁至紧固件夹具305，紧固件夹具305被接收于轴向凹槽232中。支撑构件300也包括狭槽320，狭槽320接收灯150的外侧直径且至少部分地支撑灯150。主体200也包括内部搁板部325，内部搁板部325与会聚部330相邻。内部搁板部325包含第一内部表面335与第二内部表面340。第一内部表面335设置于第一平面中，第二内部表面340设置于相对于第一内部表面335的平面呈约30度至约60度的平面中。通孔226的至少一部分形成于内部搁板部325的第一内部表面335与第二内部表面340中的每一个内部表面中。
图4为图2A的接装板106的沿图2C的4-4线的截面图。接装板106的主体200包含下表面，比如第一面400A，和上表面，比如第二面400B。长形通道222的一部分图示于第一面400A中。主体200包括其他开口(未图示)，所述其他开口形成于主体200中以提供电缆从长形通道222至灯安装设备219(图示于图2A中)的路径。第一面400A与第二面400B通常是平行的。第一面400A过渡至下侧壁表面，比如第一侧壁405，所述下侧壁表面实质上正交于第一面400A的平面。第一侧壁405过渡至向外延伸的凸缘410。向外延伸的凸缘410包括下表面、外侧壁表面420和上表面，所述下表面比如第一安装表面415，所述上表面比如第二安装表面425。第一安装表面415以相对于第一安装表面415的平面实质上正交的角度接合至外侧壁表面420。外侧壁表面420以相对于外侧壁表面420的平面实质上正交的角度接合至第二安装表面425。因此，第一安装表面415与第二安装表面425实质上平行。同样地，第一安装表面415和第二安装表面425实质上平行于第一面400A的平面和/或第二面400B的平面。第二安装表面425以相对于第二安装表面425的平面实质上正交的角度过渡至上侧壁表面，比如第二侧壁430。因此，第一侧壁405实质上平行于第二侧壁430。
图5为图2A的接装板106的沿图2C的5-5线的截面图。如图3所描述的，接装板106的主体200包含内部搁板部325，内部搁板部325具有至少部分形成于其中的通孔。内部搁板部325包含第一内部表面335，第一内部表面335可实质上正交于主体200的第一面400A的平面和/或第二面400B的平面。第一内部表面335过渡至会聚部330，会聚部330包括平表面500。在一个实施例中，平表面500以相对于第二面400B的平面之钝角α设置。角度α可以是约100度至约120度。在另一实施例中，第一内部表面335可通过凹交会(concave intersection)505过渡至会聚部330，凹交会505可以是约1英寸的半径。
图6为图2A的接装板106的沿图2C的6-6线的截面图。在此视图中，长形通道222被图示成穿过主体200。通孔226之一也被图示成穿过主体200而形成。也图示设置于热控通道210上的帽板600。帽板600可由铝形成，且通过焊接固定至主体200。
图7为接装板106、反射器环148和屏蔽环126的一部分的放大截面图。在一个实施例中，反射器环148置于接装板106的表面上与反射表面152和灯150相邻。一方面，间隙700提供于接装板106的内表面705与反射器环148的外表面710之间。内表面705可包括尺寸(例如直径)，所述尺寸略小于外表面710的直径，使得间隙700在反射器环148周边周围连续。在处理过程中，反射器环148可由来自灯150的能量而被加热，这可能导致反射器环148膨胀。间隙700允许自由膨胀直到间隙700耗尽。任何额外的热量输入将导致反射器环148与接装板106的表面之间接触阻力减小，接装板106从反射器环148传递走热量。一方面，间隙700是一种自我限制机制，在处理过程中，间隙700将反射器环148的最大温度限制至约100℃或更低。
图8A为接装板800的另一实施例的等距顶视图，接装板800可被使用于图1的沉积腔室100中。图8B为图8A的接装板800的等距底视图。接装板800类似描述于图2A至图7的接装板106，但有些许例外。为了简洁起见，接装板800与接装板106共用的标号中的一些标号将不被解释。
在本实施例中，接装板800包括反射表面152和灯150(以虚线图示)，灯150设置于支撑构件300上。接装板800也包括成梯状的内部部分802，成梯状的内部部分802设置于反射表面152与内部搁板部325之间。另外，通孔226完全形成于内部搁板部325中。在本实施例中，相对于图示于图2A至图7中的接装板106中所描述的偏椭圆形形状，通孔226的第一开口803A包括圆形形状。
成梯状的内部部分802包括第一肩部805，第一肩部805设置于反射表面152与第一内壁810之间。第一肩部805从反射表面152径向向外延伸且与第一内壁810以实质上正交的角度(例如85度至95度)接合。第二内壁815具有径向尺寸(例如距纵轴228的距离)，所述径向尺寸稍大于第一内壁810的径向尺寸，第二内壁815与内部搁板部325以实质上正交的角度接合。倒角820可设置于第一内壁810与第二内壁815之间。
图8B为图8A的接装板800的等距底视图。通孔226的第二开口803B图示于第一环形部204的向内延伸的表面224。也图示两个长形通道222，长形通道222在第一环形部204的向内延伸的表面224中形成。长形通道222中的每一个长形通道包括孔223，电气连接器825可被设置在孔223处。电气连接器825包括导管830，导管830具有帽835和插座840。导管830容纳电线和电气连接器，所述电线和电气连接器为灯安装设备219(图示于图2A)和灯150(图示于图8A)提供电力连接。电气连接器825通过固定器845固设于第一环形部204中。
