CN104091840B - 一种选择性发射极太阳能电池 - Google Patents
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Abstract
一种选择性发射极太阳能电池，太阳能正面具有第一掺杂区域，第二重掺杂区，第二重掺杂区从第一掺杂区域的上表面向上垂直凸起，电极层设置于第二重掺杂区的侧壁上，并且在第二重掺杂区内部设置至少一个与位于第二重掺杂区侧壁的电极层平行的嵌入电极层，至少一个电极条沿与第二重掺杂区相交叉的方向延伸，并且在电极条与第二掺杂区域（3）和电极层相交叉的地方，电极条与第二掺杂区域（3）和电极层接触。本太阳能电池电极结构，能够取得减少正面反射，增强侧面反射，增强光生载流子的收集效率的效果，提高了太阳能电池的性能。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池，尤其是涉及一种选择性发射极太阳能电池。
背景技术
太阳能，是取之不竭、用之不尽的无污染、无动力绿色能源，因此太阳能电池技术是当前国际上最具潜力和现实意义的新能源产业，受到各国政府的高度重视，是各国科研机构的新能源研发重点；
对于常规生产用太阳能电池而言，想要获得较高的短路电流密度，则需要得到轻掺杂浓度和较浅的节深；而要获得较高的开路电压，则需要较高的表面掺杂浓度。同时，较高的掺杂浓度有利于获得较好的欧姆接触，减小电池的串联电阻。选择性发射极太阳能电池结构能够较好的平衡上述要求，但是以往的选择性发射极太阳能电池在光生载流子收集效率以及光吸收效率低的问题，甚至往往会出现由于表面浓度过高而出现“死层”的现象。
发明内容
本发明提供一种选择性发射极太阳能电池，该选择性发射极太阳能电池结构能够在整体上提高光吸收效率，光生载流子收集效率，避免表面死层现象；
本发明涉及了一种太阳能电池，尤其是一种选择性发射极太阳能电池，包括：
第一导电类型的矩形半导体基板，该基板具有第一表面和第二表面；
在第一表面上具有第二导电类型的第一掺杂区域，所述第一掺杂区域覆盖整个第一表面；
多个第二导电类型的第二掺杂区域，从所述第一表面垂直向上凸起，并沿着与基板的一个侧边平行的方向延伸，所述多个第二掺杂区域的掺杂浓度大于所述第一掺杂区域浓度；
背电场和背电极位于所述第二表面；
侧壁电极层，所述电极层与所述第二掺杂区域的侧壁接触；
本发明的另一个方面，还包括多个电极条，在第一表面上沿与第二掺杂区域延伸方向不同的方向延伸，并且在电极条与第二掺杂区域和电极层相交叉的地方，电极条与第二掺杂区域和电极层接触；
侧壁电极层完全覆盖第二掺杂区域的侧壁，但是在第二掺杂区域的上表面没有分布所述侧壁电极层；
进一步的，所述背电极为埋入式电极，并包括在所述第二表面沿着第一方向延伸的多条第一背电极。所述背电极还包括第二环形电极。所述第一背电极位于所述第二环形电极内，并且所述第一电极的两端与所述环形电极接触；
进一步的，本发发明的太阳能电池还包括：防反射膜，位于未被第二掺杂区域覆盖的第一掺杂区域和第二掺杂区域的上表面上，在第二掺杂区域侧壁的电极层没有所述防反射膜。所述防反射膜为双层结构，其中更靠近光照射的上层折射率大于下层；
本发明的另外一方面，嵌入电极层与侧壁电极层平行，并且其厚度等于或小于侧壁电极层，或者嵌入电极层设置成沿折线的方式延伸，并在折角处与侧壁电极层接触。
附图说明
图1 本发明的一个实施例的太阳能电池的立体示意图（未显示防反射层）；
图2 本发明的另一个实施例的太阳能电池的立体示意图（未显示防反射层）；
图3 图1中沿A-B方向的剖面图；
图4 本发明中的一个实施例的太阳能电池背电极平面图；
图5 图4中沿C-D方向的剖面图。
具体实施方式
为了使得本发明的目的和有益效果及优点变得更加直观和清除，以下将结合实施例和附图，来对本发明做进一步详细的说明。应当理解，此处提供的具体实施例仅是用以理解本发明，并不能限定本发明；
说明书中使用的“A层在B层之上”应理解为在位置关系上B层位于A层的更上层，但不能排除在A层和B层之间还具有额外的层；
本发明的一个实施例，请参考图1和图3，为制作太阳能电池，尤其是选择性发射极太阳能电池提供的矩形半导体基板（1），该基板（1）可以为N-型或者P-型单晶硅，多晶硅太阳能电池通用的基板，在形成太阳能电池前经过蚀刻清洗干净。该基板（1）具有第一表面(S1)和第二表面(S2)，第一表面(S1)为面对太阳光照射的表面，第二表面(2)为背对太阳光照射的表面。在第一表面(S1)处具有第一掺杂区域（2），第一掺杂区域（2）与基板（1）的掺杂类型相反，例如选用N-型基板是，该第一掺杂区域（2）为P型，第一掺杂区域（2）为连续的层状区域，布满整个基板（1）的第一表面(S1)，并且具有第一薄层电阻率；
与第一掺杂区域（2）接触的多个第二掺杂区域（3），从第一掺杂区域（2）的上表面（即第一表面）垂直向上凸起，并沿着与基板（1）的一个侧边平行的方向延伸，所述的延伸应当理解成具有很大的长宽比，即沿着延伸方向的第二掺杂区域（3）的长度与垂直于延伸方向的宽度和厚度之间的比值至少大于15:1。多个第二掺杂区域（3）与第一掺杂区域（2）具有相同的掺杂类型，并且具有比第一掺杂区域（2）更高的掺杂浓度，例如P+掺杂区。多个第二掺杂区域（3）具有与第一表面(S1)平行的上表面，并且具有比第一薄层电阻率更低的第二薄层电阻率；
在多个第二掺杂区域（3）的侧壁上，形成有侧壁电极层（41），该侧壁电极层（41）例如完全覆盖第二掺杂区域（3）的侧壁并与第二掺杂区域（3）的侧壁接触，但是在第二掺杂区域（3）的上表面没有分布电极层，上述所描述的第二掺杂区域（3）的侧壁是指沿着第二掺杂区域（3）延伸的且不与第一表面(S1)平行的侧壁，这样做的好处是以最大的限度减少电池光照面的反射作用。侧壁电极层为银浆或铝浆烧制而成或者通过电镀或者通过CVD的方式形成；
多个电极条（5），在第一表面(S1)上沿与第二掺杂区域（3）延伸方向不同的方向延伸。并且在电极条（5）与第二掺杂区域（3）和侧壁电极层（41）相交叉的地方，电极条（5）与第二掺杂区域（3）和侧壁电极层（41）接触。电极条（5）的上表面不高于第二掺杂区（3）的上表面，例如电极条（5）的上表面与第二掺杂区（3）的上表面在同一平面上或者电极条（5）的上表面低于第二掺杂区域（3）的上表面。由于侧壁电极层（41）的侧壁结构，侧壁电极层（41）—与电极条（5）的接触面积跟电极条（5）的宽度（即平行于第一表面且垂直于电极条延伸方向上的距离）没有关系。因此在不降低载流子收集效率的情况下，电极条（5）的宽度可以做的比常规的更窄，例如电极条（5）的高度（即第一表面至电极条上表面的距离）可以大于电极条的宽度，更优选的电极条（5）的宽度为电极条（5）高度的四分之一至八分之一。如此做的优点在于减小电池受光面的电极覆盖面积，增加光照面积；
参见图3，在未被第二掺杂区域（3）覆盖的第一掺杂区域（2）的表面和第二掺杂区域（3）的上表面沉积防反射膜（7）。在第二掺杂区域（3）侧壁的侧壁电极层（41）的侧壁上没有沉积防反射膜，这是因为覆盖在第二掺杂区域（3）侧壁的侧壁电极层（41）的侧壁有利于反射以一定角度照射到电极层上的阳光从而照射到电池的活性区以提高光吸收效率。防反射层（7）的材料可以为氮化硅，氧化硅，二氧化钛，并且可以被设置为双层结构，其中更靠近光照射的上层（71）折射率大于下层（72），这样做的好处是能够有效的利用以很大角度（例如60度以上）入射到太阳能电极光照面的光线，并且能够将已经入射到第一表面的光线锁定在高折射率层中不易反射出来。例如可以使用相同的材料但具有不同折射率的双层结构作为防反射层，也可以使用不同的材料作为双层结构的防反射层；
参见图4，图5，在基板（1）的第二表面（S2）形成背场层(BSF)以及烧结背电极(6)。背电极(6)可以为覆盖整个第二表面(S2)的电极层，也可以设置为埋入式电极，所述埋入式电极是指背电极(6)的任何表面都高于第二表面(S2)。背电极(6)包括沿着第一方向延伸的多条第一背电极(61)以及第二环形电极(62)。第一背电极(61)位于第二环形电极(62)内，并且第一背电极(61)的两端与第二环形电极（62）电接触，该背电极结构可通过在第二表面(S2)的沟槽中一次印刷银浆或铝浆并且一次烧结而成；
在另一个实施例中，在第二掺杂区域(3)的两个侧壁电极层（41）之间还可以设置一个或者多个嵌入电极层（42），该嵌入电极层（42）可以与侧壁电极层（41）平行，并且其厚度要等于或小于侧壁电极层（41）。为了增加光生载流子的迁徙移动效率。参见图2，在另外一个实施例中，在第二掺杂区域（3）的两个侧壁电极层（41）之间还可以设置一个沿折线的方式延伸的嵌入电极层（42）。该折线延伸的嵌入电极层（42）在折角处与侧壁电极层（41）接触，并且多条电极条（5）穿过该折角处。比起平行延伸的嵌入电极层只可以收集第二掺杂区域中沿侧壁电极层垂直方向迁徙移动的光生载流子来，折线型延伸的嵌入电极片不仅可以收集第二掺杂区域中沿侧壁电极层垂直方向迁徙移动的光生载流子也可以收集沿侧壁电极层平行方向迁徙移动的光生载流子；
对以上记载的本发明的理解应当站在本领域技术人员的角度。对以上发明的明显变形和要素替代而形成的技术方案都在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种太阳能电池，包括 ： 第一导电类型的矩形半导体基板，该基板具有第一表面和第二表面 ； 在第一表面上具有第二导电类型的第一掺杂区域，所述第一掺杂区域覆盖整个第一表 面 ； 多个第二导电类型的第二掺杂区域，从所述第一表面垂直向上凸起，并沿着与基板的 一个侧边平行的方向延伸，所述多个第二掺杂区域的掺杂浓度大于所述第一掺杂区域浓 度 ； 背电场和背电极位于所述第二表面 ； 侧壁电极层，所述电极层与所述第二掺杂区域的侧壁接触。
2.如权利要求 1 所述的太阳能电池，还包括 ：多个电极条，在第一表面上沿与第二掺杂 区域延伸方向不同的方向延伸，并且在电极条与第二掺杂区域和电极层相交叉的地方，电 极条与第二掺杂区域和电极层接触。
3.如权利要求 2 所述的太阳能电池，所述侧壁电极层完全覆盖第二掺杂区域的侧壁，但是在第二掺杂区域的上表面没有分布所述侧壁电极层。
4.如权利要求 1 所述的太阳能电池，所述背电极为埋入式电极，并包括在所述第二表面沿着第一方向延伸的多条第一背电极。
5.如权利要求 4 所述的太阳能电池，所述背电极还包括第二环形电极 ； 所述第一背电极位于所述第二环形电极内，并且所述第一背电极的两端与所述环形电极 接触。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008045813A2 (en) * | 2006-10-09 | 2008-04-17 | Soltaix, Inc. | Solar module structures and assembly methods for three-dimensional thin-film solar cells |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008045813A2 (en) * | 2006-10-09 | 2008-04-17 | Soltaix, Inc. | Solar module structures and assembly methods for three-dimensional thin-film solar cells |
| CN102034891A (zh) * | 2009-09-29 | 2011-04-27 | 益通光能科技股份有限公司 | 选择性射极结构的电极图形的对齐方法 |
| CN201927615U (zh) * | 2010-11-26 | 2011-08-10 | 财团法人工业技术研究院 | 选择性射极的太阳能电池 |
| CN103489938A (zh) * | 2012-06-13 | 2014-01-01 | 厦门索纳新能源有限公司 | 一种渐变结构的选择性发射极太阳电池及其制作方法 |
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