CN104064628A - 一种铜铟硒碲纳米线的制备方法 - Google Patents
一种铜铟硒碲纳米线的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104064628A CN104064628A CN201410308578.3A CN201410308578A CN104064628A CN 104064628 A CN104064628 A CN 104064628A CN 201410308578 A CN201410308578 A CN 201410308578A CN 104064628 A CN104064628 A CN 104064628A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solution
- tellurium
- acetate
- toluene
- tri octyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 144
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 80
- VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K diacetyloxyindiganyl acetate Chemical compound [In+3].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CC([O-])=O VBXWCGWXDOBUQZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims abstract description 52
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 48
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 33
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 107
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 84
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 56
- RFKZUAOAYVHBOY-UHFFFAOYSA-M copper(1+);acetate Chemical compound [Cu+].CC([O-])=O RFKZUAOAYVHBOY-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 50
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 43
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- DCERHCFNWRGHLK-UHFFFAOYSA-N C[Si](C)C Chemical compound C[Si](C)C DCERHCFNWRGHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 24
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 12
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 claims description 11
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims description 11
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 claims description 11
- 238000013019 agitation Methods 0.000 claims description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 238000006392 deoxygenation reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- ODZPKZBBUMBTMG-UHFFFAOYSA-N sodium amide Chemical compound [NH2-].[Na+] ODZPKZBBUMBTMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 4