根据图2A至图7的接装板106的实施例，或根据图8A至图8B的接装板800的实施例，图9为接装板900的一部分的示意截面图，所述图图示不同的传导区905A至905E，这些传导区形成在接装板900与相邻部件中或之间。第一传导区905A形成于屏蔽环126的环形部127的边界与屏蔽管120的肩部区域123的周边表面之间。第二传导区905B形成于接装板900的主体200的会聚部330的表面与屏蔽环126的环形部127的周边的外表面之间的空间中。第三传导区905C形成于通孔226(只图示一个)中。第四传导区905D形成于接装板106的主体200的第二内部表面340与屏蔽环126的外周边表面之间。第五传导区905E形成于反射器环148的内周边表面与基座108的主体的外表面之间。相邻部件(这些部件形成传导区905A、905B、905D、905E)表面间的间隔和部件的尺寸(比如通孔226的直径)可被提供以产生期望的传导，所述期望的传导最佳化处理过程中的压强。
进行沉积腔室100的测试。在不同的工艺条件下由区905A至905E中的每一区的阻力值计算关于区905A至905E的总传导值，所述工艺条件比如溅射源114与基板138(两者皆图示于图1)之间的距离以及屏蔽环126的约略温度。制表测试结果时，传导区905D与905E被认为并联至传导区905C，且以串联增加到传导区905A、905B。
图2A至图7的接装板106的示例性传导值如下。一种测试结果以屏蔽环126的约略温度为约400摄氏度及溅射源114与基板138之间的间距是约393mm进行，该测试结果产生约1.56的总传导。另一测试结果以屏蔽环126的约略温度为约25摄氏度及溅射源114与基板138之间的间距是约393mm进行，该测试结果产生约2.96的总传导。另一测试结果以屏蔽环126的约略温度为约400摄氏度及溅射源114与基板138之间的间距是约405mm进行，该测试结果产生约2.073的总传导。
图8A与图8B的接装板800的示例性传导值如下。一种测试结果以屏蔽环126的约略温度为约400摄氏度及溅射源114与基板138之间的间距是约393mm进行，该测试结果产生约7.534的总传导。另一测试结果以屏蔽环126的约略温度为约25摄氏度及溅射源114与基板138之间的间距是约393mm进行，该测试结果产生约6.678的总传导。另一测试结果以屏蔽环126的约略温度为约400摄氏度及溅射源114与基板138之间的间距是约405mm进行，该测试结果产生约11.136的总传导。
虽然上述内容针对本发明的实施例，但在不背离本发明的基本范围的情况下，可设计本发明的其他及进一步的实施例。
Claims (15)
1.一种用于沉积腔室的接装板，所述接装板包含：
主体；
安装板，所述安装板中心地定位于所述主体上；
第一环形部，所述第一环形部从所述安装板的第一表面纵向地延伸且从所述安装板的外表面径向向内设置；
第二环形部，所述第二环形部从所述安装板的相对的第二表面纵向地延伸且从所述安装板的所述外表面径向向内设置；及
镜面加工表面，所述镜面加工表面设置于所述第二环形部的内部，所述镜面加工表面具有6Ra或更小的平均表面粗糙度。
2.如权利要求1所述的接装板，其中所述镜面加工表面包含约70％至约90％的反射率。
3.如权利要求2所述的接装板，其中所述镜面加工表面是弯曲的。
4.如权利要求2所述的接装板，其中所述镜面加工表面包含约72％的反射率。
5.如权利要求1所述的接装板，其中所述主体包含：
第一面和第二面，所述第一面设置于第一平面中，所述第二面与所述第一面相对；及
第一侧壁，所述第一侧壁接合至第一表面，所述第一侧壁设置于第二平面中，所述第二平面实质上垂直于所述第一平面。
6.如权利要求5所述的接装板，其中所述主体进一步包含：
第二侧壁，所述第二侧壁接合至第二表面，所述第二侧壁设置于所述第二平面中；及
向外延伸的凸缘，所述向外延伸的凸缘耦接在所述第一侧壁与所述第二侧壁间。
7.如权利要求1所述的接装板，其中所述主体包括形成于所述主体中的热控通道。
8.如权利要求7所述的接装板，其中所述热控通道实质上外接所述第一环形部与所述第二环形部之一或二者。
9.一种用于沉积腔室的接装板，所述接装板包含：
主体，所述主体具有第一面和第二面，所述第一面设置于第一平面中，所述第二面与所述第一面相对；
第一侧壁，所述第一侧壁接合至第一表面，所述第一侧壁设置于第二平面中，所述第二平面实质上正交于所述第一平面；
第二侧壁，所述第二侧壁接合至第二表面，所述第二侧壁设置于所述第二平面中；及
向外延伸的凸缘，所述向外延伸的凸缘耦接在所述第一侧壁与所述第二侧壁间。
10.如权利要求9所述的接装板，其中所述第二面平行于所述第一平面。
11.如权利要求10所述的接装板，其中所述第一侧壁包含第一环形部，所述第二侧壁包含第二环形部。
12.如权利要求11所述的接装板，其中所述第一环形部与所述第二环形部包含内部搁板部。
13.如权利要求11所述的接装板，其中所述第二环形部包含会聚部，所述会聚部与所述第二侧壁相对。
14.如权利要求11所述的接装板，其中所述主体包含热控通道，所述热控通道至少部分地形成于所述向外延伸的凸缘中。
15.一种用于沉积腔室的接装板，所述接装板包含：
主体，所述主体包含第一环形部和第二环形部，所述第一环形部具有第一面，所述第一面设置于第一平面中，所述第二环形部具有第二面，所述第二面设置于所述第一平面中与所述第一面相对；
第一侧壁，所述第一侧壁接合至第一表面，所述第一侧壁设置于第二平面中，所述第二平面实质上正交于所述第一平面；
第二侧壁，所述第二侧壁接合至第二表面，所述第二侧壁设置于所述第二平面中；及
向外延伸的凸缘，所述向外延伸的凸缘耦接在所述第一侧壁与所述第二侧壁间，所述向外延伸的凸缘具有热控通道的至少部分形成于所述向外延伸的凸缘中。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110191975A (zh) * | 2017-01-09 | 2019-08-30 | 应用材料公司 | 用于处理基板的方法及设备 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10504719B2 (en) | 2012-04-25 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Cooled reflective adapter plate for a deposition chamber |
| US9887072B2 (en) | 2014-01-23 | 2018-02-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Systems and methods for integrated resputtering in a physical vapor deposition chamber |
| US20160033070A1 (en) * | 2014-08-01 | 2016-02-04 | Applied Materials, Inc. | Recursive pumping member |
| US20220084845A1 (en) * | 2020-09-17 | 2022-03-17 | Applied Materials, Inc. | High conductance process kit |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4837052A (en) * | 1986-03-03 | 1989-06-06 | Applied Materials, Inc. | Process for forming reflective gold coatings |
| US5125359A (en) * | 1987-07-27 | 1992-06-30 | Institut National De Rechereche Chimique Applique | Surface deposition or surface treatment reactor |
| US5690795A (en) * | 1995-06-05 | 1997-11-25 | Applied Materials, Inc. | Screwless shield assembly for vacuum processing chambers |
| US20040020759A1 (en) * | 2002-05-14 | 2004-02-05 | John Lawson | Sputtering cathode adapter assembly and method |
| US20080257263A1 (en) * | 2007-04-23 | 2008-10-23 | Applied Materials, Inc. | Cooling shield for substrate processing chamber |
| US20100151695A1 (en) * | 2008-12-15 | 2010-06-17 | Canon Anelva Corporation | Substrate processing apparatus, substrate annealing method, and semiconductor device manufacturing method |
| US20110070635A1 (en) * | 2009-08-04 | 2011-03-24 | Advanced Lab Group Cooperative | Systems and methods of generating energy and fresh water from solar radiation |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3984174A (en) | 1975-04-28 | 1976-10-05 | International Telephone And Telegraph Corporation | Fiber optic connector with transparent cable sleeve |
| ATE67165T1 (de) * | 1986-03-03 | 1991-09-15 | Applied Materials Inc | Goldschutzschicht und verfahren zur herstellung. |
| US5090712A (en) * | 1990-07-17 | 1992-02-25 | John Crane Inc. | Non-contacting, gap-type seal having a ring with a patterned microdam seal face |
| US5419029A (en) * | 1994-02-18 | 1995-05-30 | Applied Materials, Inc. | Temperature clamping method for anti-contamination and collimating devices for thin film processes |
| DE19515851C2 (de) * | 1994-05-21 | 2003-03-06 | Volkswagen Ag | Sicherheitseinrichtung für ein Fahrzeug |
| US5561735A (en) * | 1994-08-30 | 1996-10-01 | Vortek Industries Ltd. | Rapid thermal processing apparatus and method |
| JPH08315965A (ja) | 1994-09-29 | 1996-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置及びその製造方法、並びに処理装置 |
| JP3972379B2 (ja) | 1995-12-14 | 2007-09-05 | 信越半導体株式会社 | 加熱炉 |
| JP3831009B2 (ja) | 1996-06-25 | 2006-10-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体製造装置 |
| US6352593B1 (en) * | 1997-08-11 | 2002-03-05 | Torrex Equipment Corp. | Mini-batch process chamber |
| US6482301B1 (en) | 1998-06-04 | 2002-11-19 | Seagate Technology, Inc. | Target shields for improved magnetic properties of a recording medium |
| US6364954B2 (en) * | 1998-12-14 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | High temperature chemical vapor deposition chamber |
| US6259072B1 (en) | 1999-11-09 | 2001-07-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Zone controlled radiant heating system utilizing focused reflector |
| US6806172B1 (en) * | 2001-04-05 | 2004-10-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Physical vapor deposition of nickel |
| US6821378B1 (en) * | 2001-05-25 | 2004-11-23 | Lam Research Corporation | Pump baffle and screen to improve etch uniformity |
| US20030015421A1 (en) | 2001-07-20 | 2003-01-23 | Applied Materials, Inc. | Collimated sputtering of cobalt |
| US6740196B2 (en) | 2002-02-21 | 2004-05-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | RTA chamber with in situ reflective index monitor |
| US20050121143A1 (en) * | 2002-05-23 | 2005-06-09 | Lam Research Corporation | Pump baffle and screen to improve etch uniformity |
| US6780294B1 (en) * | 2002-08-19 | 2004-08-24 | Set, Tosoh | Shield assembly for substrate processing chamber |
| US7522822B2 (en) * | 2004-01-06 | 2009-04-21 | Robert Trujillo | Halogen lamp assembly with integrated heat sink |
| US20070082507A1 (en) | 2005-10-06 | 2007-04-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for the low temperature deposition of doped silicon nitride films |
| US7718045B2 (en) * | 2006-06-27 | 2010-05-18 | Applied Materials, Inc. | Ground shield with reentrant feature |
| US8367945B2 (en) | 2006-08-16 | 2013-02-05 | Cree Huizhou Opto Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
| JP2008227001A (ja) | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Rohm Co Ltd | 赤外線リフレクター及び加熱装置 |
| US20090071406A1 (en) * | 2007-09-19 | 2009-03-19 | Soo Young Choi | Cooled backing plate |
| US20090308739A1 (en) | 2008-06-17 | 2009-12-17 | Applied Materials, Inc. | Wafer processing deposition shielding components |
| US20110217848A1 (en) * | 2010-03-03 | 2011-09-08 | Bergman Eric J | Photoresist removing processor and methods |
| JP5254295B2 (ja) | 2010-09-22 | 2013-08-07 | 株式会社東芝 | 成膜装置 |
| US8404048B2 (en) * | 2011-03-11 | 2013-03-26 | Applied Materials, Inc. | Off-angled heating of the underside of a substrate using a lamp assembly |
| USD665491S1 (en) | 2012-01-25 | 2012-08-14 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber cover ring |
| USD665071S1 (en) | 2012-01-25 | 2012-08-07 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber liner |
| US10504719B2 (en) | 2012-04-25 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Cooled reflective adapter plate for a deposition chamber |
| US9051649B2 (en) * | 2013-03-11 | 2015-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor film deposition apparatus and method with improved heater cooling efficiency |
-
2013
- 2013-03-07 US US13/789,263 patent/US10504719B2/en active Active
- 2013-03-21 DE DE112013002199.4T patent/DE112013002199B4/de active Active
- 2013-03-21 CN CN201380021867.9A patent/CN104246984B/zh active Active
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- 2013-03-21 KR KR1020147032960A patent/KR102061305B1/ko active IP Right Grant
- 2013-04-25 TW TW102114863A patent/TWI560301B/zh active
-
2019
- 2019-11-26 US US16/695,793 patent/US10903067B2/en active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4837052A (en) * | 1986-03-03 | 1989-06-06 | Applied Materials, Inc. | Process for forming reflective gold coatings |
| US5125359A (en) * | 1987-07-27 | 1992-06-30 | Institut National De Rechereche Chimique Applique | Surface deposition or surface treatment reactor |
| US5690795A (en) * | 1995-06-05 | 1997-11-25 | Applied Materials, Inc. | Screwless shield assembly for vacuum processing chambers |
| US20040020759A1 (en) * | 2002-05-14 | 2004-02-05 | John Lawson | Sputtering cathode adapter assembly and method |
| US20080257263A1 (en) * | 2007-04-23 | 2008-10-23 | Applied Materials, Inc. | Cooling shield for substrate processing chamber |
| US20100151695A1 (en) * | 2008-12-15 | 2010-06-17 | Canon Anelva Corporation | Substrate processing apparatus, substrate annealing method, and semiconductor device manufacturing method |
| US20110070635A1 (en) * | 2009-08-04 | 2011-03-24 | Advanced Lab Group Cooperative | Systems and methods of generating energy and fresh water from solar radiation |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110191975A (zh) * | 2017-01-09 | 2019-08-30 | 应用材料公司 | 用于处理基板的方法及设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| KR102123349B1 (ko) | 2020-06-16 |
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| CN104246984B (zh) | 2018-02-23 |
| TWI560301B (en) | 2016-12-01 |
| KR20150004400A (ko) | 2015-01-12 |
| JP2015515550A (ja) | 2015-05-28 |
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