CN104157333A - 电极、电子装置和用于制造光电子装置的方法 - Google Patents

电极、电子装置和用于制造光电子装置的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及电极、电子装置和用于制造光电子装置的方法。根据各种实施例，一种电极可包括至少一个层，所述至少一个层包括包含铝和钛的化学化合物。

Description

电极、电子装置和用于制造光电子装置的方法
技术领域
各种实施例一般地涉及一种电极、电子装置和用于制造光电子装置的方法。
背景技术
通常，可使用薄膜沉积技术制造电子装置。可使用半导体工业的典型制造过程(例如，分层、图案化、掺杂、抛光、镀覆和热处理)在晶片级别执行加工电子装置(例如，光电子装置)。各种电子装置和光电子装置可包括功能层或层堆，例如半导体层、电极层、屏障层、电荷传输层等。由于形成的层的形态可取决于分层过程的大量的独立和/或相关的参数(以及所涉及的材料)，并且由于形成的层的形态可进一步影响形成的层的化学和物理性质，所以形成提供预期性质的电子装置的功能层可能是有挑战性的任务。
发明内容
根据各种实施例，可提供一种包括至少一个层的电极，所述至少一个层包括包含铝和钛的化学化合物。
附图说明
在附图中，相同标号通常在不同示图中始终表示相同部分。附图未必按比例绘制，而是通常把重点放在表示本发明的原理上。在下面的描述中，参照下面的附图描述本发明的各种实施例，其中：
图1以示意图显示根据各种实施例的电极；
图1B至1E分别以剖视图显示根据各种实施例的电极；
图1F示意性地显示根据各种实施例的电极的表面的表面粗糙度的详细示图；
图2A和2B分别显示根据各种实施例的包括电子电路和电极的电子装置；
图2C显示根据各种实施例的包括电子电路、电极和电子结构的电子装置；
图3显示根据各种实施例的用于制造光电子装置的方法的示意性流程图；
图4A示意性地显示根据各种实施例的在已执行退火步骤之前的电极层堆的剖视图；
图4B示意性地显示根据各种实施例的在已执行退火步骤之后的电极层堆的剖视图；
图5A示意性地显示根据各种实施例的在已执行退火步骤之前的电极层堆的剖视图；
图5B示意性地显示根据各种实施例的在已执行退火步骤之后的电极层堆的剖视图；
图6A示意性地显示根据各种实施例的在已执行退火步骤之前的电极层堆的剖视图；
图6B示意性地显示根据各种实施例的在已执行退火步骤之后的电极层堆的剖视图；
图7A示意性地显示根据各种实施例的在已执行退火步骤之前的电极层堆的剖视图；
图7B示意性地显示根据各种实施例的在已执行退火步骤之后的电极层堆的剖视图；
图8A和8B示意性地显示根据各种实施例的例如在已执行退火步骤之前的电极层堆的剖视图；
图9A和9B分别显示根据各种实施例的布置在电极上方的光电子结构的示意性剖视图；
图10A和10B分别显示根据各种实施例的电子装置的示意性剖视图；
图10C和10D分别显示根据各种实施例的电子装置中的电极的详细剖视图；和
图10E显示根据各种实施例的包括电子电路、金属化结构、电极和光电子结构的电子装置。
具体实施方式
下面的详细描述参照作为说明而显示可实施本发明的特定细节和实施例的附图。
词语“示例性”在这里用于表示“用作例子、实例或说明”。在这里描述为“示例性”的任何实施例或设计不必解释为优选或者解释为优于其它实施例或设计。
针对形成在侧面或表面“上方”的沉积的材料使用的词语“在…上方”可在这里用于表示沉积的材料可“直接”形成在指示的侧面或表面“上方”，例如直接与指示的侧面或表面接触。针对形成在侧面或表面“上方”的沉积的材料使用的词语“在…上方”可在这里用于表示沉积的材料可“间接”形成在指示的侧面或表面“上方”，其中一个或多个另外的层布置在指示的侧面或表面和沉积的材料之间。
通常，在半导体工业中，已开发用于提供高质量薄膜(也称为层或薄层)的过程，其中层可被形成为具有例如预期厚度和形态，具有大范围的预期性质，例如边缘覆盖行为、电子性质和化学性质。薄膜技术可以能够实现可使用半导体工业的过程形成在晶片或载体上的电子装置(例如，光电子装置)的制造。然而，在生长例如几种材料的平滑层时仍然可能出现问题，因为取决于将要被沉积的材料、用作基底(或载体)的材料、和层可按照某一粗糙度生长的沉积条件。
通常，可存在可被用于形成(生长)特定材料的层或薄膜的许多不同的沉积过程或分层过程，例如物理汽相沉积过程(PVD)、化学汽相沉积过程(CVD)、电镀过程或无电沉积过程。
金属、金属性材料和有机材料可例如按照所谓的岛状生长(Volmer-Weber生长)或包括岛状生长的混合生长(Stranski-Krastanov生长)而生长。对于提供或包括沉积的材料的岛状生长的分层过程，与逐层生长(Frank-van der Merwe生长)相比，层的表面粗糙度可能是大的。另外，岛状生长可引起沉积的层的不同的微观结构和/或形态，从而生长的层的物理性质可不同于通过使用逐层生长形成的层。
因此，生长平滑层或薄膜可能具有挑战性。然而，薄膜或层的形态和微观结构可影响并且确定薄膜或层的物理(光学和电气)性质。在薄膜生长期间对形态和微观结构的控制可能在半导体处理中(例如，对于分层过程、图案化过程等)是有益的。生长的(形成的或沉积的)层的形态的大部分可被反映在层的表面粗糙度中，其中薄膜生长的另一方面可解决层的微观结构(例如，晶粒尺寸、晶粒边界、裂缝、位错、缺陷、应变等)。层的表面粗糙度可由真实表面相对于表面的对应理想形式的各自形状的垂直偏差量化。粗糙度可被量化为RMS-粗糙度(均方根粗糙度)，其中薄膜或层的高度(或厚度)的垂直偏差可与高度或厚度的算术值相关。
通常，在制造期间控制表面粗糙度可能困难并且昂贵。一方面，减小表面粗糙度可例如增加层或包括平滑层的装置的制造成本。另一方面，减小表面粗糙度可增强薄膜或层的电气和光学性质。另外，减小层的表面粗糙度可以能够在层上面实现平滑层的生长，从而整个层堆或装置的物理和化学性质可使用更平滑的层作为基本层而被增强。如这里所述，与另一层相比(例如，与常用的或形成的层相比)，更平滑的层或平滑层可具有更小的RMS粗糙度或小的RMS粗糙度。
根据各种实施例，这里描述提供增强的物理性质(诸如，例如低表面粗糙度、致密微观结构和均质微观结构中的至少一个)的电极。因此，根据各种实施例，参照电磁辐射的光谱，例如由于低表面粗糙度、高电导率和高热导率，例如由于致密微观结构，这里提供的电极可提供高反射率。另外，根据各种实施例，低表面粗糙度可以能够在具有低表面粗糙度和有益的微观结构的电极上面实现另外的层的生长。根据各种实施例，增强的物理性质可由用作电极材料的化学化合物和/或制造过程引起，如下面所述。
根据各种实施例，电极可包括至少一个层，所述至少一个层包括包含铝和钛的化学化合物。根据各种实施例，该化学化合物可基于至少两种金属，例如铝和钛。根据各种实施例，铝可包括少量的铜，例如0.5%摩尔百分比或0.5%重量百分比。
根据各种实施例，电极可包括至少一个区域，所述至少一个区域包括包含铝和钛的化学化合物。根据各种实施例，电极可包括多个区域，所述多个区域包括包含铝和钛的化学化合物。
根据各种实施例，包括铝和钛的化学化合物可以是铝/钛金属间化学化合物，所谓的铝化钛。根据各种实施例，金属间化合物可以是包括至少两种金属(在这种情况下，例如形成铝化钛的钛和铝)的固态相。根据各种实施例，铝/钛金属间化学化合物(铝化钛)可包括例如γ-TiAl、α2-Ti3Al和TiAl3。根据各种实施例，铝/钛金属间化学化合物(铝化钛)可包括例如具有化学式TixAly的化合物，其中x和y可以是定义钛和铝之间的比例的数字。
根据各种实施例，包括铝和钛的化学化合物可以是铝/钛合金。根据各种实施例，包括铝和钛的化学化合物可包括铝和钛的固溶体。
由于这两种金属铝和钛可形成许多复杂的固相，所以根据各种实施例，包括铝和钛的化学化合物还可以是包括铝和钛的间隙金属间化学化合物、包括铝和钛的替换式合金、包括铝和钛的填隙式合金或者包括铝和钛的合金和金属间化学化合物的混合物。
根据各种实施例，如这里所述，电极可包括铝和钛金属间化学化合物和/或铝/钛合金的超过一种固相的混合物。另外，根据各种实施例，铝和钛金属间化学化合物和/或铝/钛合金的物理和化学性质可不同于单一金属铝和钛的物理和化学性质。
根据各种实施例，钛的存在可防止或扰乱在分层过程期间或者在生长的电极层的退火过程或热处理期间发生的电极层中的铝微晶的晶体生长。
图1A显示根据各种实施例的电极100，电极100包括至少一个层102或至少一个区域102，其中所述至少一个层102或至少一个区域102可包括包含铝和钛的化学化合物，如上所述。根据各种实施例，电极100可以是包括包含铝和钛的化学化合物的层102(或图案化的层)，如上所述。换句话说，可由层102(例如，图案化的或结构化的层102)提供电极100；或者层102(例如，图案化的或结构化的层102)可以是电极100的一部分。
根据各种实施例，电极100可具有至少上表面100a，如图1A中所示。上表面100a可定义两个横向方向101和105(宽度方向101、105)以及厚度方向103(高度方向103)，其中厚度方向103可垂直于上表面100a并且横向方向101、105可平行于上表面100a。
根据各种实施例，电极100的横向延伸(宽度)可以是电极100沿着宽度方向101、105的延伸，并且电极100的厚度(高度)可以是电极100沿着厚度方向103的延伸。
根据各种实施例，电极100可具有从大约几纳米到大约几微米的范围中的厚度，例如从大约1 nm到大约10 μm的范围，例如从大约20 nm到大约600 nm的范围，例如从大约50 nm到大约400 nm的范围。根据各种实施例，电极100的厚度可等于或小于大约400 nm，例如等于或小于大约300 nm，例如等于或小于大约200 nm，例如等于或小于大约100 nm。
根据各种实施例，根据预期技术应用，电极100的横向延伸可处于从大约几纳米到大约几厘米的范围中，例如处于从大约1 nm到大约50 cm (甚至长达几米)的范围中。通常，电极100的横向延伸可受到用于沉积电极100的基底的尺寸和分层过程的类型(因此，特定类型的分层过程的技术参数)的限制。根据各种实施例，用在例如显示装置中的电极100(例如，单个图案化的电极)的横向延伸可例如处于从大约10 nm到大约30 μm的范围中，例如处于从大约20 nm到大约10 μm的范围中，例如处于从大约20 nm到大约1 μm的范围中。
根据各种实施例，电极100或层102可覆盖半导体晶片或半导体基底的表面。
根据各种实施例，半导体基底或半导体晶片可由各种类型的半导体材料制成，包括硅、锗、III到V族或其它类型，包括例如聚合物，但在另一实施例中，还能够使用其它合适的材料。在实施例中，晶片基底由硅(掺杂的或无掺杂的)制成，在替代实施例中，晶片基底是绝缘体上硅(SOI)晶片。作为替代方案，任何其它合适的半导体材料能够被用于晶片基底，例如半导体化合物材料，诸如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)，而且能够使用任何合适的三元半导体化合物材料或四元半导体化合物材料，诸如砷化铟镓(InGaAs)。
根据各种实施例，电极100可以是图案化的层，从而电极100可例如在特定区域中覆盖基底(或基础结构)，从而在基底上方和/或在基底中形成预期电极结构。电极的形状可例如由表面100a的形状表示，如图1A中所示。根据各种实施例，电极100可具有棱柱形(或圆柱形)，其中如图1A中所示，电极100的表面100a可以是棱柱(或圆柱体(未示出))的底部区域。根据各种实施例，定义电极100的形状和/或电极层102的形状的底部区域100a可具有多边形、圆形、椭圆形、三角形、矩形、正方形、六边形或任何其它预期形状。另外，根据各种实施例，电极100的上表面100a可偏离这里包括的附图中示出的平面形状；替代地，上表面100a可包括超过一个表面层，其中超过一个表面层的表面层可形成可使用例如光刻过程和蚀刻过程中的至少一个而图案化的更复杂的形状，例如屋顶形结构或球形结构等，如这里所述。
电子装置或光电子装置可包括至少一个电极。如这里所述的电极可以是可将电荷载流子提供给电子装置或光电子装置的另一非金属性区域的导电层(或导电区域)。根据各种实施例，电极100可将电荷载流子提供给半导体层或半导体区域(掺杂的或无掺杂的)，提供给电解质层或区域，提供给有机化合物(例如，以层形状形成)，或提供给包括下面的一组材料中的至少一种材料的区域或层：氧化物、氮化物、金属氧化物、金属氮化物、聚合物等。
根据各种实施例，电极100可提供用于如稍后所述的发光装置或光电子装置的电极，因此，如这里所述的电极可以是导电层(或导电区域)，它可将电荷载流子(例如，电子或空穴)提供给发光装置或光电子装置的功能层，例如提供给场致发光层、发光层和/或光电二极管。
根据各种实施例，电极100可被配置为阳极(例如，带正电荷)或阴极(例如，带负电荷)。根据各种实施例，被配置为阳极的电极可从电子结构或装置去除电子，或者可将空穴注入到电子结构或装置中；其中被配置为阴极的电极可从电子结构或装置去除空穴，或者可将电子注入到电子结构或电子装置中。
根据各种实施例，电极100可包括多个区域，其中材料的化学成分可不同于包括基于铝和钛的化学化合物的层102的成分，如前所述。另外，根据各种实施例，电极100可包括另外的区域或层，所述另外的区域或层包括例如下面的一组材料中的至少一种材料：钛、铝、氮化钛、氧化钛、氮化铝、氧化铝。
如图1B中所示，电极100可包括至少一个层102，所述至少一个层102包括基于铝和钛的化学化合物，如前所述。根据各种实施例，电极100可还包括另外的层或区域，例如第一附加层104和/或第二附加层106。根据各种实施例，第一附加层104和/或第二附加层106可包括下面的一组材料中的至少一种材料：钛、铝、氮化钛、氧化钛、氮化铝、氧化铝。根据各种实施例，第一附加层104和/或第二附加层106可包括与层102相同的材料，例如铝化钛。根据各种实施例，第一附加层104和/或第二附加层106可包括与层102中所包括的铝化钛(或钛/铝合金)相比具有另一化学成分和/或另一晶体结构的铝化钛(或钛/铝合金)。换句话说，电极100可包括多个区域，所述多个区域包括例如钛和铝中的至少一种，其中至少一个区域102或层102可包括铝化钛和钛/铝合金中的至少一种。
因此，根据各种实施例，电极100可包括一种材料或超过一种材料，所述一种材料或超过一种材料可例如在退火过程或热处理期间防止、扰乱或改变纯铝的结晶行为，从而电极100可在电极的热处理期间不改变它的形态、微观结构和/或表面粗糙度。
根据各种实施例，电极100可在高达大约400℃的温度或甚至高达更高的温度是稳定的(例如，可不形成小丘)，因为钛可改变铝的结晶行为。相比之下，例如由于结晶引起的影响，例如由于小丘形成，例如由于枝晶形成，包括铝层的常用电极可在热处理过程期间改变它的形态、微观结构和/或表面粗糙度。
根据各种实施例，如图1B中所示，第一附加层104和第二附加层106中的至少一个可具有比层102高的钛的浓度。另外，根据各种实施例，层102、第一附加层104和第二附加层106中的至少一个可包括铝化钛和钛/铝合金中的至少一种。电极100可包括至少一个层102、104、106，所述至少一个层102、104、106包括包含铝和钛的化学化合物，如上所述。
根据各种实施例，如图1C中所示，第一附加层104和第二附加层106中的至少一个可具有比层102和/或第三附加层108高的钛的浓度。另外，根据各种实施例，层102、第一附加层104、第二附加层106和第三附加层108中的至少一个可包括铝化钛和钛/铝合金中的至少一种。电极100可包括至少一个层102、104、106、108，所述至少一个层102、104、106、108包括包含铝和钛的化学化合物，如上所述。
参照图1C，根据各种实施例，附加层104、106可基本上包括钛或者可以是钛层。另外，根据各种实施例，布置(或形成)在附加层104、106之间的第三附加层108可基本上包括铝或者可以是铝层，根据各种实施例。另外，根据各种实施例，布置在第三附加层108和附加层104、106之间的层102可包括包含铝和钛的化学化合物，如上所述。
根据各种实施例，图1C中示出的层102、104、106、108可包括下面的一组材料中的至少一种材料：钛、铝、钛/铝合金和铝化钛。根据各种实施例，图1C中示出的层102、104、106、108可包括下面的一组材料中的至少一种材料：钛、铝、铜、铝/铜合金、钛/铝合金和铝化钛。
图1D以剖视图示意性地显示根据各种实施例的电极100，其中电极100可包括包含钛和铝的化学化合物，其中钛和铝的化学成分(铝和钛的比例)可沿着一定方向(例如，沿着厚度方向103a)改变。换句话说，电极100中的钛和铝的浓度可沿着厚度方向103a改变。
如图1E中所示，根据各种实施例，电极100可还包括布置在所述至少一个层102上方的氮化钛层110，其中所述至少一个层102可包括包含钛和铝的化学化合物，如上所述。根据各种实施例，电极100可还包括布置在所述至少一个层102、104、106、108上方的氮化钛层110，其中所述至少一个层102、104、106、108可包括包含钛和铝的化学化合物，如上所述。根据各种实施例，氮化钛层110可被视为电极的一部分。根据另一实施例，氮化钛层110可以是覆盖电极100的附加层。根据各种实施例，氮化钛层110可布置在电极100上面或者布置在所述至少一个层102上面。根据各种实施例，氮化钛层110可提供电极100的上表面。
根据各种实施例，氮化钛层110可以是屏障层，例如氮化钛层110可不允许穿过氮化钛层110的大量扩散和/或材料传输。根据各种实施例，氮化钛层110可以是用于在电极100上面沉积层的粘合促进层。根据各种实施例，氮化钛层110可以是导电的。由于电极100的氮化钛层可增强光的吸收(例如，通常用作减反射涂层)，所以氮化钛层110可具有可允许电极100具有高度反射性(例如，反射超过光学范围中的电磁辐射(光)的大约80%)的厚度。因此，根据各种实施例，氮化钛层110可具有等于或小于大约30 nm的厚度，例如等于或小于大约20 nm，例如等于或小于大约10 nm。
根据各种实施例，电极100的上表面100a可具有等于或小于3 nm RMS粗糙度的粗糙度。根据各种实施例，电极100的上表面110的RMS粗糙度可处于从大约1 nm到大约3 nm的范围中，例如小于3 nm，例如小于2 nm，例如小于1 nm，例如处于大约2 nm的范围中。
图1F显示用于表示电极100的上表面100a的表面粗糙度的电极100。可通过确定电极100的表面100a相对于对应理想表面107的各自形状的垂直偏差107a、107b来量化表面粗糙度。粗糙度可被量化为RMS-粗糙度(均方根粗糙度)，其中电极100的表面100a相对于理想表面107的垂直偏差107a、107b的算术值(均方根)可被用于确定和/或量化电极100的表面100a的粗糙度。根据各种实施例，可通过使用电极100的厚度和/或表面形貌的有限数量的测量值以及统计分析来确定表面粗糙度。根据各种实施例，可通过测量出的电极100的高度和/或测量出的电极100的表面形貌的算术分析(例如，分析原子力显微镜测量值)来确定理想表面107。
在下面，根据各种实施例，基于如上所述的电极100，可提供电子装置(光电子装置)。
当前的光电子装置可包括至少一个电极，所述至少一个电极包括由薄氮化钛层保护的铝层。使用这种常见的Al/TiN层堆，铝层可被限制为薄层(例如，小于大约50 nm)，这可能限制这种电极的使用。光电子装置中的电极可能例如需要电极的高反射比，因此，常见的电极的铝层可能太薄而无法提供足够高的反射率。此外，由于在电子装置的制造期间的膜应力，常见的Al/TiN层堆可形成所谓的小丘(突出的铝包)。另外，常见的Al/TiN层堆可具有大约10 nm或大于大约10 nm的高RMS粗糙度，这可直接导致某一有限的装置寿命。使用这种常见的Al/TiN层堆电极，尤其是光转换装置(诸如，发光二极管)可能效率低下。
如以上已经所述，根据各种实施例，电极100可具有表面层的低RMS粗糙度。根据各种实施例，电极100可提供高反射率，因为电极100的厚度可不限于特定值。根据各种实施例，电极100可具有处于大约300 nm(或大于大约300 nm)的范围中的厚度，而同时具有处于从大约1 nm到大约3 nm的范围中的低表面粗糙度。
根据各种实施例，如上所述的电极100可提供平滑导电基本层，所述平滑导电基本层可在电子装置和/或光电子装置中(例如在产生或转换光的半导体装置中，例如在有机发光二极管(OLED)中，例如在OLED显示器中)被用作电极层。根据各种实施例，电极100可以是下面的电子装置中的至少一个电子装置的一部分：集成电路、光电二极管、太阳能电池、有机光电二极管、有机太阳能电池、光电晶体管、有机光电晶体管、光电倍增器、有机光电倍增器、集成光路(IOC)元件、有机集成光路(IOC)元件、光敏电阻器、电荷耦合成像装置、有机光敏电阻器、有机电荷耦合成像装置、激光二极管、有机激光二极管、激光器、发光二极管(LED)、有机LED(OLED)、顶发光OLED、底发光OLED、有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)。
图2A以剖视图示意性地显示根据各种实施例的电子装置200，电子装置200包括：电子电路212；和电极100，包括至少一个层，所述至少一个层包括包含铝和钛的化学化合物，其中电极100以电气方式与电子电路212耦合。
根据各种实施例，电子装置200可包括下面的一组电子部件中的至少一个电子部件：集成电路、光电二极管、太阳能电池、有机光电二极管、有机太阳能电池、光电晶体管、有机光电晶体管、光电倍增器、有机光电倍增器、集成光路(IOC)元件、有机集成光路(IOC)元件、光敏电阻器、电荷耦合成像装置、有机光敏电阻器、有机电荷耦合成像装置、激光二极管、有机激光二极管、激光器、发光二极管(LED)、有机LED(OLED)、顶发光有机发光二极管、底发光有机发光二极管、有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)。
根据各种实施例，电子装置200中所包括的电极100可具有与以上例如参照图1A至1F描述的性质、特征和功能相同的性质、特征和功能。
根据各种实施例，电子电路212可包括下面的一组部件中的至少一个部件：电阻器、晶体管(场效应晶体管)、电容器、电感器、二极管、配线或导电路径、载体或基底。根据各种实施例，电子电路212可包括下面各项中的至少一个：集成电路结构、芯片、管芯、微处理器、微控制器、存储结构、逻辑电路、传感器、纳米传感器、集成收发器、微机械系统、微电子装置、纳米电子装置、电路、数字电路、模拟电路和基于半导体技术的任何其它电子装置。
根据各种实施例，电子电路212可包括互补金属氧化物半导体电路。根据各种实施例，电子电路212可包括以互补金属氧化物半导体技术提供的电子电路。根据各种实施例，电子电路212可以是例如以CMOS技术提供的微处理器、微控制器和数字逻辑电路中的至少一个(或其至少一部分)。
根据各种实施例，电子电路212可包括下面的基本半导体技术中的至少一种：MOS技术(金属氧化物半导体技术)、nMOS技术(n沟道MOS技术)、pMOS技术(p沟道MOS技术)、CMOS技术(互补金属氧化物半导体技术)。根据各种实施例，电子电路212可包括场效应晶体管(FET)，例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、鳍型场效应晶体管(FinFET)和/或浮栅晶体管。
根据各种实施例，电子电路212可包括至少一个金属化层以提供电子电路212的配线并且提供电子电路212和电极100之间的电气连接。根据各种实施例，所述至少一个金属化层可包括例如：图案化的介电层，例如包括电绝缘材料，例如低k材料；和配线，包括导电材料，例如铝和/或铜。根据各种实施例，可使用铝技术和/或铜技术形成所述至少一个金属化层。
根据各种实施例，电子电路212可经金属化结构214按照导电方式耦合到所述至少一个电极100，如图2B中所示。根据各种实施例，金属化结构214可布置在电子电路212和电极100之间。根据各种实施例，金属化结构214可包括一个或多个金属化层。根据各种实施例，金属化结构214可包括介电结构和导电配线结构中的至少一个。金属化结构214可还包括过孔。金属化结构214可还包括着陆焊盘。
根据各种实施例，金属化结构214可包括至少一种导电材料(例如，导电部分)，例如金属(铝、铜、钴、钨、钛、钽、钒)。根据各种实施例，金属化结构214可还包括至少一种介电材料(例如，介电部分)，例如至少一种低k电介质，例如下面的一组介电材料中的至少一种：二氧化硅、(氟或碳)掺杂的二氧化硅、多孔二氧化硅、多孔(氟或碳)掺杂的二氧化硅、聚合物、有机聚合电介质、聚酰亚胺、聚降冰片烯、苯并环丁烯、聚四氟乙烯和基于硅酮的聚合电介质(例如，氢倍半硅氧烷或甲基倍半硅氧烷)。
根据各种实施例，金属化结构214可包括至少一个图案化的介电层(例如，低k介电层)和实现基础电路212的功能的电气连接，其中金属化结构214可还提供配线以按照电气方式连接电极100与电子电路212。根据各种实施例，多个电极100可布置在电子电路212上方和电子电路212中的至少一个，其中金属化结构214可按照电气方式连接所述多个电极100与电子电路212。根据各种实施例，可经电子电路212控制所述多个电极100。根据各种实施例，可经电子电路212对所述多个电极100进行单独寻址。根据各种实施例，电子电路212可为布置在电子电路212上方的电极100或所述多个电极100提供功率供给。
图2C显示电子装置200的示意性剖视图，电子装置200包括电子电路212、布置在电子电路212上方的金属化结构214、布置在金属化结构214上方的电极100和布置在电极100上方的光电子结构216，其中光电子结构216可按照导电方式耦合到电极100。根据各种实施例，由于电极100可按照导电方式耦合到电子电路212，所以光电子结构216可经电极100和金属化结构214按照导电方式耦合到电子电路212。因此，可例如经电子电路212控制光电子结构216。
根据各种实施例，电子装置200可包括布置在多个电极100上方的多个光电子结构216。根据各种实施例，可经电子电路212(例如，经布置在电子电路212上方的所述多个电极100)对多个光电子结构216进行单独寻址。根据各种实施例，电子电路212可为布置在电子电路212上方的电极100或所述多个电极100提供功率供给，因此，电子电路212可为光电子结构216或所述多个光电子结构216提供功率供给。
根据各种实施例，光电子结构216可被配置为从包括下述各项的一组光电子装置选择的光电子装置：发光装置；光伏电池；和光电子传感器。根据各种实施例，电极100可以是用于发光装置、光伏电池和/或光电子传感器的底电极(例如，第一电极)。
根据各种实施例，光电子结构216可包括至少一个发光二极管。根据各种实施例，光电子结构216可包括多个发光二极管。根据各种实施例，光电子结构216可包括被配置为场致发光层的至少一种无机半导体材料。根据各种实施例，电极100可提供用于所述至少一个发光二极管的第一电极100。根据各种实施例，电子装置200中所包括的所述多个电极中的每个电极100可以是用于各发光二极管的电极。
根据各种实施例，电子装置200可以是包括由电子电路212控制的多个发光二极管的LED阵列。根据各种实施例，所述至少一个发光二极管可以是绿色发光LED、红色发光LED、蓝色发光LED、橙色发光LED、黄色发光LED、紫色发光LED或发出任何其它可能的颜色的LED。根据各种实施例，所述至少一个发光二极管可以是磷光粉转换LED，例如磷光粉转换蓝色LED或紫外LED(UV-LED)。根据各种实施例，所述至少一个发光二极管可包括提供场致发光材料的下面的一组材料中的至少一种材料：磷化镓(III)(GaP)、磷化铝镓铟(AlGaInP)、磷化铝镓(AlGaP)、氮化铟镓(InGaN)、氮化镓(III)(GaN)、砷化镓(GaAs)、砷化铝镓(AlGaAs)。
根据各种实施例，所述至少一个发光二极管可包括第二电极，例如电极100可以是底电极100并且第二电极可提供顶电极。根据各种实施例，第二电极可对于从场致发光层发射的光而言是透明的(或者对于从场致发光层发射的特定波长而言是至少部分透明的)，其中场致发光层可布置在底电极100和透明顶电极之间。
根据各种实施例，透明电极可包括透明导电氧化物(TCO)，例如锡掺杂的氧化铟(ITO)，例如铝掺杂的氧化锌(AZO)，例如铟掺杂的氧化镉(ICO)。根据各种实施例，可使用化学汽相沉积(CVD)过程或物理汽相沉积(PVD)过程(例如，金属有机化学汽相沉积(MOCVD)、金属有机分子束沉积(MOMBD)、原子层沉积、分子束外延(MBE)、原子层CVD过程(ALCVD)、喷雾热分解、脉冲激光沉积(PLD)、溅射、磁控溅射、DC溅射、AC溅射)形成(例如，沉积)透明顶电极(例如，TCO层)。
根据各种实施例，所述至少一个发光二极管可被配置为有机发光二极管。在这种情况下，可产生光的场致发光层可包括有机材料，例如聚合物或小有机分子。另外，所述至少一个有机发光二极管可还包括功能层或层堆(例如，用于电子和空穴注入的电荷载流子注入层、用于电子和空穴传输的电荷传输层、被配置为电子阻挡层或空穴阻挡层的屏障层和其它传输层)以便例如改变层和材料的电子性质，例如改变功函数和能带结构。
根据各种实施例，有机发光二极管可包括至少第一电极和第二电极，其中场致发光层可布置在第一电极和第二电极之间。根据各种实施例，有机发光二极管中所包括的电极之一可对于发射的光而言是透明的，其中所述电极中的其它电极可被配置为具有高反射性(用作反射镜)。因此，如这里参照电极100所述，第一电极可被配置为反射场致发光层的发射的光。第二电极可包括例如透明导电氧化物(TCO)，从而光可从场致发光层被发射到环境。根据反射镜电极100和第二透明电极的布置，有机发光二极管可以是底发光有机发光二极管或顶发光有机发光二极管。
根据各种实施例，电子装置200可包括例如按照规则阵列布置的多个有机发光二极管，其中可经基础电子电路212控制有机发光二极管布置，如上所述。换句话说，电子装置200可被配置为有机发光二极管显示装置。
根据各种实施例，例如根据场致发光层的配置，例如根据使用的聚合物或分子，电子装置200可包括具有各种颜色的多个有机发光二极管。根据各种实施例，电子装置200可包括具有各种颜色的多个有机发光二极管，其提供例如用作显示装置的OLED背光的白光。根据各种实施例，所述多个有机发光二极管可具有基本上相同的颜色，其中电子装置200可在这种情况下还包括滤色层以便例如提供预期的不同颜色。根据各种实施例，滤色层可包括至少一种磷光或荧光材料。
根据各种实施例，电子电路212和电极100可提供形成在电极100上方的电子结构的基础，其中该电子结构和电极100可例如提供发光电子装置。在这种情况下，电极100可用作发光电子装置的反射镜层和电极。使用如上所述的电极100可增强发光电子装置的效率，因为对于用作发光电子装置中的电极，如上所述的电极100的物理性质可以是有益的。
另外，根据各种实施例，提供平滑基本层或平滑电极层(例如，如已经所述的电极100)可以能够实现沉积在平滑电极层上面的发光结构的功能层的层厚度的精确控制(参见例如图9A和图10E)。在这种情况下，可能不必考虑电极的厚度变化，这可允许例如减小电极100上面的功能层的层厚度。根据各种实施例，平滑电极层可还允许在具有足够高的质量(粗糙度和微观结构)的电极层上面沉积具有更大厚度的层。因此，可增强发光电子装置(例如，OLED)的效率，因为OLED层堆中的每个功能层可形成为具有预期的最佳厚度。换句话说，电极100的减小的表面层粗糙度可减小沉积在电极100上面的一个或多个层的需要的层厚度和/或可增加生长的层的质量，例如因为例如可防止小丘形成。另外，如已经所述，电极100可以是温度稳定的。
根据各种实施例，如这里所述的电极100可以是用于沉积在电极100上面的发光结构的电极结构的一部分。根据各种实施例，沉积在电极100上面的发光结构可包括例如影响发光结构的反射率和电子性质(例如，功函数)的一个或多个另外的电极层。根据各种实施例，电子电路212可以是形成在半导体基底上方和/或半导体基底中的电子电路212。根据各种实施例，如这里所述的电极100可以是退火的电极层堆。
图3显示根据各种实施例的用于制造电子装置或光电子装置的方法的示意性流程图。根据各种实施例，光电子装置可包括发光装置，如上所述。根据各种实施例，一种用于制造电子装置或光电子装置的方法可包括：在310中，形成电极层堆，电极层堆可包括至少钛层和铝层；在320中，对电极层堆进行退火，从而化学化合物由铝层的铝和钛层的钛形成；以及在330中，在电极层堆上方形成光电子结构，其中光电子结构按照导电方式耦合到退火的电极层堆。
根据各种实施例，形成电极层堆可包括分层过程。根据各种实施例，形成电极层堆可还包括下面的一组过程中的至少一个过程：图案化过程、抛光、热处理、蚀刻过程、光刻过程或用于在载体上方和/或载体中形成层或结构化的层的半导体工业的另一过程。根据各种实施例，形成电极层堆可包括：在载体上方和/或载体中形成电极层堆，其中载体可以是半导体基底或电子电路(或包括电子电路的半导体基底)，如上所述。
根据各种实施例，形成电极层堆(或如这里所述的分层过程)可还包括化学汽相沉积过程(CVD)。根据各种实施例，化学汽相沉积过程(CVD过程)可包括各种变型，例如大气压CVD(APCVD)、低压CVD(LPCVD)、超高真空CVD(UHCVD)、等离子体增强CVD(PECVD)、高密度等离子体CVD(HDPCVD)、远程等离子体增强CVD(RPECVD)、原子层CVD(ALCVD)、汽相外延(VPE)、金属有机CVD(MOCVD)、混合物理CVD(HPCVD)等。
根据各种实施例，形成电极层堆(或如这里所述的分层过程)可还包括物理汽相沉积过程(PVD)，例如溅射、电子束蒸发、热蒸发、激光沉积、分子束外延(MBE)。根据各种实施例，物理汽相沉积可包括各种变型，例如磁控溅射、AC磁控溅射、DC磁控溅射、离子束溅射(IBS)、反应溅射、高功率脉冲磁控溅射(HIPIMS)、真空蒸发等。
另外，根据各种实施例，可被用于产生薄金属(例如，钛和/或铝)层的过程可以是镀覆，例如电镀或无电镀。
根据各种实施例，对电极层堆进行退火可包括热处理。根据各种实施例，可利用直接接触(例如，使用热板)或者通过辐射(例如，使用激光或灯)执行载体(晶片、基底等)上的电极层堆的热处理(退火)。根据各种实施例，对电极层堆进行退火可包括快速热处理(RTP)，可在真空条件下使用激光加热器或灯加热器执行RTP，其中电极层堆可例如在短时间段内(例如，在几秒(例如，大约1 s到大约10 s)内)被加热上至几百摄氏度(例如，加热上至大约400℃)或甚至更高的温度。根据各种实施例，可在从大约几分钟到大约几小时的范围中(例如在从大约1分钟到大约2小时的范围中，例如在从大约5分钟到大约1小时的范围中，例如在从大约30分钟到大约1小时的范围中)的持续时间内执行退火。根据各种实施例，在退火持续时间期间的电极层堆的温度可处于从大约100℃到大约600℃的范围中，例如处于从大约200℃到大约500℃的范围中，例如处于从大约350℃到大约450℃的范围中。根据各种实施例，更长的退火持续时间可导致形成在电极层堆中的更大量的铝化钛。
根据各种实施例，在电极层堆上方形成光电子结构可包括：形成电子装置200或光电子结构216，如前所述。根据各种实施例，在电极层堆上方形成光电子结构可包括：在退火的电极层堆上方形成发光装置或发光结构。根据各种实施例，在电极层堆上方形成光电子结构可包括：形成LED和OLED，如这里所述。
根据各种实施例，可在退火的电极层堆上方形成光电子结构。换句话说，根据各种实施例，可在已执行过程310和320之后执行过程330。
根据各种实施例，如参照图3所述的过程300可被以这种方式改变、修改和/或延伸，以使得可形成装置200和/或电极100，如前面参照图1A至1F以及图2A至2C所述(或者稍后在图9A至9B以及10A至10E中示出)。
如图4中所示，根据各种实施例，可在过程310中形成电极层堆400a，电极层堆400a包括第一层424和布置在第一层424上方的第二层426。根据各种实施例，第一层424和第二层426可彼此处于直接物理接触。换句话说，第二层426可布置在第一层424上面。
根据各种实施例，层424、426之一可包括钛或者可以是钛层，其中层424、426中的另一层可包括铝或者可以是铝层。根据各种实施例，第一层424可以是钛层424并且第二层426可以是铝层426。
根据各种实施例，钛层424可具有处于从大约2 nm到大约20 nm的范围中(例如处于从大约5 nm到大约20 nm的范围中，例如处于从大约5 nm到大约10 nm的范围中)的厚度(或者可被形成为具有处于所述范围中的厚度)。根据各种实施例，铝层426可具有处于从大约10 nm到大约400 nm的范围中(例如处于从大约30 nm到大约50 nm的范围中，例如处于从大约50 nm到大约150 nm的范围中)的厚度(或者可被形成为具有处于所述范围中的厚度)。
根据各种实施例，电极层堆400a可在过程320期间被退火，从而可形成电极100，如以上例如参照图1A至1E所述。图4B显示形成电极100的退火的电极层堆400a的示意性剖视图。换句话说，应用过程310和320可允许形成电极100，如前所述。
根据各种实施例，形成电极层堆的过程310可包括：形成第一钛层；在第一钛层上方形成铝层；以及在铝层上方形成第二钛层。如图5A中所示，根据各种实施例，可在过程310中形成电极层堆500a，电极层堆500a包括第一层424a、布置在第一层424a上方的第二层426和布置在第二层426上方的第三层424b。根据各种实施例，第一层424a和第二层426可彼此处于直接物理接触；并且第二层426和第三层424b可彼此处于直接物理接触。
根据各种实施例，层424a、426、424b中的至少一个可包括钛或者可以是钛层，其中层424a、426、424b中的另一层可包括铝或者可以是铝层。根据各种实施例，第一层424a和第三层可以是钛层424a、424b并且第二层426可以是铝层426。
根据各种实施例，钛层424a、424b可具有处于从大约1 nm到大约20 nm的范围中(例如处于从大约2 nm到大约10 nm的范围中，例如处于从大约5 nm到大约20 nm的范围中，例如处于从大约5 nm到大约10 nm的范围中，例如处于从大约4 nm到大约6 nm的范围中)的厚度(或者可被形成为具有处于所述范围中的厚度)。根据各种实施例，铝层426可具有处于从大约10 nm到大约400 nm的范围中(例如处于从大约20 nm到大约400 nm的范围中，例如处于从大约50 nm到大约300 nm的范围中，例如处于从大约50 nm到大约150 nm的范围中，例如处于从大约30 nm到大约50 nm的范围中)的厚度(或者可被形成为具有处于所述范围中的厚度)。
根据各种实施例，第一层424a和第三层424b可具有相同厚度。根据各种实施例，第一层424a和第三层424b可具有不同厚度。
根据各种实施例，电极层堆500a可在过程320期间被退火，从而可形成电极100，如上所述。图5B显示形成电极100的退火的电极层堆500a的示意性剖视图。换句话说，如图5A和图5B中示意性所示地应用过程310和320可允许形成电极100，如前所述。
根据各种实施例，形成电极层堆可还包括：在第二钛层上方形成氮化钛层。图6A显示类似于参照图5A和5B示出并且描述的电极层堆500a的电极层堆600a，电极层堆600a另外包括第四层428。根据各种实施例，第四层428可以是氮化钛层或者包括至少一个氮化钛层的层堆428。根据各种实施例，第四层428可以是钽层或者包括至少一个钽层的层堆428。
如图6B中所示，在例如在过程320中已执行电极层堆600a的退火之后，氮化钛层428或包括至少一个氮化钛层的层堆428可位于电极100上面或者可以是电极100的顶层。根据各种实施例，退火的电极层堆600a可提供电极100，如这里已经所述。换句话说，如图6A和图6B中示意性所示地应用过程310和320可允许形成电极100，如这里所述。
根据各种实施例，形成电极层堆可还包括：形成另外的氮化钛层。图7A显示根据各种实施例的如已经所述的电极层堆500a、600a的变型。根据各种实施例，图7A中示出的电极层堆700a可还包括第五层430。根据各种实施例，可首先沉积第五层430，提供电极层堆700a的底层。根据各种实施例，第五层430可包括钽或者可以是钽层。根据各种实施例，第五层430可被配置为屏障层以防止材料扩散到电极层堆700a中。根据各种实施例，第五层430可被配置为屏障层以在退火过程期间防止铜和/或铝扩散到电极层堆700a中。根据各种实施例，第五层430(例如，钽层430)可具有处于从大约1 nm到大约50 nm的范围中(例如处于从大约5 nm到大约50 nm的范围中，例如处于从大约10 nm到大约30 nm的范围中)的厚度。
根据各种实施例，第五层430(例如，钽层430)可防止材料从基础电子电路212的金属化结构214扩散到电极层堆中或扩散到电极100中。根据各种实施例，钽层430可例如在执行过程320期间防止铜从基础电子电路212的金属化扩散到电极层堆中或扩散到电极100中。
根据各种实施例，图7A中示出的电极层堆700a可包括顶覆盖层，例如氮化钛层428，如已经所述。根据另一实施例，层428可以是钽顶层428或者可包括钽、钽合金和钽化合物中的至少一种。另外，根据各种实施例，层428可以是包括至少一个钽层的层堆。另外，根据各种实施例，层428可以是包括至少一个钽层和至少一个氮化钛层的层堆。另外，根据各种实施例，层428可以是包括至少一个钽层和至少一个钛层的层堆。
另外，根据各种实施例，层430可以是包括至少一个钽层或至少一个氮化钛层的层堆。另外，根据各种实施例，层430可以是包括至少一个钽层和至少一个氮化钛层的层堆。另外，根据各种实施例，层430可以是包括至少一个钽层和至少一个钛层的层堆。
根据各种实施例，顶层428和底层430可基本上不受退火过程的影响。因此，如图7B中示例性所示，退火的电极层堆700a可形成电极100，如前所述。换句话说，如图7A和图7B中示意性所示地应用过程310和320可允许形成电极100，如前所述。
根据各种实施例，如图7B中所示的退火的层堆700a可包括至少一个层102，所述至少一个层102包括基于铝和钛的化学化合物(例如，铝化钛)。另外，退火的层堆700a可包括顶层428，顶层428包括氮化钛或钽。另外，根据各种实施例，退火的层堆700a可包括顶层堆428，顶层堆428包括至少一个钽层或包括钽的至少一个层。另外，根据各种实施例，退火的层堆700a可包括顶层堆428，顶层堆428包括至少一个氮化钛层和至少一个钽层。根据各种实施例，顶层堆428或顶层428可具有处于从大约5 nm到大约20 nm的范围中的厚度。
根据各种实施例，如图7B中所示的退火的层堆700a可包括底层430，底层430包括氮化钛或钽。另外，根据各种实施例，退火的层堆700a可包括底层堆430，底层堆430包括至少一个钽层或包括钽的至少一个层。另外，根据各种实施例，退火的层堆700a可包括底层堆430，底层堆430包括至少一个氮化钛层和至少一个钽层。根据各种实施例，底层堆430或底层430可具有处于从大约5 nm到大约50 nm的范围中(例如，处于从大约5 nm到大约20 nm的范围中)的厚度。
根据各种实施例，可存在用于形成层堆(诸如，层堆400a、500a、600a、700a)的其它可能性，以使得退火的层堆可形成电极100，如这里所述。如图8A中所示，在过程310中形成的层堆800a可包括底扩散屏障430和布置在底扩散屏障430上方的待退火层802。底扩散屏障430可包括下面的一组的层中的至少一个层：钽层、氮化钛层、钛层。根据各种实施例，待退火层802可包括包含铝的多个区域和包含钛的多个区域，从而在退火过程期间，由包括铝的所述多个区域和包括钛的所述多个区域形成铝化钛。根据各种实施例，待退火层802可以是通过使用PVD过程(例如，通过使用多个目标和/或通过使用铝化钛目标)沉积的铝化钛层。换句话说，使用一个或多个分层过程，可能可以沉积形成电极100的至少一部分的铝化钛层，如这里所述。因此，根据各种实施例，通过应用直接形成铝化钛层的合适的沉积过程或分层过程可取代方法300的过程310和过程320。
如图8B中所示，在过程310中形成的层堆800a可包括层堆802，层堆802包括超过一个钛层802b和超过一个铝层802a。根据各种实施例，层堆802可被退火以形成铝化钛层。根据各种实施例，使用包括多个钛层802b和多个铝层802a的层堆802可允许在退火过程期间形成更均匀的铝化钛层102。根据各种实施例，包括多个钛层802b和多个铝层802a的层堆802可还允许形成被配置为干涉滤光器或分色滤色器的层堆。
根据各种实施例，如这里所述位于电极上面的层428或层堆428可用作用于沉积在电极100上面的光电子层堆的粘合促进剂和/或扩散屏障。另外，根据各种实施例，如这里所述的层430或层堆430可用作用于形成在例如CMOS结构上面的电极100的粘合促进剂和/或扩散屏障。
另外，电极100可还包括铜。根据各种实施例，例如在过程310中形成的、待退火层堆802中所包括的铝层426、802a可包括铝/铜合金，例如包括0.5%重量百分比的铜。换句话说，替代于使用铝，如这里所述，可使用铝合金或铝化合物，例如铝/铜合金。
根据各种实施例，电极100可还包括不会显著减少电极100的预期功能的杂质，例如少量的氧、氮和/或硅。
图9A显示形成电子装置200(光电子装置200)的布置在电极100上方的光电子结构900a的示意图。光电子结构900a可以是提供发光装置的光电子层堆900a。因此，如这里所述的层100(例如，电极100)可提供提供第一类型的电荷载流子的底电极，并且层970可提供提供第二类型的电荷载流子的第二电极。根据各种实施例，光电子结构900a可还包括至少一个场致发光层950(或复合层950)，其中由电极100提供的第一类型的电荷载流子和由顶电极970提供的第二类型的电荷载流子可在发光条件下复合。根据各种实施例，电极100和光电子层堆900a可形成在基底912上方，例如形成在CMOS结构上方，如已经所述。
根据各种实施例，第一类型的电荷载流子可以是空穴并且第二类型的电荷载流子可以是电子。在这种情况下，电极100可以是阳极并且第二电极970可以是阴极。根据另一实施例，第一类型的电荷载流子可以是电子并且第二类型的电荷载流子可以是空穴。在这种情况下，电极100可以是阴极并且第二电极970可以是阳极。
根据各种实施例，光电子层堆900a中所包括的电极100、970之一可对于光而言是透明的，其中电极100、970中的另一个电极可被配置为对光具有高度反射性(用作反射镜)。根据各种实施例，第一电极100可如这里所述被配置为反射光电子装置900的光。第二电极可包括例如对于光而言基本上透明的导电氧化物(TCO)，如已经所述。根据电极100、反射镜电极和透明电极970的布置，光电子装置900可以是底发光发光装置或顶发光发光装置。
根据各种实施例，电极100可以是底(反射镜)电极100并且第二电极970可提供(透明)顶电极。根据各种实施例，第二电极970可对于从场致发光层950发射的光而言是透明的(或者对于从场致发光层950发射的特定波长而言是至少部分透明的)，从而电子装置900可被配置为顶发光发光二极管。根据各种实施例，光电子结构900a可形成在电极100上方，如已经所述。
根据各种实施例，场致发光层950可包括无机发光层(例如，包括预期能带结构的半导体材料)以在电子和空穴在场致发光层950内复合的同时发光。根据各种实施例，无机发光层可包括下面的一组材料中的至少一种材料：磷化镓(III)(GaP)、磷化铝镓铟(AlGaInP)、磷化铝镓(AlGaP)、氮化铟镓(InGaN)、氮化镓(III)(GaN)、砷化镓(GaAs)、砷化铝镓(AlGaAs)。
根据各种实施例，场致发光层950可包括有机发光层(例如，包括预期能带结构的有机材料)以在电子和空穴在场致发光层950内复合的同时发光。根据各种实施例，场致发光层950可布置在第一电极100和第二电极970之间，如图9A中所示。根据各种实施例，有机发光二极管900可被配置为顶发光有机发光二极管。根据各种实施例，场致发光层950可以是包括超过一个场致发光层的层堆。根据各种实施例，场致发光层堆可包括发射不同颜色(或波长)范围中的光的至少两种有机材料。
根据各种实施例，有机发光层可包括下面的一组材料中的至少一种材料：小分子(例如，N,N'-二(3-甲基苯基)-N、N'-二(苯基)-联苯胺或噻吩[3,4-c]吡咯-4,6-二酮(TPD)、丁腈聚合物(NBP)、铝-三(8-羟基喹啉)(Alq3)、联苯))和/或聚合物(例如，聚对苯乙烯PPV或PPV衍生物、聚[2-甲氧基-5-(2’-乙烯基己氧基)聚对苯乙烯撑](MEH-PPV)、聚(1,4-苯撑)(PPP)、取代PPP、聚(9,9'-二辛基芴))以及所述材料的衍生物和/或替代物。
根据各种实施例，图9A中示出的光电子结构900a或光电子层堆900a可以可选地包括另外的功能层，例如电荷载流子注入层942、962、电荷载流子传输层944、964和/或电荷载流子阻挡层946、966(所谓的阻挡层)。这些另外的功能层可增强OLED结构900a的性质。
根据各种实施例，在OLED结构900a可以是顶发光OLED的情况下，电极100可以是提供空穴作为电荷载流子的阳极，载流子注入层942可以是空穴注入层942，并且电荷载流子传输层944可以是空穴传输层944，其中电荷载流子阻挡层946可以是电子阻挡层946。另外，电极970可以是提供电子作为电荷载流子的阴极，载流子注入层962可以是电子注入层962，并且电荷载流子传输层964可以是电子传输层964，其中电荷载流子阻挡层966可以是空穴阻挡层946。
根据各种实施例，空穴传输层944和空穴注入层942可包括下面的一组材料中的至少一种材料：NPB、TPD或NBP和TPD的衍生物。根据各种实施例，电子传输层964和电子注入层962可包括下面的一组材料中的至少一种材料：FPF-BIm4、PFN-BIm4、Alq3、恶唑分子(2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-恶唑(PBD)、2,5-二(4-萘基)-1,3,4-恶唑(BND)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基质中的PBD。
根据各种实施例，可存在可用作电荷载流子注入层942、962、电荷载流子传输层944、964和/或电荷载流子阻挡层946、966的大量的可能的有机或金属有机材料。
根据各种实施例，图9A中示出的光电子结构900a或光电子层堆900a可包括位于光电子层堆900a上面的覆盖层980以便例如保护层堆免受环境影响。由于光电子结构900a可以是顶发光发光装置，所以覆盖层980可对于从场致发光层950发射的光而言是透明的。
根据各种实施例，高反射金属性电极100可提供形成在电极100上方的OLED结构900a的基本层。因此，提供高质量(例如，平滑和致密)电极可增强OLED层堆900a的功能。
根据各种实施例，可通过使用CVD过程或PVD过程或例如旋转涂覆、印刷等来施加形成在电极100上方的有机材料。
根据各种实施例，光电子装置900的载体912可包括提供集成电路的互补金属氧化物半导体(CMOS)结构。根据各种实施例，集成电路可以能够实现对形成在集成电路上方的OLED结构900a的控制。
由于OLED结构900a可形成在集成电路912上方(其中可通过在集成电路912上面形成层堆900a来提供OLED结构900a)，所以OLED装置900的效率可取决于层堆900a的生长的功能层的形态。层堆900a的功能层(942、944、946、950、962、964、966、970、980)可包括下面中的至少一个：位于OLED层堆的底部的附加金属性接触层(未示出)、空穴传输层(提供从阳极到场致发光层的空穴的电气传输)、场致发光层(由于场致发光层内的电子和空穴的复合而产生光)、电子传输层(提供从阴极到场致发光层的电子的电气传输)、电子阻挡层(防止和/或阻止电子到达阳极)、空穴阻挡层(防止和/或阻止空穴到达阴极)。根据各种实施例，由CMOS结构上的OLED提供的光的外耦合强度可与位于OLED的底侧的金属性接触层(反射镜电极100)的反射比成正比。除了高反射比之外，非常低的表面粗糙度(例如，小于3 nm RMS)可能是必要的，因为例如较大的粗糙度可在OLED的空穴传输层(HTL)中产生电场丝并且可引起光电子装置的随后的劣化和/或早期故障。
根据各种实施例，电极100可包括下面的层或层堆中的至少一个：钛层、铝层、氮化钛层、钛/铝层堆、钛/铝/钛层堆和钛/铝/钛/氮化钛层堆。根据各种实施例，电极100可以是OLED或OLED层堆的一部分。根据各种实施例，电极100可以是布置在集成电路(CMOS)上的OLED或OLED层堆的一部分。根据各种实施例，电极100可以是例如用于有机发光二极管的高反射金属性接触层。根据各种实施例，电极100可以是例如用于有机发光二极管的导电电极。
图9B显示修改的OLED层堆900b，OLED层堆900b包括至少阳极100(电极100)、p型掺杂的空穴传输层942、发射层(例如，发光)、n型掺杂的电子传输层962、和阴极970。根据另一实施例，OLED层堆900b可包括至少阴极100(电极100)、n型掺杂的电子传输层942、发射层950(例如，发光)、p型掺杂的空穴传输层962、和阳极970。根据各种实施例，OLED层堆900b可还包括电子阻挡层和空穴阻挡层(例如，如已经所述的层944和层964)。
根据各种实施例，p型空穴传输层可包括下面的一组材料中的至少一种材料：MTDATA、MeO-TPD、NPB、2TNATA。根据各种实施例，可通过使用下面的一组材料中的至少一种材料对p型空穴传输层进行掺杂：F4TCNQ、WO3、MoO3和V2O5。
根据各种实施例，n型电子传输层可包括下面的一组材料中的至少一种材料：Bphen(Bphen 4, 7-联苯-1, 10-邻菲啰啉)和BCP (2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)。根据各种实施例，可通过使用下面的一组材料中的至少一种材料对n型电子传输层进行掺杂：Li、Cs和Cs2Co2。
根据各种实施例，发射层950可包括下面的一组材料中的至少一种材料：
IrPPy (铱, 三[2-(2-吡啶-κN)苯基-κC]), 
TCTA (三(4-咔唑-9-苯基)胺), TCTA:IrPPy, 
CBP (4,4'-N,N'-联咔唑基-联苯)，CBP:IrPPy，TCTA:IrPPy/CBP:IrPPy和TCTA:IrPPy/TAZ:IrPPy。
根据各种实施例，空穴阻挡层可包括下面的一组材料中的至少一种材料：BCP、TPBi和Pphen。
根据各种实施例，电子阻挡层可包括下面的一组材料中的至少一种材料：
螺-TAD (2,2',7,7'-四(二苯基氨基)-9,9'-螺二芴), 
TAPC (二-[4-(N,N-二甲苯基-氨基)-苯基]环己烷)。
根据各种实施例，可通过使用半导体工业中的标准分层过程(例如，物理汽相沉积过程和化学汽相沉积过程中的至少一个)来形成电极100或电极层堆400a、500a、600a、700a、800a、900a。
根据各种实施例，在退火过程期间，例如在大约400℃的温度持续大约30分钟，电极层堆400a、500a、600a、700a、800a、900a的钛和铝可形成金属间化合物(例如，铝化钛)，从而铝晶体可被固定并且铝晶体生长可减少并且可防止或减少铝引起的小丘形成。
根据各种实施例，与通常方案相比，电极100的RMS粗糙度可显著减小，例如RMS粗糙度可处于从大约1 nm到大约3 nm的范围中，例如小于3 nm，例如小于2 nm，例如处于大约2 nm的范围中。另外，根据各种实施例，电极100可包括层(例如，包括铝、钛和/或铝化钛)，该层具有大约大于300 nm(例如，处于从大约50 nm到大约300 nm的范围中)的厚度。因此，电极100可产生最大材料反射比，类似于铝块材料的反射比。根据各种实施例，将电极厚度增加上至300 nm或更大的能力可以能够在一个步骤中制造电极和接合焊盘。
根据各种实施例，可通过使用下面的过程中的至少一种来形成有机半导体层：物理汽相沉积、化学汽相沉积和来自溶液的旋转涂覆。另外，形成的有机半导体层可具有多晶形态、纳米晶形态或非晶形态。根据各种实施例，多晶形态和纳米晶形态可包括多个微晶，其中所述多个微晶中的微晶可具有基本上随机的取向分布。换句话说，微晶的结晶取向可具有随机空间分布。
图10A示意性地显示根据各种实施例的包括有机发光二极管结构和电极100的电子装置1000的剖视图。根据各种实施例，电子装置1000可包括如参照电极100、基底912、电子电路212、光电子层堆900a、光电子结构216和金属化结构214中的至少一个所述的特征和功能中的至少一个。根据各种实施例，形成电子装置1000可包括如这里至少参照电极100、基底912、电子电路212、光电子层堆900a、光电子结构216和金属化结构214中的至少一个所述的特征和功能中的至少一个。
根据各种实施例，电子装置1000可以是显示器或显示装置(例如，OLED显示器或OLED显示装置)的一部分。
根据各种实施例，电子装置1000可包括例如如参照图9A和图9B所述的OLED结构900。
根据各种实施例，电子装置1000可还包括覆盖层980和玻璃壳体1080。根据各种实施例，顶电极970、覆盖层980和玻璃壳体1080可透射光，例如由OLED结构900a、900b产生的光。根据各种实施例，如图10B中所示，电子装置1000可包括滤色层，该滤色层包括例如具有不同颜色或过滤由OLED结构900a、900b产生的光的不同波长范围的区域1090a、1090b、1090c。根据各种实施例，滤色层可布置在覆盖层980和玻璃壳体1080之间。根据各种实施例，电极100可以是像素阳极。根据各种实施例，电子装置1000可包括多个像素阳极100。
如图10C中所示，电极100可布置在基底912上方或布置在集成电路212上方或布置在金属化结构214上方。然而，由于如已经所述电极100可能非常平滑，所以这可以能够形成如图10D中示意性所示的电极100，其中电极100可被形成在基底912内或形成在集成电路212内或形成在金属化结构214内。根据各种实施例，电极100的上表面可与基底912或集成电路212或金属化结构214的上表面对准。
图10E显示根据各种实施例的类似于如前所述的电子装置200、900、1000的电子装置，该电子装置包括：电子电路212；金属化结构214，位于电子电路212上方和/或电子电路212中；电极100，位于金属化结构214上方和/或金属化结构214中；光电子结构216、900a、900b，位于电极100上方和/或电极100中；以及覆盖层1080和/或滤色层1090，位于光电子结构216、900a、900b上方和/或光电子结构216、900a、900b中。
根据各种实施例，可使用半导体工业中的标准过程形成该电子装置，如已经所述。
根据各种实施例，基底912可以是半导体晶片或半导体基底或任何其它类型的合适载体。
根据各种实施例，集成电路212可包括CMOS集成电路或CMOS结构，如已经所述。根据各种实施例，集成电路212可以是用于光电子装置(例如，如例如图10E中所示的电子装置的光电子结构216)的驱动电路212。根据各种实施例，集成电路212可以是用于OLED结构或另一发光装置(例如，如例如图10E中所示的电子装置的OLED结构900a、900b)的驱动电路212。根据各种实施例，驱动电路212可经金属化结构214(例如，后段制程金属化结构，例如包括绝缘低k或高k材料结构和导电配线结构，该导电配线结构包括单一或多层配线和多个过孔)以电气方式耦合到电极100。根据各种实施例，配线结构可包括铝技术配线和/或铜技术配线或任何其它合适的配线技术(例如，使用分层、印刷、喷涂、旋转涂覆等)。根据各种实施例，至少一个过孔214v可按照电气方式连接电极100和金属化结构214，因此连接电极100和电子电路212。根据各种实施例，所述至少一个过孔214v可包括钨。根据各种实施例，金属化结构214可包括例如电气绝缘的至少一个氧化硅(二氧化硅)层214i。根据各种实施例，可在已形成金属化结构214之后执行至少一种抛光过程，例如化学机械抛光(CMP)。
根据各种实施例，图10E中示出的电极100可以是如这里例如参照图1A至1E、图4B、图5B、图6B和/或图7B所述的电极10。电极100可还包括铜，其中可按照这样的量包括铜，以使得可保持平滑电极100的形成，如已经所述。根据各种实施例，电极100可包括底层430，从而电极100和金属化结构214之间的界面可具有预期性质，例如表面粗糙度、机械结合力、扩散性质、化学性质(氧和水亲和力)。根据各种实施例，电极100可包括顶层428，从而电极100和OLED结构900a、900b或电子结构216之间的界面可具有预期性质，例如表面粗糙度、机械结合力、扩散性质、化学性质(氧和水亲和力)。
根据各种实施例，如图10E中所示的电子装置可还包括玻璃覆盖层1080或玻璃壳体1080。根据各种实施例，电子装置可以是显示装置或发光装置(灯)。根据各种实施例，例如在OLED结构900a、900b可被配置为未产生预期波长或者OLED结构900a、900b可被配置为产生基本上单色的光的情况下，电子装置可还包括滤色器1090以提供具有不同波长的光。
根据各种实施例，OLED结构900a、900b可以是以电气方式耦合到电极100的负载结构。另外，根据各种实施例，电极100可被配置为将驱动电流从驱动电路212提供给OLED结构。根据各种实施例，如这里所述的电子装置216可以是以电气方式耦合到电极100的负载结构。根据各种实施例，如这里所述的光电子装置可以是以电气方式耦合到电极100的负载结构。
根据各种实施例，驱动电路212可控制电子装置(例如，显示装置或灯)中所包括的多个OLED。根据各种实施例，如这里所述的电极100可控制电子装置中所包括的多个电子结构216。
根据各种实施例，如这里所述的电极100可被用作用于有机太阳能电池(例如，包括例如位于导电电极之间的至少两个不同功能层的双层有机光伏电池)的电极。所述至少两个不同功能层的材料可包括具有较高电子亲和力的一个层(电子受主)和被配置为电子施主的一个层。根据各种实施例，电子结构216可以是平面施主-受主异质结。
根据各种实施例，电极100和光电子结构216、900a、900b可被形成在载体(例如，有机载体、聚合物载体、柔性载体、金属载体(例如，金属箔)等)上方和/或形成在载体(例如，有机载体、聚合物载体、柔性载体、金属载体(例如，金属箔)等)中。根据各种实施例，载体可以是透明的或至少部分透明的。根据各种实施例，载体可允许如这里所述的电子装置或电极100的卷盘对卷盘处理。
根据各种实施例，一种电极可包括：至少一个层，包括包含铝和钛或基于铝和钛的化学化合物。
根据各种实施例，一种电极可包括：至少一个层，包括包含铝、钛和铜或基于铝、钛和铜的化学化合物。
根据各种实施例，所述至少一个层可包括包含铝和钛的金属间化学化合物。根据各种实施例，所述至少一个层可包括包含铝、钛和铜的金属间化学化合物。
根据各种实施例，所述至少一个层可包括包含铝和钛的化学合金。根据各种实施例，所述至少一个层可包括包含铝、钛和铜的化学合金。
根据各种实施例，所述至少一个层可包括铝化钛(TixAly)。
根据各种实施例，电极100的铜含量可小于大约10%重量百分比，例如小于大约5%重量百分比，例如小于大约1%重量百分比，例如小于大约0.5%重量百分比。
根据各种实施例，所述至少一个层可包括铝化钛化合物(AxByCz，其中A可以是钛，并且B可以是铝，并且其中C可以是至少一种另外的材料或元素)。
根据各种实施例，电极可还包括布置在所述至少一个层上方的氮化钛层。
根据各种实施例，电极可还包括布置在所述至少一个层上方的钽层。根据各种实施例，电极可还包括布置在所述至少一个层上方的钽层和氮化钛层。
根据各种实施例，电极的至少一个表面可具有等于或小于3 nm的RMS粗糙度。根据各种实施例，电极的至少一个表面可具有等于或小于2 nm的RMS粗糙度。
根据各种实施例，一种电子装置可包括：电子电路；和电极，包括至少一个层，所述至少一个层包括包含铝和钛或基于铝和钛的化学化合物；其中电极可按照电气方式与电子电路耦合。
根据各种实施例，一种电子装置可包括：电子电路；和电极，包括至少一个层，所述至少一个层包括包含铝、钛和铜或基于铝、钛和铜的化学化合物；其中电极可按照电气方式与电子电路耦合。
根据各种实施例，电子电路可包括互补金属氧化物半导体电路。
根据各种实施例，电子电路可经金属化结构按照电气方式耦合到所述至少一个电极。根据各种实施例，电子电路可经多层金属化结构(例如，后段制程多层金属化结构)按照电气方式耦合到所述至少一个电极。
根据各种实施例，电子装置可还包括按照导电方式耦合到电极的光电子结构。
根据各种实施例，电子装置可还包括经金属化结构(例如，后段制程多层金属化结构)按照导电方式耦合到电极的光电子结构。
根据各种实施例，光电子结构可被配置为从包括下述各项的一组光电子装置选择的光电子装置：发光装置；光伏电池；和光电子传感器。
根据各种实施例，光电子结构可包括至少一个发光二极管。
根据各种实施例，所述至少一个发光二极管可被配置为有机发光二极管。
根据各种实施例，一种电子装置可包括：驱动电路；和电极，耦合到驱动电路，电极包括至少一个层，所述至少一个层包括包含铝和钛或基于铝和钛的化学化合物，负载结构按照电气方式耦合到电极；其中电极可被配置为将驱动电流从驱动电路提供给负载结构。
根据各种实施例，一种电子装置可包括：驱动电路；和电极，耦合到驱动电路，电极包括至少一个层，所述至少一个层包括包含铝、钛和铜或基于铝、钛和铜的化学化合物，负载结构按照电气方式耦合到电极；其中电极可被配置为将驱动电流从驱动电路提供给负载结构。
根据各种实施例，驱动电路可包括互补金属氧化物半导体电路。
根据各种实施例，驱动电路可经后段制程结构的金属化结构按照电气方式耦合到所述至少一个电极。
根据各种实施例，负载结构可包括光电子结构。
根据各种实施例，光电子结构可被配置为从包括下述各项的一组光电子装置选择的光电子装置：发光装置；光伏电池；和光电子传感器。
根据各种实施例，光电子结构可包括至少一个发光二极管。
根据各种实施例，所述至少一个发光二极管可被配置为有机发光二极管。
根据各种实施例，一种用于制造光电子装置的方法可包括：形成电极层堆，电极层堆包括至少钛层和铝层；对电极层堆进行退火，从而化学化合物可由铝层的铝和钛层的钛形成；以及在电极层堆上方形成光电子结构，其中光电子结构可按照导电方式耦合到电极层堆。
根据各种实施例，一种用于制造光电子装置的方法可包括：形成电极层堆，电极层堆包括至少钛层和铝/铜层(例如，包括铝和铜或铝/铜合金的层)；对电极层堆进行退火，从而化学化合物可由铝层的铝和钛层的钛形成；以及在电极层堆上方形成光电子结构，其中光电子结构可按照导电方式耦合到电极层堆。
根据各种实施例，形成电极层堆可包括：形成第一钛层；以及在第一钛层上方形成铝层。
根据各种实施例，形成电极层堆可包括：形成第一钛层；在第一钛层上方形成铝层；以及在铝层上方形成第二钛层。
根据各种实施例，形成电极层堆可包括：形成第一钛层；在第一钛层上方形成铝/铜层(例如，包括铝和铜或铝/铜合金的层)；以及在铝/铜层上方形成第二钛层。
根据各种实施例，形成电极层堆可包括：形成第一钛层；以及在第一钛层上方形成铝/铜层(例如，包括铝和铜或铝/铜合金的层)。
根据各种实施例，形成电极层堆可还包括：在电极层堆的第二钛层上方形成氮化钛层。
根据各种实施例，形成电极层堆可还包括：在电极层堆的铝层上方形成氮化钛层。根据各种实施例，形成电极层堆可还包括：在电极层堆的铝/铜层(例如，包括铝和铜或铝/铜合金的层)上方形成氮化钛层。
根据各种实施例，形成电极层堆可还包括：在电极层堆的第二钛层上方形成钽层。
根据各种实施例，形成电极层堆可还包括：在电极层堆的铝层上方形成钽层。根据各种实施例，形成电极层堆可还包括：在电极层堆的铝/铜层(例如，包括铝和铜或铝/铜合金的层)上方形成钽层。
根据各种实施例，形成电极层堆可还包括：在包括至少一个钛层和至少一个铝层的电极层堆上方形成氮化钛层。根据各种实施例，形成电极层堆可还包括：在包括至少一个钛层和至少一个铝/铜层(例如，包括铝和铜或铝/铜合金的层)的电极层堆上方形成氮化钛层。
根据各种实施例，形成电极层堆可还包括：在包括至少一个钛层和至少一个铝层的电极层堆上方形成钽层。根据各种实施例，形成电极层堆可还包括：在包括至少一个钛层和至少一个铝/铜层(例如，包括铝和铜或铝/铜合金的层)的电极层堆上方形成钽层。
根据各种实施例，一种用于制造光电子装置的方法可还包括：在形成电极层堆之前，形成屏障层。根据各种实施例，屏障层可包括包含下述各项的下面一组的层中的至少一个层：氮化钛层、钽层。根据各种实施例，屏障层可包括包含下述各项的下面一组材料中的至少一种材料：镍、铬、镍铬合金、铪、铌、钒、钴、钌、钽、氮化钽、氧化铟、氮化钨和氮化钛。根据各种实施例，屏障层可以是扩散屏障层和粘合促进层中的至少一个。
根据各种实施例，屏障层可被形成在电极层堆上方或形成在电极上方。
尽管已参照特定实施例具体地显示并描述了本发明，但本领域技术人员应该理解，在不脱离由所附权利要求定义的本发明的精神和范围的情况下可对其做出形式和细节上的各种改变。本发明的范围因此由所附权利要求指示并且因此旨在包括落在权利要求的等同物的含义和范围内的所有改变。

Claims (22)

1.一种电极，包括：
至少一个层，包括包含铝和钛的化学化合物。
2.根据权利要求1所述的电极，其中所述至少一个层包括包含铝和钛的金属间化学化合物。
3.根据权利要求1所述的电极，其中所述至少一个层包括包含铝和钛的合金。
4.根据权利要求1所述的电极，还包括：
氮化钛层，布置在所述至少一个层上方。
5.根据权利要求1所述的电极，其中所述电极的至少一个表面具有等于或小于3 nm RMS粗糙度的粗糙度。
6.一种电子装置，包括：
电子电路；和
电极，包括至少一个层，所述至少一个层包括包含铝和钛的化学化合物，
其中所述电极按照电气方式与电子电路耦合。
7.根据权利要求6所述的电子装置，其中所述电子电路包括互补金属氧化物半导体电路。
8.根据权利要求6所述的电子装置，其中所述电子电路经金属化结构按照电气方式耦合到所述至少一个电极。
9.根据权利要求6所述的电子装置，还包括：
光电子结构，按照导电方式耦合到电极。
10.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述光电子结构被配置为从包括下述各项的一组光电子装置选择的光电子装置：
发光装置；
光伏电池；和
光电子传感器。
11.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述光电子结构包括至少一个发光二极管。
12.根据权利要求11所述的电子装置，其中所述至少一个发光二极管被配置为有机发光二极管。
13.一种电子装置，可包括：
驱动电路；和
电极，耦合到驱动电路，电极包括至少一个层，所述至少一个层包括包含铝和钛的化学化合物；和
负载结构，按照电气方式耦合到电极，
其中所述电极被配置为将驱动电流从驱动电路提供给负载结构。
14.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述驱动电路包括互补金属氧化物半导体电路。
15.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述驱动电路经后段制程结构的金属化结构按照电气方式耦合到所述至少一个电极。
16.根据权利要求13所述的电子装置，其中所述负载结构包括光电子结构。
17.根据权利要求16所述的电子装置，其中所述光电子结构被配置为从包括下述各项的一组光电子装置选择的光电子装置：
发光装置；
光伏电池；和
光电子传感器。
18.根据权利要求16所述的电子装置，其中所述光电子结构包括至少一个发光二极管。
19.根据权利要求18所述的电子装置，其中所述至少一个发光二极管被配置为有机发光二极管。
20.一种用于制造光电子装置的方法，所述方法包括：
形成电极层堆，电极层堆包括至少钛层和铝层；
对电极层堆进行退火，从而化学化合物由铝层的铝和钛层的钛形成；以及
在电极层堆上方形成光电子结构，其中所述光电子结构按照导电方式耦合到退火的电极层堆。
21.根据权利要求20所述的方法，其中形成电极层堆包括：
形成第一钛层；
在第一钛层上方形成铝层；以及
在铝层上方形成第二钛层。
22.根据权利要求20所述的方法，其中形成电极层堆还包括：在第二钛层上方形成氮化钛层。
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