- JZDQLZZQOAWSCG-UHFFFAOYSA-N aminobismuth Chemical compound [Bi]N JZDQLZZQOAWSCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 abstract 2
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 13
- SWMBQMGPRYJSCI-UHFFFAOYSA-N octylphosphane Chemical class CCCCCCCCP SWMBQMGPRYJSCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N copper indium Chemical compound [Cu].[In] HVMJUDPAXRRVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052622 kaolinite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000010748 Photoabsorption Effects 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000019771 cognition Effects 0.000 description 1
- -1 copper indium diselenide tellurium compound Chemical class 0.000 description 1
- UIPVMGDJUWUZEI-UHFFFAOYSA-N copper;selanylideneindium Chemical group [Cu].[In]=[Se] UIPVMGDJUWUZEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenezinc Chemical compound [Zn]=S WGPCGCOKHWGKJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
一种铜铟硒碲纳米线的制备方法,属于新一代薄膜太阳能电池材料技术领域,先分别制备铋纳米粒子的甲苯溶液和硒和碲前驱体溶液,然后在氮气保护下,将三辛基膦加热后加入铋纳米粒子的甲苯溶液,再加入含有乙酸铟、乙酸亚铜和硒的前驱体溶液,经反应后,再滴加含有乙酸铟、乙酸亚铜和碲的前驱体溶液,反应结束后冷却再加入甲苯,然后离心,取固相用甲苯离心洗涤后真空干燥,即得铜铟硒碲纳米线。本发明以金属铋纳米粒子为催化剂,采用铋纳米粒子的甲苯溶液,不但有效地控制铋纳米粒子的浓度,另一方面液态形式可以方便催化剂的取用。该方法工艺简便,可有效的控制多组分材料的化学计量比,获得大批量的高纯度的铜铟硒碲纳米线。
Description
技术领域
本发明属于新一代薄膜太阳能电池材料技术领域,具体涉及铜铟硒碲纳米线的制备方法。
背景技术
铜铟硒(CuInSe2, CIS)是一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体,具有黄铜矿、闪锌矿两个同素异形的晶体结构。铜铟硒是一种性能优良的薄膜太阳能电池材料,铜铟硒薄膜太阳能电池材料具有近似最佳的光学能隙,吸收率(吸收与入射光通量之比)高( 105cm–1),抗辐射能力强和长期稳定性好等特点。其能隙还可以通过 Ga 和 Al 部分取代 In,或 S 部分取代 Se 进行调节。铜铟硒薄膜太阳能电池属于技术集成度很高的化合物半导体光伏器件,由在玻璃或廉价的衬底上沉积多层薄膜而构成。薄膜总厚度约2~3μm,具有高转换效发,开始进入大规模产业化技术攻关。日本昭和石油公司创下了这种CIS 系薄膜太阳能电池率、低成本、无衰退等综合性能。德国、美国和日本已经完成了铜铟硒薄膜太阳能电池中试开转换效率的最高世界记录。面积为864cm2的转换效率为14.3%,面积为3560cm2的转换效率为13.4%。
铜铟硒碲(CuInSeyTe2-y, CIST)是一种四元的半导体化合物,其禁带宽度约为1.0 eV,与铜铟硒接近,具有很好的吸光性能,是一种潜在的薄膜太阳能电池材料。有关铜铟硒碲纳米线的制备方法尚未见报道。这主要是由于四元体系的生长,尤其是化学计量比比较难以控制,往往得到的是混合物,而不是纯的四元体系。
一维半导体纳米线的制备方法主要分为气相法和液相法,其中气相法需要较为昂贵的仪器设备,操作过程较为复杂,对原料浪费较为严重,不能有效的控制多组分的化学计量比,合成出的纳米线产量有限,这些都限制了材料制备的实际应用。与气相法相比,尤其是Solution-Liquid-Solid(简称SLS)方法具有仪器设备便宜,操作过程简便,可以有效的控制多组分材料的化学计量比,可以大批量的生产高质量的纳米线,满足商品化需要。SLS方法的原理是以低熔点的金属纳米粒子为催化剂(如:锡,铋),在高温下金属纳米粒子聚集为液态液滴,这些液滴将作为纳米线生长的液态核心。反应前驱体会不断的溶入液态液滴,当达到过饱和时,半导体晶枝就会从液滴中析出,在液滴的约束下,形成一维纳米线结构。同时液滴中前驱体浓度欠饱和,前驱体会溶入液滴中,提供晶枝继续生长,这样形成的纳米线可达到10微米。但是,利用SLS方法制备四元体系纳米线仍然是一个挑战,因为各组分的活性各不相同,可能形成多相混合体系,也可能生成的不是纳米线,因此,如何获得四元体系纳米线是一个值得探讨的课题。
