CN104134468B - 对rram存储器耐久性参数进行测试的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法,该方法包括:判断RRAM存储器当前所处的状态,以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲;连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲,并在向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器的状态是否失效,在RRAM存储器失效时记录最后使RRAM器件失效的加载编程脉冲和擦除脉冲次数10^Ln,即得到耐久性参数为10^Ln‑1次,其中Ln=n‑1,n为自然数。利用本发明,极大加快了待测器件耐久性参数的获取。
Description
技术领域
本发明涉及半导体存储器测试技术领域,尤其涉及一种对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法。
背景技术
作为下一代存储器的候选者必须具有以下特征:可缩小性好、存储密度高、功耗低、读写速度快、反复操作耐受力强、数据保持时间长、与CMOS工艺兼容等。阻变存储器,即在两个电阻态之间可以相互转换的存储器,是下一代非挥发性存储器中具有潜在应用前景的存储器。然而,在实际应用中所面临的最重要的挑战之一就是其转变参数的涨落。很好地控制这些参数的变化能够降低阻变器件的波动性,提高器件可靠性。存储器脉冲参数主要包括存储器状态(高阻态或低阻态)、保持时间和耐久性等。
这里介绍常见的一种RRAM器件,其结构如图1所示,从上至下依次由上电极、阻变功能层、下电极构成。图2是常用的对RRAM存储器的耐久性参数进行测试的测试平台的结构示意图。由于图2的半导体参数分析仪对RRAM存储器耐久性参数进行测试时,不能自动判断RRAM器件当前所处状态,需要操作者观察手动操作,统计测试需要大量的数据,因而测试统计过程浪费大量的时间和人力。基于上述现有技术中对RRAM存储器耐久性参数的测试方法,可以看出传统的测试方法急需改进。
发明内容
(一)要解决的技术问题
为解决上述问题,本发明提供了一种对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法,以方便快速自动的获取存储器件恒定电压幅度的耐久性参数,以及得到耐久性参数随循环次数的变化规律。
(二)技术方案
为达到上述目的,本发明提供了一种对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法,该方法包括:
步骤1:判断RRAM存储器当前所处的状态,以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲;
步骤2:连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲,并在向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器的状态是否失效,在RRAM存储器失效时记录最后使RRAM器件失效的加载编程脉冲和擦除脉冲次数10^Ln,即得到耐久性参数为10^Ln-1次,其中Ln=n-1,n为自然数。
上述方案中,步骤1中所述判断RRAM存储器当前所处的状态,是通过向RRAM存储器加载一个小电压来实现的,具体包括:向RRAM存储器加载一个小电压,读出通过RRAM存储器的电流,根据读出的电流即可判断RRAM存储器当前所处的状态是高阻态还是低阻态。所述小电压的范围在0.1V至0.3V之间。
上述方案中,步骤1中所述判断RRAM存储器当前所处的状态,以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲,如果RRAM存储器当前所处的状态是高阻态,则起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲;如果RRAM存储器当前所处的状态是低阻态,则起始向RRAM存储器加载的脉冲是擦除脉冲。
上述方案中,所述步骤2包括:在向RRAM存储器加载了10^L1次编程脉冲和擦除脉冲后即第1个测试周期,测试RRAM存储器所处的状态是否失效;在向RRAM存储器加载了10^L2次编程脉冲和擦除脉冲后即第2个测试周期,测试RRAM存储器所处的状态是否失效;以此类推,在向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后即第n个测试周期,测试RRAM存储器所处的状态是否失效;如果在第n个测试周期,即向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器所处的状态,发现RRAM存储器失效,则记录最后使RRAM器件失效的次数10^Ln,即得到耐久性参数为10^Ln-1次。
上述方案中,步骤2中所述在向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器的状态是否失效,是通过向RRAM存储器加载一个小电压来实现的,具体包括:向RRAM存储器加载一个小电压,读出通过RRAM存储器的电流,根据读出的电流即可判断RRAM存储器当前所处的状态是高阻态还是低阻态。所述小电压的范围在0.1V至0.3V之间。
上述方案中,步骤2中所述连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲,其中一个编程脉冲和一个擦除脉冲为一个脉冲周期,且编程脉冲和擦除脉冲二者的脉冲高度和脉冲宽度保持不变。
(三)有益效果
本发明提供的对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法,用户只需输入待测器件存储器耐久性参数测试所需的具体电压、脉冲宽度、判断RRAM器件状态的循环间隔次数10^Ln等条件,就能够自动地计算出每次加载到RRAM器件上编程和擦除脉冲的数目,当前操作达到预定的间隔次数时,可以自动地切换开关矩阵,转入直流模式,加载小电流,判断RRAM器件当前所处的状态并记录下来,一旦判断出RRAM器件失效,则测试结束,记录间隔次数10^Ln,否则继续循环测试。由于传统耐久性参数测试需要大量的时间,人为操控困难,所以本发明极大加快了待测器件耐久性参数的获取。
附图说明
图1是RRAM器结构的示意图;
图2是常用的对RRAM器件的耐久性参数进行测试平台的示意图;
图3是本发明提供的对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法流程图;
图4是依照本发明实施例的对RRAM器件器耐久性参数进行测试的方法流程图;
图5是向RRAM器件加载的编程脉冲和擦除脉冲的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本发明进一步详细说明。
如图3所示,图3是本发明提供的对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法流程图,该方法包括以下步骤:
步骤1:判断RRAM存储器当前所处的状态,以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲,如果RRAM存储器当前所处的状态是高阻态,则起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲;如果RRAM存储器当前所处的状态是低阻态,则起始向RRAM存储器加载的脉冲是擦除脉冲;其中,判断RRAM存储器当前所处的状态,是通过向RRAM存储器加载一个小电压来实现的,具体包括:向RRAM存储器加载一个小电压,读出通过RRAM存储器的电流,根据读出的电流即可判断RRAM存储器当前所处的状态是高阻态还是低阻态;该小电压的范围在0.1V至0.3V之间。
步骤2:连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲,并在向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器的状态是否失效,在RRAM存储器失效时记录最后使RRAM器件失效的加载编程脉冲和擦除脉冲次数10^Ln,即得到耐久性参数为10^Ln-1次,其中Ln=n-1,n为自然数。另外,加载脉冲次数10^Ln是作为耐久性统计常用的间隔,也可根据用户实际需要自行设置。
具体而言,在向RRAM存储器加载了10^L1次编程脉冲和擦除脉冲后即第1个测试周期,测试RRAM存储器所处的状态是否失效;在向RRAM存储器加载了10^L2次编程脉冲和擦除脉冲后即第2个测试周期,测试RRAM存储器所处的状态是否失效;以此类推,在向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后即第n个测试周期,测试RRAM存储器所处的状态是否失效;如果在第n个测试周期,即向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器所处的状态,发现RRAM存储器失效,则记录最后使RRAM器件失效的次数10^Ln,即得到耐久性参数为10^Ln-1次。
其中,步骤2中所述在向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器的状态是否失效,是通过向RRAM存储器加载一个小电压来实现的,具体包括:向RRAM存储器加载一个小电压,读出通过RRAM存储器的电流,根据读出的电流即可判断RRAM存储器当前所处的状态是高阻态还是低阻态;该小电压的范围在0.1V至0.3V之间。
基于图3所示的对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法流程图,图4示出了依照本发明实施例的对RRAM存储器耐久性参数进行测试的流程图,该实施例中的参数名称所对应的含义如下表1所示,该实施例包括如下步骤:
首先用户对RRAM参数进行配置,然后对RRAM器件加载一个小电压,读出通过RRAM器件的电流,根据读出的电流计算出电阻R即可判断RRAM器件当前所处的状态是高阻态还是低阻态,针对RRAM器件的当前状态,来确定起始加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲。若R小于击穿电阻Rf,则RRAM器件已被击穿,结束操作;否则切换开关矩阵至脉冲模式,不断地向RRAM器件加载编程和擦除脉冲,记录循环次数Cycle,当循环次数大于10^L时,记录脉冲循环间隔标记L=L+1;然后在继续判断RRAM器件当前所处的状态,直至在第10^Ln-1个测试周期RRAM器件失效,即得到耐久性参数为10^Ln-1次,测试结束。然后根据测试过程中在不同的循环次数后得到的RRAM器件的状态(即耐久性),可得出该RRAM器件耐久性与循环次数的变化规律,流程图中的参数名称所对应的含义如下表1:
表1
图5是向RRAM器件加载的编程脉冲和擦除脉冲的示意图。一个编程脉冲和一个擦除脉冲为一个脉冲周期,并且编程脉冲和擦除脉冲的脉冲高度和脉冲宽度保持不变。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法,其特征在于,该方法包括:
步骤1:判断RRAM存储器当前所处的状态,以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲;
步骤2:连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲,并在向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器的状态是否失效,在RRAM存储器失效时记录最后使RRAM器件失效的加载编程脉冲和擦除脉冲次数10^Ln,即得到耐久性参数为10^Ln-1次,其中Ln=n-1,n为自然数;
其中,所述步骤2包括:在向RRAM存储器加载了10^L1次编程脉冲和擦除脉冲后即第1个测试周期,测试RRAM存储器所处的状态是否失效;在向RRAM存储器加载了10^L2次编程脉冲和擦除脉冲后即第2个测试周期,测试RRAM存储器所处的状态是否失效;以此类推,在向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后即第n个测试周期,测试RRAM存储器所处的状态是否失效;如果在第n个测试周期,即向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器所处的状态,发现RRAM存储器失效,则记录最后使RRAM器件失效的次数10^Ln,即得到耐久性参数为10^Ln-1次;
步骤2中所述连续交替的向RRAM存储器加载编程脉冲和擦除脉冲,其中一个编程脉冲和一个擦除脉冲为一个脉冲周期,且编程脉冲和擦除脉冲二者的脉冲高度和脉冲宽度保持不变。
2.根据权利要求1所述的对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法,其特征在于,步骤1中所述判断RRAM存储器当前所处的状态,是通过向RRAM存储器加载一个小电压来实现的,具体包括:
向RRAM存储器加载一个小电压,读出通过RRAM存储器的电流,根据读出的电流即可判断RRAM存储器当前所处的状态是高阻态还是低阻态。
3.根据权利要求2所述的对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法,其特征在于,所述小电压的范围在0.1V至0.3V之间。
4.根据权利要求2所述的对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法,其特征在于,步骤1中所述判断RRAM存储器当前所处的状态,以确定起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲还是擦除脉冲,如果RRAM存储器当前所处的状态是高阻态,则起始向RRAM存储器加载的脉冲是编程脉冲;如果RRAM存储器当前所处的状态是低阻态,则起始向RRAM存储器加载的脉冲是擦除脉冲。
5.根据权利要求1所述的对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法,其特征在于,步骤2中所述在向RRAM存储器加载了10^Ln次编程脉冲和擦除脉冲后测试RRAM存储器的状态是否失效,是通过向RRAM存储器加载一个小电压来实现的,具体包括:
向RRAM存储器加载一个小电压,读出通过RRAM存储器的电流,根据读出的电流即可判断RRAM存储器当前所处的状态是高阻态还是低阻态。
6.根据权利要求5所述的对RRAM存储器耐久性参数进行测试的方法,其特征在于,所述小电压的范围在0.1V至0.3V之间。
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CN109273044B (zh) * | 2018-11-30 | 2020-10-13 | 清华大学 | 阻变存储器测试方法以及测试装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1905077A (zh) * | 2006-06-27 | 2007-01-31 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 相变存储器器件单元测试系统及测试方法 |
CN101017879A (zh) * | 2007-01-12 | 2007-08-15 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 提高脉冲触发电阻式随机存储器抗疲劳特性的方法 |
CN102290106A (zh) * | 2011-07-06 | 2011-12-21 | 华中科技大学 | 一种相变存储单元阵列的测试装置 |
CN102568614A (zh) * | 2012-01-04 | 2012-07-11 | 华中科技大学 | 一种相变存储器单元高速擦写测试系统 |
US8233345B2 (en) * | 2010-09-08 | 2012-07-31 | International Business Machines Corporation | Phase change memory cycle timer and method |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1905077A (zh) * | 2006-06-27 | 2007-01-31 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 相变存储器器件单元测试系统及测试方法 |
CN101017879A (zh) * | 2007-01-12 | 2007-08-15 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 提高脉冲触发电阻式随机存储器抗疲劳特性的方法 |
US8233345B2 (en) * | 2010-09-08 | 2012-07-31 | International Business Machines Corporation | Phase change memory cycle timer and method |
CN102290106A (zh) * | 2011-07-06 | 2011-12-21 | 华中科技大学 | 一种相变存储单元阵列的测试装置 |
CN102568614A (zh) * | 2012-01-04 | 2012-07-11 | 华中科技大学 | 一种相变存储器单元高速擦写测试系统 |
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