CN104201164A - 一种三维集成电路组件及其制备方法 - Google Patents

一种三维集成电路组件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104201164A
CN104201164A CN201410428833.8A CN201410428833A CN104201164A CN 104201164 A CN104201164 A CN 104201164A CN 201410428833 A CN201410428833 A CN 201410428833A CN 104201164 A CN104201164 A CN 104201164A
Authority
CN
China
Prior art keywords
integrated circuit
layer
plastic
plastic layer
copper film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410428833.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104201164B (zh
Inventor
严文华
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
COSONIC ACOUSTIC TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
COSONIC ACOUSTIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by COSONIC ACOUSTIC TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical COSONIC ACOUSTIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201410428833.8A priority Critical patent/CN104201164B/zh
Publication of CN104201164A publication Critical patent/CN104201164A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104201164B publication Critical patent/CN104201164B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

本发明涉及一种三维集成电路组件及其制备方法,包括塑胶层、金属层及设于所述金属层上的抗氧化层,所述金属层上成型有集成线路,所述塑胶层包括以下重量百分比的各组分:塑胶母体75-95%;无机填料2-15%;表面活性剂0.5-5%;增塑剂2-8%;脱模剂0.5-5%;上述三维集成电路组件的制备方法,包括以下步骤:1)合成塑胶原料;2)制备塑胶层;3)制备三维集成线路;4)抗氧化处理。与现有技术相比,本发明的三维集成电路结构简单,使用了改性的耐高温、耐湿、韧性好的塑胶层为载体,通过真空溅射、打印或者化学镀的方法,在塑胶层的表面形成一层铜膜层,然后通过激光机切割集成线路,结构简单,原料来源广泛,生产工艺成熟,成品率高,降低了生产成本。