发明内容
本发明的目的在于提出一种薄膜太阳能电池材料-铜铟硒碲纳米线的制备方法。
本发明包括以下步骤:包括以下步骤:
1)制备铋纳米粒子的甲苯溶液:
将双(三甲基硅基)氨基铋的四氢呋喃溶液和双(三甲基硅基)氨基钠的四氢呋喃溶液混合,形成含有铋前驱体的混合溶液;
在氮气保护下,将聚乙烯吡咯烷酮-十六烷嵌段共聚物和二苯醚混合,磁力搅拌并加热到180℃,形成反应体系;
将含有铋前驱体的混合溶液注入反应体系中,经反应30分钟后,冷却到室温,再加入甲醇后离心,用甲苯和甲醇分散和离心处理,将离心出的固相分散在甲苯中,形成铋纳米粒子的甲苯溶液;
2)制备硒和碲前驱体溶液:
在氮气保护下将碲粉溶解于三辛基膦中,形成碲含量为0.5~1 mol/L的碲的三辛基膦溶液;无氧条件下,将乙酸铟、乙酸亚铜、油酸和三辛基膦混合后,加入碲的三辛基膦溶液,形成含有乙酸铟、乙酸亚铜和碲的前驱体溶液;无氧条件下,将乙酸铟、乙酸亚铜、油酸和三辛基膦混合后,加入硒的三辛基膦溶液,形成含有乙酸铟、乙酸亚铜和硒的前驱体溶液;
本发明选用三辛基膦作为溶剂有三个优点:1. 三辛基膦是一个高沸点有机溶剂,本发明需要较高的反应温度,三辛基膦可以满足需要;2. 三辛基膦可以很好地溶解各种前驱体;3. 三辛基膦具有一定的还原性,可以保护反应物不被氧化。
3)制备铜铟硒碲纳米线:
在氮气保护下,将三辛基膦加热到340~360℃,保温条件下,加入铋纳米粒子的甲苯溶液,再加入含有乙酸铟、乙酸亚铜和硒的前驱体溶液,经反应后,再滴加含有乙酸铟、乙酸亚铜和碲的前驱体溶液,在反应体系温度为365~370℃的条件下反应至结束,经冷却再加入甲苯,然后离心,取固相用甲苯离心洗涤后真空干燥,即得铜铟硒碲纳米线。
根据反应原理,反应温度必须高于金属铋的熔点,也就是273.1 ℃以上,铋纳米粒子在反应体系中为液相,前驱体会溶于铋纳米粒子中,过饱和后长出晶枝线。但是对于铜铟碲纳米线的合成,在低于360℃时,由于其高的反应活性,铜铟碲会自动成核,形成纳米球状铜铟碲。温度高于370℃时,三辛基膦开始回流,因此本发明在此步骤时,先将三辛基膦加热到340~360℃,然后在保温条件下进行后续操作。
本发明以金属铋纳米粒子为催化剂,采用铋纳米粒子的甲苯溶液的优点是一方面可以有效地控制铋纳米粒子的浓度,另一方面液态形式可以方便催化剂的取用。该方法制备铜铟硒碲纳米线,仪器设备便宜,操作过程简便,可以有效的控制多组分材料的化学计量比,获得高纯度的铜铟硒碲纳米线,可以大批量的生产高质量的纳米线。
另外,本发明所述步骤3)中,所述铋纳米粒子的甲苯溶液中铋纳米粒子浓度为5~20 mg/mL。如铋纳米粒子浓度低于5mg/mL,反应物则会自发成核,不能形成纳米线;如铋纳米粒子浓度高于20 mg/mL,反应物前驱体在液态铋纳米粒子中的浓度过低,不能达到过饱和,生成晶枝和纳米线。所以铋纳米粒子浓度5~20 mg/mL最为适宜。
为了实现铋纳米粒子的甲苯溶液中铋纳米粒子浓度为5~20 mg/mL,具体方法是:步骤1)中,用于制备含有铋前驱体的混合溶液的所述双(三甲基硅基)氨基铋的四氢呋喃溶液中的双(三甲基硅基)氨基铋浓度为有1mol/L,所述双(三甲基硅基)氨基钠的四氢呋喃溶液中的双(三甲基硅基)氨基钠浓度为1mol/L,所述双(三甲基硅基)氨基铋的四氢呋喃溶液与双(三甲基硅基)氨基钠的四氢呋喃溶液的混合投料体积比为1︰4。此体积比主要是为了控制铋被还原的速率,获得粒径可控的纳米粒子。
步骤1)中,所述聚乙烯吡咯烷酮-十六烷嵌段共聚物和二苯醚的混合质量比为1︰3。此投料比保证聚乙烯吡咯烷酮-十六烷嵌段共聚物可以完全溶解在二苯醚,且维持嵌段共聚物在反应体系中适宜的浓度。
为了获得适宜的反应物浓度,获得粒径可控的铋纳米粒子,步骤1)中,所述双(三甲基硅基)氨基铋的四氢呋喃溶液与聚乙烯吡咯烷酮-十六烷嵌段共聚物的混合比为0.5 mL︰5 g。
步骤2)中,在氮气气氛下,将乙酸铟、乙酸亚铜、油酸和三辛基膦经磁力搅拌混合并加热至90~110℃,经保温除氧,再冷却至常温后加入碲的三辛基膦溶液,所述乙酸铟、乙酸亚铜和碲的混合摩尔比为1︰1︰2。
所述步骤2)中,在氮气气氛下,将乙酸铟、乙酸亚铜、油酸和三辛基膦经磁力搅拌混合并加热至90~110℃,经保温除氧,再冷却至常温后加入硒的三辛基膦溶液,所述乙酸铟、乙酸亚铜和硒的混合摩尔比为1︰1︰2。
所述步骤2)中,所述碲的三辛基膦溶液和所述硒的三辛基膦溶液的投料摩尔比为1︰3~5。
所述步骤3)中,所述三辛基膦和所述铋纳米粒子的甲苯溶液的投料体积比为10︰0.1~0.5。
为了保证干燥过程没有氧气吸附在材料表面,避免其影响材料的光电转换性能,本发明在所述步骤3)中,所述真空干燥的温度条件是50℃、真空度为 -0.1MPa~-0.3MPa。
附图说明
图1、2分别为采用本发明方法制备的铜铟硒碲纳米线的透射电镜图。
图3为采用本发明方法制备的铜铟硒碲纳米线的扫描电镜图。
图4为采用本发明方法制备的铜铟硒碲纳米线的X-射线粉末衍射图。
图5为采用本发明方法制备的铜铟硒碲纳米线的元素分布图。
图6为采用本发明方法制备的铜铟硒碲纳米线组装成薄膜太阳能电池的伏安特性曲线。
具体实施方式
一、为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合实施例对本发明进行详细地说明。
实施例1
1、制备催化剂——铋纳米粒子的甲苯溶液:
将0.5 mL、双(三甲基硅基)氨基铋含量为的1mol/L双(三甲基硅基)氨基铋的四氢呋喃溶液和2mL、双(三甲基硅基)氨基钠含量为1mol/L的双(三甲基硅基)氨基钠的四氢呋喃溶液混合,形成含有铋前驱体的混合溶液,并置于注射器中。
另取5g聚乙烯吡咯烷酮-十六烷嵌段共聚物和15 g二苯醚在氮气保护下,磁力搅拌并加热到180℃,形成反应体系。
将含有铋前驱体的混合溶液注射到反应体系中,溶液迅速变色,变为黑色。经反应30分钟后,移去热源,冷却到室温后,再加入30mL 甲醇后离心,用甲苯和甲醇的混合溶剂重复循环地进行分散、离心操作3~4次后,将最后一次离心后的相固产品分散在甲苯中,形成铋纳米粒子的甲苯溶液。
经测试,铋纳米粒子的甲苯溶液中铋纳米粒子的浓度为5 mg/mL。采用透射电子显微镜方法测试,铋纳米粒子的直径为15 ± 1 nm。
2、制备反应前驱体:
称取固体硒粉0.79g,在氮气保护下,将其全部溶解于20 mL三辛基膦中,形成硒的前驱体溶液中硒浓度为0.5mol/L。
称取固体碲粉1.28g,在氮气保护下,将其全部溶解于20 mL三辛基膦中,形成碲的前驱体溶液中碲浓度为0.5mol/L。
将0.73 g乙酸铟、0.305乙酸亚铜、1 mL油酸和9mL三辛基膦混合,在氮气气氛下磁力搅拌并加热,温度维持在90~110℃,经30分钟充分除氧。然后,移去热源,将混合溶液冷却到室温。混合溶液中乙酸铟和乙酸亚铜的浓度分别为0.25 mol/L。
取混合溶液2.5 mL和硒的前驱体溶液2.5 mL置于一个注射器中,即为含有乙酸铟、乙酸亚铜和硒的前驱体溶液,此前驱体溶液中乙酸铟、乙酸亚铜和单质硒的摩尔比为1:1:2。
另取混合溶液0.5 mL和碲的前驱体溶液0.5 mL置于另一个注射器中,即为含有乙酸铟、乙酸亚铜和碲的前驱体溶液,此前驱体溶液中乙酸铟、乙酸亚铜和单质碲的摩尔比为1:1:2。
3、制备铜铟硒碲纳米线:
在氮气保护下,将10mL三辛基膦于容器中加热到360℃。然后,取0.5 mL铋纳米粒子的甲苯溶液迅速注射到三辛基膦中,然后先注入5mL含有乙酸铟、乙酸亚铜和硒的前驱体溶液,反应5分钟后,将体系温度上升至370℃,再将滴加1mL含有乙酸铟、乙酸亚铜和碲的前驱体溶液,再反应5分钟后移去热源,将体系温度冷却到70~90℃,再向体系中注入10mL甲苯,然后离心,再用甲苯反复洗涤产品,取得固相在50℃、真空度为-0.3MPa的条件下干燥,取得铜铟硒碲纳米线。
本步骤中含有乙酸铟、乙酸亚铜和硒的前驱体溶液中的硒和含有乙酸铟、乙酸亚铜和碲的前驱体溶液中的碲的摩尔比为5︰1。
实施例2
1、制备催化剂——铋纳米粒子的甲苯溶液:
将0.5mL、双(三甲基硅基)氨基铋含量为的1mol/L双(三甲基硅基)氨基铋的四氢呋喃溶液和2mL、双(三甲基硅基)氨基钠含量为1mol/L的双(三甲基硅基)氨基钠的四氢呋喃溶液混合,形成含有铋前驱体的混合溶液,并置于注射器中。
另取5g 聚乙烯吡咯烷酮-十六烷嵌段共聚物和15 g二苯醚在氮气保护下,磁力搅拌并加热到180℃,形成反应体系。
将含有铋前驱体的混合溶液注射到反应体系中,溶液迅速变色,变为黑色。经反应30分钟后,移去热源,冷却到室温后,再加入30mL 甲醇后离心,用甲苯和甲醇的混合溶剂重复循环地进行分散、离心操作3~4次后,将最后一次离心后的相固产品分散在甲苯中,形成铋纳米粒子的甲苯溶液。
经测试,铋纳米粒子的甲苯溶液中铋纳米粒子的浓度为10 mg/mL。采用透射电子显微镜方法测试,铋纳米粒子的直径为15 ± 1 nm。
2、制备反应前驱体:
称取固体硒粉0.79g,在氮气保护下,将其全部溶解于20 mL三辛基膦中,形成硒的前驱体溶液中硒浓度为0.5mol/L。
称取固体碲粉1.28g,在氮气保护下,将其全部溶解于20 mL三辛基膦中,形成碲的前驱体溶液中碲浓度为0.5mol/L。
将0.73 g乙酸铟、0.305乙酸亚铜、1 mL油酸和9mL三辛基膦混合,在氮气气氛下磁力搅拌并加热,温度维持在90~110℃,经30分钟充分除氧。然后,移去热源,将混合溶液冷却到室温。混合溶液中乙酸铟和乙酸亚铜的浓度分别为0.25 mol/L。
取混合溶液4 mL和硒的前驱体溶液4 mL置于一个注射器中,即为含有乙酸铟、乙酸亚铜和硒的前驱体溶液,此前驱体溶液中乙酸铟、乙酸亚铜和单质硒的摩尔比为1:1:2。
另取混合溶液1mL和碲的前驱体溶液1mL置于另一个注射器中,即为含有乙酸铟、乙酸亚铜和碲的前驱体溶液,此前驱体溶液中乙酸铟、乙酸亚铜和单质碲的摩尔比为1:1:2。
3、制备铜铟硒碲纳米线:
在氮气保护下,将10mL三辛基膦于容器中加热到360℃。然后,取0.25 mL铋纳米粒子的甲苯溶液迅速注射到三辛基膦中,然后先注入8mL含有乙酸铟、乙酸亚铜和硒的前驱体溶液,反应5分钟后,将体系温度上升至365℃,再将滴加2mL含有乙酸铟、乙酸亚铜和碲的前驱体溶液,再反应10分钟后移去热源,将体系温度冷却到70~90℃,再向体系中注入10mL甲苯,然后离心,再用甲苯反复洗涤产品,取得固相在50℃、真空度为-0.2MPa的条件下干燥,取得铜铟硒碲纳米线。
本步骤中含有乙酸铟、乙酸亚铜和硒的前驱体溶液中的硒和含有乙酸铟、乙酸亚铜和碲的前驱体溶液中的碲的摩尔比为4︰1。
实施例3
1、制备催化剂——铋纳米粒子的甲苯溶液:
将0.5mL、双(三甲基硅基)氨基铋含量为的1mol/L双(三甲基硅基)氨基铋的四氢呋喃溶液和2mL、双(三甲基硅基)氨基钠含量为1mol/L的双(三甲基硅基)氨基钠的四氢呋喃溶液混合,形成含有铋前驱体的混合溶液,并置于注射器中。
另取5g 聚乙烯吡咯烷酮-十六烷嵌段共聚物和15 g二苯醚在氮气保护下,磁力搅拌并加热到180℃,形成反应体系。
将含有铋前驱体的混合溶液注射到反应体系中,溶液迅速变色,变为黑色。经反应30分钟后,移去热源,冷却到室温后,再加入30mL 甲醇后离心,用甲苯和甲醇的混合溶剂重复循环地进行分散、离心操作3~4次后,将最后一次离心后的相固产品分散在甲苯中,形成铋纳米粒子的甲苯溶液。
经测试,铋纳米粒子的甲苯溶液中铋纳米粒子的浓度为15 mg/mL。采用透射电子显微镜方法测试,铋纳米粒子的直径为15 ± 1 nm。
2、制备反应前驱体:
称取固体硒粉1.58g,在氮气保护下,将其全部溶解于20 mL三辛基膦中,形成硒的前驱体溶液中硒浓度为1mol/L。
称取固体碲粉2.55g,在氮气保护下,将其全部溶解于20 mL三辛基膦中,形成碲的前驱体溶液中碲浓度为1mol/L。
将1.46 g乙酸铟、0.61乙酸亚铜、1 mL油酸和9 mL三辛基膦混合,在氮气气氛下磁力搅拌并加热,温度维持在90~110℃,经30分钟充分除氧。然后,移去热源,将混合溶液冷却到室温。混合溶液中乙酸铟和乙酸亚铜的浓度分别为0.5 mol/L。
取混合溶液3mL和硒的前驱体溶液3 mL置于一个注射器中,即为含有乙酸铟、乙酸亚铜和硒的前驱体溶液,此前驱体溶液中乙酸铟、乙酸亚铜和单质硒的摩尔比为1:1:2。
另取混合溶液1mL和碲的前驱体溶液1mL置于另一个注射器中,即为含有乙酸铟、乙酸亚铜和碲的前驱体溶液,此前驱体溶液中乙酸铟、乙酸亚铜和单质碲的摩尔比为1:1:2。
3、制备铜铟硒碲纳米线:
在氮气保护下,将10mL三辛基膦于容器中加热到360℃。然后,取0.2 mL铋纳米粒子的甲苯溶液迅速注射到三辛基膦中,然后先注入6mL含有乙酸铟、乙酸亚铜和硒的前驱体溶液,反应5分钟后,将体系温度上升至370℃,再将滴加2mL含有乙酸铟、乙酸亚铜和碲的前驱体溶液,再反应15分钟后移去热源,将体系温度冷却到70~90℃,再向体系中注入10mL甲苯,然后离心,再用甲苯反复洗涤产品,取得固相在50℃、真空度为-0.1MPa的条件下干燥,取得铜铟硒碲纳米线。
本步骤中含有乙酸铟、乙酸亚铜和硒的前驱体溶液中的硒和含有乙酸铟、乙酸亚铜和碲的前驱体溶液中的碲的摩尔比为3︰1。
二、验证效果:
图1、2分别为采用本发明方法制备的铜铟硒碲纳米线的透射电镜图。从图可见:本发明方法所制备的产品为纳米线,长度在几微米,直径在35纳米左右。
图3为采用本发明方法制备的铜铟硒碲纳米线的扫描电镜图。从图可见:所制备产品为纳米线。
图4为采用本发明方法制备的铜铟硒碲纳米线的X-射线粉末衍射图。1号曲线为铜铟硒纳米线的X-射线粉末衍射图;2号曲线为铜铟碲纳米线的X-射线粉末衍射图;3号曲线为铜铟硒碲纳米线的X-射线粉末衍射图;竖线为铜铟硒碲化合物标准谱图中的特征衍射峰位置。
由图4可见:本发明方法所制备样品为纯的铜铟硒碲(CuInSeyTe2-y),不是铜铟硒与铜铟碲的混合物。
图5为采用本发明方法制备的铜铟硒碲纳米线的元素分布图。证实纳米线的组成为铜、铟、硒、碲,四者的原子比为1:1:1:1。
三、应用效果:
如图6所示,为将本发明方法制备的铜铟硒碲纳米线组装成薄膜太阳能电池的伏安特性曲线曲线a代表了全暗情况下太阳能电池外加偏压时的伏安特性曲线,曲线b代表了恒定光照下太阳能电池无偏压时的伏安特性曲线。
利用以上方法制备的铜铟硒碲纳米线组装成薄膜太阳能电池,经检测该电池具有光电响应,光电转换效率为1.11%,开路电压为0.413V,说明采用本方法制备的铜铟硒碲纳米线可以作为光电转换材料,应用于薄膜太阳能电池,具有一定的潜在应用价值,通过电池制备工艺的改进,可以进一步提高电池的光电转换效率。
Claims (10)
1.一种铜铟硒碲纳米线的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)制备铋纳米粒子的甲苯溶液:
将双(三甲基硅基)氨基铋的四氢呋喃溶液和双(三甲基硅基)氨基钠的四氢呋喃溶液混合,形成含有铋前驱体的混合溶液;
在氮气保护下,将聚乙烯吡咯烷酮-十六烷嵌段共聚物和二苯醚混合,磁力搅拌并加热到180℃,形成反应体系;
将含有铋前驱体的混合溶液注入反应体系中,经反应30分钟后,冷却到室温,再加入甲醇后离心,用甲苯和甲醇分散和离心处理,将离心出的固相分散在甲苯中,形成铋纳米粒子的甲苯溶液;
2)制备硒和碲前驱体溶液:
在氮气保护下将碲粉溶解于三辛基膦中,形成碲含量为0.5~1 mol/L的碲的三辛基膦溶液;无氧条件下,将乙酸铟、乙酸亚铜、油酸和三辛基膦混合后,加入碲的三辛基膦溶液,形成含有乙酸铟、乙酸亚铜和碲的前驱体溶液;无氧条件下,将乙酸铟、乙酸亚铜、油酸和三辛基膦混合后,加入硒的三辛基膦溶液,形成含有乙酸铟、乙酸亚铜和硒的前驱体溶液;
3)制备铜铟硒碲纳米线:
在氮气保护下,将三辛基膦加热到340~360℃,保温条件下,加入铋纳米粒子的甲苯溶液,再加入含有乙酸铟、乙酸亚铜和硒的前驱体溶液,经反应后,再滴加含有乙酸铟、乙酸亚铜和碲的前驱体溶液,在反应体系温度为365~370℃的条件下反应至结束,经冷却再加入甲苯,然后离心,取固相用甲苯离心洗涤后真空干燥,即得铜铟硒碲纳米线。
2. 根据权利要求1所述的制备方法,所述步骤3)中,所述铋纳米粒子的甲苯溶液中铋纳米粒子浓度为5~20 mg/mL。
3. 根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于步骤1)中,用于制备含有铋前驱体的混合溶液的所述双(三甲基硅基)氨基铋的四氢呋喃溶液中的双(三甲基硅基)氨基铋浓度为有1mol/L,所述双(三甲基硅基)氨基钠的四氢呋喃溶液中的双(三甲基硅基)氨基钠浓度为1mol/L,所述双(三甲基硅基)氨基铋的四氢呋喃溶液与双(三甲基硅基)氨基钠的四氢呋喃溶液的混合投料体积比为1︰4。
4. 根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于步骤1)中,所述聚乙烯吡咯烷酮-十六烷嵌段共聚物和二苯醚的混合质量比为1︰3。
5. 根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于步骤1)中,所述双(三甲基硅基)氨基铋的四氢呋喃溶液与聚乙烯吡咯烷酮-十六烷嵌段共聚物的混合比为0.5 mL︰5 g。
6. 根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述步骤2)中,在氮气气氛下,将乙酸铟、乙酸亚铜、油酸和三辛基膦经磁力搅拌混合并加热至90~110℃,经保温除氧,再冷却至常温后加入碲的三辛基膦溶液,所述乙酸铟、乙酸亚铜和碲的混合摩尔比为1︰1︰2。
7. 根据权利要求1或6所述的制备方法,其特征在于所述步骤2)中,在氮气气氛下,将乙酸铟、乙酸亚铜、油酸和三辛基膦经磁力搅拌混合并加热至90~110℃,经保温除氧,再冷却至常温后加入硒的三辛基膦溶液,所述乙酸铟、乙酸亚铜和硒的混合摩尔比为1︰1︰2。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于所述步骤2)中,所述碲的三辛基膦溶液和所述硒的三辛基膦溶液的投料摩尔比为1︰3~5。
9. 根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述步骤3)中,所述三辛基膦和所述铋纳米粒子的甲苯溶液的投料体积比为10︰0.1~0.5。
10. 根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于所述步骤3)中,所述真空干燥的温度条件是50℃、真空度为 -0.1MPa~-0.3MPa。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410308578.3A CN104064628B (zh) | 2014-07-01 | 2014-07-01 | 一种铜铟硒碲纳米线的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201410308578.3A CN104064628B (zh) | 2014-07-01 | 2014-07-01 | 一种铜铟硒碲纳米线的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104064628A true CN104064628A (zh) | 2014-09-24 |
CN104064628B CN104064628B (zh) | 2016-07-06 |
Family
ID=51552252
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410308578.3A Active CN104064628B (zh) | 2014-07-01 | 2014-07-01 | 一种铜铟硒碲纳米线的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104064628B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109748250A (zh) * | 2019-02-27 | 2019-05-14 | 深圳大学 | 一种碲硒纳米材料及其制备方法和应用 |
CN111534834A (zh) * | 2020-03-19 | 2020-08-14 | 中国科学技术大学 | 一种抗腐蚀的光阳极复合材料及其制备方法 |
CN112024904A (zh) * | 2020-09-01 | 2020-12-04 | 南开大学 | 一种数码可控打印铜纳米导线的方法 |
CN113643902A (zh) * | 2021-08-11 | 2021-11-12 | 电子科技大学长三角研究院(湖州) | 一种铜铟硒碲/硫化镉核壳结构量子点及其制备方法与光阳极的制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01298011A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Mitsubishi Metal Corp | 金属テルル化物の製造方法 |
CN101700871A (zh) * | 2009-10-26 | 2010-05-05 | 中国科学技术大学 | 铜铟硒纳米线阵列及其制备方法与应用 |
CN102208487A (zh) * | 2011-04-22 | 2011-10-05 | 西安交通大学 | 铜铟硒纳米晶/硫化镉量子点/氧化锌纳米线阵列纳米结构异质结的制备方法 |
CN103213956A (zh) * | 2013-02-25 | 2013-07-24 | 上海理工大学 | 一种具有黄铜矿结构的CuInSe2以及CuIn1-xGaxSe2纳米颗粒的制备方法 |
CN103390692A (zh) * | 2013-07-09 | 2013-11-13 | 山东建筑大学 | 一种制备铜铟碲薄膜的方法 |
-
2014
- 2014-07-01 CN CN201410308578.3A patent/CN104064628B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01298011A (ja) * | 1988-05-26 | 1989-12-01 | Mitsubishi Metal Corp | 金属テルル化物の製造方法 |
CN101700871A (zh) * | 2009-10-26 | 2010-05-05 | 中国科学技术大学 | 铜铟硒纳米线阵列及其制备方法与应用 |
CN102208487A (zh) * | 2011-04-22 | 2011-10-05 | 西安交通大学 | 铜铟硒纳米晶/硫化镉量子点/氧化锌纳米线阵列纳米结构异质结的制备方法 |
CN103213956A (zh) * | 2013-02-25 | 2013-07-24 | 上海理工大学 | 一种具有黄铜矿结构的CuInSe2以及CuIn1-xGaxSe2纳米颗粒的制备方法 |
CN103390692A (zh) * | 2013-07-09 | 2013-11-13 | 山东建筑大学 | 一种制备铜铟碲薄膜的方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109748250A (zh) * | 2019-02-27 | 2019-05-14 | 深圳大学 | 一种碲硒纳米材料及其制备方法和应用 |
CN109748250B (zh) * | 2019-02-27 | 2022-06-28 | 深圳大学 | 一种碲硒纳米材料及其制备方法和应用 |
CN111534834A (zh) * | 2020-03-19 | 2020-08-14 | 中国科学技术大学 | 一种抗腐蚀的光阳极复合材料及其制备方法 |
CN111534834B (zh) * | 2020-03-19 | 2021-12-14 | 中国科学技术大学 | 一种抗腐蚀的光阳极复合材料及其制备方法 |
CN112024904A (zh) * | 2020-09-01 | 2020-12-04 | 南开大学 | 一种数码可控打印铜纳米导线的方法 |
CN113643902A (zh) * | 2021-08-11 | 2021-11-12 | 电子科技大学长三角研究院(湖州) | 一种铜铟硒碲/硫化镉核壳结构量子点及其制备方法与光阳极的制备方法 |
CN113643902B (zh) * | 2021-08-11 | 2023-01-20 | 电子科技大学长三角研究院(湖州) | 一种铜铟硒碲/硫化镉核壳结构量子点及其制备方法与光阳极的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104064628B (zh) | 2016-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Du et al. | Enhanced efficiency and stability of planar perovskite solar cells by introducing amino acid to SnO2/perovskite interface | |
Yang et al. | Ink Engineering in Blade‐Coating Large‐Area Perovskite Solar Cells | |
KR101129194B1 (ko) | 고밀도를 갖는 태양전지용 cis계 화합물 박막의 제조방법 및 상기 cis계 화합물 박막을 이용한 박막 태양전지의 제조방법 | |
Mahapatra et al. | Recent progress in perovskite solar cells: challenges from efficiency to stability | |
TW201334197A (zh) | 併入矽奈米粒子墨水之結構、得自奈米粒子矽沉積物之緻密矽材料及對應方法 | |
CN102326260A (zh) | 铜铁矿铜透明p型半导体的制造方法及应用 | |
CN104064628B (zh) | 一种铜铟硒碲纳米线的制备方法 | |
CN103460345A (zh) | 具有由掺杂硅墨水形成的掺杂表面触点的硅衬底和相应的方法 | |
Zhang et al. | A general strategy to prepare high-quality inorganic charge-transporting layers for efficient and stable all-layer-inorganic perovskite solar cells | |
KR101848460B1 (ko) | 구리 셀레나이드 나노 입자의 제조 | |
CN105793365B (zh) | 具有高无裂纹极限的cigs纳米粒子墨水制剂 | |
CN108054284A (zh) | 一种大晶粒钙钛矿薄膜的制备方法 | |
US9249017B2 (en) | Nanowires and methods of making and using | |
Dong et al. | Colloidally stable selenium@ copper selenide core@ shell nanoparticles as selenium source for manufacturing of copper–indium–selenide solar cells | |
CN107919403A (zh) | 一种高效硒碲化镉合金纳米晶太阳电池及其制备方法 | |
Wu et al. | Tutorial: Lead sulfide colloidal quantum dot infrared photodetector | |
CN105742384A (zh) | 一种卤素掺杂的铅氧族化合物纳米晶及其制备方法和用途 | |
Li et al. | Recent progress on synthesis, intrinsic properties and optoelectronic applications of perovskite single crystals | |
Jiang et al. | Inserting an intermediate band in Cu-and Ag-based Kesterite compounds by Sb doping: a first-principles study | |
Hu et al. | Functional 2D Phases in Mixed Dimensional Perovskite Photovoltaics | |
Jang et al. | Recent Advances in Wide Bandgap Perovskite Solar Cells: Focus on Lead‐Free Materials for Tandem Structures | |
CN110808335B (zh) | 一种择优取向生长的锡铅二元钙钛矿薄膜的制备方法及应用 | |
CN104057101B (zh) | 一种催化制备铜铟碲纳米线的方法 | |
CN115287057A (zh) | 硫化铅量子点制备方法、近红外太阳能电池、光电探测器 | |
Min et al. | Fabrication and characterization of inkjet-printed 2D perovskite optoelectronic devices |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |