CN104152992A - 一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片 - Google Patents
一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，包括以下步骤：提供坩埚，在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界，所述籽晶的生长面晶向为(100)、(110)或(111)晶面族的晶向，所述籽晶的侧面晶向和生长面晶向垂直。本发明的相邻籽晶在生长过程中构成的晶界类型为重合位置点阵类型，晶界处的界面能很小，不易成为位错源，同时相邻籽晶的侧面晶向一致，使得生长过程中的相邻籽晶承受的应力状态相同，从而减少位错源的发生；本发明还提供了一种准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片，制得的准单晶的晶体质量较好。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种籽晶的铺设方法、准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片。
背景技术
目前准单晶的铸造方法主要有无籽晶引晶和有籽晶引晶法，有籽晶引晶法是先将单晶籽晶铺设在石英坩埚底部，在熔化阶段保持籽晶不完全熔化，在单晶籽晶上进行引晶生长从而得到准单晶硅锭，在铺设籽晶时一般会保证籽晶形核面的生长晶向一致，但相邻籽晶的侧边接触面的晶向通常是随机的，在引晶生长过程中容易形成小角度晶界，小角度晶界不但在生长过程中成为了位错源，造成生长过程中位错的不断增殖，而且金属杂质容易在小角度晶界处富集和沉淀诱发二次位错源，降低了准单晶的晶体质量和单晶收益率；即使籽晶之间形成了大角度晶界，由于相邻籽晶侧边接触面的晶向不一致，即籽晶侧面法向的原子堆积密度不一致，在引晶过程中由于硅晶体的弹性模量各向异性，生长应力对拼接缝两侧的侧面法向产生的应变也是不同的，很容易在晶界上产生位错源，继而在生长过程中不断增殖产生大量的位错，也会降低单晶区域的晶体质量。因此，如何减少准单晶中位错成为目前研究的重点。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明第一方面提供了一种籽晶的铺设方法，使相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界，减少籽晶生长过程中产生的位错，本发明还提供了一种准单晶硅片的制备方法及准单晶硅片，制得的准单晶的位错少，晶体质量较好。
第一方面，本发明提供了一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，包括以下步骤：
提供坩埚，在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界，所述籽晶的生长面晶向为(100)、(110)或(111)晶面族的晶向，所述籽晶的侧面晶向和生长面晶向垂直。
优选地，所述重合位置点阵类型的晶界为∑3、∑5、∑7、∑9、∑11或∑13类型晶界。
更优选地，所述重合位置点阵类型的晶界为∑3或∑5类型晶界。
所述相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致是指所述相邻两个籽晶接触的侧面的法线方向相同，所述法线方向属于同一晶面族。
本发明通过铺设籽晶，使相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界，由于相邻籽晶晶格的点阵重合度密度越高则构成的晶界的∑指数越小，从而降低了晶界的能量，减少籽晶生长过程中产生的位错。同时相邻籽晶的侧面的法向方向相同，使得生长过程中的相邻籽晶承受的应力状态相同，从而减少位错源的发生。
优选地，生长面为(100)晶向的籽晶的侧面晶向为(310)或(210)晶面族的晶向；生长面为(110)晶向的籽晶的侧面晶向为(111)或(100)晶面族的晶向；生长面为(111)晶向的籽晶的侧面晶向为(112)或(110)晶面族的晶向。
优选地，所述籽晶为生长面晶向为(100)晶面族的晶向、侧面晶向为(210)晶面族的晶向的正方形籽晶，所述正方形籽晶的四个侧面晶向分别为<210>、和
优选地，所述籽晶为生长面晶向为(100)晶面族的晶向、侧面晶向为(310)晶面族的的晶向的正方形籽晶，所述正方形籽晶的四个侧面晶向分别为<310>、和
优选地，所述籽晶为生长面晶向为(110)晶面族的晶向、侧面晶向为(111)晶面族的晶向的菱形籽晶，所述菱形籽晶的四个侧面晶向分别为 和
优选地，所述籽晶为生长面晶向为(111)晶面族的晶向、侧面晶向为(112)晶面族的晶向的三角形籽晶，所述三角形籽晶的三个侧面晶向分别为 和或和
优选地，通过以下方法使相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界：
在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶紧密接触，相邻两个籽晶的生长面晶向相同，然后将相邻两个籽晶中的一个籽晶绕所述籽晶接触侧面的法向方向翻转180度使得相邻籽晶的生长面的晶向相反，同时相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界。
通过将相邻两个籽晶中的一个籽晶绕所述籽晶接触侧面的法向方向翻转180度来得到重合位置点阵类型的晶界，如∑3或∑5等类型的晶界，同时保证相邻籽晶的侧面晶向一致且与籽晶的生长面晶向垂直。
优选地，所述籽晶来源于提拉法制得的单晶棒，所述单晶棒的位错密度低于104/cm3。
更优选地，采用晶向为<001>的单晶棒制备生长面晶向为(100)晶面族的晶向、侧面晶向为(210)晶面族的的晶向的正方形籽晶，具体包括以下步骤：
提供晶向为<001>的单晶棒，确定单晶棒横截面上的四条生长棱线位置，所述生长棱线的方向分别为<110>、和然后沿每条生长棱线位置顺时针偏转18.4度，得到方向为<210>、和的位置后在单晶棒的横截面上做出正方形标记线，然后沿着标记线方向进行切割，得到生长面晶向为(100)晶面族的晶向、侧面晶向为(210)晶面族的晶向的正方形籽晶。
更优选地，采用晶向为<001>的单晶棒制备生长面晶向为(100)晶面族的晶向、侧面晶向为(310)晶面族的晶向的正方形籽晶，具体包括以下步骤：
提供晶向为<001>的单晶棒，确定单晶棒横截面上的四条生长棱线位置，所述生长棱线的方向分别为<110>、和然后沿每条生长棱线位置顺时针偏转26.5度，得到方向为<310>、和的位置后在单晶棒的横截面上做出正方形标记线，然后沿着标记线方向进行切割，得到生长面晶向为(100)晶面族的晶向、侧面晶向为(310)晶面族的晶向的正方形籽晶。
更优选地，采用晶向为<110>的单晶棒制备生长面晶向为(110)晶面族的晶向、侧面晶向为(111)晶面族的晶向的菱形籽晶，具体包括以下步骤：
提供晶向为<110>的单晶棒，确定单晶棒横截面上的两条生长棱线位置；所述生长棱线的方向为<001>和然后沿每条生长棱线位置顺时针和逆时针各偏转54.7度，得到方向为和的位置后在单晶棒的横截面上做出菱形标记线，然后沿着标记线方向进行切割，得到生长面晶向为(100)晶面族的晶向、侧面晶向为(111)晶面族的晶向的菱形籽晶。
更优选地，采用晶向为<111>的单晶棒制备生长面晶向为(111)晶面族的晶向、侧面晶向为(112)晶面族的晶向的三角形籽晶，具体包括以下步骤：
提供晶向为<111>的单晶棒，确定单晶棒横截面上的三条生长棱线位置；所述生长棱线的方向为和然后沿每条生长棱线位置顺时针偏转60度，得到方向为和的位置后在单晶棒的横截面上做出三角形标记线，然后沿着标记线方向进行切割，得到生长面晶向为(111)晶面族的晶向、侧面晶向为(112)晶面族的晶向的三角形籽晶。
本发明籽晶的制备和籽晶的铺设方法简单易操作。
优选地，所述籽晶层的厚度为1cm～3cm。
本发明通过铺设籽晶使得相邻籽晶的侧面晶向方向一致(侧面的法线方向相同，法线方向属于同一晶面族)，同时相邻籽晶构成高的重合位置点阵密度(CSL)的∑3、∑5等对少子寿命具有较低复合强度的晶界。这样的好处是：
1、本发明相邻籽晶间构成重合位置点阵类型的晶界，如∑3或∑5类型晶界，此类晶界界面的原子排列整齐，产生的晶格畸变很小，从而晶界处的界面能很小，这样籽晶在生长过程中晶界处不会成为位错源，同时金属杂质也不易在此类晶界处聚集和沉淀，减少了晶格失配应力的产生；
2、由于相邻籽晶的侧面的法向方向属于同一晶面族，即侧面法向的原子堆垛密度相同，那么籽晶生长过程中的生长应力对不同籽晶的作用变得均匀，从而减少位错源的发生。
本发明相邻的籽晶接触侧面间的拼接缝产生的位错较少，最终制得电池片效率比普通的类单晶硅片提高0.2％以上。
第二方面，提供了一种准单晶硅片的制备方法，包括以下步骤：
(1)提供坩埚，在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界，所述籽晶的生长面晶向为(100)、(110)或(111)晶面族的晶向，所述籽晶的侧面晶向和生长面晶向垂直；
(2)在所述籽晶层上填装硅料和掺杂剂，加热使所述坩埚内硅料熔化形成硅熔体，调节热场形成过冷状态，使得所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶，待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到准单晶硅锭；
(3)将所述准单晶硅锭依次经过切片和清洗制备得到所述准单晶硅片。
优选地，步骤(2)根据硅料的电阻率添加掺杂剂以适应不同准单晶硅片的电性需求，所述掺杂剂为硼、磷或镓。
优选地，步骤(2)具体为：在所述籽晶层上填装硅料和掺杂剂，加热使所述坩埚内硅料熔化形成硅熔体，当所述硅熔体与未熔化的籽晶层所形成的固液界面刚好处在所述籽晶层或深入所述籽晶层时，调节热场形成过冷状态，使得所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶，待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到准单晶硅锭。
第三方面，本发明还提供了一种准单晶硅片，所述准单晶硅片由第二方面提供的方法制备得到。
本发明制得的准单晶位错少，晶体质量较好，利用本发明准单晶硅片制得的电池片转换效率比普通的准单晶硅片制得的电池片转换效率提高0.2％以上。
实施本发明实施例，具有以下有益效果：
1、本发明相邻籽晶间构成重合位置点阵类型的晶界，晶界处的界面能很小，在生长过程中不易成为位错源；
2、本发明相邻籽晶的侧面的法向方向属于同一晶面族，即侧面法向的原子堆垛密度相同，籽晶生长过程中的生长应力对不同籽晶的作用变得均匀，从而减少位错源的发生；
3、利用本发明准单晶硅片制得的电池片转换效率比普通的准单晶硅片制得的电池片转换效率提高0.2％以上。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为晶向为<001>的单晶棒切割示意图；
图2为晶向为<110>的单晶棒切割示意图；
图3为晶向为<111>的单晶棒切割示意图；
图4为本发明实施例1铺设籽晶时籽晶的翻转示意图；
图5为本发明实施例1铺设籽晶时籽晶的铺设过程图；
图6为本发明实施例2铺设籽晶时籽晶的翻转示意图；
图7为本发明实施例2铺设籽晶时籽晶的铺设过程图；
图8为本发明实施例3铺设籽晶时籽晶的翻转示意图；
图9为本发明实施例3铺设籽晶时籽晶的铺设过程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
图1为晶向为<001>的单晶棒切割示意图，提供提拉法制得的晶向为<001>的单晶棒(图中的圆形为单晶棒的横截面)，在该单晶棒晶体表面有4条生长棱线，4条生长棱线在单晶棒横截面的方向分别为<110>、和沿每条棱线位置使用角度仪顺时针偏转18.4度，得到方向为<210>、和的位置后通过几何计算在单晶棒的横截面上做出正方形标记线(标记线为图1中的正方形)，使用线切机沿着标记线方向进行切割，得到生长面晶向为(100)晶面族的晶向、侧面晶向为(210)晶面族的晶向的正方形籽晶。
图2为晶向为<110>的单晶棒切割示意图；提供提拉法制得的晶向为<110>的单晶棒(图中的圆形为单晶棒的横截面)，在该单晶棒晶体表面有2条生长棱线，2条生长棱线在单晶棒横截面上的方向为<001>和使用角度仪沿每条生长棱线位置顺时针和逆时针各偏转54.7度，得到方向为和位置后通过几何计算在单晶棒的横截面上做出菱形标记线(标记线为图2中的菱形)，使用线切机沿着标记线方向进行切割，得到生长面晶向为(110)晶面族的晶向、侧面晶向为(111)晶面族的晶向的菱形籽晶。
图3为晶向为<111>的单晶棒切割示意图；提供提拉法制得的晶向为<111>的单晶棒(图中的圆形为单晶棒的横截面)，在该单晶棒晶体表面有3条生长棱线；3条生长棱线在单晶棒横截面上的方向为和然后使用角度仪沿每条生长棱线位置顺时针偏转60度，得到方向为和的位置后通过几何计算在单晶棒的横截面上做出三角形标记线(标记线为图中的实线三角形和虚线三角形)，使用线切机沿着标记线方向进行切割，得到生长面晶向为(111)晶面族的晶向、侧面晶向为(112)晶面族的晶向的三角形籽晶。
实施例1
一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，包括以下步骤：
选择生长面晶向为<001>、侧面晶向为(210)晶面族的晶向的正方形籽晶为目标生长籽晶，籽晶的厚度为20mm，将25块截面尺寸为156mm*156mm的该籽晶按5×5的方式平铺在坩埚底部，然后将相邻两个籽晶中的一个籽晶绕籽晶接触侧面的法向方向翻转180度，使相邻两个籽晶的接触侧面晶向一致，且使相邻两个籽晶的接触侧面构成∑5类型晶界；籽晶紧密接触铺满坩埚底部形成籽晶层。
图4是本发明实施例1铺设籽晶时籽晶的翻转示意图；如图所示，经翻转后，生长方向为<001>的籽晶经过180度翻转变成即相邻两个籽晶的生长面的晶向相反，而旋转前后相邻两个籽晶接触的侧面晶向均相同(均为<210>)，这样根据晶体学知识，相邻籽晶构成的晶界类型为∑5类型晶界。经翻转后两个籽晶的生长面的方向虽然相反，但是属于同一晶面族，晶体结构完全一致，不会影响最后得到的准单晶的单晶面积。
图5是本发明实施例1籽晶的铺设过程图；生长面晶向为<001>、侧面晶向为(210)晶面族的正方形籽晶按5×5的方式平铺在坩埚底部，经翻转后，相邻两个籽晶的生长面的晶向相反，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致，且侧面晶向构成的晶界类型为∑5类型晶界。
实施例2
一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，包括以下步骤：
选择生长晶向为<110>、侧面晶向为(111)晶面族的晶向的菱形籽晶为目标生长籽晶，籽晶的厚度为20mm，将籽晶紧密接触铺满坩埚底部形成籽晶层，靠坩埚侧壁的位置用菱形籽晶沿对角线切割得到籽晶进行补拼，然后将相邻两个籽晶中的一个籽晶绕籽晶接触侧面法向方向翻转180度，使相邻两个籽晶的接触侧面晶向一致，且使相邻两个籽晶的接触侧面构成∑3类型晶界；
图6是本发明实施例2铺设籽晶时籽晶的翻转示意图；如图所示，经翻转后，生长方向为<110>的籽晶经过180度翻转变成即相邻两个籽晶的生长面的晶向相反，而旋转前后相邻两个籽晶接触的侧面晶向均相同(均为)，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致，这样根据晶体学知识，相邻籽晶构成的晶界类型为∑3类型晶界。
图7是本发明实施例2籽晶的铺设过程图；选择生长晶向为<110>、侧面晶向为(111)晶面族的晶向的菱形籽晶平铺在坩埚底部，经翻转后，相邻两个籽晶的生长面方向相反，相邻两个籽晶的接触的侧面晶向保持一致，相邻籽晶侧面晶向构成的晶界类型为∑3类型晶界。
实施例3
一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，包括以下步骤：
选择生长面晶向为<111>、侧面晶向为(112)晶面族的晶向的三角形籽晶为目标生长籽晶，籽晶的厚度为20mm，将籽晶紧密接触铺满坩埚底部形成籽晶层，靠近坩埚侧壁位置可用三角形籽晶对半切割得到的籽晶进行补拼，然后将相邻两个籽晶中的一个籽晶绕籽晶接触侧面法向方向翻转180度，使相邻两个籽晶的接触侧面晶向一致，且使相邻两个籽晶的接触侧面构成∑3类型晶界；
图8是本发明实施例3铺设籽晶时籽晶的翻转示意图；如图所示，经翻转后，生长方向为<111>的籽晶经过180度翻转变成相邻两个籽晶生长面的方向相反，旋转前后相邻两个籽晶接触的侧面晶向均相同(均为)，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致，这样根据晶体学知识，相邻籽晶构成的晶界类型为∑3类型晶界。
图9是本发明实施例3籽晶的铺设过程图；选择生长面晶向为<111>、侧面晶向为(112)晶面族的晶向的三角形籽晶平铺在坩埚底部，经翻转后，相邻两个籽晶生长面的方向相反，相邻两个籽晶接触的侧面晶向保持一致，这样根据晶体学知识，相邻籽晶构成的晶界类型为∑3类型晶界。
实施例4
一种准单晶硅片的制备方法，包括以下操作步骤：
(1)按照实施例1的籽晶铺设方法在坩埚底部铺设籽晶得到籽晶层；
(2)在籽晶层上填装硅料和掺杂剂硼，加热使坩埚内硅料熔化形成硅熔体，并控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点，使得籽晶层不被完全融化；当硅熔体与未熔化的籽晶层所形成的固液界面刚好处在籽晶层或深入籽晶层时，调节热场形成过冷状态，使得硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶，待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到准单晶硅锭；
(3)将准单晶硅锭依次经过切片和清洗制备得到准单晶硅片。
本实施例得到的准单晶硅锭的主要晶向为(100)方向，相邻的籽晶间的接触侧面间的拼接缝产生的位错较少，利用本实施准单晶硅片制得的电池片转换效率比普通的准单晶硅片制得的电池片转换效率提高0.2％以上。
实施例5
一种准单晶硅片的制备方法，包括以下操作步骤：
(1)按照实施例2的籽晶铺设方法在坩埚底部铺设籽晶得到籽晶层；
(2)在籽晶层上填装硅料和掺杂剂硼，加热使坩埚内硅料熔化形成硅熔体，并控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点，使得籽晶层不被完全融化；当硅熔体与未熔化的籽晶层所形成的固液界面刚好处在籽晶层或深入籽晶层时，调节热场形成过冷状态，使得硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶，待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到准单晶硅锭；
(3)将准单晶硅锭依次经过切片和清洗制备得到准单晶硅片。
本实施例得到的准单晶硅锭的主要晶向为(110)方向。相邻的籽晶间的接触侧面间的拼接缝产生的位错较少，利用本实施准单晶硅片制得的电池片转换效率比普通的准单晶硅片制得的电池片转换效率提高0.2％以上。
实施例6
一种准单晶硅片的制备方法，包括以下操作步骤：
(1)按照实施例3的籽晶铺设方法在坩埚底部铺设籽晶得到籽晶层；
(2)在籽晶层上填装硅料和掺杂剂硼，加热使坩埚内硅料熔化形成硅熔体，并控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点，使得籽晶层不被完全融化；当硅熔体与未熔化的籽晶层所形成的固液界面刚好处在籽晶层或深入籽晶层时，调节热场形成过冷状态，使得硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶，待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到准单晶硅锭；
(3)将准单晶硅锭依次经过切片和清洗制备得到准单晶硅片。
本实施例得到的准单晶硅锭的主要晶向为(111)方向。相邻的籽晶间的接触侧面间的拼接缝产生的位错较少，利用本实施准单晶硅片制得的电池片转换效率比普通的准单晶硅片制得的电池片转换效率提高0.2％以上。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种籽晶的铺设方法，用于准单晶的铸造，其特征在于，包括以下步骤：
提供坩埚，在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界，所述籽晶的生长面晶向为(100)、(110)或(111)晶面族的晶向，所述籽晶的侧面晶向和生长面晶向垂直。
2.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述重合位置点阵类型的晶界为∑3、∑5、∑7、∑9、∑11或∑13类型晶界。
3.如权利要求2所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述重合位置点阵类型的晶界为∑3或∑5类型晶界。
4.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，生长面为(100)晶向的籽晶的侧面晶向为(310)或(210)晶面族的晶向；生长面为(110)晶向的籽晶的侧面晶向为(111)或(100)晶面族的晶向；生长面为(111)晶向的籽晶的侧面晶向为(112)或(110)晶面族的晶向。
5.如权利要求1或4所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述籽晶为生长面晶向为(100)晶面族的晶向、侧面晶向为(210)晶面族的晶向的正方形籽晶。
6.如权利要求1或4所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述籽晶为生长面晶向为(110)晶面族的晶向、侧面晶向为(111)晶面族的晶向的菱形籽晶。
7.如权利要求1或4所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，所述籽晶为生长面晶向为(111)晶面族的晶向、侧面晶向为(112)晶面族的晶向的三角形籽晶。
8.如权利要求1所述的籽晶的铺设方法，其特征在于，通过以下方法使相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界：
在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶紧密接触，相邻两个籽晶的生长面晶向相同，然后将相邻两个籽晶中的一个籽晶绕所述籽晶接触侧面的法向方向翻转180度使得相邻两个籽晶的生长面的晶向相反，同时相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界。
9.一种准单晶硅片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供坩埚，在所述坩埚底部铺设籽晶，所述籽晶紧密接触铺满所述坩埚底部形成籽晶层，相邻两个籽晶接触的侧面晶向一致且构成重合位置点阵类型的晶界，所述籽晶的生长面晶向为(100)、(110)或(111)晶面族的晶向，所述籽晶的侧面晶向和生长面晶向垂直；
(2)在所述籽晶层上填装硅料和掺杂剂，加热使所述坩埚内硅料熔化形成硅熔体，调节热场形成过冷状态，使得所述硅熔体在所述籽晶层基础上开始长晶，待全部硅熔体结晶完后，经退火冷却得到准单晶硅锭；
(3)将所述准单晶硅锭依次经过切片和清洗制备得到所述准单晶硅片。
10.一种准单晶硅片，其特征在于，所述准单晶硅片为按照权利要求9所述的制备方法制得。
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