Description

一种三维集成电路组件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种三维集成电路组件及其制备方法。
背景技术
电子电器和机电产品制造工艺和相应的材料技术进步的方向是柔性、环保、环境友好、节能。德国开发出在塑胶表面形成精密和紧密的导电图案的技术,电子元器件可以直接焊接在塑胶外壳或者内壳上,形成无印刷电路板的电子、电器和机电一体化产品,称之为立体电路。
立体电路的制备方法包括以下几个步骤:步骤一:采用一种激光塑胶原料注塑或者压铸呈塑胶件:步骤二:激光机按用户设计好的CAD图案,扫描塑胶件,形成导电图案,此步骤称为激光处理或激光活化;步骤三:经过激光处理的塑胶件化学镀增厚金属层。
由于立体电路产业刚刚起步,使用的原料为特殊塑胶,里面含有金属的种子,比较昂贵且种类较少,由于工艺不完善,成品率较低,且生产设备比较昂贵,成本较高,限制了这项技术的推广应用。
因此,急需提供一种三维集成电路及其制备方法,以解决现有技术的不足。
发明内容
本发明的目的是提供一种三维集成电路组件及其制备方法,结构简单,原料来源广泛,成品率高,成本低。
为了实现上述目的,本发明采用如下的技术方案:
一种三维集成电路组件,包括塑胶层、金属层及设于所述金属层上的抗氧化层,所述金属层上成型有集成线路。
具体地,所述金属层为铜膜层。
具体地,所述塑胶层上开设有一个凹槽,所述金属层置于所述凹槽内,所述塑胶层的两侧还开设有安装孔。
具体地,所述抗氧化层为镍抗氧化层。
具体地,所述塑胶层包括以下重量百分比的各组分:
具体地,所述塑胶母体选自热塑性塑料或者液态成型的热固性塑料,所述热塑性塑料选自间规聚苯乙烯(SPS)、聚碳酸酯(PC)、尼龙(PA6、PA66、PA11、PA10、PA610、PA612)、聚丙烯(PP)或者丙烯腈、丁二烯、丙乙烯三者的共聚物(ABS)中的一种或者多种的共聚物,所述液态成型的热固性塑料选自液态硅胶。
具体地,所述无机填料选自沉淀硫酸钡、滑石粉或玻璃微粉中的任意一种或几种的组合物;所述表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠;所述增塑剂选自葡萄糖苷或ACR中的任意一种或者两者的组合物,所述ACR选自ACR-201、ACR301或者ACR401中的一种或者几种的组合物;所述脱模剂选自硬脂酸锌或者硬脂酸镁中的一种或者两种的组合物。
具体地,所述的三维集成电路组件的制备方法,包括以下步骤:
1)合成塑胶原料
按配方量分别称取热塑性塑料、无机填料、表面活性剂、增塑剂以及脱模剂,首先将塑料投入捏合机,然后依次加入无机填料、表面活性剂、脱模剂及固化剂,开启捏合机混合均匀,接着冷却到10-30℃,从捏合机中排出塑胶原料;然后经过干燥、制粉、造粒工序得到可塑性好的塑胶原料;
2)制备塑胶层
将步骤1中制备的塑胶原料投入到注塑机或者压铸机中,在50-90℃下成型1-2小时,注塑或者压铸出所需结构和形状的塑胶层;
对于液态成型的热固性塑料,可以省略步骤1,直接液态注射成型塑胶层,具体步骤如下,首先按配方量分别称取液态成型的热固性塑料、无机填料、表面活性剂、增塑剂以及脱模剂,将液态成型的热固性塑料投入搅拌机,然后依次加入无机填料、表面活性剂、脱模剂及固化剂,充分混合后进入塑化系统,通过塑化螺杆将上述混合料注射到热模具中,模具的温度介于170-200℃之间,反应1-2小时后,固化完成,最后经过冷流道系统冷却,即得到所需结构和形状塑胶层;
3)制备三维集成线路
首先在步骤2制备的塑胶层的表面通过真空溅射方法,镀上一层铜膜;然后在激光机上装载设计好的CAD文档,激光机选择性扫描铜膜层,将铜膜层上除设计好的集成线路的其它铜膜层切割掉,保留剩下的铜膜层为集成线路;
4)抗氧化处理
将步骤3制备的三维集成线路快速超声波化学镀,然后在铜膜层上镀上一层镍抗氧化层;
具体地,所述真空溅射的方法是以步骤2制备的塑胶层为载体,真空镀膜机的高能离子束在高真空度下轰击铜靶,在塑胶层上形成1-20μm厚的铜膜层;
所述打印的方法是以步骤2制备的塑胶层为载体,纳米铜导电墨水为原料,通过打印机在塑胶层上打印上一层厚度为1-20μm的铜膜层;
所述化学镀的方法是以步骤2制备的塑胶层为载体,在PH 11-13,温度40-70℃下,超声机的功率为50-250W、频率为20-80Kz,镀铜液包含乙醛酸、硫酸铜、乙二胺四乙酸、联吡啶及聚乙二醇和苯基聚氧乙烯醚磷酸钠,将塑胶层置于上述铜镀液中反应5-20min,即可在塑胶层上镀一层厚度为1-20μm的铜膜层。
具体地,所述步骤3的激光扫描步骤采用近红外或者紫外激光机,所述激光机的电磁射线的波长为248nm、308nm、355nm、532nm、1064nmnm,所述激光机的功率400W内。
本发明公开了一种三维集成电路组件及其制备方法,本发明的三维集成电路组件结构简单,主要的原料塑胶母体经过了改性,加入了无机填料,而无机填料熔点高,尺寸稳定性好,有较低的膨胀系数,提高塑胶层的耐热性和降低塑胶层的收缩率;增塑剂减少了塑胶层的内部应力,增加了其低温低湿性能,改性后的塑胶层耐高温耐低温、耐湿、韧性好,通过真空溅射、打印或者化学镀的方法,在塑胶层的表面形成一层铜膜层,然后通过激光机将集成线路以外的铜膜层切割掉,留下集成线路的铜膜层,然后超声镀抗氧化镍层,即可得到所需的三维集成电路,与现有技术相比,塑胶层及金属层的原料来源广泛,各步骤的生产工艺比较成熟,因此成品率高,降低了生产成本,可大规模推广应用。
附图说明
图1是本发明的三维集成电路组件的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明,这是本发明的较佳实施例。
实施例1
图1为本发明的的三维集成电路组件的结构示意图,如图1所示,一种三维集成电路,包括塑胶层1、金属层2及设于所述金属层上的抗氧化层3,所述金属层2上成型有集成线路,所述金属层2为铜膜层。
具体地,所述塑胶层1上开设有一个凹槽11,所述金属层2置于所述凹槽11内,所述塑胶层1的两侧还开设有安装孔12。
具体地,所述抗氧化层3为镍抗氧化层。
具体地,塑胶层1包括以下重量百分比的各组分:
所述塑胶母体为间规聚苯乙烯(SPS),无机填料为沉淀硫酸钡,所述表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠,所述增塑剂选自葡萄糖苷,所述脱模剂为硬脂酸锌。
具体地,所述的三维集成电路组件的制备方法,包括以下步骤:
1)合成塑胶原料
按配方量分别称取间规聚苯乙烯150g、沉淀硫酸钡30g、十二烷基苯磺酸钠10g、葡萄糖苷4g以及脱模剂6g,首先将尼龙投入捏合机,然后依次加入沉淀硫酸钡、十二烷基苯磺酸钠、葡萄糖苷及硬脂酸锌,搅拌2-3小时直到混合均匀,接着冷却到10-30℃,从捏合机中排出塑胶原料;然后经过干燥、制粉、造粒工序得到可塑性好的塑胶原料;
2)制备塑胶层
将步骤1中制备的塑胶原料投入到注塑机或者压铸机中,在50-90℃下成型1-2小时,注塑或者压铸出所需结构和形状的塑胶层;
3)制备三维集成线路
首先在步骤2制备的塑胶层的表面通过真空溅射的方法,镀上一层铜膜;然后在激光机上装载设计好的CAD文档,激光机选择性扫描铜膜层,将铜膜层上除设计好的集成线路的其它铜膜层切割掉,保留剩下的铜膜层为集成线路;其中,所述真空溅射的方法是以步骤2制备的塑胶层为载体,真空镀膜机的高能离子束在高真空度下轰击铜靶,在塑胶层上形成1-20μm厚的铜膜层,激光扫描步骤采用紫外激光机,所述激光机的电磁射线的波长为248nm或者308nm,所述激光机的功率200W以内。
4)抗氧化处理
将步骤3制备的三维集成线路快速超声波化学镀,在铜膜层上镀上一层镍抗氧化层,其中,快速超声波化学镀的方法是以步骤2制备的塑胶层为载体,在PH 11-13,温度40-70℃下,超声机的功率为50-250W、频率为20-80Kz,镍镀液包含硫酸镍、氯化镍及硼酸,将塑胶层置于上述镍镀液中反应5-20min,即可在塑胶层上镀一层厚度为1-5μm的抗氧化镍层。
所述步骤3的激光扫描步骤采用紫外激光机,所述激光机的电磁射线的波长为248nm或者308nm,所述激光机的功率200W以内。
实施例2
一种三维集成电路组件,结构同实施例1,具体地,所述塑胶层1包括以下重量百分比的各组分:
所述塑胶母体为尼龙,具体的型号可以选自PA6、PA66、PA11、PA10、PA610、PA612中的任意一种或者几种的组合,无机填料为沉淀硫酸钡,所述表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠,所述增塑剂选自葡萄糖苷,所述脱模剂为硬脂酸锌。
具体地,所述的三维集成电路组件的制备方法,包括以下步骤:
1)合成塑胶原料
按配方量分别称取尼龙180g、沉淀硫酸钡10g、十二烷基苯磺酸钠4g、葡萄糖苷4g以及脱模剂2g,首先将尼龙投入捏合机,然后依次加入沉淀硫酸钡、十二烷基苯磺酸钠、葡萄糖苷及硬脂酸锌,搅拌2-3小时直到混合均匀,接着冷却到10-30℃,从捏合机中排出塑胶原料;然后经过干燥、制粉、造粒工序得到可塑性好的塑胶原料;
2)制备塑胶层
将步骤1中制备的塑胶原料投入到注塑机或者压铸机中,在50-90℃下成型1-2小时,注塑或者压铸出所需结构和形状的塑胶层;
3)制备三维集成线路
首先在步骤2制备的塑胶层的表面通过真空溅射的方法,镀上一层铜膜;然后在激光机上装载设计好的CAD文档,激光机选择性扫描铜膜层,将铜膜层上除设计好的集成线路的其它铜膜层切割掉,保留剩下的铜膜层为集成线路;其中,所述真空溅射的方法是以步骤2制备的塑胶层为载体,真空镀膜机的高能离子束在高真空度下轰击铜靶,在塑胶层上形成1-20μm厚的铜膜层,激光扫描步骤采用紫外激光机,所述激光机的电磁射线的波长为248nm或者308nm,所述激光机的功率200W以内。
4)抗氧化处理
将步骤3制备的三维集成线路快速超声波化学镀,在铜膜层上镀上一层镍抗氧化层,其中,快速超声波化学镀的方法是以步骤2制备的塑胶层为载体,在PH 11-13,温度40-70℃下,超声机的功率为50-250W、频率为20-80Kz,镍镀液包含硫酸镍、氯化镍及硼酸,将塑胶层置于上述镍镀液中反应5-20min,即可在塑胶层上镀一层厚度为1-5μm的抗氧化镍层。
所述步骤3的激光扫描步骤采用紫外激光机,所述激光机的电磁射线的波长为248nm或者308nm,所述激光机的功率200W以内。
实施例3
一种三维集成电路组件,结构同实施例1,其中,所述塑胶层包括以下重量百分比的各组分:
所述塑胶母体选自聚碳酸酯(PC),也可以是聚碳酸酯与尼龙的聚合物,无机填料为滑石粉,所述表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠,所述增塑剂为ACR-301,所述脱模剂为硬脂酸镁。
具体地,所述的三维集成电路的制备方法,包括以下步骤:
按配方量分别称取聚碳酸酯190g、滑石粉4g、十二烷基苯磺酸钠1g、ACR-3016g以及硬脂酸镁10g,首先将聚碳酸酯投入捏合机,然后依次加入滑石粉、十二烷基苯磺酸钠、ACR-301及硬脂酸镁,搅拌2-3小时直到混合均匀,接着冷却到10-30℃,从捏合机中排出塑胶原料;然后经过干燥、制粉、造粒工序得到可塑性好的塑胶原料;
2)制备塑胶层
将步骤1中制备的塑胶原料投入到注塑机或者压铸机中,在50-90℃下成型1-2小时,注塑或者压铸出所需结构和形状的塑胶层;
3)制备三维集成线路
首先在步骤2制备的塑胶层的表面通过、打印、印刷的方法,镀上一层铜膜;然后在激光机上装载设计好的CAD文档,激光机选择性扫描铜膜层,将铜膜层上除设计好的集成线路外的其它铜膜层切割掉,保留剩下的铜膜层为集成线路;其中,所述打印方法是以步骤2制备的塑胶层为载体,纳米铜导电墨水为原料,通过打印机在塑胶层上打印、印刷上一层厚度为1-20μm的铜膜,激光扫描步骤采用红外激光机,所述激光机的电磁射线的波长为532nm或者1064nm,所述激光机的功率400W以内。
4)抗氧化处理
将步骤3制备的三维集成线路快速超声波化学镀,在铜膜层上镀上一层镍抗氧化层,抗氧化处理同实施例1。
实施例4
一种三维集成线路组件,结构同实施例1,其中塑胶层包括以下重量百分比的各组分:
所述塑胶母体选自聚丙烯(PP)或者丙烯腈、丁二烯、丙乙烯三者的共聚物(ABS)中的任意一种或者几种的聚合物,也可以是PP、ABS、PC或者PA中的任意一种或者几种的聚合物,它们之间可以任意组合,所述无机填料为玻璃微粉,所述表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠,所述增塑剂为ACR-201或者ACR-401,所述脱模剂为硬脂酸镁。
具体地,所述的三维集成电路组件的制备方法,包括以下步骤:
按配方量分别称取聚丙烯或者ABS160g、玻璃微粉4g、十二烷基苯磺酸钠10g、ACR-201或者ACR-40116g以及硬脂酸镁10g,首先将尼龙投入捏合机,然后依次加入沉淀硫酸钡、十二烷基苯磺酸钠、葡萄糖苷及硬脂酸锌,搅拌2-3小时直到混合均匀,接着冷却到10-30℃,从捏合机中排出塑胶原料;然后经过干燥、制粉、造粒工序得到可塑性好的塑胶原料;
2)制备塑胶层
同实施例1
3)制备三维集成线路
首先在步骤2制备的塑胶层的表面用化学镀的方法,镀上一层铜膜;然后在激光机上装载设计好的CAD文档,激光机选择性扫描铜膜层,将铜膜层上除设计好的集成线路外的其它铜膜层切割掉,保留剩下的铜膜层为集成线路;其中,化学镀的方法是以步骤2制备的塑胶层为载体,在PH 11-13,温度40-70℃下,超声机的功率为50-250W、频率为20-80Kz,镀铜液包含乙醛酸、硫酸铜、乙二胺四乙酸、联吡啶及聚乙二醇和苯基聚氧乙烯醚磷酸钠,将塑胶层置于上述铜镀液中反应5-20min,即可在塑胶层上镀一层厚度为0.01-1μm的铜膜层,激光扫描步骤采用红外激光机,所述激光机的电磁射线的波长为532nm或者1064nm,所述激光机的功率400W以内。
4)抗氧化处理
将步骤3制备的三维集成线路快速超声波化学镀,在铜膜层上镀上一层镍抗氧化层,抗氧化处理同实施例1。
实施例5
一种三维集成线路组件,结构同实施例1,其中塑胶层包括以下重量百分比的各组分:
所述塑胶母体选自液体硅胶,所述无机填料为玻璃微粉,所述表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠,所述增塑剂为ACR-201或者ACR-401,所述脱模剂为硬脂酸镁。
具体地,所述的三维集成电路组件的制备方法,包括以下步骤:省略步骤1;步骤2)制备塑胶层
按配方量分别称取液体硅胶176g、玻璃微粉4g、十二烷基苯磺酸钠6g、ACR-201或者ACR-4018g以及硬脂酸镁6g,将液体硅胶投入搅拌机,然后依次加入无机填料、表面活性剂、脱模剂及固化剂,充分混合后进入塑化系统,通过塑化螺杆将上述混合料注射到热模具中,模具的温度介于170-200℃之间,反应1-2小时后,固化完成,最后经过冷流道系统冷却,即得到所需结构和形状塑胶层;
3)制备三维集成线路
同实施例1
4)抗氧化处理
同实施例1
将实施例1-5所得的三维集成电路板进行相关的性能测试,结果如下:
最后应当说明的是以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对本发明保护范围的限制,尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的实质和范围。

Claims (10)

1.一种三维集成电路组件,其特征在于:包括塑胶层、金属层及设于所述金属层上的抗氧化层,所述金属层上成型有集成线路。
2.根据权利要求1所述的三维集成电路组件,其特征在于:所述金属层为铜膜层。
3.根据权利要求1所述的三维集成电路组件,其特征在于:所述塑胶层上开设有一个凹槽,所述金属层置于所述凹槽内,所述塑胶层的两侧还开设有安装孔。
4.根据权利要求1所述的三维集成电路组件,其特征在于:所述抗氧化层为镍抗氧化层。
5.根据权利要求1所述的三维集成电路组件,其特征在于:所述塑胶层包括以下重量百分比的各组分:
               塑胶母体          75-95%;
无机填料                 2-15%;
表面活性剂            0.5-5%
增塑剂                2-8%;
脱模剂                0.5-5%。
6.根据权利要求5所述的三维集成电路组件,其特征在于:所述塑胶母体选自热塑性塑料或者液态成型的热固性塑料,所述热塑性塑料选自间规聚苯乙烯(SPS)、聚碳酸酯(PC)、尼龙(PA6、PA66、PA11、PA10、PA610、PA612)、聚丙烯(PP)或者丙烯腈、丁二烯、丙乙烯三者的共聚物(ABS)中的一种或者多种的共聚物,所述液态成型的热固性塑料选自液态硅胶。
7.根据权利要求5所述的三维集成电路组件,其特征在于:所述无机填料选自沉淀硫酸钡、滑石粉或玻璃微粉中的任意一种或几种的组合物;
所述表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠;
所述增塑剂选自葡萄糖苷或ACR中的任意一种或者两者的组合物,所述ACR选自ACR-201、ACR301或者ACR401中的一种或者几种的组合物;
所述脱模剂选自硬脂酸锌或者硬脂酸镁中的一种或者两种的组合物。
8.根据权利要求1-7任一项所述的三维集成电路组件的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
1)合成塑胶原料
按配方量分别称取热塑性塑料、无机填料、表面活性剂、增塑剂以及脱模剂,首先将固态成型的塑料投入捏合机,然后依次加入无机填料、表面活性剂、脱模剂及固化剂,开启捏合机混合均匀,搅拌2-3小时直到混合均匀,接着冷却到10-30℃,从捏合机中排出塑胶原料;然后经过干燥、制粉、造粒工序得到可塑性好的塑胶原料;
2)制备塑胶层
将步骤1中制备的塑胶原料投入到注塑机或者压铸机中,在50-90℃下成型1-2小时,注塑或者压铸出所需结构和形状的塑胶层;
对于液态成型的热固性塑料,可以省略步骤1,直接液态注射成型塑胶层,具体步骤如下,首先按配方量分别称取液态成型的热固性塑料、无机填料、表面活性剂、增塑剂以及脱模剂,将液态成型的热固性塑料投入搅拌机,然后依次加入无机填料、表面活性剂、脱模剂及固化剂,充分混合后进入塑化系统,通过塑化螺杆将上述混合料注射到热模具中,模具的温度介于170-200℃之间,反应1-2小时后,固化完成,最后经过冷流道系统冷却,即得到所需结构和形状塑胶层;
3)制备三维集成线路
首先在步骤2制备的塑胶层的表面通过真空溅射、打印或者化学镀的方法,镀上一层铜膜;然后在激光机上装载设计好的CAD文档,激光机选择性扫描铜膜层,将铜膜层上除设计好的集成线路的其它铜膜层切割掉,保留剩下的铜膜层为集成线路; 
4)抗氧化处理
将步骤3制备的三维集成线路快速超声波化学镀,然后在铜膜层上镀上一层镍抗氧化层。
9.根据要求8所述的三维集成电路组件的制备方法,其特征在于:所述真空溅射的方法是以步骤2制备的塑胶层为载体,真空镀膜机的高能离子束在高真空度下轰击铜靶,在塑胶层上形成1-20μm厚的铜膜层;
所述打印的方法是以步骤2制备的塑胶层为载体,纳米铜导电墨水为原料,通过打印机在塑胶层上打印上一层厚度为1-20μm的铜膜层;
所述化学镀的方法是以步骤2制备的塑胶层为载体,在PH 11-13,温度40-70℃下,超声机的功率为50-250W、频率为20-80Kz,镍镀液包含硫酸镍、氯化镍及硼酸;镀铜液包含乙醛酸、硫酸铜、乙二胺四乙酸、联吡啶及聚乙二醇和苯基聚氧乙烯醚磷酸钠,将塑胶层置于上述铜镀液中反应5-20min,即可在塑胶层上镀一层厚度为1-20μm铜膜层。
10.根据要求8所述的三维集成电路组件的制备方法,其特征在于:所述步骤3的激光扫描步骤采用近红外或者紫外激光机,所述激光机的电磁射线的波长为248nm、308nm、355nm、532nm、1064 nmnm,所述激光机的功率400W内。
CN201410428833.8A 2014-08-27 2014-08-27 一种三维集成电路组件及其制备方法 Active CN104201164B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410428833.8A CN104201164B (zh) 2014-08-27 2014-08-27 一种三维集成电路组件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410428833.8A CN104201164B (zh) 2014-08-27 2014-08-27 一种三维集成电路组件及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104201164A true CN104201164A (zh) 2014-12-10
CN104201164B CN104201164B (zh) 2019-01-15

Family

ID=52086435

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410428833.8A Active CN104201164B (zh) 2014-08-27 2014-08-27 一种三维集成电路组件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104201164B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104602176A (zh) * 2014-12-25 2015-05-06 广东佳禾声学科技有限公司 一种在绝缘基材上直接成型音圈的方法及其应用

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI726747B (zh) 2020-06-16 2021-05-01 國立臺灣科技大學 線路基板及其製造方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1277572A (zh) * 1997-11-06 2000-12-20 罗德尔控股公司 借研磨抛光系统制造存储盘或半导体器件和抛光垫
US20020066961A1 (en) * 2000-12-05 2002-06-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit Substrate and manufacturing method thereof
CN1429229A (zh) * 2000-05-19 2003-07-09 西巴特殊化学品控股有限公司 作为聚合引发剂的羟胺酯类
CN1813026A (zh) * 2003-07-08 2006-08-02 株式会社钟化 固化性组合物
CN1861683A (zh) * 2005-04-28 2006-11-15 索尼株式会社 树脂组合物及由其制得的模塑产品
US20100240818A1 (en) * 2006-03-15 2010-09-23 Walton Kim L Impact Modification of Thermoplastics with Ethylene/Alpha-Olefin Interpolymers
CN103515249A (zh) * 2013-08-06 2014-01-15 江苏长电科技股份有限公司 先封后蚀三维系统级芯片正装凸点封装结构及工艺方法
CN103545265A (zh) * 2012-07-13 2014-01-29 三菱电机株式会社 半导体装置及其制造方法
CN103646939A (zh) * 2013-12-05 2014-03-19 江苏长电科技股份有限公司 二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法
CN103897349A (zh) * 2014-04-21 2014-07-02 江苏恒神纤维材料有限公司 新型的树脂混合工艺

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1277572A (zh) * 1997-11-06 2000-12-20 罗德尔控股公司 借研磨抛光系统制造存储盘或半导体器件和抛光垫
CN1429229A (zh) * 2000-05-19 2003-07-09 西巴特殊化学品控股有限公司 作为聚合引发剂的羟胺酯类
US20020066961A1 (en) * 2000-12-05 2002-06-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit Substrate and manufacturing method thereof
CN1813026A (zh) * 2003-07-08 2006-08-02 株式会社钟化 固化性组合物
CN1861683A (zh) * 2005-04-28 2006-11-15 索尼株式会社 树脂组合物及由其制得的模塑产品
US20100240818A1 (en) * 2006-03-15 2010-09-23 Walton Kim L Impact Modification of Thermoplastics with Ethylene/Alpha-Olefin Interpolymers
CN103545265A (zh) * 2012-07-13 2014-01-29 三菱电机株式会社 半导体装置及其制造方法
CN103515249A (zh) * 2013-08-06 2014-01-15 江苏长电科技股份有限公司 先封后蚀三维系统级芯片正装凸点封装结构及工艺方法
CN103646939A (zh) * 2013-12-05 2014-03-19 江苏长电科技股份有限公司 二次先镀后蚀金属框减法埋芯片正装凸点结构及工艺方法
CN103897349A (zh) * 2014-04-21 2014-07-02 江苏恒神纤维材料有限公司 新型的树脂混合工艺

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104602176A (zh) * 2014-12-25 2015-05-06 广东佳禾声学科技有限公司 一种在绝缘基材上直接成型音圈的方法及其应用
CN104602176B (zh) * 2014-12-25 2019-02-15 佳禾智能科技股份有限公司 一种在绝缘基材上直接成型音圈的方法及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN104201164B (zh) 2019-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104955278A (zh) 一种在注塑件表面上制造三维电路的方法
CN102337007B (zh) Smc高性能环氧树脂组合物
Joshi et al. Direct digital additive manufacturing technologies: Path towards hybrid integration
CN109774132A (zh) 一种基于光固化3d打印技术的电路板的制造方法
EP2899235B1 (en) Thermoplastic resin composition, resin molded article, and method for manufacturing resin molded article having plated layer
KR101572518B1 (ko) 3d 프린팅용 이중 경화형 수지 조성물을 이용한 3차원 형상의 전도체 성형물의 제조방법
EP3315573B1 (en) Heat dissipation material adhering composition, heat dissipation material having adhesive, inlay substrate, and method for manufacturing same
CN102775755A (zh) 一种聚芳醚腈和羰基铁粉复合磁性材料及其制备方法
CN103223466A (zh) 一种面向涡轮叶片的金属模具快速制造方法
CN107641310A (zh) 一种高导热聚苯醚基覆铜板及其制备方法
CN103756252A (zh) 一种热固性树脂基导热复合材料及其制备方法和应用
KR20160020658A (ko) 레이저 직접 구조화용 코팅제 조성물, 열가소성 수지 조성물 및 이를 이용한 레이저 직접 구조화 방법
CN104201164A (zh) 一种三维集成电路组件及其制备方法
CN105405636A (zh) 一种利用3d打印技术制备添加铈的钕铁硼磁体的方法
US4764327A (en) Process of producing plastic-molded printed circuit boards
CN104244588A (zh) 立体电路的制作方法及改性激光烧结粉末材料
EP3058112B1 (de) Herstellungsverfahren für einen plasmabeschichteten formkörper und bauteil
CN103182817A (zh) 电子部件用树脂片、电子部件用树脂片的制造方法、及半导体装置的制造方法
CN104582332B (zh) 一种精细线路封装基板及其制备方法
CN103973081B (zh) 注塑成型的叠层母排
JP2010234800A (ja) 積層造型法により作成された成形型
CN104244587B (zh) 立体电路的制作方法及热固性喷涂溶液
CN106686878A (zh) 一种共形电路及其制备方法
CN104087939A (zh) 一种液态金属处理液及复合体材料的制备方法
CN110724376B (zh) 一种高效高强度导热片及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: Industrial Road, Songshan Lake high tech Industrial Development Zone, Guangdong city of Dongguan province No. 6 523000 1 5 floor

Applicant after: Jiahe intelligent Polytron Technologies Inc

Address before: Industrial Road, Songshan Lake high tech Industrial Development Zone, Guangdong city of Dongguan province No. 6 523000 1 5 floor

Applicant before: COSONIC ACOUSTIC TECHNOLOGY CO., LTD.

COR Change of bibliographic data
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant