CN104157548A - 可挠透光基板的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种可挠透光基板的制造方法，包含：(A)将一个透光基材放入一个反应室内；(B)通过辉光放电方式电离通入该反应室内的改质气体，使该透光基材的一个初始面粗糙化而形成一个设置面；(C)通过辉光放电方式，在该设置面上形成一个缓冲膜；及(D)通过辉光放电方式，在该缓冲膜上形成一个类钻碳膜。在步骤(B)中，使该设置面具有粗糙化结构而可增进该可挠透光基板的层体之间的结合性，且通过该类钻碳膜的疏水效果使得该可挠透光基板的表面容易清洁。此外，该类钻碳膜还具有优异的抗刮性而不易磨损擦伤，从而使该可挠透光基板具有良好的透光品质。

Description

可挠透光基板的制造方法
技术领域
本发明涉及一种基板的制造方法，特别是指一种适合配合一个背板、一个发光单元、一个触控感应单元等构件进行封装，进而构成一个触控式显示器模组的可挠透光基板的制造方法。
背景技术
一般触控式显示器模组通常包含一个透光基板、一个与该透光基板间隔的背板，以及设置于该透光基板与该背板之间的一个发光单元、一个触控感应单元或一个液晶单元等。其中，该透光基板能将该发光单元投射而来的光线向外导出，然而由于该透光基板的材料通常为玻璃，因此韧性不佳而容易因碰撞而破裂、损坏。
另一方面，随着科技的进步，以有机发光二极体（OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED）做为发光单元的可触控式显示器模组是目前科技研发的重点，这是因为OLED具有高亮度、高对比、广视角与厚度薄等优点，相当符合显示器模组的轻薄化要求。此外，OLED还可配合可挠的透光基板与背板进行封装，进而制成可收折的可触控式显示器模组，并具有方便携带等人性化的优点。
所述可挠的透光基板的材料可以是聚对苯二甲酸乙二酯(PET)，其可弯挠的性质可克服以往使用玻璃透光基板容易因碰撞而损坏的问题，然而所述可挠性的透光基板的硬度较低，其表面容易产生刮痕也容易累积污垢，进而影响该发光单元投射光线的透光效果，使得所述触控式显示器模组的影像品质不佳。
为了改善上述问题，有业者会在所述基板的表面镀上一层无机物膜层以增加抗污与抗刮性，但由于前述镀覆无机物膜层的制程往往需要在大于150℃的高温下才能进行，不仅会使所述可挠的透光基板老化、坏损，制造时也需要耗费相当多的电能来提升温度，进而增加生产成本。
发明内容
本发明的目的在于提供一种层体之间的结合性优异且兼具优异的抗污效果与抗刮效果的可挠透光基板的制造方法。
本发明可挠透光基板的制造方法，包含(A)将一个可挠的透光基材放入一个表面处理装置的一个反应室内，并位于该表面处理装置的两片电极板之间；(B)将改质气体通入该反应室内，通过辉光放电方式电离所述改质气体以产生改质电浆粒子来轰击该透光基材的一个初始面，进而使该透光基材的初始面形成一个具有凹凸不平的粗糙化结构的设置面，所述改质气体为氢气、氧气、氨气或上述的任一组合；(C)通过辉光放电方式，在该透光基材的设置面上形成一个缓冲膜，且该缓冲膜的材料为氮化硅或硅碳氮化合物；及(D)通过辉光放电方式，在该缓冲膜上形成一个类钻碳膜，且该类钻碳膜的材料为碳氢化合物并具有疏水性。
本发明所述可挠透光基板的制造方法，在步骤(B)中，通过辉光放电方式电离所述改质气体来轰击该初始面的改质过程的改质时间为5～100秒。
本发明所述可挠透光基板的制造方法，在步骤(B)至步骤(D)中，该反应室内的温度为20～100℃。
本发明所述可挠透光基板的制造方法，在步骤(C)中，先将该反应室抽真空后，再将硅源气体与氮源气体分别通入该反应室内反应而制得材料为氮化硅的该缓冲膜，所述硅源气体与所述氮源气体的体积比例为D：E，D为1且E为0.1～20。
本发明所述可挠透光基板的制造方法，在步骤(C)中，先将该反应室抽真空后，再将硅源气体、碳源气体与氮源气体分别通入该反应室内反应，而制得材料为硅碳氮化合物的该缓冲膜，所述硅源气体、所述碳源气体与所述氮源气体的体积比例为A：B：C，A为1，B为0.1～10，C为0.1～20。
本发明所述可挠透光基板的制造方法，在步骤(D)中，先将该反应室抽真空后，再将碳源气体与保护气体分别通入该反应室内反应，而制得材料为碳氢化合物的该类钻碳膜，所述碳源气体与所述保护气体的体积比例为F：G，F为1且G为0.1～1000。
本发明的有益效果在于：通过辉光放电方式电离改质气体以产生改质电浆粒子来轰击该初始面，从而形成粗糙化的该设置面以提供后续镀膜所需的成长点，因而增进该可挠透光基板的层体之间的结合性，同时通过该类钻碳膜优异的阻水效果而使该可挠透光基板的表面容易清洁而增进抗污效果。此外，该类钻碳膜也具有优异的抗刮性，因而不易因碰撞而产生磨损或伤痕，从而使该可挠透光基板具有良好的透光品质。
附图说明
图1是一个局部侧视示意图，显示本发明制造方法的一个较佳实施例所制成的一个可挠透光基板；
图2是一个侧视剖视示意图，显示该制造方法所使用的一个表面处理装置；
图3是该制造方法的一个步骤流程方块图；
图4是该制造方法的一个步骤流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明进行详细说明。
参阅图1，本发明制造方法的一个较佳实施例用于制造一个可挠透光基板1，所述可挠透光基板1适合配合一个背板、一个发光单元、一个触控感应单元等构件进行封装，进而构成一个触控式显示器模组。其中，所述发光单元可以是薄膜电晶体(Thin-FilmTransistor，简称TFT)、发光二极体（Light-EmittingDiode，简称LED）、有机发光二极体（OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED）等，当然实施上不限于前述举例。由于所述触控式显示器模组非本发明的重点，不再说明。
所述可挠透光基板1可供所述触控式显示器模组的发光单元投射光线并将光线向外导出，并包含一个透光基材11，以及由邻近而远离该透光基材11而设置的一个缓冲膜12与一个类钻碳膜13。
该透光基材11由可挠性材料制成，具体材料可为聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、聚酰胺纤维(PA)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)、聚苯乙烯(PS)或双轴延伸聚苯乙烯(OPS)等，但不限于前述举例。而该透光基材11包括一个朝外且具有凹凸不平的粗糙化结构的设置面111。
该缓冲膜12配置于该透光基材11的设置面111上，其材料为氮化硅(SiNx，x为0.5～1.5)或硅碳氮化合物(SiNxCy，x为0.1～1且y为0.5～1)，且其厚度为10～700nm。其中，当该缓冲膜12的厚度小于10nm时，该缓冲膜12的厚度不足，进而影响后续设置该类钻碳膜13时的结合性，因而无法稳固地结合该透光基材11与该类钻碳膜13，使该类钻碳膜13容易坏损、剥落而失去阻水与抗刮的保护效果。当该缓冲膜12的厚度大于700nm时，无功效上的助益，仅是徒增材料的消耗而增加生产成本。
本实施例的类钻碳膜13配置于该缓冲膜12上，其材料为碳氢化合物，具体可由C1至C3的烷类制得，其中，由于该类钻碳膜13具有与钻石相近的性质，所以该类钻碳膜13的硬度高且抗磨耗性佳。此外，本实施例的类钻碳膜13具有烷基(例如甲基或乙基)而可增加该类钻碳膜13的疏水性。该类钻碳膜13的厚度为5～100nm，当该类钻碳膜13的厚度小于5nm时，该类钻碳膜13过薄而容易磨耗，其阻水与抗刮效果不佳。随着厚度增加，该类钻碳膜13的疏水性也会增强，进而使该类钻碳膜13的表面与水滴的接触角趋近于90度。又当该类钻碳膜13的厚度大于100nm时，无功效上的助益，仅是徒增材料的消耗而增加生产成本。
参阅图2、3、4，本发明制造方法是通过一个表面处理装置9来制造该可挠透光基板，在本实施例中，所述表面处理装置9为辉光放电表面处理设备，并包含一个中空的反应室91、数个彼此间隔地设置于该反应室91内的电极板92、一个电连接所述电极板92以提供脉冲式或连续式交流电源的电源供应单元93、一个连通该反应室91而可将气体抽离该反应室91的抽气单元94，以及一个连通该反应室91而可将气体送入该反应室91的送气单元95。由于该表面处理装置9的结构与作用原理皆非本发明的重点，不再详述，于图2中也仅为简单示意。
需要说明的是，在图2中，所述电极板92的数量为三个，并且两两间隔的电极板92之间分别可制造两个可挠透光基板1，当然在实施上，该表面处理装置9只要包含两片电极板92就可以进行制造，因此所述电极板92的数量不限于本实施例的举例。此外，每一次的制程中所制造的可挠透光基板1的数量也不限于本实施例的举例。以下为了方便说明，以制造其中一个可挠透光基板1为例进行描述。而本发明制造方法包含以下步骤：
步骤S01：将可挠的该透光基材11放入该表面处理装置9的反应室91内，并位于该表面处理装置9的两片电极板92之间。
步骤S02：将改质气体通入该反应室91内，通过辉光放电方式电离所述改质气体以产生改质电浆粒子来轰击该透光基材11的一个初始面110，进而使该透光基材11的初始面110粗糙化而形成具有凹凸不平的粗糙化结构的该设置面111，所述改质气体为氢气、氧气、氨气或上述的任一组合。
具体来说，先启动该抽气单元94而将该反应室91抽真空，待该反应室91内的气压值降为10-3～10-5Torr时，便可停止该抽气单元94抽真空。接着启动该送气单元95将所述改质气体通入该反应室91内，同时启动该电源供应单元93以开始进行改质作业，并通过该电源供应单元93提供频率为13.56MHz或60MHz的交流电源，使所述电极板92产生辉光放电以电离所述改质气体以产生改质电浆粒子，并通过前述改质电浆粒子轰击该透光基材11的初始面110，从而打断该初始面110处的碳-氧键结，进而形成粗糙化的该设置面111以提供后续镀膜所需的成长点。
进一步说明的是，在步骤S02中，该反应室91内的温度为20～100℃。当温度低于20℃时，会降低所述改质电浆粒子轰击该初始面110的效果，因而使该设置面111无法具有理想的粗糙化结构。又当温度高于100℃时，会因为温度高于该透光基材11的耐热温度，使该透光基材11产生老化、脆化或龟裂，进而无法使用。更重要的是，本实施例在100℃内就可使所述改质电浆粒子有足够的动能碰撞该透光基材11而达到所需的粗糙效果。而本实施例通过辉光放电以电离所述改质气体来轰击该初始面110的改质过程中，实际使用的温度为60℃。
另外，前述辉光放电以电离所述改质气体来轰击该初始面110的改质过程的改质时间为5～100秒。当改质时间少于5秒时，所述改质电浆粒子的轰击时间过短而使该设置面111无法具有理想的粗糙化结构，而无法与后续设置的该缓冲膜12稳固地结合。当改质时间多于100秒时，所述改质电浆粒子的轰击时间过长而导致该透光基材11雾化而影响光学特性并使透光性变得不良，因而无法使用该透光基材11。而本实施例实际所使用的改质时间为60秒。
步骤S03：通过辉光放电方式，在该透光基材11的设置面111上形成该缓冲膜12，且该缓冲膜12的材料为硅碳氮化合物或氮化硅。
以下先针对该缓冲膜12的材料为硅碳氮化合物时的制法进行说明。
首先启动该抽气单元94将该反应室91抽真空，从而将改质作业时的改质气体抽出该反应室91之外，待气压值降为10-3～10-5Torr时便可停止抽真空。接着启动该送气单元95将硅源气体、碳源气体与氮源气体分别通入该反应室91内，并启动该电源供应单元93以提供频率为13.56MHz或60MHz的交流电源，使所述电极板92产生辉光放电以电离所述硅源气体、所述碳源气体与所述氮源气体以产生第一电浆粒子，进而在该透光基材11的设置面111上镀覆形成材料为硅碳氮化合物的该缓冲膜12。
