CN104199504A - 一种快速瞬态响应低压差线性稳压器 - Google Patents

一种快速瞬态响应低压差线性稳压器 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种快速瞬态响应低压差线性稳压器，该电路在传统的LDO线性稳压器电路的基础上增加了一个瞬态响应增强电路，使得变换器装置的瞬态响应加快,该瞬态响应增强模块只需要很小的电流，可以忽略，因而不会额外增加系统电路的静态电流。同时，本发明中的核心放大电路只产生一个极点，能够得到很好的稳定性，在电路的输出部分不需要加入补偿电路就能够满足稳定性要求。

Description

一种快速瞬态响应低压差线性稳压器
技术领域
本发明属于电源管理技术领域，特别涉及一种快速瞬态响应低压差线性稳压器。
背景技术
随着CMOS技术迅速发展到深亚微米栅长度，模拟和射频电路中的电源电压供应持续减小，这给模拟和射频电路的设计提出了新的挑战。其中的主要挑战之一就是由于电源电压的急剧减少，限制了电路的线性度，动态范围，增加了电路的电源纹波灵敏度。随着射频IC电路电源电压的减小，噪声、纹波和交叉耦合收发器在噪声的传递中发挥主导作用，为了克服模拟和射频电路中的噪声预算，必需设计出更高要求的稳压器。该稳压器应具有低噪声和快速瞬态响应的特性来提高模拟和射频电路的性能。
传统的LDO线性稳压器结构复杂，因而在稳定性方面存在各种挑战，特别是在负载变化时需要多种补偿单元才能够保证系统电路的稳定性。本发明中所述电路结构简单，采用了单极点核心放大电路，不需要外加补偿电容就能够保证系统的稳定性，而且在负载电流发生变化时也能够满足相位裕度要求。同时，本发明在传统的LDO线性稳压器的基础上增加了一个瞬态响应增强模块，在不影响系统电路稳定性的前提下，能够极大的改善系统电路的瞬态响应状况，很好的减少了电路瞬态响应时间，具有相当可观的应用前景。
在GNSS接收机系统中，电源供电是一个必不可少的模块，快速得到稳定的直流电压则能保证电路的正常运行，一种具有快速瞬态响应的LDO线性稳压器的成功采用具有深远意义。
发明内容
本发明的LDO线性稳压器产生一种快速瞬态响应效果主要是通过下述技术方案得以解决的：
一种快速瞬态响应低压差线性稳压器，其特征在于，包括:
一带隙基准源:包括偏置电路，运算放大器电路和带隙基准核心电路；所述偏置电路提供整个带隙基准源的工作电流；运算放大器电路使带隙基准核心电路两输入端两点电位相等；带隙基准核心电路用于输出所需要的基准电压；其中偏置电路分别与运算放大器电路和带隙基准核心电路相连，运算放大器电路和带隙基准核心电路也相连；
一误差基准核心放大器:不需要外加任何补偿电容,在负载电流发生变化时能够为系统电路提供所需要的稳定输出电压；
一调整管Mp:用于在负载电流发生变化时改变驱动电压来满足驱动负载电流的要求，以保证所需要的输出电压；
一负载电阻RL:该负载电阻的变化为外部电路提供所需要的负载电流；
其中,带隙基准电路的输出与误差基准核心放大器正向输入端相连，误差基准核心放大器的输出连接到调整管，调整管与负载电阻连接，瞬态响应增强电路在误差基准核心放大器与调整管之间；
所述误差基准核心放大器包括PMOS管M7,PMOS管M7源端连接电源电压，栅端外接偏置控制电压Vb，漏端和NMOS管M1的漏端相连；NMOS管M5栅端与M7漏端相连，源端接地，漏端与M1源端相连；NMOS管M1栅端接基准电压VREF,源端与M5漏端相连,漏端与M7漏端相连；PMOS管M8源端连接电源电压，栅端外接偏置控制电压Vb，漏端和NMOS管M4的漏端相连；NMOS管M6栅端与M8漏端相连，源端接地，漏端与M4源端相连；NMOS管M4栅端接输出电压VOUT,源端与M6漏端相连，漏端接M8漏端；NMOS管M2栅端与M1栅端相连，漏端与PMOS管M9的漏端相连，源端和M6漏端相连；PMOS管M9源端接电源，栅端和漏断相连后与M2漏端相连；PMOS管M11源端接电源，漏端和NMOS管M13漏端相连，栅端接M9栅端；NMOS管M13源端接地，漏端与善断相连后接M11漏端；NMOS管M14栅端与M13栅端相连，源端接地，漏端与NMOS管Mn缘断相连；NMOS管M3栅端与M4栅端相连，漏端与PMOS管M10的漏端相连，源端和M5漏端相连；PMOS管M10源端接电源，栅端和漏断相连后与M3漏端相连；PMOS管M12源端接电源，漏端和NMOS管Mn漏端相连，栅端接M10栅端。其中核心电路输出为PMOS管Mn的漏端电压VMP，PMOS管M12栅端电压输出为Vp，NMOS管M14栅端电压输出为Vn；
在LDO线性稳压器电路处于平衡状态时，误差基准核心放大器中NMOS管M1-M4中中的电流全都相等，他们通过PMOS管M7和M8控制。PMOS管M9、M11和NMOS管M13作为电流复制管，将M2中的电流按比例复制到NMOS管M14中；同理，PMOS管M10作为电流复制管，将M3中的电流按比例复制到PMOS管M12中，两个管子中电流大小相等时会产生静态电流在NMOS管Mn的漏端产生一个电位驱动Mp调整管，为系统电路提供所需要的输出电压。NMOS管Mn在这里会分担一部分电压，在稳定状态时其过驱动电压是个恒定值，所以M4楼端电压恒定，可以是电路更快的达到稳定状态，降低瞬态响应的时间。当负载电流发生变化时输出电压会有改变，此时，若输出电压VOUT升高，那么M3中的电流变大，M2中的电流变小，导致M12中的电流比M14中的电流大，电路为了达到平衡状态，VMP电位升高，从而导致Mp调整管中的驱动电压变小，电流变小，输出电压恢复到所需要的状态；如果输出电压VOUT降低，那么M3中的电流变小，M2中的电流变大，导致M12中的电流比M14中的电流小，电路为了达到平衡状态，VMP电位降低，从而导致Mp调整管中的驱动电压变大，电流变大，输出电压恢复到所需要的状态。在上述误差基准核心放大器中，只会在M12漏端产生一个极点，故而电路的稳定性能够得到很好的保障，不需要外加任何补偿电容就可以达到所需要的稳定性要求，产生必要的相位裕度。
在上述的一种快速瞬态响应低压差线性稳压器，Mp调整管的栅端接NMOS管Mn的漏端，也即VMP，源端接电源，漏端接负载。其中，漏端电位为输出电压VOUT。
在上述的一种快速瞬态响应低压差线性稳压器，负载电阻RL一端与Mp调整管的漏端相连，另一端接地。
在上述的一种快速瞬态响应低压差线性稳压器，所述带隙基准源包括偏执电路、运算放大器电路和带隙基准核心电路。其中偏置电路分别与运算放大器电路和带隙基准核心电路相连，运算放大器电路和带隙基准核心电路也相连。
在上述的一种快速瞬态响应低压差线性稳压器，偏置电路的连接方式如下：PMOS管M19源端接电源，栅端与PMOS管M50漏端相连，漏端与PMOS管M31源端相连；PMOS管M31源端接M19漏端，漏端接NMOS管M32漏端，栅端接电路保护控制电压PD；NMOS管M32漏端接M31漏端，源端接地，栅端接电路保护控制电压PD；NMOS管M33源端接地，漏端与NMOS管M34栅端相连，栅端与NMOS管M38栅端相连；NMOS管M34源端接地，漏端与PMOS管M35漏端相连，源端接电阻R1一端，电阻R1另一端与PMOS管M35漏端相连；PMOS管M35源端接电源，漏端与M34漏端相连，栅端接M31漏端；NMOS管M36源端接地，栅端接电路保护控制电压，漏端接PMOS管M39漏端；PMOS管M37源端接电源，漏端与NMOS管M38漏端相连，栅端接M35漏端；NMOS管M38源端接地，漏端与栅端相连后接到M37漏端；PMOS管M39源端接电源，栅端与M35漏端相连，漏端接NMOS管M40漏端；NMOS管M40源端接地，漏端和栅端相连后与M39漏端相连。
在上述的一种快速瞬态响应低压差线性稳压器，运算放大器电路的连接方式如下：NMOS管M41栅端与M40栅端相连，漏端与PMOS管M49漏端相连，源端和NMOS管M42漏端相连；NMOS管M42源端接地，漏端和M41源端相连，栅端接M38栅端；NMOS管M44栅端与M40栅端相连，漏端与PMOS管M43漏端相连，源端和NMOS管M45漏端相连；NMOS管M45源端接地，漏端和M44源端相连，栅端接M38栅端；PMOS管M49源端接电源，栅端和漏端相恋后与M41漏端相连；PMOS管M43源端接电源，栅端和M49栅端相连，漏端与M44漏端相连；PMOS管M46源端接电源，栅端与M43漏端相连，漏端与PMOS管M47源端相连；PMOS管M47源端与M46漏端相连，漏端接M44漏端，栅端接电阻R3一端；PMOS管M48源端与M46漏端相连，漏端接M41漏端，栅端接电阻R4一端。
在上述的一种快速瞬态响应低压差线性稳压器，带隙基准核心电路的连接方式如下：三极管Q1集电极与基极相连后接地，发射极接电阻R2一端，电阻R2两一段与电阻R3相连，电阻R3另一端与电阻R5相连，即图中Z点；三极管Q2集电极与基极相连后接地，发射极接电阻R4一端，R4另一端与电阻R5相连，即图中Z点，电阻R5另一端接PMOS管M50漏端；PMOS管M50源端接电源，栅端接M43漏端，漏端与电阻R5一端相连，电容C跨接在M50栅端和漏端之间。
在上述的一种快速瞬态响应低压差线性稳压器，还包括一个设置在误差基准核心放大电路与调整管之间用于增强瞬态响应的瞬态响应增强电路；
瞬态响应增强电路包括PMOS管M21,所述PMOS管M21源端接电源，栅端接误差基准核心放大器中PMOS管M12的栅端，也即电压Vp，漏端与NMOS管M22漏端相连；NMOS管M22源端接地，漏端与PMOS管M21漏端相连，栅端接误差基准核心放大器中NMOS管M14的栅端，也即电压Vn；PMOS管M23源端接电源，栅端接误差基准核心放大器中PMOS管M12的栅端，也即电压Vp，漏端与NMOS管M24漏端相连；NMOS管M24源端接地，漏端与PMOS管M23漏端相连，栅端接误差基准核心放大器中NMOS管M14的栅端，也即电压Vn；PMOS管M25源端接电源电压，漏端与NMOS管M26的漏端相连，栅端接PMOS管M21的漏端；NMOS管M26源端接地，漏端与M25漏端相连，栅端与M25栅端相连；PMOS管M27源端接电源电压，漏端与NMOS管M28的漏端相连，栅端接PMOS管M23的漏端；NMOS管M28源端接地，漏端与M27漏端相连，栅端与M27漏端相连；PMOS管Mep源端接电源电压，漏端与NMOS管Men的漏端相连，栅端接PMOS管M25的漏端；NMOS管Men源端接地，漏端与Mep漏端相连，栅端与M27漏端相连。其中，Mep和Men的漏端均与误差基准核心放大器中NMOS管Mn漏端相连，其输出电压即为VMP。
当瞬态响应增强电路处于平衡状态时，在PMOS管M21和NMOS管M22的电流支路上，M22处于强线性区，M21处于饱和区，此时M22漏端电位接近于低电压,通过PMOS管M25和NMOS管M26组成的反相器后其输出电压为高电平，控制PMOS管Mep使其处于截止状态；同理，在PMOS管M23和NMOS管M24的电流支路上，M23处于强线性区，M24处于饱和区，此时M23漏端电位接近于电源电压,通过PMOS管M27和NMOS管M28组成的反相器后其输出电压为低电平，控制MMOS管Men使其处于截止状态。当负载电流发生变化时，如果VOUT升高,那么M3中的电流变大，M2中的电流变小，导致控制电压Vp降低，Vn升高，此时PMOS管M21和M23中的电流大，NMOS管M22和M24中的电流小，所以M21和M23漏端电压升高,使M21进入线性区，M23仍然处于强线性区，通过反相器的作用后NMOS管Men截止关断，PMOS管Mep开启产生大电流给Mp调整管的栅电容Cgs进行充电，使其栅端控制电压VMP升高，Mp调整管中驱动电流减小使输出电压降低回到所需要的输出状态；同理，如果VOUT降低,那么M3中的电流变小，M2中的电流变大，导致控制电压Vp升高，Vn降低，此时PMOS管M21和M23中的电流小，NMOS管M22和M24中的电流大，所以M21和M23漏端电压降低,使M24进入线性区,M22仍然处于强线性区，通过反相器的作用后PMOS管Mep截止关断，NMOS管Men开启产生大电流，Mp调整管通过栅电容Cgs进行放电，使其栅端控制电压VMP降低，Mp调整管中驱动电流增大使输出电压升高回到所需要的输出状态。电路通过控制管Mep和Men对Mp调整管的充电放电作用来使Mp调整管快速恢复到稳定状态，从而达到增强瞬态响应的目的。
附图说明
图1是本发明的系统硬件连接示意图。
图2是快速瞬态响应LDO主体电路。
图3是瞬态响应增强电路。
图4是带隙基准源电路。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。
实施例：
下面将结合附图，对本发明做进一步详细的说明。
图1是本发明的系统硬件连接示意图，该LDO线性稳压器包括带隙基准源、误差放大器、调整管Mp、负载电阻RL和瞬态响应增强电路。其中带隙基准源的输出电压VREF连接到误差放大器的正向输入端，误差放大器的输出连接到调整管Mp，调整管后面连接负载电阻RL，同时调整管的输出电压反馈连接到误差放大器的负向输入端，瞬态响应增强电路连接在误差放大器和调整管Mp之间。
图2是快速瞬态响应LDO主体电路，包括误差基准核心放大器，Mp调整管，负载电阻RL。其连接方式如下：PMOS管M7源端连接电源电压，栅端外接偏置控制电压Vb，漏端和NMOS管M1的漏端相连；NMOS管M5栅端与M7漏端相连，源端接地，漏端与M1源端相连；NMOS管M1栅端接基准电压VREF,源端与M5漏端相连,漏端与M7漏端相连；PMOS管M8源端连接电源电压，栅端外接偏置控制电压Vb，漏端和NMOS管M4的漏端相连；NMOS管M6栅端与M8漏端相连，源端接地，漏端与M4源端相连；NMOS管M4栅端接输出电压VOUT,源端与M6漏端相连，漏端接M8漏端；NMOS管M2栅端与M1栅端相连，漏端与PMOS管M9的漏端相连，源端和M6漏端相连；PMOS管M9源端接电源，栅端和漏断相连后与M2漏端相连；PMOS管M11源端接电源，漏端和NMOS管M13漏端相连，栅端接M9栅端；NMOS管M13源端接地，漏端与善断相连后接M11漏端；NMOS管M14栅端与M13栅端相连，源端接地，漏端与NMOS管Mn缘断相连；NMOS管M3栅端与M4栅端相连，漏端与PMOS管M10的漏端相连，源端和M5漏端相连；PMOS管M10源端接电源，栅端和漏断相连后与M3漏端相连；PMOS管M12源端接电源，漏端和NMOS管Mn漏端相连，栅端接M10栅端。其中核心电路输出为PMOS管Mn的漏端电压VMP，PMOS管M12栅端电压输出为Vp，NMOS管M14栅端电压输出为Vn。Mp调整管的栅端接NMOS管Mn的漏端，也即VMP，源端接电源，漏端接负载。负载电阻RL一端与Mp调整管的漏端相连，另一端接地；
在LDO线性稳压器电路处于平衡状态时，误差基准核心放大器中NMOS管M1-M4中中的电流全都相等，他们通过PMOS管M7和M8控制。PMOS管M9、M11和NMOS管M13作为电流复制管，将M2中的电流按比例复制到NMOS管M14中；同理，PMOS管M10作为电流复制管，将M3中的电流按比例复制到PMOS管M12中，两个管子中电流大小相等时会产生静态电流在NMOS管Mn的漏端产生一个电位驱动Mp调整管，为系统电路提供所需要的输出电压。NMOS管Mn在这里会分担一部分电压，在稳定状态时其过驱动电压是个恒定值，所以M4楼端电压恒定，可以是电路更快的达到稳定状态，降低瞬态响应的时间。当负载电流发生变化时输出电压会有改变，此时，若输出电压VOUT升高，那么M3中的电流变大，M2中的电流变小，导致M12中的电流比M14中的电流大，电路为了达到平衡状态，VMP电位升高，从而导致Mp调整管中的驱动电压变小，电流变小，输出电压恢复到所需要的状态；如果输出电压VOUT降低，那么M3中的电流变小，M2中的电流变大，导致M12中的电流比M14中的电流小，电路为了达到平衡状态，VMP电位降低，从而导致Mp调整管中的驱动电压变大，电流变大，输出电压恢复到所需要的状态。在上述误差基准核心放大器中，只会在M12漏端产生一个极点，故而电路的稳定性能够得到很好的保障，不需要外加任何补偿电容就可以达到所需要的稳定性要求，产生必要的相位裕度。
图3是瞬态响应增强电路，其连接方式如下：PMOS管M21源端接电源，栅端接误差基准核心放大器中PMOS管M12的栅端，也即电压Vp，漏端与NMOS管M22漏端相连；NMOS管M22源端接地，漏端与PMOS管M21漏端相连，栅端接误差基准核心放大器中NMOS管M14的栅端，也即电压Vn；PMOS管M23源端接电源，栅端接误差基准核心放大器中PMOS管M12的栅端，也即电压Vp，漏端与NMOS管M24漏端相连；NMOS管M24源端接地，漏端与PMOS管M23漏端相连，栅端接误差基准核心放大器中NMOS管M14的栅端，也即电压Vn；PMOS管M25源端接电源电压，漏端与NMOS管M26的漏端相连，栅端接PMOS管M21的漏端；NMOS管M26源端接地，漏端与M25漏端相连，栅端与M25栅端相连；PMOS管M27源端接电源电压，漏端与NMOS管M28的漏端相连，栅端接PMOS管M23的漏端；NMOS管M28源端接地，漏端与M27漏端相连，栅端与M27漏端相连；PMOS管Mep源端接电源电压，漏端与NMOS管Men的漏端相连，栅端接PMOS管M25的漏端；NMOS管Men源端接地，漏端与Mep漏端相连，栅端与M27漏端相连。
瞬态响应增强电路处于平衡状态时，在PMOS管M21和NMOS管M22的电流支路上，M22处于强线性区，M21处于饱和区，此时M22漏端电位接近于低电压,通过PMOS管M25和NMOS管M26组成的反相器后其输出电压为高电平，控制PMOS管Mep使其处于截止状态；同理，在PMOS管M23和NMOS管M24的电流支路上，M23处于强线性区，M24处于饱和区，此时M23漏端电位接近于电源电压,通过PMOS管M27和NMOS管M28组成的反相器后其输出电压为低电平，控制MMOS管Men使其处于截止状态。当负载电流发生变化时，如果VOUT升高,那么M3中的电流变大，M2中的电流变小，导致控制电压Vp降低，Vn升高，此时PMOS管M21和M23中的电流大，NMOS管M22和M24中的电流小，所以M21和M23漏端电压升高,使M21进入线性区，M23仍然处于强线性区，通过反相器的作用后NMOS管Men截止关断，PMOS管Mep开启产生大电流给Mp调整管的栅电容Cgs进行充电，使其栅端控制电压VMP升高，Mp调整管中驱动电流减小使输出电压降低回到所需要的输出状态；同理，如果VOUT降低,那么M3中的电流变小，M2中的电流变大，导致控制电压Vp升高，Vn降低，此时PMOS管M21和M23中的电流小，NMOS管M22和M24中的电流大，所以M21和M23漏端电压降低,使M24进入线性区,M22仍然处于强线性区，通过反相器的作用后PMOS管Mep截止关断，NMOS管Men开启产生大电流，Mp调整管通过栅电容Cgs进行放电，使其栅端控制电压VMP降低，Mp调整管中驱动电流增大使输出电压升高回到所需要的输出状态。电路通过控制管Mep和Men对Mp调整管的充电放电作用来使Mp调整管快速恢复到稳定状态，从而达到增强瞬态响应的目的。
图4是带隙基准源电路，包括偏置电路，运算放大器电路和带隙基准核心电路。其连接方式如下：PMOS管M19源端接电源，栅端与PMOS管M50漏端相连，漏端与PMOS管M31源端相连；PMOS管M31源端接M19漏端，漏端接NMOS管M32漏端，栅端接电路保护控制电压PD；NMOS管M32漏端接M31漏端，源端接地，栅端接电路保护控制电压PD；NMOS管M33源端接地，漏端与NMOS管M34栅端相连，栅端与NMOS管M38栅端相连；NMOS管M34源端接地，漏端与PMOS管M35漏端相连，源端接电阻R1一端，电阻R1另一端与PMOS管M35漏端相连；PMOS管M35源端接电源，漏端与M34漏端相连，栅端接M31漏端；NMOS管M36源端接地，栅端接电路保护控制电压，漏端接PMOS管M39漏端；PMOS管M37源端接电源，漏端与NMOS管M38漏端相连，栅端接M35漏端；NMOS管M38源端接地，漏端与栅端相连后接到M37漏端；PMOS管M39源端接电源，栅端与M35漏端相连，漏端接NMOS管M40漏端；NMOS管M40源端接地，漏端和栅端相连后与M39漏端相连；NMOS管M41栅端与M40栅端相连，漏端与PMOS管M49漏端相连，源端和NMOS管M42漏端相连；NMOS管M42源端接地，漏端和M41源端相连，栅端接M38栅端；NMOS管M44栅端与M40栅端相连，漏端与PMOS管M43漏端相连，源端和NMOS管M45漏端相连；NMOS管M45源端接地，漏端和M44源端相连，栅端接M38栅端；PMOS管M49源端接电源，栅端和漏端相恋后与M41漏端相连；PMOS管M43源端接电源，栅端和M49栅端相连，漏端与M44漏端相连；PMOS管M46源端接电源，栅端与M43漏端相连，漏端与PMOS管M47源端相连；PMOS管M47源端与M46漏端相连，漏端接M44漏端，栅端接电阻R3一端，也即图中Y点；PMOS管M48源端与M46漏端相连，漏端接M41漏端，栅端接电阻R4一端，也即图中X点；三极管Q1集电极与基极相连后接地，发射极接电阻R2一端，电阻R2两一段与电阻R3相连，电阻R3另一端与电阻R5相连，即图中Z点；三极管Q2集电极与基极相连后接地，发射极接电阻R4一端，R4另一端与电阻R5相连，即图中Z点，电阻R5另一端接PMOS管M50漏端；PMOS管M50源端接电源，栅端接M43漏端，漏端与电阻R5一端相连，电容C跨接在M50栅端和漏端之间。
带隙基准源电路中偏置电路提供整个带隙基准源的工作电流，其中PD为控制电压，低电平是电路正常工作，高电平是整个电路关断。运算放大器电路为折叠式差分结构，PMOS管M47、M48构成差分对管，作为放大器的第一级放大结构，M46为差分对管提供偏置电流；M42、M45提供折叠部分尾电流；M49、M43作为电流源负载输出第一级放大信号；M50为第二级放大PMOS管，电压从其漏极输出。运算放大器的作用是使其两输入端X和Y两点电位相等，即VX＝VY，从而使得Q1和Q2两个晶体管的基极-发射极的电压差为ΔVBE＝VTln(n)，那么就有输出电压为得到所需要的基准电压。其中，n是三极管Q1、Q2的发射结面积的比值，通过调整n的大小可以得到零温度系数的基准输出电压。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

Claims (8)

1.一种快速瞬态响应低压差线性稳压器，其特征在于，包括:
一带隙基准源:包括偏置电路，运算放大器电路和带隙基准核心电路；所述偏置电路提供整个带隙基准源的工作电流；运算放大器电路使带隙基准核心电路两输入端电位相等；带隙基准核心电路用于输出所需要的基准电压；其中偏置电路分别与运算放大器电路和带隙基准核心电路相连，运算放大器电路和带隙基准核心电路也相连；
一误差基准核心放大器:不需要外加任何补偿电容,在负载电流发生变化时能够为系统电路提供所需要的稳定输出电压；
一调整管Mp:用于在负载电流发生变化时改变驱动电压来满足驱动负载电流的要求，以保证所需要的输出电压；
一负载电阻RL:该负载电阻的变化为外部电路提供所需要的负载电流；
其中,带隙基准电路的输出与误差基准核心放大器正向输入端相连，误差基准核心放大器的输出连接到调整管，调整管与负载电阻连接，瞬态响应增强电路在误差基准核心放大器与调整管之间；
所述误差基准核心放大器包括PMOS管M7,PMOS管M7源端连接电源电压，栅端外接偏置控制电压Vb，漏端和NMOS管M1的漏端相连；NMOS管M5栅端与M7漏端相连，源端接地，漏端与M1源端相连；NMOS管M1栅端接基准电压VREF,源端与M5漏端相连,漏端与M7漏端相连；PMOS管M8源端连接电源电压，栅端外接偏置控制电压Vb，漏端和NMOS管M4的漏端相连；NMOS管M6栅端与M8漏端相连，源端接地，漏端与M4源端相连；NMOS管M4栅端接输出电压VOUT,源端与M6漏端相连，漏端接M8漏端；NMOS管M2栅端与M1栅端相连，漏端与PMOS管M9的漏端相连，源端和M6漏端相连；PMOS管M9源端接电源，栅端和漏断相连后与M2漏端相连；PMOS管M11源端接电源，漏端和NMOS管M13漏端相连，栅端接M9栅端；NMOS管M13源端接地，漏端与善断相连后接M11漏端；NMOS管M14栅端与M13栅端相连，源端接地，漏端与NMOS管Mn缘断相连；NMOS管M3栅端与M4栅端相连，漏端与PMOS管M10的漏端相连，源端和M5漏端相连；PMOS管M10源端接电源，栅端和漏断相连后与M3漏端相连；PMOS管M12源端接电源，漏端和NMOS管Mn漏端相连，栅端接M10栅端；其中核心电路输出为PMOS管Mn的漏端电压VMP，PMOS管M12栅端电压输出为Vp，NMOS管M14栅端电压输出为Vn；
在LDO线性稳压器电路处于平衡状态时，误差基准核心放大器中NMOS管M1-M4中中的电流全都相等，他们通过PMOS管M7和M8控制；PMOS管M9、M11和NMOS管M13作为电流复制管，将M2中的电流按比例复制到NMOS管M14中；同理，PMOS管M10作为电流复制管，将M3中的电流按比例复制到PMOS管M12中，两个管子中电流大小相等时会产生静态电流在NMOS管Mn的漏端产生一个电位驱动Mp调整管，为系统电路提供所需要的输出电压；NMOS管Mn在这里会分担一部分电压，在稳定状态时其过驱动电压是个恒定值，所以M4楼端电压恒定，可以是电路更快的达到稳定状态，降低瞬态响应的时间；当负载电流发生变化时输出电压会有改变，此时，若输出电压VOUT升高，那么M3中的电流变大，M2中的电流变小，导致M12中的电流比M14中的电流大，电路为了达到平衡状态，VMP电位升高，从而导致Mp调整管中的驱动电压变小，电流变小，输出电压恢复到所需要的状态；如果输出电压VOUT降低，那么M3中的电流变小，M2中的电流变大，导致M12中的电流比M14中的电流小，电路为了达到平衡状态，VMP电位降低，从而导致Mp调整管中的驱动电压变大，电流变大，输出电压恢复到所需要的状态；在上述误差基准核心放大器中，只会在M12漏端产生一个极点，故而电路的稳定性能够得到很好的保障，不需要外加任何补偿电容就可以达到所需要的稳定性要求，产生必要的相位裕度。
2.根据权利要求1所述的一种快速瞬态响应低压差线性稳压器，其特征在于，Mp调整管的栅端接NMOS管Mn的漏端，也即VMP，源端接电源，漏端接负载；其中，漏端电位为输出电压VOUT。
3.根据权利要求1所述的一种快速瞬态响应低压差线性稳压器，其特征在于，负载电阻RL一端与Mp调整管的漏端相连，另一端接地。
4.根据权利要求1所述的一种快速瞬态响应低压差线性稳压器，其特征在于，所述带隙基准源包括偏执电路、运算放大器电路和带隙基准核心电路；其中偏置电路分别与运算放大器电路和带隙基准核心电路相连，运算放大器电路和带隙基准核心电路也相连。
5.根据权利要求4所述的一种快速瞬态响应低压差线性稳压器，其特征在于，偏置电路的连接方式如下：PMOS管M19源端接电源，栅端与PMOS管M50漏端相连，漏端与PMOS管M31源端相连；PMOS管M31源端接M19漏端，漏端接NMOS管M32漏端，栅端接电路保护控制电压PD；NMOS管M32漏端接M31漏端，源端接地，栅端接电路保护控制电压PD；NMOS管M33源端接地，漏端与NMOS管M34栅端相连，栅端与NMOS管M38栅端相连；NMOS管M34源端接地，漏端与PMOS管M35漏端相连，源端接电阻R1一端，电阻R1另一端与PMOS管M35漏端相连；PMOS管M35源端接电源，漏端与M34漏端相连，栅端接M31漏端；NMOS管M36源端接地，栅端接电路保护控制电压，漏端接PMOS管M39漏端；PMOS管M37源端接电源，漏端与NMOS管M38漏端相连，栅端接M35漏端；NMOS管M38源端接地，漏端与栅端相连后接到M37漏端；PMOS管M39源端接电源，栅端与M35漏端相连，漏端接NMOS管M40漏端；NMOS管M40源端接地，漏端和栅端相连后与M39漏端相连。
6.根据权利要求权利要求5所述的一种快速瞬态响应低压差线性稳压器，其特征在于，运算放大器电路的连接方式如下：NMOS管M41栅端与M40栅端相连，漏端与PMOS管M49漏端相连，源端和NMOS管M42漏端相连；NMOS管M42源端接地，漏端和M41源端相连，栅端接M38栅端；NMOS管M44栅端与M40栅端相连，漏端与PMOS管M43漏端相连，源端和NMOS管M45漏端相连；NMOS管M45源端接地，漏端和M44源端相连，栅端接M38栅端；PMOS管M49源端接电源，栅端和漏端相恋后与M41漏端相连；PMOS管M43源端接电源，栅端和M49栅端相连，漏端与M44漏端相连；PMOS管M46源端接电源，栅端与M43漏端相连，漏端与PMOS管M47源端相连；PMOS管M47源端与M46漏端相连，漏端接M44漏端，栅端接电阻R3一端；PMOS管M48源端与M46漏端相连，漏端接M41漏端，栅端接电阻R4一端。
7.根据权利要求6所述的一种快速瞬态响应低压差线性稳压器，其特征在于，带隙基准核心电路的连接方式如下：三极管Q1集电极与基极相连后接地，发射极接电阻R2一端，电阻R2两一段与电阻R3相连，电阻R3另一端与电阻R5相连，即图中Z点；三极管Q2集电极与基极相连后接地，发射极接电阻R4一端，R4另一端与电阻R5相连，即图中Z点，电阻R5另一端接PMOS管M50漏端；PMOS管M50源端接电源，栅端接M43漏端，漏端与电阻R5一端相连，电容C跨接在M50栅端和漏端之间。
8.根据权利要求1所述的一种快速瞬态响应低压差线性稳压器，其特征在于，还包括一个设置在误差基准核心放大电路与调整管之间用于增强瞬态响应的瞬态响应增强电路；
瞬态响应增强电路包括PMOS管M21,所述PMOS管M21源端接电源，栅端接误差基准核心放大器中PMOS管M12的栅端，也即电压Vp，漏端与NMOS管M22漏端相连；NMOS管M22源端接地，漏端与PMOS管M21漏端相连，栅端接误差基准核心放大器中NMOS管M14的栅端，也即电压Vn；PMOS管M23源端接电源，栅端接误差基准核心放大器中PMOS管M12的栅端，也即电压Vp，漏端与NMOS管M24漏端相连；NMOS管M24源端接地，漏端与PMOS管M23漏端相连，栅端接误差基准核心放大器中NMOS管M14的栅端，也即电压Vn；PMOS管M25源端接电源电压，漏端与NMOS管M26的漏端相连，栅端接PMOS管M21的漏端；NMOS管M26源端接地，漏端与M25漏端相连，栅端与M25栅端相连；PMOS管M27源端接电源电压，漏端与NMOS管M28的漏端相连，栅端接PMOS管M23的漏端；NMOS管M28源端接地，漏端与M27漏端相连，栅端与M27漏端相连；PMOS管Mep源端接电源电压，漏端与NMOS管Men的漏端相连，栅端接PMOS管M25的漏端；NMOS管Men源端接地，漏端与Mep漏端相连，栅端与M27漏端相连；其中，Mep和Men的漏端均与误差基准核心放大器中NMOS管Mn漏端相连，其输出电压即为VMP；
当瞬态响应增强电路处于平衡状态时，在PMOS管M21和NMOS管M22的电流支路上，M22处于强线性区，M21处于饱和区，此时M22漏端电位接近于低电压,通过PMOS管M25和NMOS管M26组成的反相器后其输出电压为高电平，控制PMOS管Mep使其处于截止状态；同理，在PMOS管M23和NMOS管M24的电流支路上，M23处于强线性区，M24处于饱和区，此时M23漏端电位接近于电源电压,通过PMOS管M27和NMOS管M28组成的反相器后其输出电压为低电平，控制MMOS管Men使其处于截止状态；当负载电流发生变化时，如果VOUT升高,那么M3中的电流变大，M2中的电流变小，导致控制电压Vp降低，Vn升高，此时PMOS管M21和M23中的电流大，NMOS管M22和M24中的电流小，所以M21和M23漏端电压升高,使M21进入线性区，M23仍然处于强线性区，通过反相器的作用后NMOS管Men截止关断，PMOS管Mep开启产生大电流给Mp调整管的栅电容Cgs进行充电，使其栅端控制电压VMP升高，Mp调整管中驱动电流减小使输出电压降低回到所需要的输出状态；同理，如果VOUT降低,那么M3中的电流变小，M2中的电流变大，导致控制电压Vp升高，Vn降低，此时PMOS管M21和M23中的电流小，NMOS管M22和M24中的电流大，所以M21和M23漏端电压降低,使M24进入线性区,M22仍然处于强线性区，通过反相器的作用后PMOS管Mep截止关断，NMOS管Men开启产生大电流，Mp调整管通过栅电容Cgs进行放电，使其栅端控制电压VMP降低，Mp调整管中驱动电流增大使输出电压升高回到所需要的输出状态；电路通过控制管Mep和Men对Mp调整管的充电放电作用来使Mp调整管快速恢复到稳定状态，从而达到增强瞬态响应的目的。
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