CN104124264B - 有机发光二极管显示器 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 95
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 204
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 29
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 27
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 7
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 9
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 206010021033 Hypomenorrhoea Diseases 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 101150037603 cst-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FWJPEOKFQUAQEQ-UHFFFAOYSA-N [Zr].[In] Chemical compound [Zr].[In] FWJPEOKFQUAQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- SAZXSKLZZOUTCH-UHFFFAOYSA-N germanium indium Chemical compound [Ge].[In] SAZXSKLZZOUTCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 1
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 description 1
- 244000131316 Panax pseudoginseng Species 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007604 Zn—Sn—O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007746 Zr—O Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUBMIUDEQXBPM-UHFFFAOYSA-N [In].[Ta] Chemical compound [In].[Ta] ORUBMIUDEQXBPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLGXEBOWSMPUMJ-UHFFFAOYSA-N [In].[Zn].[Zr] Chemical compound [In].[Zn].[Zr] QLGXEBOWSMPUMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WREOCLNPIVIUMT-UHFFFAOYSA-N [Ta].[In].[Sn] Chemical compound [Ta].[In].[Sn] WREOCLNPIVIUMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REBFYDIASBOPNM-UHFFFAOYSA-N [Ta].[Zn].[In] Chemical compound [Ta].[Zn].[In] REBFYDIASBOPNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYQBHPUWNUUKIH-UHFFFAOYSA-N [Zn].[In].[Ge] Chemical compound [Zn].[In].[Ge] FYQBHPUWNUUKIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTWITUGAJAOTCJ-UHFFFAOYSA-N [Zn].[In].[Hf] Chemical compound [Zn].[In].[Hf] FTWITUGAJAOTCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBVMFXMAMOEEKB-UHFFFAOYSA-N [Zn][Ti][In] Chemical compound [Zn][Ti][In] FBVMFXMAMOEEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- -1 indium tin aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N tin zinc Chemical compound [Zn].[Sn] GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
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Abstract
有机发光二极管（OLED）显示器包括衬底、彼此分离地位于所述衬底的相同表面上的第一半导体层和第二半导体层、位于所述第一半导体层和所述第二半导体层上的第一绝缘层、分别与所述第一半导体层和所述第二半导体层重叠的第一栅电极和第二栅电极、位于所述第一栅电极和所述第二栅电极上的第二绝缘层、与所述第一栅电极重叠且位于所述第二绝缘层上的第一储能电极、位于所述第一储能电极上的第三绝缘层、以及与所述第一储能电极重叠且位于所述第三绝缘层上的第二储能电极。
