CN104218899B - 功率检测电路与使用其的射频功率放大电路和电子系统 - Google Patents

功率检测电路与使用其的射频功率放大电路和电子系统 Download PDF

Info

Publication number
CN104218899B
CN104218899B CN201310213114.XA CN201310213114A CN104218899B CN 104218899 B CN104218899 B CN 104218899B CN 201310213114 A CN201310213114 A CN 201310213114A CN 104218899 B CN104218899 B CN 104218899B
Authority
CN
China
Prior art keywords
power
voltage
output voltage
signal
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310213114.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN104218899A (zh
Inventor
李威弦
李菘茂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Semiconductor Engineering Inc
Original Assignee
Advanced Semiconductor Engineering Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Semiconductor Engineering Inc filed Critical Advanced Semiconductor Engineering Inc
Priority to CN201310213114.XA priority Critical patent/CN104218899B/zh
Publication of CN104218899A publication Critical patent/CN104218899A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104218899B publication Critical patent/CN104218899B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Abstract

本发明公开了一种功率检测电路,功率检测电路用于检测射频功率放大电路的射频输出功率并且据此输出双斜率电压以提供不同主芯片的电压斜率曲线需求,其中双斜率电压包括正斜率电压与负斜率电压。功率检测电路包括第一偏压电阻、第一整流电路与第二整流电路。当待测功率信号增加时,则第一偏压电阻的跨压会对应地增加,藉此以降低第一输出电压且升高第二输出电压,其中第一输出电压为负斜率电压,第二输出电压为正斜率电压。

Description

功率检测电路与使用其的射频功率放大电路和电子系统
技术领域
本发明是关于一种功率检测电路,特别是指一种能同时提供正/负斜率电压曲线的功率检测电路。
背景技术
AMPS、PHS、NADC、GSM、DCS、PCS、IS-95、CDMA、WCDMA、DECT、WLAN(802.11)、DECT、CT0、CT1…等等,皆为业界所熟知的无线网路与个人通信装置的标准。个人通信装置(PCD)包括移动电话、无线电话、个人数字助理(personal digital assistant,PDA)、手提无线电话机(walkie-talkie)、智能型移动电话(smart phone)及其他等。所有这些装置都是无线通信装置(或称无线电通信装置)。PCD间的通信连接通过传送与接收射频(radio-frequency)信号来建立的。
在无线通信系统中,为了要追踪在发射模式(Transmit Mode)下的功率放大器(Power Amplifier)目前的输出功率(Output Power)大小,使能反馈(Feedback)到收发机(Transceiver)系统做功率检测,此时功率放大器中就需要一个功率检测电路(PowerDetector Circuit)使得由PA所产生的功率信号能通过此一闭回路功率检测电路转换成电压电平后再回馈到收发机系统中。
请同时参照图1A与图1B,图1A为能产生正斜率电压输出的现有功率检测电路。图1B为对应图1A的正斜率电压曲线的示意图。现有功率检测电路100包括耦合电容CP’、第一二极管D1、第二二极管D2、电容C与电阻R。耦合电容CP’为射频耦合电容,能让射频信号的待测功率信号RFD’通过之外,并能够同时隔离直流。而第二晶体管经系统电压VDD’提供偏压以产生一顺向偏压后,再提供给第一二极管D1偏压,经电阻R提供直流偏压回路到接地。通过第一二极管D1、电阻R和电容C组成的二极管整流电路会将从耦合电容CP’耦合过来的待测功率信号RFD’经整流成为直流电压DCOUT后回馈到收发机电路。通过与固件(Firmware)搭配来做为闭回路功率控制(Closed-loop power control)。并且由图1B可知,经过此二极管功率检测电路整流后的电压曲线,不同的输入功率大小会对应到一个电压值。
在现有技艺中,上述二极管式功率检测电路的架构简单且容易实现。然而,在面对有些主芯片(Main-chip)系统业者所采用的负斜率(Negative Slope)检测电压方式,此架构将无法达成。
发明内容
本发明的目的在于提供一种功率检测电路,功率检测电路用于检测射频功率放大电路的射频输出功率并且据此输出双斜率电压以提供一主芯片的电压斜率曲线需求。所述功率检测电路包括第一偏压电阻、第一整流电路与第二整流电路。第一偏压电阻的一端电性连接系统电压。第一整流电路电性连接第一偏压电阻的另一端,所述第一整流电路用以整流并据此输出第一输出电压,其中第一输出电压为系统电压减去第一偏压电阻的跨压,并且第一输出电压为负斜率电压。第二整流电路电性连接第一整流电路以接收第一电流,所述第二整流电路用以接收待测功率信号并且将待测功率信号整流为直流电压信号以输出第二输出电压,所述第二输出电压相对于待测功率信号的电压电平为正比关系,当待测功率信号增加时,则会增加第一电流以增大第一偏压电阻的跨压,藉此以降低第一输出电压,其中第二输出电压为正斜率电压。功率检测电路电性连接至多路复用器,所述多路复用器接收第一及第二输出电压并且根据选择信号传送第一及第二输出电压其中之一至主芯片,藉此以动态调整射频功率放大电路的射频输入功率,进而使射频功率放大电路的射频输出功率保持一致。
在本发明其中一个实施例中,其中第一电流相对于待测功率信号成正比,第一输出电压相对于第一电流成反比,并且第二输出电压相对于第一电流成正比,其中待测功率信号为射频输出功率的耦合信号,并且双斜率电压包括正斜率电压与负斜率电压。
在本发明其中一个实施例中,第一整流电路包括第一整流晶体管、第一整流电阻与第一整流电容。第一整流晶体管的集极连接第一偏压电阻的另一端并且输出第一输出电压,第一整流晶体管的基极通过第二偏压电阻连接至系统电压,其中第一及第二偏压电阻用以偏压第一整流晶体管。第一整流电阻的一端连接第一偏压电阻的另一端,第一整流电阻的另一端连接接地电压。第一整流电容的一端连接第一偏压电阻的另一端,第一整流电容的另一端连接接地电压,其中当待测功率信号增加时,则第一电流与流经第一偏压电阻的第二电流会对应地上升,以增大第一偏压电阻的跨压,藉此使第一整流晶体管的集极电压下降。
在本发明其中一个实施例中,第二整流电路包括第二整流晶体管、第二整流电阻与第二整流电容。第二整流晶体管的集极与基极相互连接以形成等效二极管且连接第一整流晶体管的射极,第二整流晶体管的基极通过耦合电容连接至待测功率信号。第二整流电阻的一端连接第二整流晶体管的射极,第二整流电阻的另一端连接接地电压。第二整流电容的一端连接第二整流晶体管的射极,第二整流电容的另一端连接接地电压,其中通过第二整流晶体管、第二整流电阻与第二整流电容来将耦合电容所耦合的待测功率信号整流成直流电压信号并且于第二整流晶体管的射极输出第二输出电压。当待测功率信号增加时,则第二整流晶体管的射极电压电平会对应地上升。
本发明实施例另提供一种射频功率放大电路,射频功率放大电路电性连接至一主芯片并且射频功率放大电路包括功率放大器、功率检测电路与多路复用器。功率放大器通过电性连接输入匹配电路以接收射频输入信号并且予以放大,所述功率放大器通过电性连接输出匹配电路以输出射频输出信号。功率检测电路用以检测功率放大器的射频输出功率,所述功率检测电路电性连接至功率放大器与输出匹配电路之间以接收功率检测信号。多路复用器电性连接功率检测电路与主芯片之间,多路复用器接收第一及第二输出电压并且根据选择信号传送第一与第二输出电压其中之一至主芯片,藉此以动态调整射频功率放大电路的射频输入功率,进而使射频功率放大电路的射频输出功率保持一致。
本发明实施例再提供一种电子系统,所述电子系统包括射频功率放大电路与负载。射频功率放大电路用以接收射频输入信号并且予以放大,并据此输出射频输出信号。负载电性连接射频功率放大电路。
综上所述,本发明实施例所提出的功率检测电路与使用其的射频功率放大电路、电子系统,将同时具有正/负斜率电压曲线的功率检测电路直接整合在主芯片,以提供不同主芯片的电压斜率曲线要求,更能够降低额外的外部电路,进而降低周边电路成本。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,但是此等说明与所附图式仅用来说明本发明,而非对本发明的权利要求范围作任何的限制。
附图说明
图1A为能产生正斜率电压输出的现有功率检测电路。
图1B为对应图1A的正斜率电压曲线的示意图。
图2为根据本发明实施例的射频功率放大电路的区块示意图。
图3为根据本发明实施例的功率检测电路的区块示意图。
图4为根据本发明再一实施例的功率检测电路的具体电路图。
图5为根据本发明实施例的正斜率电压曲线的示意图。
图6为根据本发明实施例的负斜率电压曲线的示意图。
图7为根据本发明实施例的电子系统的区块示意图。
其中,附图标记说明如下:
100:现有功率检测电路
200、300:射频功率放大电路
700:电子系统
210:功率放大器
220:输入匹配电路
230:输出匹配电路
240:功率检测电路
242:第一整流电路
244:第二整流电路
250:多路复用器
260:主芯片
710:射频功率放大电路
720:负载
CP’、CP:耦合电容
C:电容
C1:第一整流电容
C2:第二整流电容
D1:第一二极管
D2:第二二极管
DCOUT:直流电压
GND:接地电压
Q1:第一整流晶体管
Q2:第二整流晶体管
I1:第一电流
I2:第二电流
R:电阻
R1:第一整流电阻
R2:第二整流电阻
RB1:第一偏压电阻
RB2:第二偏压电阻
RFD’、RFD:待测功率信号
RFIN:射频输入信号
RFOUT:射频输出信号
SEL:选择信号
VDD’、VDD:系统电压
VRB1:跨压
VOUT1:第一输出电压
VOUT2:第二输出电压
具体实施方式
在下文将参看随附图式更充分地描述各种例示性实施例,在随附图式中展示一些例示性实施例。然而,本发明概念可能以许多不同形式来体现,且不应解释为限于本文中所阐述的例示性实施例。确切而言,提供此等例示性实施例使得本发明将为详尽且完整,且将向熟习此项技术者充分传达本发明概念的范畴。在诸图式中,可为了清楚而夸示层及区的大小及相对大小。类似数字始终指示类似元件。
应理解,虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件,但此等元件不应受此等术语限制。此等术语乃用以区分一元件与另一元件。因此,下文论述的第一元件可称为第二元件而不偏离本发明概念的教示。如本文中所使用,术语“及/或”包括相关联的列出项目中的任一者及一或多者的所有组合。
在无线通信系统中,为了要能够追踪发射模式下的射频功率放大电路目前的输出功率大小,并使其能回馈到收发机(Transceiver)系统做功率检测,则射频功率放大电路则需要一个功率检测电路。在实务应用上,有一部分主芯片系统业者会采用正斜率电压曲线的功率检测电路来检测目前的输出功率,但另一部分主芯片系统业者会采负斜率电压曲线的功率检测电路来检测目前的输出功率,因此采用正斜率电压曲线的功率检测电路的系统业者需要再增加额外的电路面积及成本来产生具有负斜率电压曲线的功率检测电路才能达成。为了因应目前系统业者的需求,本揭示内容提供一种可直接整合在主芯片(射频功率放大电路的芯片)并且能够同时提供正/负斜率电压曲线的功率检测电路,以因应不同的主芯片的电压斜率曲线需求。以下将进一步说明多个实施例中至少一实施例以便了解本揭示内容。
〔功率检测电路的实施例〕
请参照图2,图2为根据本发明实施例的射频功率放大电路的区块示意图。如图2所示,射频功率放大电路200包括功率放大器210、输入匹配电路220、输出匹配电路230、功率检测电路240与多路复用器250。功率放大器210电性连接于输入匹配电路220与输出匹配电路230之间。功率检测电路240电性连接功率放大器210的输出端。多路复用器250电性连接功率检测电路240与主芯片260之间。
于现今的通信系统中,当收发机在发射模式下,功率放大器210会通过一输入匹配电路220来接收主芯片260所传送的射频输入信号RFIN并且予以放大,之后通过一输出匹配电路230来传送射频输出信号RFOUT至一天线(未绘示)以进行无线通信。此时,功率检测电路240会检测功率放大器210目前的输出功率以作为待测功率信号RFD(亦即待测功率信号RFD为射频输出功率RFOUT的耦合信号),并且将待测功率信号RFD予以整流为直流电压信号后,据此同时输出第一输出电压VOUT1与第二输出电压VOUT2至多路复用器250,其中第一输出电压VOUT1为负斜率电压,第二输出电压VOUT2为正斜率电压。之后,多路复用器250接收第一输出电压VOUT1及第二输出电压VOUT2并且根据选择信号SEL传送第一与第二输出电压VOUT1、VOUT2其中之一至主芯片以达到闭回路功率控制(Closed-loop power control),其中选择信号SEL为由主芯片260主动传送至多路复用器250以让多路复用器250所传送出的输出电压能够符合主芯片260本身的电压斜率曲线的需求。据此,以动态调整射频功率放大电路200的射频输入功率,进而使射频功率放大电路200的射频输出功率保持一致。
为了更详细地说明本发明所述的功率检测电路240的运作流程,以下将举多个实施例中至少之一来作更进一步的说明。
在接下来的多个实施例中,将描述不同于上述图2实施例的部分,且其余省略部分与上述图2实施例的部分相同。此外,为说明便利起见,相似的参考数字或标号指示相似的元件。
〔功率检测电路的另一实施例〕
请参照图3,图3为根据本发明实施例的功率检测电路的区块示意图。本揭示内容的功率检测电路240用于检测射频功率放大电路300的射频输出功率(亦即将功率放大器210目前的输出功率的耦合信号作为待测功率信号RFD),并且据此输出双斜率电压以提供不同系统主芯片的电压斜率曲线需求,其中双斜率电压的信号包括正斜率电压与该负斜率电压。如图3所示,功率检测电路240包括第一偏压电阻RB1、第一整流电路242与第二整流电路244。第一偏压电阻RB1的一端电性连接一系统电压VDD,第一整流电路242电性连接第一偏压电阻RB1的另一端与多路复用器250。第二整流电路244电性连接第一整流电路242、功率放大器210的输出端与多路复用器250。
第一整流电路242用以整流并据此输出第一输出电压VOUT1至多路复用器250并且输出第一电流I1至第二整流电路244,其中第一输出电压VOUT1为系统电压VDD减去第一偏压电阻RB1的跨压VRB1,并且第一输出电压VOUT1为一负斜率电压。进一步来说,当待测功率信号RFD增加且上升时,则第一电流I1与流经第一偏压电阻RB1的电流也会上升。因此,根据欧姆定律,第一偏压电阻RB1的跨压则会增加以使得第一输出电压VOUT1呈现出负斜率电压曲线的特性。
第二整流电路244用以接收待测功率信号RFD并且将待测功率信号RFD整流为直流电压信号以输出第二输出电压VOUT2,第二输出电压VOUT2相对于待测功率信号RFD的电压电平为正比关系,当功率放大器210目前的输出功率上升时,亦即当待测功率信号RFD增加时,则第二输出电压VOUT2亦会随之上升,其中第二输出电压VOUT2具有一正斜率电压曲线的特性。简单来说,第一电流I1相对于待测功率信号RFD成正比,所述第一输出电压VOUT1相对于第一电流I1成反比,并且所述第二输出电压VOUT2相对于第一电流I1成正比,其中待测功率信号RFD为射频输出功率RFOUT未经输出匹配电路230处理的信号,亦即待测功率信号RFD为射频输出功率RFOUT的耦合信号。
接下来要教示的,是进一步说明功率检测电路240的工作原理。
同样地,收发机在发射模式下,射频功率放大电路300中的功率放大器210通过一输入匹配电路220来接收主芯片260所传送的射频输入信号RFIN并予以放大,之后通过一输出匹配电路230来输出射频输出信号RFOUT以进行射频通信。此时,本揭示内容利用功率检测电路240来即时检测功率放大器210目前的输出功率,进一步来说,第二整流电路244会接收功率放大器210目前的输出功率以作为待测功率信号RFD,当待测功率信号RFD的电压电平上升时,则第二整流电路244不仅会对待测功率信号RFD予以整流为直流形式的电压,并且会对应地输出具有正斜率电压曲线的第二输出电压VOUT2至多路复用器250。此时,亦即在待测功率信号RFD的电压电平上升时,第一电流I1与流经第一偏压电阻RB1的电流也会对应地增加以使得第一偏压电阻RB1的跨压VRB1上升。由于,第一输出电压VOUT1的电压电平为系统电压VDD减去第一偏压电阻RB1的跨压VRB1,所以第一输出电压VOUT1会随着第一电压电阻RB1的跨压增加而对应地下降,故第一输出电压VOUT1具有负斜率电压曲线的特性。接下来,多路复用器250会同时接收到具有负斜率电压曲线的第一输出电压VOUT1与具有正斜率电压曲线的第二输出电压VOUT2,并且根据主芯片260对正/负斜率电压曲线的需求输出第一输出电压VOUT1与第二输出电压VOUT2其中之一至主芯片260以动态调整功率放大器210目前的输出功率,据此以符合现今通信系统的需求。
举例来说,当系统业者所提供的主芯片260为具有负斜率电压曲线的需求时,则主芯片260会传送一选择信号SEL(如数字逻辑“0”)至多路复用器250,以使得多路复用器250传送具有负斜率电压曲线的第一输出电压VOUT1至主芯片260。之后,主芯片260会根据内建的查找表(look up table)来调整射频输入信号RFIN,亦即产生对应的射频输入信号RFIN至射频功率放大电路300。另一方面,当系统业者所提供的主芯片260为具有正斜率电压曲线的需求时,则主芯片260会传送一选择信号SEL(如数字逻辑“1”)至多路复用器250,以使得多路复用器250传送具有正斜率电压曲线的第二输出电压VOUT2至主芯片260。之后,主芯片260会根据内建的查找表(look up table)来调整射频输入信号RFIN,亦即产生对应的射频输入信号RFIN至射频功率放大电路300。
为了更详细地说明本发明所述的功率检测电路240的运作流程,以下将举多个实施例中至少之一来作更进一步的说明。
在接下来的多个实施例中,将描述不同于上述图3实施例的部分,且其余省略部分与上述图3实施例的部分相同。此外,为说明便利起见,相似的参考数字或标号指示相似的元件。
〔功率检测电路的再一实施例〕
请参照图4,图4为根据本发明再一实施例的功率检测电路240的具体电路图。与上述图3实施例不同的是,在本实施例的功率检测电路240的第一整流电路242包括第一整流晶体管Q1、第一整流电阻R1与第一整流电容C1。第二整流电路244包括第二整流晶体管Q2、第二整流电阻R2与第二整流电容C2。第一整流晶体管Q1的集极连接第一偏压电阻RB1的另一端并且输出第一输出电压VOUT1,第一整流晶体管Q1的基极通过第二偏压电阻RB2连接至系统电压VDD,其中第一及第二偏压电阻RB1、RB2用以偏压第一整流晶体管Q1。第一整流电阻R1的一端连接第一偏压电阻RB1的另一端,第一整流电阻R1的另一端连接接地电压GND。第一整流电容C1的一端连接第一偏压电阻RB1的另一端,第一整流电容C1的另一端连接接地电压GND。第二整流晶体管Q2的集极与基极相互连接以形成等效二极管且连接第一整流晶体管Q1的射极,第二整流晶体管Q2的基极通过耦合电容CP连接至待测功率信号RFD。第二整流电阻R2的一端连接第二整流晶体管Q2的射极,第二整流电阻R2的另一端连接接地电压GND。第二整流电容C2的一端连接第二整流晶体管Q2的射极,第二整流电容C2的另一端连接接地电压GND。
接下来要教示的,是进一步说明功率检测电路240的工作原理。当功率检测电路240通过第二整流晶体管Q2的基极接收待测功率信号RFD时,则第二整流晶体管Q2、第二整流电阻与第二整流电容C2会将耦合电容CP耦合过来的待测功率信号RFD予以整流为直流电压形式,并且会在第二整流晶体管Q 的射极输出第二输出电压VOUT2。同时,第一电流I1会从第一整流晶体管Q1的射极流向第二晶体管Q2的集极,而第一整流晶体管Q1会被第一偏压电阻RB1与第二偏压电阻RB2偏压在主动区域,并且第一偏压电阻RB1会有第二电流I2流经过,而在其两端产生一跨压VRB1。因此,由图4可知,在第一整流晶体管Q1的集极所输出的第一输出电压VOUT1为系统电压VDD减去第一偏压电阻RB1的跨压VRB1。
当待测功率信号RFD的电压电平上升或增加时,则第二晶体管Q2的射极电流也会对应地上升,并且第二晶体管Q2的射极电流的部分电流会对第二整流电容C2进行充电以储存能量,故根据一般电容的电压电流关系,第二整流电容C2上的电容电压(即第二输出电压VOUT2)会呈现指数型上升的趋势。在此,请同时参照图4与图5,图5为根据本发明实施例的正斜率电压曲线的示意图。在图5中,横轴为待测功率信号(单位为dBm),纵轴为第二输出电压(单位为伏特)。由图5可知,不同的待测功率信号RFD的电压对应至不同的第二输出电压VOUT2,并且呈现指数型上升的趋势,因此第二输出电压VOUT2为正斜率电压曲线。同时,当待测功率信号RFD的电压电平上升或增加时,则第一电流I1与流经第一偏压电阻RB1的第二电流I2也会同步地上升,进而使得第一偏压电阻RB1的跨压VRB1上升,藉此使第一整流晶体管Q1的集极电压下降。详细来说,由于第一输出电压VOUT1为系统电压VDD减去第一偏压电阻RB1的跨压,所以当第一偏压电阻RB1的跨压VRB1上升,则第一输出电压VOUT1会对应地下降。进一步来说,第一整流电容C1会对第一整流晶体管Q1的集极端进行放电。请同时参照图4与图6,图6为根据本发明实施例的负斜率电压曲线的示意图。在图6中,横轴为待测功率信号(单位为dBm),纵轴为第一输出电压(单位为伏特)。由图6可知,不同的待测功率信号RFD的电压对应至不同的第一输出电压VOUT1,并且呈现指数型下降的趋势,因此第一输出电压VOUT1为负斜率电压曲线。接下来,多路复用器250(对应参照图3)会同时接收到具有负斜率电压曲线的第一输出电压VOUT1与具有正斜率电压曲线的第二输出电压VOUT2,并且根据主芯片260对正/负斜率电压曲线的需求输出一控制电压至功率放大器以动态调整功率放大器210目前的输出功率,据此以符合现今通信系统对射频功率放大电路的需求。
〔电子系统的一实施例〕
请参照图7,图7为根据本发明实施例的电子系统的区块示意图。电子系统700包括射频功率放大电路710与连接至射频功率放大电路的负载720。射频功率放大电路710可以是上述实施例中的射频功率放大电路200与300的其中之一,且用以将所接收的射频输入信号RFIN予以放大后传送射频输出信号RFOUT至负载720。
〔实施例的可能功效〕
综上所述,本发明实施例所提出的功率检测电路与使用其的射频功率放大电路、电子系统,将同时具有正/负斜率电压曲线的功率检测电路直接整合在主芯片,以提供不同主芯片的电压斜率曲线要求,更能够降低额外的外部电路,进而降低周边电路成本。
以上所述仅为本发明的实施例,其并非用以局限本发明的专利权利要求范围。

Claims (10)

1.一种功率检测电路,其特征在于,用于检测一射频功率放大电路的一射频输出功率并且据此输出一双斜率电压以提供一主芯片的电压斜率曲线需求,该功率检测电路包括:
一第一偏压电阻,其一端电性连接一系统电压;
一第一整流电路,电性连接该第一偏压电阻的另一端,该第一整流电路用以整流并据此输出一第一输出电压,其中该第一输出电压为该系统电压减去该第一偏压电阻的跨压,并且该第一输出电压为一负斜率电压;以及
一第二整流电路,电性连接该第一整流电路以接收一第一电流,该第二整流电路用以接收一待测功率信号并且将该待测功率信号整流为直流电压信号以输出一第二输出电压,该第二输出电压相对于该待测功率信号的电压电平为正比关系,当该待测功率信号增加时,则会增加该第一电流以增大该第一偏压电阻的跨压,藉此以降低该第一输出电压,其中该第二输出电压为一正斜率电压,
其中该功率检测电路电性连接至一多路复用器,该多路复用器接收该第一及该第二输出电压并且根据一选择信号传送该第一及该第二输出电压其中之一至该主芯片,藉此以动态调整该射频功率放大电路的射频输入功率,进而使该射频功率放大电路的该射频输出功率保持一致。
2.如权利要求1所述的功率检测电路,其特征在于,该第一电流相对于该待测功率信号成正比,该第一输出电压相对于该第一电流成反比,并且该第二输出电压相对于该第一电流成正比,其中该待测功率信号为该射频输出功率的耦合信号,并且该双斜率电压包括该正斜率电压与该负斜率电压。
3.如权利要求1所述的功率检测电路,其特征在于,该第一整流电路包括:
一第一整流晶体管,其集极连接该第一偏压电阻的另一端并且输出该第一输出电压,其基极通过一第二偏压电阻连接至该系统电压,其中该第一及该第二偏压电阻用以偏压该第一整流晶体管;
一第一整流电阻,其一端连接该第一偏压电阻的另一端,其另一端连接一接地电压;以及
一第一整流电容,其一端连接该第一偏压电阻的另一端,其另一端连接该接地电压,其中当该待测功率信号增加时,则该第一电流与流经该第一偏压电阻的一第二电流会对应地上升,以增大该第一偏压电阻的跨压,藉此使该第一整流晶体管的集极电压下降。
4.如权利要求3所述的功率检测电路,其特征在于,该第二整流电路包括:
一第二整流晶体管,其集极与基极相互连接以形成一等效二极管且连接该第一整流晶体管的射极,其基极通过一耦合电容连接至该待测功率信号;
一第二整流电阻,其一端连接该第二整流晶体管的射极,其另一端连接该接地电压;以及
一第二整流电容,其一端连接该第二整流晶体管的射极,其另一端连接该接地电压,其中通过该第二整流晶体管、该第二整流电阻与该第二整流电容来将该耦合电容所耦合的该待测功率信号整流成直流电压信号并且于该第二整流晶体管的射极输出该第二输出电压,
其中当该待测功率信号增加时,则该第二整流晶体管的射极电压电平会对应地上升。
5.一种射频功率放大电路,其特征在于,电性连接一主芯片,该射频功率放大电路包括:
一功率放大器,通过电性连接一输入匹配电路以接收一射频输入信号并且予以放大,该功率放大器通过电性连接一输出匹配电路以输出一射频输出信号;
一功率检测电路,用以检测该功率放大器的射频输出功率,该功率检测电路电性连接至该功率放大器与该输出匹配电路之间以接收一待测功率信号,该功率检测电路包括:
一第一偏压电阻,其一端电性连接一系统电压;
一第一整流电路,电性连接该第一偏压电阻的另一端,该第一整流电路用以整流并据此输出一第一输出电压,其中该第一输出电压为该系统电压减去该第一偏压电阻的跨压,并且该第一输出电压为一负斜率电压;以及
一第二整流电路,电性连接该第一整流电路以接收一第一电流,该第二整流电路用以接收一待测功率信号并且将该待测功率信号整流为直流电压信号以输出一第二输出电压,该第二输出电压相对于该待测功率信号的电压电平为正比关系,当该待测功率信号增加时,则会增加该第一电流以增大该第一偏压电阻的跨压,藉此以降低该第一输出电压,其中该第二输出电压为一正斜率电压,
一多路复用器,电性连接该功率检测电路与该主芯片之间,该多路复用器接收该第一及该第二输出电压并且根据一选择信号传送该第一与该第二输出电压其中之一至该主芯片,藉此以动态调整该射频功率放大电路的射频输入功率,进而使该射频功率放大电路的该射频输出功率保持一致。
6.如权利要求5所述的射频功率放大电路,其特征在于,该第一电流相对于该待测功率信号成正比,该第一输出电压相对于该第一电流成反比,并且该第二输出电压相对于该第一电流成正比,其中该待测功率信号为该射频输出功率的耦合信号。
7.如权利要求5所述的射频功率放大电路,其特征在于,该第一整流电路包括:
一第一整流晶体管,其集极连接该第一偏压电阻的另一端并且输出该第一输出电压,其基极通过一第二偏压电阻连接至该系统电压,其中该第一及该第二偏压电阻用以提供偏压至该第一整流晶体管;
一第一整流电阻,其一端连接该第一偏压电阻的另一端,其另一端连接一接地电压;以及
一第一整流电容,其一端连接该第一偏压电阻的另一端,其另一端连接该接地电压,其中当该待测功率信号增加时,则该第一电流与流经该第一偏压电阻的一第二电流会对应地上升,以增大第一偏压电阻的跨压,藉此使该第一整流晶体管的集极电压下降。
8.如权利要求7所述的射频功率放大电路,其特征在于,该第二整流电路包括:
一第二整流晶体管,其集极与基极相互连接以形成一等效二极管且连接该第一整流晶体管的射极,其基极通过一耦合电容连接至该待测功率信号;
一第二整流电阻,其一端连接该第二整流晶体管的射极,其另一端连接该接地电压;以及
一第二整流电容,其一端连接该第二整流晶体管的射极,其另一端连接该接地电压,其中通过该第二整流晶体管、该第二整流电阻与该第二整流电容来将该耦合电容所耦合的该待测功率信号整流成直流电压信号并且于该第二整流晶体管的射极输出该第二输出电压,
其中当该待测功率信号增加时,则该第二整流晶体管的射极电压电平会对应地上升。
9.一种电子系统,其特征在于,包括:
一如权利要求5所述的射频功率放大电路,用以接收一射频输入信号并且予以放大,并据此输出一射频输出信号;以及
一负载,电性连接该射频功率放大电路。
10.如权利要求9所述的电子系统,其特征在于,该第一电流相对于该待测功率信号成正比,该第一输出电压相对于该第一电流成反比,并且该第二输出电压相对于该第一电流成正比,其中该待测功率信号为该射频输出功率的耦合信号。
CN201310213114.XA 2013-05-31 2013-05-31 功率检测电路与使用其的射频功率放大电路和电子系统 Active CN104218899B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310213114.XA CN104218899B (zh) 2013-05-31 2013-05-31 功率检测电路与使用其的射频功率放大电路和电子系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310213114.XA CN104218899B (zh) 2013-05-31 2013-05-31 功率检测电路与使用其的射频功率放大电路和电子系统

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104218899A CN104218899A (zh) 2014-12-17
CN104218899B true CN104218899B (zh) 2017-03-01

Family

ID=52100099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310213114.XA Active CN104218899B (zh) 2013-05-31 2013-05-31 功率检测电路与使用其的射频功率放大电路和电子系统

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104218899B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107404358B (zh) * 2017-07-27 2022-03-15 西藏育宁科技集团有限公司 一种射频通路检测方法、终端及计算机可读存储介质

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1655446A (zh) * 2004-02-12 2005-08-17 株式会社瑞萨科技 高频功率放大器电路及无线通信系统
US7454179B1 (en) * 2005-11-15 2008-11-18 Rf Micro Devices, Inc. Radio frequency power detector and decision circuit used with DC supply voltage controlled power amplifiers

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6750709B2 (en) * 2001-11-30 2004-06-15 The Boeing Company Bipolar transistor-based linearizer with programmable gain and phase response system
US7546098B2 (en) * 2003-05-29 2009-06-09 Analog Devices, Inc. Control system with selective open-loop operation

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1655446A (zh) * 2004-02-12 2005-08-17 株式会社瑞萨科技 高频功率放大器电路及无线通信系统
US7454179B1 (en) * 2005-11-15 2008-11-18 Rf Micro Devices, Inc. Radio frequency power detector and decision circuit used with DC supply voltage controlled power amplifiers

Also Published As

Publication number Publication date
CN104218899A (zh) 2014-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100533959C (zh) 高频功率放大器的电子部件
CN1838530B (zh) 高频功率放大器电路
CN101192864B (zh) Rf功率放大装置及搭载该装置的无线通信终端装置
KR100516598B1 (ko) 스위칭가능 전력증폭기, 전력증폭기를 포함하는 무선 장치 및 증폭 방법
US6307364B1 (en) Power sensor for RF power amplifier
TWI240481B (en) High frequency power amplifier, wireless communication apparatus and wireless communication system
US20060280261A1 (en) System and method for controlling power output from a power amplifier
JP2001522565A (ja) 移動式無線に適用するバッテリ寿命延長技術
US7190935B2 (en) Amplifier power detection circuitry
US20040075501A1 (en) High frequency power amplification electric part and wireless communication system
CN101477147B (zh) 射频功率检测电路
CN110855254B (zh) 一种射频功率放大器、芯片及通信终端
CN104218899B (zh) 功率检测电路与使用其的射频功率放大电路和电子系统
CN103888086A (zh) 电子系统、射频功率放大器及其偏压点自我调整方法
US20180123624A1 (en) Power detectors for radio-frequency applications
CN105811892B (zh) 一种移动终端的双供应偏置电路
CN103916087B (zh) 电子系统、射频功率放大器及其偏压点动态调整方法
US7574182B2 (en) Mobile communications terminal having driving voltage control apparatus and method thereof
US10804861B2 (en) Power amplification module, method for controlling power amplification module, and high-frequency front end circuit
CN1832360B (zh) 具有驱动电压控制设备的移动通信终端及其方法
TWI533666B (zh) 功率偵測電路與使用其之射頻功率放大電路、電子系統
CN100471040C (zh) 起动信号输出电路
CN206195731U (zh) 一种高动态范围的放大电路
CN105871388A (zh) 射频功率放大器和移动通信终端
JP2005197860A (ja) 高周波電力増幅回路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant