CN104115868A - 一种银离子硼硅化合物的合成及应用 - Google Patents

一种银离子硼硅化合物的合成及应用 Download PDF

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齐晓婧
李鹏飞
周靖仁
张秀华
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Abstract

一种银离子硼硅化合物的合成,该银离子硼硅化合物的主要成分为二氧化硅、氧化硼、氧化钠、三氧化二铝、碳化硅、硝酸银,具体的制备方法是:(1)将石英砂、硼砂、碳酸钠、碳化硅、三氧化二铝、硝酸银混合均匀,用研磨机研磨并通过分样筛筛选;(2)然后将筛过的混合粉末放入马弗炉高温烧结;(3)将上述所得银离子硼硅化合物放入退火炉中加热,保温,缓慢冷却,一种银离子硼硅化合物的应用,将银离子硼硅化合物制成小块,均匀分布放入循环冷却水预处理池或游泳池蓄水池中,就会在10h内杀死所有细菌、真菌、病毒、藻类等,并能使水中的碳酸钙、硅酸钙、硫酸钙盐沉积,使水中成垢盐的浓度降到50ppm以下。

Description

一种银离子硼硅化合物的合成及应用
技术领域
本发明涉及一种水处理技术,尤其涉及一种银离子硼硅化合物的合成及应用。
背景技术
两千多年前,古埃及人就知道用银片覆盖伤口来防止细菌感染,加速伤口愈合。蒙古牧民用银碗盛装羊奶使奶保鲜。19世纪末,人们研制出磺胺嘧啶银用来治疗烧伤,抑制绿脓菌和黄色葡萄球菌引起的感染。
随着科技发展,21世纪后,人们合成了各种广谱性杀菌材料。银的杀菌能力很强,含10-6银离子的水可杀灭水中常见的致病细菌,如大肠杆菌等。还可以杀灭乙肝病毒、白癣菌和黄曲霉等真菌。银被人们称之为“永久性强效杀菌剂”,每升水中只含亿分之二毫克银离子即可杀死水中大部分细菌。美国一科学家曾做过实验,将每毫升含7000大肠杆菌4.5升污水用银电极处理3h,大肠杆菌全部死亡。伤寒菌在银片上只能活18h,白喉菌只能活3天。
由于银离子杀菌性能极强,消耗量极小,且对人毫无任何伤害,所以近年来国内外科研人员在积极研制与开发各类银离子杀菌材料。日本三菱玻璃公司,新陶瓷公司、托尼化学公司、日本薄膜制造公司、石福金属公司、人造纤维公司等20多家和美国的海军部、约纳斯公司等10多家共获得30多项专利产品。这些杀菌材料广泛用作水净化杀菌、光纤维杀菌、杀菌树脂、杀菌陶瓷、杀菌泡塑包装材料、空气杀菌、医疗材料和海生防涂层等。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有诱导杀菌、阻垢于一体的一种银离子硼硅化合物的合成及应用。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:一种银离子硼硅化合物的合成,其特征在于,该银离子硼硅化合物的主要成分为二氧化硅、氧化硼、氧化钠、三氧化二铝、碳化硅、硝酸银,具体的制备方法是:
(1)将石英砂、硼砂、碳酸钠、碳化硅、三氧化二铝、硝酸银混合均匀,用研磨机研磨并通过分样筛筛选;
(2)然后将筛过的混合粉末放入马弗炉高温烧结;
(3)将上述所得银离子硼硅化合物放入退火炉中加热,保温,缓慢冷却。
此产品合成中,石英砂、硼砂、碳酸钠、碳化硅、三氧化二铝、硝酸银各组分的质量百分含量分别为15~30%,45~60%,10~25%,1~5%,1~5%,1~5%。
此产品合成中,各种组分研磨后的混合粉末通过100目筛。
此产品合成中,混合粉末在马弗炉中的烧结温度为1200~2000℃。
此产品合成中,混合粉末在马弗炉中的烧结时间为3~10h。
此产品合成中,所得银离子玻璃的退火温度为560~610℃。
此产品合成中,退火炉升温速度为20~40℃/min;退火炉保温时间为2~10min。
此产品合成中,具体的制备方法是:(1)将石英砂、硼砂、碳酸钠、碳化硅、三氧化二铝、硝酸银按照质量百分比23.6%,52.3%,16.7%,3.2%,1.2%,3.0%混合均匀用研磨机研磨,通过100目筛子筛选;(2)然后将筛过的混合粉末放入马弗炉于1680℃高温烧结5.0h,冷却室温;(3)将经过烧结的银离子硼硅化合物放入退火炉中,以25℃/min的速度加热至600±5℃,保持5min,然后以12℃/min的速度将至室温;(4)将上述所得银离子硼硅化合物制成小块,均匀放入循环冷却水预处理池或游泳池蓄水池中,就会在10h内杀死所有细菌、真菌、病毒、藻类等,并能使水中的碳酸钙、硅酸钙、硫酸钙等盐沉积,使水中成垢盐的浓度降到50ppm以下。
此产品合成中,退火炉的降温速度为10~30℃/min。
一种银离子硼硅化合物的应用,其特征在于:将银离子硼硅化合物制成小块,均匀分布放入循环冷却水预处理池或游泳池蓄水池中,就会在10h内杀死所有细菌、真菌、病毒、藻类等,并能使水中的碳酸钙、硅酸钙、硫酸钙盐沉积,使水中成垢盐的浓度降到50ppm以下。
本发明的优点效果在于:本发明一种银离子硼硅化合物的突出优异性为杀菌性能强,对人体无伤害;具有快速高效性每立方水体该发明产品0.1~10g,就能在10h内杀灭大肠杆菌、黄色葡萄球菌、乙肝病毒,吸附在死亡细菌体的银离子可以再次游离出来起到杀菌作用;能够诱导使水体中的钙、镁、钡等离子沉淀出来避免对循环系统造成结垢影响传热效果并引起垢下腐蚀。
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明:
实施例1(最佳实施例)
(1)  将石英砂、硼砂、碳酸钠、碳化硅、三氧化二铝、硝酸银按照质量百分比23.6%,52.3%,16.7%,3.2%,1.2%,3.0%混合均匀用研磨机研磨,通过100目筛子筛选;
(2)  然后将筛过的混合粉末放入马弗炉于1680℃高温烧结5.0h,冷却室温;
(3)  将经过烧结的银离子硼硅化合物放入退火炉中,以25℃/min的速度加热至600±5℃,保持5min,然后以12℃/min的速度将至室温;
(4)  将上述所得银离子硼硅化合物制成小块,均匀放入循环冷却水预处理池或游泳池蓄水池中,就会在10h内杀死所有细菌、真菌、病毒、藻类等,并能使水中的碳酸钙、硅酸钙、硫酸钙等盐沉积,使水中成垢盐的浓度降到50ppm以下。
实施例2
(1)  将石英砂、硼砂、碳酸钠、碳化硅、三氧化二铝、硝酸银按照质量百分比18.5%,47.8%,23.7%,4.6%,2.1%,3.3%混合均匀用研磨机研磨,通过100目筛子筛选;
(2)  然后将筛过的混合粉末放入马弗炉于1650℃高温烧结7.0h,冷却室温;
(3)  将经过烧结的银离子硼硅化合物放入退火炉中,以30℃/min的速度加热至600±5℃,保持5min,然后以30℃/min的速度将至室温;
(4)  将上述所得银离子硼硅化合物制成小块,均匀放入循环冷却水预处理池或游泳池蓄水池中,就会在10h内杀死所有细菌、真菌、病毒、藻类等,并能使水中的碳酸钙、硅酸钙、硫酸钙等盐沉积,使水中成垢盐的浓度降到50ppm以下。
实施例3
(1)  将石英砂、硼砂、碳酸钠、碳化硅、三氧化二铝、硝酸银按照质量百分比27.8%,38.5%,16.7%,3.2%,1.2%,3.0%混合均匀用研磨机研磨,通过100目筛子筛选;
(2)  然后将筛过的混合粉末放入马弗炉于1700℃高温烧结5.0h,冷却室温;
(3)  将经过烧结的银离子硼硅化合物放入退火炉中,以25℃/min的速度加热至600±5℃,保持5min,然后以15℃/min的速度将至室温;
(4)  将上述所得银离子硼硅化合物制成小块,均匀放入循环冷却水预处理池或游泳池蓄水池中,就会在10h内杀死所有细菌、真菌、病毒、藻类等,并能使水中的碳酸钙、硅酸钙、硫酸钙等盐沉积,使水中成垢盐的浓度降到50ppm以下。
实施例4
(1)  将石英砂、硼砂、碳酸钠、碳化硅、三氧化二铝、硝酸银按照质量百分比23.6%,52.3%,16.7%,3.2%,1.2%,3.0%混合均匀用研磨机研磨,通过100目筛子筛选;
(2)  然后将筛过的混合粉末放入马弗炉于1700℃高温烧结3.0h,冷却室温;
(3)  将经过烧结的银离子硼硅化合物放入退火炉中,以20℃/min的速度加热至580±5℃,保持8min,然后以25℃/min的速度将至室温;
(4)  将上述所得银离子硼硅化合物制成小块,均匀放入循环冷却水预处理池或游泳池蓄水池中,就会在10h内杀死所有细菌、真菌、病毒、藻类等,并能使水中的碳酸钙、硅酸钙、硫酸钙等盐沉积,使水中成垢盐的浓度降到50ppm以下。
实施例5
(1)  将石英砂、硼砂、碳酸钠、碳化硅、三氧化二铝、硝酸银按照质量百分比28.7%,46.3%,15.3%,3.2%,3.8%,2.7%混合均匀用研磨机研磨,通过100目筛子筛选;
(2)  然后将筛过的混合粉末放入马弗炉于1680℃高温烧结3.0h,冷却室温;
(3)  将经过烧结的银离子硼硅化合物放入退火炉中,以20℃/min的速度加热至580±5℃,保持5min,然后以20℃/min的速度将至室温;
(4)  将上述所得银离子硼硅化合物制成小块,均匀放入循环冷却水预处理池或游泳池蓄水池中,就会在10h内杀死所有细菌、真菌、病毒、藻类等,并能使水中的碳酸钙、硅酸钙、硫酸钙等盐沉积,使水中成垢盐的浓度降到50ppm以下。

Claims (10)

1.一种银离子硼硅化合物的合成,其特征在于,该银离子硼硅化合物的主要成分为二氧化硅、氧化硼、氧化钠、三氧化二铝、碳化硅、硝酸银,具体的制备方法是:
(1)将石英砂、硼砂、碳酸钠、碳化硅、三氧化二铝、硝酸银混合均匀,用研磨机研磨并通过分样筛筛选;
(2)然后将筛过的混合粉末放入马弗炉高温烧结;
(3)将上述所得银离子硼硅化合物放入退火炉中加热,保温,缓慢冷却。
2.根据权利要求1所述的一种银离子硼硅化合物的合成,其特征在于,石英砂、硼砂、碳酸钠、碳化硅、三氧化二铝、硝酸银各组分的质量百分含量分别为15~30%,45~60%,10~25%,1~5%,1~5%,1~5%。
3.根据权利要求2所述的一种银离子硼硅化合物的合成,其特征在于,各种组分研磨后的混合粉末通过100目筛。
4.根据权利要求3所述的一种银离子硼硅化合物的合成,其特征在于,混合粉末在马弗炉中的烧结温度为1200~2000℃。
5.根据权利要求4所述的一种银离子硼硅化合物的合成,其特征在于,混合粉末在马弗炉中的烧结时间为3~10h。
6.根据权利要求5所述的一种银离子硼硅化合物的合成,其特征在于,所得银离子玻璃的退火温度为560~610℃。
7.根据权利要求6所述的一种银离子硼硅化合物的合成,其特征在于,退火炉升温速度为20~40℃/min,退火炉保温时间为2~10min。
8.根据权利要求7所述的一种银离子硼硅化合物的合成,其特征在于,退火炉的降温速度为10~30℃/min。
9.根据权利要求1所述的一种银离子硼硅化合物的合成,其特征在于:具体的制备方法是:(1)将石英砂、硼砂、碳酸钠、碳化硅、三氧化二铝、硝酸银按照质量百分比23.6%,52.3%,16.7%,3.2%,1.2%,3.0%混合均匀用研磨机研磨,通过100目筛子筛选;(2)然后将筛过的混合粉末放入马弗炉于1680℃高温烧结5.0h,冷却室温;(3)将经过烧结的银离子硼硅化合物放入退火炉中,以25℃/min的速度加热至600±5℃,保持5min,然后以12℃/min的速度将至室温;(4)将上述所得银离子硼硅化合物制成小块,均匀放入循环冷却水预处理池或游泳池蓄水池中,就会在10h内杀死所有细菌、真菌、病毒、藻类等,并能使水中的碳酸钙、硅酸钙、硫酸钙等盐沉积,使水中成垢盐的浓度降到50ppm以下。
10.一种银离子硼硅化合物的应用,其特征在于:将银离子硼硅化合物制成小块,均匀分布放入循环冷却水预处理池或游泳池蓄水池中,就会在10h内杀死所有细菌、真菌、病毒、藻类,并能使水中的碳酸钙、硅酸钙、硫酸钙盐沉积,使水中成垢盐的浓度降到50ppm以下。
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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