Description
技术领域
所描述的技术一般涉及有机发光二极管（OLED）显示器。
背景技术
有机发光二极管显示器包括两个电极，即阴极和阳极，以及位于两个电极之间的有机发光层。从阴极注入的电子和从阳极注入的空穴在有机发光层中彼此结合以形成激子并且在激子释放能量的同时发出光。
有机发光二极管显示器包括多个像素，每个像素包括由阴极、阳极和有机发光层形成的有机发光二极管，并且用于驱动有机发光二极管的多个晶体管和储能电容器形成于每个像素中。所述多个晶体管基本包括开关晶体管和驱动晶体管。
上面在此背景技术部分中公开的信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，因此它可能包含不形成在此国家中本领域技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
实施方式涉及提供一种有机发光二极管（OLED）显示器，其包括衬底、彼此分离地位于所述衬底的相同表面上的第一半导体层和第二半导体层、位于所述第一半导体层和所述第二半导体层上的第一绝缘层、分别与所述第一半导体层和所述第二半导体层重叠的第一栅电极和第二栅电极、位于所述第一栅电极和所述第二栅电极上的第二绝缘层、与所述第一栅电极重叠且位于所述第二绝缘层上的第一储能电极、位于所述第一储能电极上的第三绝缘层、以及与所述第一储能电极重叠且位于所述第三绝缘层上的第二储能电极。
所述第一半导体层可为驱动半导体层，所述第二半导体层可为开关半导体层，所述第一栅电极可为驱动栅电极，第二栅电极可为开关栅电极，所述第一绝缘层可为栅绝缘层，所述第二绝缘层可为第一层间绝缘层，并且所述第三绝缘层可为第二层间绝缘层。
所述驱动半导体层在平面视图中可为非线性形状。
所述非线性形状可为弯曲形、锯齿形、细长的“5”形、“己”形、“S”形、“M”形和“W”形中的一个。
所述栅绝缘层包括覆盖所述第一半导体层和所述第二半导体层的第一栅绝缘层、以及位于所述第一栅绝缘层上并且覆盖所述开关栅电极的第二栅绝缘层，所述驱动栅电极位于所述第二栅绝缘层上。
所述有机发光二极管（OLED）显示器可包括与所述第二储能电极形成于同一层并且分别传输数据信号和驱动电压的数据线和驱动电压线。
所述第二储能电极可为所述驱动电压线的延伸。
所述第一储能电极可通过所述第一层间绝缘层中的接触孔连接至所述驱动栅电极。
所述有机发光二极管（OLED）显示器可包括覆盖所述第二层间绝缘层和所述第二储能电极的保护层、以及位于所述保护层上的有机发光二极管（OLED）。
所述驱动栅电极和所述开关栅电极可位于所述第一绝缘层的相同表面上。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施方式，对本领域技术人员来说特征将变得显而易见，在附图中：
图1示出了根据第一示例性实施方式的有机发光二极管（OLED显示器的像素的等同电路；
图2示出了根据第一示例性实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器的多个晶体管和电容器的视图；
图3示出了图2的一个像素的详细布局；
图4示出了沿线IV-IV截取的图3的有机发光二极管（OLED）显示器的截面视图；
图5示出了沿线V-V截取的图3的有机发光二极管（OLED）显示器的截面视图；以及
图6示出了根据第二示例性实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器的截面视图。
具体实施方式
下文参考附图更完整地描述示例性实施方式，在附图中示出了本发明的示例性实施方式。如本领域技术人员将认识到的，所描述的实施方式可以各种不背离本发明的精神或范围的不同方式被修改。
附图和描述被认为在本质上是说明性的而非限制性的。在整个说明书中相似的参考标号指相似的元件。
此外，由于为了更好的理解和描述的方便，随意给出在附图中示出的组成构件的尺寸和厚度，但是实施方式不限于所示的尺寸和厚度。
在附图中，为了清楚起见，层、膜、面板、区域等的厚度被扩大。在附图中，为了更好的理解和描述的方便，一些层和区域的厚度被扩大。将理解，当例如层、膜、区域或衬底的元件被称为“位于”另一元件“之上”，它可直接位于另一元件之上或者还可存在中间元件。
另外，除非明确地另有说明，词语“包括（comprise）”和变型例如“包括（comprises）”或“包括（comprising）”将被理解为包括所述的元件但是不排除任意其它元件。此外，在说明书中，词组“在平坦表面上”表示从上观看物体部分的时候，词组“在截面上”表示从侧面观看通过垂直切割物体部分截取的截面的时候。
下文参考图1至图5描述根据第一示例性实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器。
图1示出了根据第一示例性实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器的像素的等同电路。
如图1所示，根据第一示例性实施方式的有机发光二极管显示器的一个像素1包括多个信号线121、122、123、124、171和172以及连接至多个信号线的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5和T6、储能电容器Cst和有机发光二极管（OLED）。
晶体管包括驱动晶体管（驱动薄膜晶体管）T1、像素开关晶体管（开关薄膜晶体管）T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6。
