CN104227854A - 晶管切割装置 - Google Patents

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CN104227854A CN201410416749.4A CN201410416749A CN104227854A CN 104227854 A CN104227854 A CN 104227854A CN 201410416749 A CN201410416749 A CN 201410416749A CN 104227854 A CN104227854 A CN 104227854A
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叶建国
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CHANGZHOU LINKET ELECTRONIC TECHNOLOGY CO LTD
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Abstract

本发明涉及晶管切割技术领域，尤其是一种晶管切割装置。其包括基座，所述基座上设有侧轨，所述侧轨上设有支撑杆，所述支撑杆顶端设有刀座架，所述刀座架下方设有导轨，所述导轨上设有电机，所述电机末端连接水平放置的切刀，所述基座上设有底板，所述底板上设有靠板，所述靠板与底板呈垂直角度，所述底板与水平面的夹角为7-9°。其主要结构包括7-9°底板、切割装置、抛光装置，7-9°底板表面设有90°靠板，将晶圆直接安装在7-9°底板上进行切割，切割后直接进行抛光，这种新型晶圆切割技术切割后的芯片已有角度，直接进行抛光就可以使用，去掉了研磨角度工序，减少设备工序，提高设备效率，减少研磨耗材使用。

Description

晶管切割装置
技术领域
本发明涉及晶管切割技术领域，尤其是一种晶管切割装置。
背景技术
现有的晶圆切割技术均是在平面玻璃上进行条状分割，在采用用精加工进行研磨后抛光，最后进行颗粒分割。这样切割模式效率比较低，设备投入高，研磨耗材成本高，操作比较麻烦，难以进行大批量生产。
发明内容
为了克服现有的切割模式效率比较低，设备投入高，研磨耗材成本高的不足，本发明提供了一种晶管切割装置。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种晶管切割装置，包括基座，所述基座上设有侧轨，所述侧轨上设有支撑杆，所述支撑杆顶端设有刀座架，所述刀座架下方设有导轨，所述导轨上设有电机，所述电机末端连接水平放置的切刀，所述基座上设有底板，所述底板上设有靠板。
根据本发明的另一个实施例，进一步包括，所述靠板与底板呈垂直角度。
根据本发明的另一个实施例，进一步包括，所述底板与水平面的夹角为7-9°。
本发明的有益效果是，这种晶管切割装置其主要结构包括7-9°底板、切割装置、抛光装置，7-9°底板表面设有90°靠板，将晶圆直接安装在7-9°底板上进行切割，切割后直接进行抛光，这种新型晶圆切割技术切割后的芯片已有角度，直接进行抛光就可以使用，去掉了研磨角度工序，减少设备工序，提高设备效率，减少研磨耗材使用，得到市场的广泛认同。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。
图1是本发明的结构示意图。
图中1、基座，2、侧轨，3、支撑杆，4、刀座架，5、导轨，6、电机，8、切刀，9、底板，10、靠板。
具体实施方式
如图1是本发明的结构示意图，一种晶管切割装置，包括基座1，所述基座1上设有侧轨2，所述侧轨2上设有支撑杆3，所述支撑杆3顶端设有刀座架4，所述刀座架4下方设有导轨5，所述导轨5上设有电机6，所述电机6末端连接水平放置的切刀8，所述基座1上设有底板9，所述底板9上设有靠板10。
根据本发明的另一个实施例，进一步包括，所述靠板10与底板9呈垂直角度。
根据本发明的另一个实施例，进一步包括，所述底板9与水平面的夹角为7-9°。
这种晶管切割装置在使用的时候将需要切割的材料放置在底板9上，启动电机6内的升降装置将切刀9下将至需要切割的位置位置，使支撑杆3在侧轨2上前后移动，使其完成切割工序，当需要切割的材料宽度较大的时候，将电机6在导轨5上左右移动，实现完整切割的目的，使切割后的材料本身具有7-9°的夹角，直接进行抛光就可以使用，去掉了研磨角度工序，减少设备工序，提高设备效率，减少研磨耗材使用，使用效果良好。

Claims (3)

1.一种晶管切割装置，包括基座（1），其特征是，所述基座（1）上设有侧轨（2），所述侧轨（2）上设有支撑杆（3），所述支撑杆（3）顶端设有刀座架（4），所述刀座架（4）下方设有导轨（5），所述导轨（5）上设有电机（6），所述电机（6）末端连接水平放置的切刀（8），所述基座（1）上设有底板（9），所述底板（9）上设有靠板（10）。
2.根据权利要求1所述的晶管切割装置，其特征是，所述靠板（10）与底板（9）呈垂直角度。
3.根据权利要求1所述的晶管切割装置，其特征是，所述底板（9）与水平面的夹角为7-9°。
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Date Code Title Description
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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