其中，在步骤S03中，该反应室91内的温度为20～100℃。当温度低于20℃时，因为该反应室91内的温度过低而降低所述第一电浆粒子的反应效果，进而无法在该设置面111上形成理想材质的该缓冲膜12。当温度高于100℃时，会使该透光基材11产生脆化或龟裂而无法使用。更重要的是，本实施例在100℃内就可使所述第一电浆粒子有足够的动能而反应形成理想材质的该缓冲膜12。而本实施例通过辉光放电以电离反应气体的镀膜过程中，实际使用的温度为60℃。
此外，所述硅源气体可以是硅烷(SiH4)。所述氮源气体可以是氨(NH3)、氧化亚氮(N2O)或上述的任一组合。所述碳源气体可以是例如甲烷(CH4)等的烷类、例如丙烯(C3H6)等的烯类或上述的任一组合。所述硅源气体、所述碳源气体与所述氮源气体的体积比例为A：B：C，A为1，B为0.1～10，C为0.1～20。
另一方面，该缓冲膜12的材料为氮化硅时的制造方法与前述大致相同，两者之间的差别在于：将该反应室91抽真空之后，仅将所述硅源气体与所述氮源气体分别通入该反应室91内反应，就可制得材料为氮化硅的该缓冲膜12。此时，所述硅源气体与所述氮源气体的体积比例为D：E，D为1且E为0.1～20。
步骤S04：通过辉光放电方式，在该缓冲膜12上形成该类钻碳膜13，且该类钻碳膜13的材料为碳氢化合物并具有疏水性，就能制得该可挠透光基板1。
具体来说，首先关闭该送气单元95，并启动该抽气单元94将该反应室91抽真空，从而将用于制造该缓冲膜12的反应气体抽出该反应室91之外，待该反应室91内的气压值为10-3～10-5Torr时，便可停止抽真空。接着启动该送气单元95将碳源气体与保护气体分别通入该反应室91内，并且通过该电源供应单元93提供频率为13.56MHz或60MHz的交流电源，使所述电极板92产生辉光放电以电离所述碳源气体以产生第二电浆粒子，进而在该缓冲膜12上形成材料为碳氢化合物的该类钻碳膜13，使该类钻碳膜13具有烷基而可增加该类钻碳膜13的疏水性。
进一步说明的是，在步骤S04中，该反应室91内的温度为20～100℃。当温度低于20℃时，因为温度过低而降低所述第二电浆粒子的反应效果，进而无法形成理想材质的该类钻碳膜13。当温度高于100℃时，会使该透光基材11产生脆化或龟裂而无法使用。更重要的是，本实施例在100℃内就可使所述第二电浆粒子有足够的动能而反应形成理想材质的该类钻碳膜13。而本实施例通过辉光放电以电离所述碳源气体的镀膜过程中，实际使用的温度为60℃。
另外，前述辉光放电以电离所述碳源气体的镀膜过程的反应时间为1～30分钟，当反应时间少于1分钟时，该类钻碳膜13的厚度不足而容易坏损，并失去阻水与抗刮的保护效果，同时该类钻碳膜13所具有的烷基的数量也不足而导致疏水性不佳。当反应时间多于30分钟时，又会使该类钻碳膜13的厚度过厚，不仅无功效上的助益，还会增加生产成本。
此外，所述碳源气体与前述相同，可以是例如甲烷(CH4)等的烷类、例如丙烯(C3H6)等的烯类或上述的任一组合。所述保护气体则用于提高碳源气体被撞击的机率，提高该类钻碳膜13的烷基的数量，所述保护气体具体可以是氢气(H2)、氦气(He)、氩气(Ar)或上述的任一组合。所述碳源气体与所述保护气体的体积比例为F：G，F为1且G为0.1～1000。
步骤S05：将该可挠透光基板11取出该表面处理装置9的反应室91。
具体来说，首先关闭该送气单元95，并启动该抽气单元94将用于制造该类钻碳膜13的反应气体抽出该反应室91之外，待该反应室91内的气压值为10-3～10-4Torr时，便可停止该抽气单元94抽真空。接着启动该送气单元95将氮气送入该反应室91，待该反应室91内的气压值为回到大气压时，便可停止该送气单元95并打开该反应室91而取出该可挠透光基板1。
接着通过本发明的实施例与比较例来证实本发明的功效。其中，实施例为利用本发明制造方法所制得的可挠透光基板1，而比较例则是省略步骤S02所制得的可挠透光基板1，也就是说，比较例的透光基材11的初始面110未经改质处理便设置该缓冲膜12与该类钻碳膜13。
在以下的实验中，使用一个承载一个10千克(kg)的重物的磨盘依照预定次数研磨擦拭实施例及比较例的表面，并在前述研磨擦拭过程中不断添加异丙醇作为溶剂以清除污染物。各个预定次数的研磨擦拭完成之后，便将水滴分别喷洒在实施例与比较例的表面上，同时使用接触角量测仪器分别测量实施例及比较例的表面与水滴的接触角，并将实验结果记录于表一中。
进一步说明的是，使用接触角量测仪器所测得的表面与水滴的接触角越大，代表前述表面的疏水性越高而不亲水。相反地，表面与水滴的接触角越小，代表前述表面的疏水性越低而较亲水。
表一
参阅表一，由比较例可知，尚未被研磨擦拭前(也就是研磨擦拭0次)，比较例的表面与水的接触角为90度，在研磨擦拭1次后其表面与水的接触角下降到81度，在研磨擦拭5～50次后其表面与水的接触角下降到60度左右，而在研磨擦拭100～1000次后其表面与水的接触角下降到45度左右。显示随着研磨擦拭的次数增加，比较例的表面与水的接触角也跟着下降，因此比较例的表面的疏水性越来越差而变得亲水。这是因为该透光基材11具有韧性的特点，于是随着研磨擦拭的次数增加，比较例的缓冲层12与类钻碳膜13被剥离该透光基材11的设置面111的程度也随着增加，进而使该透光基材11露出，如此便无法利用该类钻碳膜13所提供的疏水与抗刮的保护，因此比较例的表面与水的接触角便会减少而变得亲水。
另一方面，由实施例可知，尚未被研磨擦拭前实施例的表面与水的接触角也为90度，与尚未被研磨擦拭的比较例相同都具有优异的疏水效果。这是因为不论比较例或实施例，其镀覆该缓冲膜12与该类钻碳膜13的制法（也就是步骤S03、步骤S04）皆相同，并且在步骤S04中电离所述碳源气体所产生第二电浆粒子会在该类钻碳膜13的表面进行反应，使该类钻碳膜13具有烷基，从而增加该类钻碳膜13的疏水性而具有优异的阻水效果。
接着由实施例可知，在研磨擦拭1～50次后其表面与水的接触角皆为86度，虽然实施例的表面接触角略微下降，但本发明制造方法所制成的可挠透光基板1就算研磨擦拭50次，其表面与水的接触角仍高于比较例仅研磨擦拭1次后的表面与水的接触角。
这是因为比较例省略步骤S02，其透光基材11的初始面110未进行改质作业而未形成粗糙化的该设置面111，因此比较例的初始面110无法提供后续镀膜所需的成长点。如此一来，后续在该初始面110上镀覆该缓冲膜12时，该缓冲膜12便无法紧密地与该透光基材11结合，再加上该透光基材11具有韧性的特点，于是在研磨擦拭的过程中，比较例的层体之间的结合力不足而层体容易剥落、分离，进而无法利用该类钻碳膜13所提供的疏水与抗刮的保护。
反观，实施例在步骤S02中通过辉光放电的方式电离改质气体以产生改质电浆粒子，通过前述改质电浆粒子轰击该初始面110，从而打断该初始面110处的碳-氧键，使该初始面110粗糙化，并形成具有凹凸不平的粗糙化结构的该设置面111而可提供后续镀膜所需的成长点。于是后续镀覆的该缓冲膜12能稳固地结合于该设置面111上，同时通过该缓冲膜12能稳固地结合该类钻碳膜13，因此就算研磨擦拭50次后实施例的表面与水的接触角仍可维持在86度，显示实施例的缓冲膜12与类钻碳膜13不易剥离该设置面111，如此便能通过该类钻碳膜13提供优异的阻水与抗刮保护。
最后由实施例可知，在研磨擦拭100～1000次后其表面与水的接触角皆为67度，虽然实施例的表面接触角下降但仍具有足够的疏水效果，更重要的是本发明制造方法所制成的可挠透光基板1就算研磨擦拭1000次，其表面与水的接触角仍高于比较例仅研磨擦拭5次后的表面与水的接触角，并再一次地证实本发明制造方法确实可以增加层体之间的结合力。
由以上说明可知，本发明在该透光基材11上使用辉光放电方式镀覆形成该缓冲膜12与该类钻碳膜13，前述做法可生成连续且均匀的膜层，并提高膜层品质与生产效率。除此之外，在步骤S02到步骤S04的过程中，该反应室91内的温度皆为20～100℃的低温，除了可保护该透光基材11不会因过热而脆化或龟裂，还可节省能源消耗而降低生产成本。
更重要的是，本发明通过辉光放电方式电离改质气体以产生改质电浆粒子，并通过前述改质电浆粒子轰击该初始面110，从而形成粗糙化的该设置面111以提供后续镀膜所需的成长点，从而增进该可挠透光基板1的层体之间的结合力。因此该可挠透光基板1的层体不易剥离、脱落，如此便可通过疏水性佳的该类钻碳膜13提供优异的阻水效果，从而使其表面上的水滴聚集成水珠状，并只要稍微拨动就能使水滴脱离该可挠透光基板1的表面，于是该可挠透光基板1的表面容易清洁而不易累积污垢。此外，该类钻碳膜13也具有优异的抗刮性，不易因碰撞而产生磨损或伤痕。因此，通过该类钻碳膜13抗刮与抗污的性质，在封装成触控式显示器模组时，该可挠透光基板1能维持良好的透光品质而不会影响发光单元投射光线的透光效果，所以所述触控式显示器模组可维持良好的影像品质。

Claims (9)

1.一种可挠透光基板的制造方法，其特征在于：该可挠透光基板的制造方法包含(A)将一个可挠的透光基材放入一个表面处理装置的一个反应室内，并位于该表面处理装置的两片电极板之间；(B)将改质气体通入该反应室内，通过辉光放电方式电离所述改质气体以产生改质电浆粒子来轰击该透光基材的一个初始面，进而使该透光基材的初始面形成一个具有凹凸不平的粗糙化结构的设置面，所述改质气体为氢气、氧气、氨气或上述的任一组合；(C)通过辉光放电方式，在该透光基材的设置面上形成一个缓冲膜，且该缓冲膜的材料为氮化硅或硅碳氮化合物；及(D)通过辉光放电方式，在该缓冲膜上形成一个类钻碳膜，且该类钻碳膜的材料为碳氢化合物并具有疏水性。
2.根据权利要求1所述的可挠透光基板的制造方法，其特征在于：在步骤(B)中，通过辉光放电方式电离所述改质气体来轰击该初始面的改质过程的改质时间为5～100秒。
3.根据权利要求1或2所述的可挠透光基板的制造方法，其特征在于：在步骤(B)至步骤(D)中，该反应室内的温度为20～100℃。
4.根据权利要求3所述的可挠透光基板的制造方法，其特征在于：在步骤(C)中，先将该反应室抽真空后，再将硅源气体与氮源气体分别通入该反应室内反应而制得材料为氮化硅的该缓冲膜，所述硅源气体与所述氮源气体的体积比例为D：E，D为1且E为0.1～20。
5.根据权利要求3所述的可挠透光基板的制造方法，其特征在于：在步骤(C)中，先将该反应室抽真空后，再将硅源气体、碳源气体与氮源气体分别通入该反应室内反应而制得材料为硅碳氮化合物的该缓冲膜，所述硅源气体、所述碳源气体与所述氮源气体的体积比例为A：B：C，A为1，B为0.1～10，C为0.1～20。
6.根据权利要求3所述的可挠透光基板的制造方法，其特征在于：在步骤(D)中，先将该反应室抽真空后，再将碳源气体与保护气体分别通入该反应室内反应，而制得材料为碳氢化合物的该类钻碳膜，所述碳源气体与所述保护气体的体积比例为F：G，F为1且G为0.1～1000。
7.根据权利要求1所述的可挠透光基板的制造方法，其特征在于：在步骤(C)中，先将该反应室抽真空后，再将硅源气体与氮源气体分别通入该反应室内反应而制得材料为氮化硅的该缓冲膜，所述硅源气体与所述氮源气体的体积比例为D：E，D为1且E为0.1～20。
8.根据权利要求1所述的可挠透光基板的制造方法，其特征在于：在步骤(C)中，先将该反应室抽真空后，再将硅源气体、碳源气体与氮源气体分别通入该反应室内反应而制得材料为硅碳氮化合物的该缓冲膜，所述硅源气体、所述碳源气体与所述氮源气体的体积比例为A：B：C，A为1，B为0.1～10，C为0.1～20。
9.根据权利要求1所述的可挠透光基板的制造方法，其特征在于：在步骤(D)中，先将该反应室抽真空后，再将碳源气体与保护气体分别通入该反应室内反应，而制得材料为碳氢化合物的该类钻碳膜，所述碳源气体与所述保护气体的体积比例为F：G，F为1且G为0.1～1000。
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