信号线包括传送扫描信号Sn的扫描线121、将前一扫描信号Sn-1传送至初始化晶体管T4的前一扫描线122、将发光控制信号En传送至操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6的发光控制线123、与扫描线121相交且传送数据信号Dm的数据线171、传送驱动电压ELVDD且基本平行于数据线171的驱动电压线172、以及传送用于初始化驱动晶体管T1的初始化电压Vint的初始化电压线124。
驱动晶体管T1的栅电极G1连接至储能电容器Cst的第一端Cst1，驱动晶体管T1的源电极S1经由操作控制晶体管T5连接至驱动电压线172，以及驱动晶体管T1的漏电极D1经由发光控制晶体管T6电连接至有机发光二极管（OLED）的阳极。驱动晶体管T1根据像素开关晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm以将驱动电流Id供给有机发光二极管（OLED）。
像素开关晶体管T2的栅电极G2连接至扫描线121，像素开关晶体管T2的源电极S2连接至数据线171，以及像素开关晶体管T2的漏电极D2在连接至驱动晶体管T1的源电极S1的同时经由操作控制晶体管T5连接至驱动电压线172。像素开关晶体管T2根据通过扫描线121传送的扫描信号Sn导通以执行开关操作用于将被传送至数据线171的数据信号Dm传送至驱动晶体管T1的源电极。
补偿晶体管T3的栅电极G3连接至扫描线121，补偿晶体管T3的源电极S3在连接至驱动晶体管T1的漏电极D1的同时经由发光控制晶体管T6连接至有机发光二极管（OLED）的阳极，以及补偿晶体管T3的漏电极D3连接至储能电容器Cst的一端Cst1、初始化晶体管T4的漏电极D4和驱动晶体管T1的栅电极G1。补偿晶体管T3根据通过扫描线121传送的扫描信号Sn导通以使驱动晶体管T1的栅电极和漏电极D1彼此连接，因此执行驱动晶体管T1的二极管连接。
初始化晶体管T4的栅电极G4连接至前一扫描线122，初始化晶体管T4的源电极S4连接至初始化电压线124，以及初始化晶体管T4的漏电极D4连接至储能电容器Cst的第一端Cst1、补偿晶体管T3的漏电极D3和驱动晶体管T1的栅电极G1。初始化晶体管T4根据通过前一扫描线122传送的前一扫描信号Sn-1导通以将初始化电压Vint传送至驱动晶体管T1的栅电极G1，因此执行用于初始化驱动晶体管T1的栅电极G1的电压的初始化操作。
操作控制晶体管T5的栅电极G5连接至发光控制线123，操作控制晶体管T5的源电极S5连接至驱动电压线172，以及操作控制晶体管T5的漏电极D5连接至驱动晶体管T1的源电极S1和像素开关晶体管T2的漏电极D2。
发光控制晶体管T6的栅电极G6连接至发光控制线123，发光控制晶体管T6的源电极S6连接至驱动晶体管T1的漏电极D1和补偿晶体管T3的源电极S3，以及发光控制晶体管T6的漏电极D6电连接至有机发光二极管的阳极。操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6根据通过发光控制线123传送的发光控制信号En同时导通以将驱动电压ELVDD传送至有机发光二极管（OLED），因此允许驱动电流Id流入有机发光二极管（OLED）。
储能电容器Cst的第二端Cst2连接至驱动电压线172，并且有机发光二极管（OLED）的阴极连接至公共电压ELVSS。由此，有机发光二极管（OLED）从驱动晶体管T1接收驱动电流Id以发出光，由此显示图像。
下文描述根据第一示例性实施方式的有机发光二极管显示器的一个像素的详细操作过程。
首先，在初始化周期通过前一扫描线122供给低电平的前一扫描信号Sn-1。然后，初始化晶体管T4对应于低电平的前一扫描信号Sn-1导通，并且初始化电压Vint从初始化电压线124通过初始化晶体管T4连接至驱动晶体管T1的栅电极以通过初始化电压Vint初始化驱动晶体管T1。
随后，在数据编程周期通过扫描线121供给低电平的扫描信号Sn。然后，像素开关晶体管T2和补偿晶体管T3对应于低电平的扫描信号Sn导通。
在这种情况下，驱动晶体管T1通过导通的补偿晶体管T3进行二极管连接，并且被正向偏压。
然后，将通过从数据线171供给的数据信号Dm的电压减去驱动晶体管T1的阈值电压Vth得到的补偿电压Dm+Vth（Vth是负值）供给驱动晶体管T1的栅电极。
将驱动电压ELVDD和补偿电压Dm+Vth施加至储能电容器Cst的两端，并且将与两端电压之间的差对应的电荷储存到储能电容器Cst中。随后，在发光周期从发光控制线123供给的发光控制信号En的电平从高电平变成低电平。然后，在发光周期操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6通过低电平的发光控制信号En导通。
然后，根据驱动晶体管T1的栅电极的电压与驱动电压ELVDD之间的差生成驱动电流Id，并且通过发光控制晶体管T6将驱动电流Id供给有机发光二极管（OLED）。在发光周期通过储能电容器Cst将驱动晶体管T1的栅源电压Vgs维持在(Dm+Vth)-ELVDD。根据驱动晶体管T1的电流电压关系，驱动电流Id与通过源栅电压减去阈值电压获得的值的平方成(Dm-ELVDD)2正比。由此，驱动电流Id被确定而不管驱动晶体管T1的阈值电压Vth为何。
接下来，参考图2至图5以及图1描述图1所示的有机发光二极管（OLED）显示器的像素的详细结构。
图2示出了根据第一示例性实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器的多个晶体管和电容器的视图。图3是图2的一个像素的详细布局图。图4是沿线IV-IV截取的图3的有机发光二极管（OLED）显示器的截面视图。图5是沿线V-V截取的图3的有机发光二极管（OLED）显示器的截面视图。
如图2所示，根据第一示例性实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器包括分别施加扫描信号Sn、前一扫描信号Sn-1、发光控制信号En和初始化电压Vint且沿行方向形成的扫描线121、前一扫描线122、发光控制线123和初始化电压线124，与扫描线121、前一扫描线122、发光控制线123和初始化电压线124相交且分别将数据信号Dm和驱动电压ELVDD施加至像素的数据线171和驱动电压线172。
另外，驱动晶体管T1、像素开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6、储能电容器Cst和有机发光二极管（OLED）形成于像素中。
驱动晶体管T1、像素开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6沿半导体层131（例如见图3）形成。半导体层131可以各种形状弯曲。半导体层131可由多晶硅或氧化物半导体制成。氧化物半导体可包括以钛（Ti）、铪（Hf）、锆（Zr）、铝（Al）、钽（Ta）、锗（Ge）、锌（Zn）、镓（Ga）、锡（Sn）、铟（In）为基础的氧化物以及它们的复合氧化物中的任一个，例如氧化锌（ZnO）、铟镓锌氧化物（InGaZnO4）、氧化铟锌（Zn-In-O）、氧化锡锌（Zn-Sn-O）、氧化镓铟（In-Ga-O）、氧化锡铟（In-Sn-O）、氧化锆铟（In-Zr-O）、铟锆锌氧化物（In-Zr-Zn-O）、铟锆锡氧化物（In-Zr-Sn-O）、铟锆镓氧化物（In-Zr-Ga-O）、氧化铝铟（In-Al-O）、铟锌铝氧化物（In-Zn-Al-O）、铟锡铝氧化物（In-Sn-Al-O）、铟铝镓氧化物（In-Al-Ga-O）、氧化钽铟（In-Ta-O）、铟钽锌氧化物（In-Ta-Zn-O）、铟钽锡氧化物（In-Ta-Sn-O）、铟钽镓氧化物（In-Ta-Ga-O）、氧化锗铟（In-Ge-O）、铟锗锌氧化物（In-Ge-Zn-O）、铟锗锡氧化物（In-Ge-Sn-O）、铟锗镓氧化物（In-Ge-Ga-O）、钛铟锌氧化物（Ti-In-Zn-O）和铪铟锌氧化物（Hf-In-Zn-O）。当半导体层131由氧化物半导体形成时，可添加单独的保护层以保护难以抗外部环境因素（例如，高温）的氧化物半导体。
半导体层131包括掺杂有N型杂质或P型杂质的沟道区、位于沟道区两侧且掺杂有与沟道区中掺杂的掺杂杂质具有相反类型的掺杂杂质的源区和漏区。
下文首先参考图2和图3详细描述根据第一示例性实施方式的有机发光二极管显示器的平坦表面结构，参考图4和图5详细描述其截面结构。
首先如图2和图3所示，根据第一示例性实施方式的有机发光二极管显示器的像素1包括驱动晶体管T1、开关晶体管T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5、发光控制晶体管T6、储能电容器Cst和有机发光二极管（OLED）。晶体管T1、T2、T3、T4、T5和T6沿半导体层131形成。半导体层131包括形成于驱动晶体管T1中的驱动半导体层131a、形成于开关晶体管T2中的开关半导体层131b、形成于补偿晶体管T3中的补偿半导体层131c、形成于初始化晶体管T4中的初始化半导体层131d、形成于操作控制晶体管T5中的操作控制半导体层131e和形成于发光控制晶体管T6中的发光控制半导体层131f。
驱动晶体管T1包括驱动半导体层131a、驱动栅电极125a、驱动源电极176a和驱动漏电极177a。
驱动半导体层131a可弯曲，可具有锯齿形，并且可为在平面视图中为细长“5”形。如上所述，通过形成弯曲形的驱动半导体层131a，长驱动半导体层131a可形成于窄空间中。由此，驱动半导体层131a的长驱动沟道区131a1可被形成为使得被施加至驱动栅电极125a的栅电压的驱动范围增大。由于栅电压的驱动范围增大，从有机发光二极管（OLED）发出的光的灰度可通过改变栅电压的幅度被更精细地控制。结果，可增加有机发光二极管显示器的分辨率并且可提高显示质量。通过改变驱动半导体层131a的形状，平面视图中的非线性形状的各种附加示例（例如，“己”、“S”、“M”和“W”形）是可能的。
驱动源电极176a对应于掺杂有驱动半导体层131a中的杂质的驱动源区176a，并且驱动漏电极177a对应于掺杂有驱动半导体层131a中的杂质的驱动漏区177a。驱动栅电极125a与驱动半导体层131a重叠并且可与扫描线121、前一扫描线122、发光控制线123、开关栅电极125b、补偿栅电极125c、初始化栅电极125d、操作控制栅电极125e和发光控制栅电极125f形成于同一层。
开关晶体管T2包括开关半导体层131b、开关栅电极125b、开关源电极176b和开关漏电极177b。开关源电极176b通过接触孔62连接至开关半导体层131b，同时通过接触孔72连接至数据线171。开关漏电极177b对应于掺杂有开关半导体层131b中的杂质的开关漏区177b。
补偿晶体管T3包括补偿半导体层131c、补偿栅电极125c、补偿源电极176c和补偿漏电极177c。补偿源电极176c对应于掺杂有补偿半导体层131c中的杂质的补偿源区176c，补偿漏电极177c对应于掺杂有杂质的补偿漏区177c。
初始化晶体管T4包括初始化半导体层131d、初始化栅电极125d、初始化源电极176d和初始化漏电极177d。初始化源电极176d通过接触孔64将初始化半导体层131d和初始化电压线124连接至彼此。初始化漏电极177d对应于掺杂有杂质的初始化漏区177d。
操作控制晶体管T5包括操作控制半导体层131e、操作控制栅电极125e、操作控制源电极176e和操作控制漏电极177e。操作控制源电极176e通过接触孔65连接至操作控制半导体层131e，同时通过接触孔75连接至驱动电压线172。操作控制漏电极177e对应于掺杂有操作控制半导体层131e中的杂质的操作控制漏区177e。
发光控制晶体管T6包括发光控制半导体层131f、发光控制栅电极125f、发光控制源电极176f和发光控制漏电极177f。发光控制源电极176f对应于掺杂有发光控制半导体层131f中的杂质的发光控制源区176f。发光控制漏电极177f通过接触孔66连接至发光控制半导体层131f，同时通过接触孔76连接至发光控制连接板178。
驱动晶体管T1的驱动半导体层131a的第一端连接至开关半导体层131b和补偿半导体层131c。驱动半导体层131a的第二端连接至操作控制半导体层131e和发光控制半导体层131f。因此，驱动源电极176a连接至开关漏电极177b和操作控制漏电极177e，并且驱动漏电极177a连接至补偿源电极176c和发光控制源电极176f。
储能电容器Cst包括第一储能电极174和第二储能电极179，第一储能电极174和第二储能电极179经由位于它们之间的第二层间绝缘层162被设置。第一储能电极174可与开关源电极176b、操作控制源电极176e和发光控制漏电极177f形成于同一层。作为驱动电压线172放大部分的第二储能电极179可由与数据线171和发光控制连接板178相同的材料形成。
第二层间绝缘层162可为介电材料，并且储能电容由被充入储能电容器Cst中的电荷和两个充电板174和172之间的电压确定。
第一储能电极174通过形成于第一层间绝缘层161和栅绝缘层140中的接触孔63连接至补偿漏电极177c，同时通过形成于第一层间绝缘层161中的接触孔61连接至驱动栅电极125a。第二储能电极179是驱动电压线172的放大部分。
由此，储能电容器Cst储存与通过第二驱动电压线172被传输至第二储能电极179的驱动电压ELVDD与驱动栅电极125a的栅电压之间的差对应的储能电容。
开关晶体管T2用作选择待发光的像素的开关二极管。开关栅电极125b连接至扫描线121，开关源电极176b连接至数据线171，以及开关漏电极177b连接至驱动晶体管T1和操作控制晶体管T5。发光控制晶体管T6的发光控制漏电极177f通过形成于第二层间绝缘层162中的接触孔76连接至发光控制连接板178。发光控制连接板178通过形成于保护层180中的接触孔81直接连接至有机发光二极管70的像素电极191。
下文参考图4和图5根据沉积顺序详细描述根据第一示例性实施方式的有机发光二极管显示器的结构。
在这种情况下，基于驱动晶体管T1、开关晶体管T2和发光控制晶体管T6描述晶体管的结构。此外，补偿晶体管T3和初始化晶体管T4具有与驱动晶体管T1几乎相同的沉积结构，操作控制晶体管T5具有与发光控制晶体管T6几乎相同的层压结构，因此不再进一步详细描述。
缓冲层120形成于衬底110上。衬底110可由例如玻璃、石英、陶瓷、塑料等制成的绝缘衬底形成。
第一半导体层131a和第二半导体层131b形成于缓冲层120上，第一半导体层131a和第二半导体层131b分别为驱动半导体层131a和开关半导体层131b。发光控制半导体层131f也形成于缓冲层120上。
驱动半导体层131a包括驱动沟道区131a1以及相互面对的驱动源区176a和驱动漏区177a，其中驱动沟道区131a1位于驱动源区176a与驱动漏区177a之间。开关半导体层131b包括开关沟道区131b1以及相互面对的开关源区132b和开关漏区177b，其中开关沟道区131b1位于开关源区132b与开关漏区177b之间。发光控制晶体管T6包括发光控制沟道区131f1、发光控制源区176f和发光控制漏区133f。
第一栅绝缘层140可形成于开关半导体层131a、驱动半导体层131b和发光控制半导体层131f上。第一栅绝缘层140可以是栅绝缘层140，并且可由氮化硅（SiNx）或氧化硅（SiO2）形成。
包括包含第二栅电极125b的扫描线121、前一扫描线122、包含发光控制栅电极125f的发光控制线123和第一栅电极125a的栅极布线121、122、123、125a、125b、125f可形成于栅绝缘层140上。第一栅电极125a为驱动栅电极125a，第二栅电极125b为开关栅电极125b。
第二绝缘层161形成于栅布线121、122、123、125b、125f和127、以及栅绝缘层140上。第二绝缘层161可为第一层间绝缘层161。
包括开关源电极176b、第一储能电极174和发光控制漏电极177f的第一数据布线174、176b和177f形成于第一层间绝缘层161上。第一储能电极174与驱动栅电极125a重叠。
开关源电极176b通过形成于第一层间绝缘层161和栅绝缘层140中的接触孔62连接至开关半导体层131b。第一储能电极174可通过形成于第一层间绝缘层161中的接触孔61连接至驱动栅电极125a。发光控制漏电极177f可通过形成于第一层间绝缘层161和栅绝缘层140中的接触孔66连接至发光控制半导体层131f。
第三绝缘层162形成于第一层间绝缘层161和第一数据布线174、176b和177f上。第三绝缘层162为第二层间绝缘层162。第一层间绝缘层161和第二层间绝缘层162可通过使用基于陶瓷的材料（例如，氮化硅（SiNx）或氧化硅（SiO2））形成。
包括数据线171、包含第二储能电极179的驱动电压线172、和发光控制连接板178的第二数据布线171、172、178和179形成于第二层间绝缘层162上。
数据线171通过形成于第二层间绝缘层162中的接触孔72连接至开关源电极176b。发光控制连接板178可通过形成于第二层间绝缘层162中的接触孔76连接至发光控制漏电极177f。第二储能电极179可与第一储能电极174重叠，其中第二层间绝缘层162位于它们之间。
如上所述，通过由驱动电压线172的放大部分形成第二储能电极179，驱动栅电极125a和储能电容器可由不同的层形成，从而驱动晶体管T1和储能电容器的尺寸可同时增大，由此提高图像质量。
覆盖第二数据布线171、172、178和179的保护层180形成于第二层间绝缘层162上。像素电极191可形成于保护层180上。像素电极191可通过保护层180中的接触孔81连接至发光控制连接板178。
势垒肋350形成于像素电极191和保护层180的边缘。势垒肋350可具有势垒肋开口351，像素电极191通过势垒肋开口351被暴露。势垒肋350可由树脂（例如，聚丙烯酸酯和聚酰亚胺、或硅基无机材料）制成。
有机发光层370形成于通过势垒肋开口351暴露的像素电极191上。公共电极270可形成于有机发光层370上。包括像素电极191、有机发光层370和公共电极270的有机发光二极管70可如上所述形成。
这里，像素电极191为充当空穴注入电极的阳极，公共电极270为充当电子注入电极的阴极。然而，示例性实施方式不限于此，根据有机发光二极管显示器的驱动方法，像素电极191可为阴极并且公共电极270可为阳极。空穴和电子从像素电极191和公共电极270被注入到有机发光层370中。当激子（即，注入的空穴和电子的组合）从激发态回迁基态时，发出光。
有机发光层370可由低分子量有机材料或高分子量有机材料（例如，PEDOT(聚-(3,4)-乙烯-二羟基噻吩)）形成。此外，有机发光层370可以是包括发光层、空穴注入层HIL、空穴传输层HLT、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的一个或多个的多层。当包括所有层时，空穴注入层HIL可被设置在作为阳极的像素电极191上，并且空穴传输层HTL、发光层、电子传输层ETL和电子注入层EIL可顺序地层叠在空穴注入层HIL上。
有机发光层370可包括发出红光的红色有机发光层、发出绿光的绿色有机发光层和发出蓝光的蓝色有机发光层。红色有机发光层、绿色有机发光层和蓝色有机发光层分别形成于红色像素、绿色像素和蓝色像素中以实现彩色图像。
可选地，有机发光层370可通过一起提供红色像素、绿色像素和蓝色像素中的红色有机发光层、绿色有机发光层和蓝色有机发光层、以及通过为每个像素形成红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片，来实现彩色图像。作为另一选择，可在红色像素、绿色像素和蓝色像素中均形成发出白光的白色有机发光层，并且可为每个像素形成红色滤光片、绿色滤光片和蓝色滤光片，来实现彩色图像。当使用白色有机发光层和彩色滤光片实现彩色图像时，不需要使用用于形成红色有机发光层、绿色有机发光层和蓝色有机发光层的沉积掩膜，这有利于提高分辨率。
在另一实施例中描述的白色有机发光层可由一个有机发光层形成，并且甚至可包括多个有机发光层被层压以发出白光的构造。例如，可包括至少一个黄色有机发光层和至少一个蓝色有机发光层组合以发出白色光的构造、至少一个蓝绿色有机发光层和至少一个红色有机发光层组合以发出白色光的构造、至少一个品红有机发光层和至少一个绿色有机发光层组合以发出白色光的构造等。
用于保护有机发光二极管70的密封构件（未示出）可形成于公共电极270上，可被衬底110上的密封剂密封，并且可由例如玻璃、石英、陶瓷、塑料和金属的各种材料形成。可不使用密封剂而通过在公共电极270上沉积无机层和有机层形成密封薄膜层。
在第一示例性实施方式中，驱动栅电极和开关栅电极可由相同的层形成。然而，为了通过增加驱动晶体管的尺寸来扩大驱动范围，驱动栅电极与开关栅电极形成于不同层上的第二示例性实施方式是可能的。
接下来，参考图6描述根据第二示例性实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器。图6示出了根据第二示例性实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器的截面视图。第二示例性实施方式基本与图1至图5所示的第一示例性实施方式相同，除了驱动晶体管之外，从而重复结构的描述被省略。
如图6所示，在根据第二示例性实施方式的有机发光二极管（OLED）显示器中，第一栅绝缘层141形成于开关半导体层131a、驱动半导体层131b和发光控制半导体层131f上。
包括包含开关栅电极125b的扫描线121、前一扫描线122、和包含发光控制栅电极125f的发光控制线123的第一栅布线121、122、123、125b和125f形成于第一栅绝缘层141上。
第二栅绝缘层142形成于第一栅布线121、122、123、125b和125f以及第一栅绝缘层141上。包括驱动栅电极125a的第二栅布线125a形成于第二栅绝缘层142上。
如上所述，第一栅绝缘层141和第二栅绝缘层142形成于驱动半导体层131a与驱动栅电极125a之间，以使得驱动半导体层131a与驱动栅电极125a之间的间隔增加。由此，为了显示整个灰度，被施加至驱动栅电极125a的栅电压的驱动范围增大。
当驱动晶体管和储能电容器的尺寸增大时，图像质量提高。当驱动晶体管的驱动栅电极和储能电容器形成于同一层时，当驱动晶体管的尺寸大时储能电容器的尺寸小，并且当储能电容器的尺寸大时驱动晶体管的尺寸小。
通过概括和回顾，实施方式涉及提供一种有机发光二极管（OLED）显示器，其中驱动晶体管和储能电容器的尺寸都增大，同时图像质量提高。具体地，驱动栅电极和储能电容器可形成于不同层上，例如，储能电容器的电极可以是驱动电压线的延伸，由此使驱动晶体管和储能电容器的尺寸增加，同时提高了图像质量。
另外，通过将驱动半导体层形成为非线性弯曲形状，长驱动半导体层可形成于窄空间中，使得被施加至驱动栅电极的栅电压的驱动范围可增加。因此，由于栅电压的驱动范围广，所以通过改变栅电压的幅度，从有机发光二极管（OLED）发出的光的灰度可更精细地被控制，结果可增加有机发光二极管显示器的分辨率并且可提高显示质量。
而且，通过在驱动晶体管的驱动栅电极与驱动半导体层之间形成第一栅绝缘层和第二栅绝缘层，驱动栅电极与驱动半导体层之间的间隔可增加，使得被施加至驱动晶体管的栅电压的驱动范围增大，由此表现充分的灰度。
本文公开了示例性实施方式，尽管采用具体的术语，但是它们仅以一般和描述意义使用和解释并且不用于限制。在一些示例中，本申请的本领域技术人员将理解，结合具体实施方式描述的特征、特性和/或元件可单独使用或与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件组合，除非另有具体说明。由此，本领域技术人员将理解，可进行各种形式和细节的改变而不背离权利要求中所述的本发明的精神和范围。
Claims (10)
1.一种有机发光二极管显示器，包括：
衬底；
第一半导体层和第二半导体层，彼此分离地位于所述衬底的相同表面上；
第一绝缘层，位于所述第一半导体层和所述第二半导体层上；
第一栅电极和第二栅电极，分别与所述第一半导体层和所述第二半导体层重叠；
第二绝缘层，位于所述第一栅电极和所述第二栅电极上；
第一储能电极，与所述第一栅电极重叠且位于所述第二绝缘层上；
第三绝缘层，位于所述第一储能电极上；
第二储能电极，与所述第一储能电极重叠且位于所述第三绝缘层上；以及
数据线和驱动电压线，与所述第二储能电极形成于同一层并且分别传输数据信号和驱动电压。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中
所述第一半导体层为驱动半导体层，所述第二半导体层为开关半导体层，所述第一栅电极为驱动栅电极，所述第二栅电极为开关栅电极，所述第一绝缘层为栅绝缘层，所述第二绝缘层为第一层间绝缘层，并且所述第三绝缘层为第二层间绝缘层。
3.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述驱动半导体层在平面视图中为非线性形状。
4.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中所述非线性形状为弯曲形。
5.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中所述非线性形状为锯齿形、细长的“5”形、“己”形、“S”形、“M”形和“W”形中的一个。
6.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中所述栅绝缘层包括：
第一栅绝缘层，覆盖所述第一半导体层和所述第二半导体层；以及
第二栅绝缘层，位于所述第一栅绝缘层上并且覆盖所述开关栅电极，其中所述驱动栅电极位于所述第二栅绝缘层上。
7.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二储能电极为所述驱动电压线的延伸。
8.如权利要求7所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一储能电极通过所述第一层间绝缘层中的接触孔连接至所述驱动栅电极。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器，还包括：
保护层，覆盖所述第二层间绝缘层和所述第二储能电极；以及
有机发光二极管，位于所述保护层上。
10.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器，其中所述驱动栅电极和所述开关栅电极位于所述第一绝缘层的相同表面上。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130044902A KR102060732B1 (ko) | 2013-04-23 | 2013-04-23 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR10-2013-0044902 | 2013-04-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104124264A CN104124264A (zh) | 2014-10-29 |
| CN104124264B true CN104124264B (zh) | 2018-11-13 |
Family
ID=51728345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410138809.0A Active CN104124264B (zh) | 2013-04-23 | 2014-04-08 | 有机发光二极管显示器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9425242B2 (zh) |
| KR (1) | KR102060732B1 (zh) |
| CN (1) | CN104124264B (zh) |
| TW (1) | TWI624037B (zh) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102318265B1 (ko) * | 2014-11-14 | 2021-10-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102326313B1 (ko) * | 2014-11-20 | 2021-11-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102422108B1 (ko) * | 2015-01-20 | 2022-07-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102373536B1 (ko) * | 2015-01-27 | 2022-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 비사각형 디스플레이 |
| KR102359349B1 (ko) * | 2015-02-03 | 2022-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN105097875A (zh) | 2015-06-11 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示器件、显示装置及其制作方法 |
| KR102433316B1 (ko) * | 2015-08-06 | 2022-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102351667B1 (ko) * | 2015-08-07 | 2022-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP6572738B2 (ja) * | 2015-10-30 | 2019-09-11 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電子機器、及び電気光学装置の駆動方法 |
| KR102543577B1 (ko) * | 2016-04-07 | 2023-06-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 트랜지스터 표시판, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR102615740B1 (ko) * | 2016-06-08 | 2023-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| JP6816994B2 (ja) | 2016-08-24 | 2021-01-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| KR20180099976A (ko) | 2017-02-27 | 2018-09-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102569666B1 (ko) * | 2017-11-07 | 2023-08-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
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| CN1976052A (zh) * | 2005-11-30 | 2007-06-06 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置及电子设备 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6825496B2 (en) * | 2001-01-17 | 2004-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP4137454B2 (ja) * | 2001-01-17 | 2008-08-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、電子機器及び発光装置の作製方法 |
| KR20040005260A (ko) | 2002-07-09 | 2004-01-16 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
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| JP2008287135A (ja) | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Sony Corp | 画素回路および表示装置 |
| KR20110036456A (ko) | 2009-10-01 | 2011-04-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자 |
-
2013
- 2013-04-23 KR KR1020130044902A patent/KR102060732B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-03-06 US US14/198,696 patent/US9425242B2/en active Active
- 2014-04-08 CN CN201410138809.0A patent/CN104124264B/zh active Active
- 2014-04-11 TW TW103113375A patent/TWI624037B/zh active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1976052A (zh) * | 2005-11-30 | 2007-06-06 | 精工爱普生株式会社 | 发光装置及电子设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140126861A (ko) | 2014-11-03 |
| KR102060732B1 (ko) | 2019-12-31 |
| TW201442215A (zh) | 2014-11-01 |
| US9425242B2 (en) | 2016-08-23 |
| TWI624037B (zh) | 2018-05-11 |
| US20140312326A1 (en) | 2014-10-23 |
| CN104124264A (zh) | 2014-10-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |