CN104061531A - 一种波长转换装置的制作方法 - Google Patents

一种波长转换装置的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104061531A
CN104061531A CN201310093876.0A CN201310093876A CN104061531A CN 104061531 A CN104061531 A CN 104061531A CN 201310093876 A CN201310093876 A CN 201310093876A CN 104061531 A CN104061531 A CN 104061531A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
wavelength converter
fluorescent material
silicone oil
phosphor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201310093876.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104061531B (zh
Inventor
田梓峰
徐虎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Appotronics Corp Ltd
Shenzhen Appotronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen Yili Ruiguang Technology Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen Yili Ruiguang Technology Development Co Ltd filed Critical Shenzhen Yili Ruiguang Technology Development Co Ltd
Priority to CN201310093876.0A priority Critical patent/CN104061531B/zh
Publication of CN104061531A publication Critical patent/CN104061531A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104061531B publication Critical patent/CN104061531B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种波长转换装置的制作方法,包括:获取一定量的硅油、荧光粉、玻璃粉;将硅油、荧光粉、玻璃粉混合均匀以得到荧光粉浆;将荧光粉浆涂覆在基板上;将被荧光粉浆涂覆的基板放置在T1温度加热0.2小时以上,其中Tb-100℃≤T1≤Tb+200℃,Tb为硅油的闪点;将被荧光粉浆涂覆的基板烧结成型,以得到荧光粉片。本发明实施例提供了一种提高荧光粉片的光利用效率和强度的波长转换装置的制作方法。

Description

一种波长转换装置的制作方法
技术领域
本发明涉及照明和显示技术领域,特别是涉及一种波长转换装置的制作方法。
背景技术
利用激光或者LED等光源激发荧光粉以获得预定单色光或者多色光,是一种广泛应用于照明光源、投影显示等领域的技术方案。这种技术方案往往是利用激光或者LED出射光入射到荧光粉色轮上,以实现良好的散热。
现有的色轮往往包括硅胶封装的荧光粉片,它是将荧光粉与一定比例的硅胶混合均匀后,加热固化成型。硅胶的化学性质比较稳定,有较高的机械强度,但是目前硅胶的仅能够在200℃下长期工作,在250至300℃只能短时间工作,否则有可能分解。而随着激发光源的功率的提高,荧光粉片的温度,特别是透射式色轮中荧光粉片的温度,会超过250℃而使得荧光粉片的稳定性下降,甚至有可能造成荧光粉片的开裂。
为了提高荧光粉片的耐高温性能,有研究者提出了利用玻璃材料代替硅胶封装荧光粉制成玻璃荧光粉片。但是现有技术中公开的玻璃材料封装的荧光粉片的光利用效率较低,并且强度不高。
发明内容
本发明实施例主要解决的技术问题是提供了一种提高荧光粉片的光利用效率和强度的波长转换装置的制作方法。
本发明实施例提供了一种波长转换装置的制作方法,该方法包括以下步骤:
A、获取一定量的硅油、荧光粉、玻璃粉;
B、将硅油、荧光粉、玻璃粉混合均匀以得到荧光粉浆;
C、将荧光粉浆涂覆在基板上;
D、将被荧光粉浆涂覆的基板放置在T1温度加热0.2小时以上,其中Tb-100℃≤T1≤Tb+20O℃,Tb为硅油的闪点;
E、将被荧光粉浆涂覆的基板烧结成型,以得到荧光粉片。
优选地,步骤E中被荧光粉浆涂覆的基板烧结温度为T2,其中T2满足Tg一100℃≤T2≤Tg+100℃,且T2—T1≥100℃,Tg为玻璃粉的软化温度。
优选地,步骤C和步骤D之间还包括步骤:将被荧光粉浆涂覆的基板放置在T3温度中加热,以去除部分硅油,且Tb-100℃≤T3<T1≤Tb+200℃,T1—T3≥100℃。
优选地,荧光粉与玻璃粉的体积比为0.9~0.24。
优选地,荧光粉与玻璃粉的体积比为1.46。
优选地,玻璃粉为高温玻璃粉,步骤E为将被荧光粉浆涂覆的基板在还原气氛中烧结以得到荧光粉片。
优选地,高温玻璃粉为硼硅酸玻璃粉。
优选地,基板为白色多孔陶瓷基板。
优选地,步骤C包括:
将一透明玻璃板覆盖在白色多孔陶瓷基板的表面,该透明玻璃板的软化温度小于等于玻璃粉的软化温度;
将荧光粉浆涂覆在透明玻璃板上。
优选地,基板为透明陶瓷板,该透明陶瓷板的软化温度高于步骤E中荧光粉浆与基板的烧结温度。
与现有技术相比,本发明实施例具有如下有益效果:
本发明实施例中,利用硅油与玻璃粉、荧光粉进行混合得到荧光粉浆,并在该荧光粉浆的烧结步骤之前,在相对较低的温度去除了荧光粉浆中的硅油,从而荧光粉片在烧结过程中减少了气孔的出现,降低了荧光粉片的气孔率,使得波长转换装置的荧光粉片的光利用效率以及强度得到提高。
附图说明
图1为本发明中的波长转换装置的制作方法的一个实施例的流程示意图;
图2为通过图1所示波长转换装置制作方法制备的波长转换装置的结构示意图;
图3为本发明的波长转换装置的制作方法又一实施例的流程示意图;
图4为本发明实施例不同荧光粉与玻璃粉体积比的荧光粉片的相对发光强度;
图5为本发明的波长转换装置的制作方法又一实施例的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图及实施方式来对本发明的实施例进行详细分析。
针对硅胶封装的荧光粉片不耐高温的问题,一种解决方法就是选择耐高温材料作为荧光粉片的封装材料。同时,为了不对光的利用效率产生影响,这种耐高温材料还要透光性好,且不吸收荧光粉产生的受激光,因此本发明实施例采用玻璃粉替代硅胶作为封装材料。
但是经本发明的发明人实验发现,玻璃粉作为荧光粉片的粘接剂的问题在于:常温下,玻璃粉与荧光粉都是固体粉末,二者相容性不好,混合后玻璃粉颗粒与荧光粉颗粒之间存在着间隙,而并没有混合为一个整体,使得二者烧结后得到的荧光粉片容易出现气孔等缺陷。气孔的存在使得激发光可能直接经气孔透过荧光粉片,而没有激发荧光粉,因此气孔是玻璃封装的荧光粉片的光利用率低的一个重要原因。同时,气孔的存在还降低了荧光粉片的强度。
实施例一
为了解决上述问题,本发明实施例提出了一种波长转换装置的制作方法。请参考图1,图1为本发明中的波长转换装置的制作方法的一个实施例的流程示意图,如图1所示,本实施例包括:
S11、获取一定量的甲基硅油、荧光粉、玻璃粉。
硅油是一种不同聚合度的聚有机硅氧烷的混合物,其中,甲基硅油、乙基硅油、苯基硅油、甲基苯基硅油等都是常用的硅油种类。硅油具有一定的粘度,且硅油的表面张力较小,容易浸润荧光粉和玻璃粉而混合成一个整体。其中,甲基硅油的闪点比较高(300℃),粘度高,热稳定性也比较高,其粘度不随着温度的变化而变化,有利于后续荧光粉浆的粘度调节,不容易出现分相,是一种优选的硅油。
荧光粉可以吸收激发光并受激产生不同于激发光波长的光,例如YAG(钇铝石榴石)荧光粉,YAG荧光粉可以吸收蓝光、紫外光等而产生黄色受激光。此外,荧光粉还可以是红光荧光粉、绿光荧光粉等。
玻璃粉是一种无定形颗粒状的玻璃均质体,其透明度高且化学性质稳定。在荧光粉片中,玻璃粉的作用是对荧光粉进行粘接,并将荧光粉与空气隔绝,以避免荧光粉在空气中氧化或者受潮。
甲基硅油的量至少要足够浸润荧光粉和玻璃粉,使三者混合成一个整体。而荧光粉和玻璃粉的量可以根据实际需要进行选择,只需使得玻璃粉能够在后续的烧结中将荧光粉粘接成一个整体即可。
S12、将甲基硅油、荧光粉、玻璃粉混合均匀以得到荧光粉浆。
为了解决荧光粉与玻璃粉混合难以形成一个整体的问题,在本步骤中,荧光粉、玻璃粉与甲基硅油混合成一整体,使得甲基硅油作为混合荧光粉和玻璃粉的载体,并得到荧光粉浆。
为了实现混合均匀,可以利用机械搅拌等方式进行混合。这里的步骤S12可以是在步骤S11完成后,将三者一起混合均匀;也可以是步骤S11和步骤S12同时进行,例如获取一定量的玻璃粉和荧光粉,然后利用搅拌等方式对玻璃粉和荧光粉进行混合,同时再获取一定量的硅油,并在搅拌的同时逐渐加入玻璃粉和荧光粉中。
S13、将荧光粉浆涂覆在基板上。
基板为荧光粉浆的承载体,考虑到后续的烧结过程,基板要选择耐高温材料,例如金属、陶瓷等,这将在后面的实施例中进行详细阐述。
荧光粉浆可以采用刮涂等方式涂覆在基板上,而优选地,荧光粉浆可以通过丝网印刷方式涂覆,丝网印刷可以使涂覆在基板表面的荧光粉浆厚度更加均匀,烧结成型后的热应力更小。
S14、将被荧光粉浆涂覆的基板在200℃加热0.2小时。
经实验发现,若直接对被荧光粉浆涂覆的基板进行烧结成型,由荧光粉浆烧结成的荧光粉片会产生很多气孔。这是由于硅油的闪点一般来说要远低于玻璃粉的软化温度,直接在玻璃粉的软化温度附近加热,硅油挥发的速度太快,会在荧光粉片上形成气孔,因此本发明实施例提出在烧结成型前要对荧光粉浆进行低温加热,以使得至少部分硅油低速率挥发掉。
具体地,本实施例中,在200℃(比甲基硅油的闪点温度300℃低100℃)下加热0.2小时,荧光粉浆中就会有相当比例的硅油挥发或者分解,残留的硅油会在荧光粉浆烧结成型的过程中挥发或分解掉。当然容易理解的是,加热的温度越低,需要加热的时间更长才能去除全部的硅油,并且加热时间越长,残留的甲基硅油越少。为了缩短加热时间,可以提高荧光粉浆和基板的加热温度,但是为了保证甲基硅油以较缓慢的速度挥发,加热温度要在500℃(比甲基硅油的闪点温度300℃高200℃)以下。例如加热温度为500℃,此时加热0.2小时后,荧光粉浆可以挥发更多的甲基硅油,甲基硅油全部挥发掉的时间也比在200℃加热时的时间短。
当使用其它类型的硅油来替代甲基硅油,为了控制硅油挥发的速度和挥发量,同样需要控制被荧光粉浆涂覆的基板的加热温度在T1温度,Tb-100℃≤T1≤Tb+200℃,Tb为硅油的闪点。
实际上,如果利用乙二醇等代替硅油与玻璃粉、荧光粉混合,即使经过步骤S14,成型后的荧光粉片也可能会有较多的气孔。这是因为乙二醇是纯净物,当加热到乙二醇闪点附近时,所有的乙二醇基本上也是很快都挥发了,只剩下固态的荧光粉和玻璃粉,挥发的乙二醇的原来所在的位置变成了气孔。而硅油是不同聚合度的聚有机硅氧烷的混合物,不同聚合度的聚有机硅氧烷具有不同的闪点,因此在硅油升温的过程中,不同聚合度的有机硅氧烷会依次挥发。这时,虽然有部分的硅油挥发,荧光粉、玻璃粉和剩余的硅油依然有流动性,荧光粉和玻璃粉会相互靠近以填充挥发硅油的位置,从而减少了气孔的产生。
值得说明的是,在烧结过程中,包括甲基硅油在内的硅油会以分解和挥发的形式被去除掉,而硅油分解后会产生少量的二氧化硅,但是该二氧化硅基本上不会对荧光粉片的光转换效率产生影响。
S15、将被荧光粉浆涂覆的基板烧结成型,以得到荧光粉片。
为了将荧光粉浆烧结成型,烧结温度应该在荧光粉浆中的玻璃粉的软化温度附近,这是因为如果烧结温度过低,玻璃粉不能熔化,而如果烧结温度过高,有可能造成荧光粉和玻璃的化学反应或者造成荧光粉激活离子氧化,还可能造成玻璃粉熔融形成的流体的粘度太低,使得荧光粉与玻璃流体分相。经实验发现,烧结温度T2在Tg-100℃≤T2≤Tg+100℃范围内是可以相对更容易地进行成型,其中Tg为玻璃粉的软化温度。实际上,只有在步骤S14中的加热温度T1小于步骤S15中的烧结温度T2时,步骤S14才有意义,才能减慢硅油的挥发速度,因此要设置T2大于T1。但是当T2和T1的温度比较接近的时候,两次加热时硅油的挥发速度并没有明显的差异,步骤S14的作用并不明显,因此这里的温度T1、T2优选满足T2—T1≥100℃。
通过上述方法可以获得具有较低气孔率的波长转换装置。图2为通过图1所示波长转换装置制作方法制备的波长转换装置的结构示意图,如图2所示,波长转换装置包括荧光粉片110和基板120,荧光粉片110主要由荧光粉和玻璃粉构成,还包括少量的二氧化硅。而经实验发现,在相同条件下,与使用了乙二醇代替硅油的波长转换装置相对比,荧光粉片的气孔率减少了三分之一,从而提高了荧光粉片的光利用效率和强度。
实施例二
玻璃粉的软化温度一般在300℃以上,而其中软化温度在500℃以上的为高熔点玻璃粉,软化温度低于500℃的为低熔点玻璃粉。为了使得荧光粉片可以耐受更高的温度,可以选择高熔点玻璃粉作为荧光粉的封装材料。
图3为本发明的波长转换装置的制作方法又一实施例的流程示意图,如图3所示,该制作方法的步骤包括:
S21、获取一定量的甲基硅油、荧光粉、高熔点玻璃粉。
高熔点玻璃可以耐受更高温度,并且透光性要优于低熔点玻璃。考虑到荧光粉片需要在耐高温的同时还要有一定的散热性能,因此优选地,高熔点玻璃可以选择硼硅酸玻璃粉。硼硅酸玻璃粉的软化温度为720℃,可以耐受较高温度,并且具有导热性好,透明度高的优点,是一种优选的高熔点玻璃粉。
实验发现,荧光粉与玻璃粉的比例会对最终成型的荧光粉片产生影响。在高功率的激发光的照射下,当荧光粉在荧光粉片中的体积比过小,荧光粉对光的吸收达到光饱和也不能吸收所有的激发光,很多激发光会不经转化而被透射或反射。而当荧光粉在荧光粉片中的体积比过大,用于粘接荧光粉的玻璃粉的比例过低,使得烧结后荧光粉片内部的结合力不够强,荧光粉片很容易碎掉;另一方面,荧光粉在荧光粉片中体积比越大,荧光粉片发出的总热量越高,当荧光粉在荧光粉片中的体积比达到一定程度,荧光粉片的热量不能及时对流到空气中,使得热量过于集中而导致荧光粉片的温度上升,降低了荧光粉的发光效率,并导致荧光粉片的整体相对发光强度的下降。
图4为本发明实施例不同荧光粉与玻璃粉体积比的荧光粉片的相对发光强度,如图4所示,在荧光粉与玻璃粉体积比较低时,随着荧光粉与玻璃粉体积比的升高,荧光粉片的相对发光强度增强。在荧光粉与玻璃粉体积比为1.46时,荧光粉片的相对发光强度达到最大。而随着荧光粉与玻璃粉体积比的继续升高,荧光粉片的相对发光强度整体上呈下降趋势。而为了保证相对发光强度在85%以上以及兼顾荧光粉片具有较强的结合力,优选地,荧光粉与玻璃粉的体积比应为0.9~2.4。
S22、将甲基硅油、荧光粉、高熔点玻璃粉混合均匀以得到荧光粉浆。
步骤S22的说明请参见对步骤S12的说明。
另外,值得说明的是,荧光粉浆为流体状,为了使得荧光粉浆能够在后续步骤中涂覆成型,需要将该荧光粉浆调整到一定粘度值。当荧光粉浆的粘度小于3000mPa.S,荧光粉浆的流动性太强而不容易成型;而当荧光粉浆的粘度大于40000mPa.S,荧光粉浆会因粘性太强而不容易搅拌均匀,经实验发现,混合后的荧光粉浆的粘度调整为3000mPa.S至40000mPa.S时,荧光粉浆的涂覆成型是比较容易的。
S23、将荧光粉浆涂覆在白色多孔陶瓷基板上。
由于玻璃粉为无机材料,其与金属基板的结合力不高,特别是为了提高金属基板的反射率,金属基板表面做的很平,更降低了金属基板与玻璃封装的荧光粉片的结合力。
为了解决这个问题,本步骤利用白色多孔陶瓷基板来替代金属基板。多孔陶瓷具有化学稳定性好、密度低、强度高、无毒、耐腐蚀、耐高温等优点,而白色多孔陶瓷还具有不吸光的特性,同时多孔陶瓷的多孔特性又可以带来对光的散射和反射。白色多孔陶瓷基板可以是氧化铝、氮化铝、氧化硅、氮化硅、碳化硅等材质。当白色多孔陶瓷的厚度足够厚时,白色多孔陶瓷可以作为反射板使用,其反射率可以高达99%。相对于金属基板,多孔陶瓷和荧光粉浆烧结得到荧光粉片的结合力很高,并且热膨胀系数比较接近,不容易脱落,因此白色多孔陶瓷基板是反射式波长转换装置的优选方案。
S24、将被荧光粉浆涂覆的白色多孔陶瓷基板在350℃加热1小时。
与步骤S14类似,这里的步骤S24也是用于使得至少部分硅油以较低的速率挥发,以避免荧光粉片出现大量气孔。而步骤S14不同的是,这里加热的温度为350℃,加热时间为1小时,因此硅油挥发的速率会相对于200℃时快一些,并且挥发掉的硅油的总量也会更多,相对于直接烧结成型,气孔率也会下降很多。在实际应用中,本步骤中的加热温度和加热时间可以根据需要进行设置。
S25、将被荧光粉浆涂覆的白色多孔陶瓷基板在还原气氛中烧结成型,以得到荧光粉片。
高熔点玻璃的软化温度很高,高熔点玻璃与荧光粉的混合物需要在较高的温度下烧结,而荧光粉在高温下会有可能被氧化而光效降低,因此优选地,本实施例中,荧光粉和白色多孔陶瓷的烧结是在还原气氛中进行的,以防止荧光粉的氧化而光效降低。实际上,在其它的加热步骤中,温度过高都有可能引起荧光粉的氧化,因此这些加热步骤都可以在还原气氛中加热。
还原气氛可以通过在加热炉中通入氢气实现,而氢气容易发生爆炸,因此优选地,还原气氛还可以通过在加热炉中通入氢气与氮气的混合气体实现。
另外,荧光粉颗粒的粒径与白色多孔陶瓷基板的气孔孔径相接近,荧光粉颗粒会渗进白色多孔陶瓷基板的空隙,并会对白色多孔陶瓷基板的反射率产生一定的影响。为了防止荧光粉浆渗入白色多孔陶瓷基板,可以将步骤S23分解为:将一透明玻璃板覆盖在白色多孔陶瓷基板上;将荧光粉浆涂覆在透明玻璃板上。该透明玻璃板的软化温度要小于等于硼硅酸盐玻璃粉的软化温度,以使得在步骤S26荧光粉片烧结成型的过程中透明玻璃板软化且最终和荧光粉片以及基板烧结成一个整体。优选地,该透明玻璃板也是硼硅酸玻璃材料,这样烧结后的荧光粉片的成分更加均匀。
通过上述方法制作的波长转换装置的荧光粉片的气孔率较低,提高了光利用效率并使得荧光粉片的强度更高。另外由于采用的是高熔点玻璃粉,制作的荧光粉片更加耐高温,可以应用于更高功率的发光装置中。
另外,为了进一步提高波长转换装置的发光效率,优选地,荧光粉和玻璃粉的体积比为0.9至2.4。此时,相对于其它体积比的荧光粉片,荧光粉和玻璃粉的体积比在0.9至2.4的荧光粉片的发光强度更高。
实施例三
图5为本发明的波长转换装置的制作方法又一实施例的流程示意图,如图5所示,该制作方法的步骤包括:
S31、获取一定量的甲基硅油、荧光粉、高熔点玻璃粉。
步骤S31的说明请参见对步骤S21的说明。
S32、将甲基硅油、荧光粉、高熔点玻璃粉混合均匀以得到荧光粉浆。
步骤S32的说明请参见对步骤S22的说明。
S33、将荧光粉浆涂覆在透明陶瓷基板上。
为了实现制作透射式的波长转换装置,在本实施例中,基板为透明陶瓷板,例如三氧化二铝陶瓷,石英玻璃等。这里,透明陶瓷基板的软化温度要大于荧光粉片的烧结温度,以免在步骤S36的荧光粉片的烧结过程中变形。
S34、将被荧光粉浆涂覆的透明陶瓷基板在200℃加热0.5小时,以除去部分硅油。
本实施例中,在烧结成型之前两次加热去除硅油。这里先在温度较低的200℃进行加热0.5小时,先以较慢的速度去除部分硅油。
S35、将被荧光粉浆涂覆的透明陶瓷基板在350℃加热0.5小时。
本步骤中,再将被荧光粉浆涂覆的透明陶瓷基板在350℃加热0.5小时,也可以使得一定比例的硅油以较慢速度挥发或者分解掉。这样通过两个阶段分别在不同温度加热,相对于只用350℃加热,硅油的挥发与分解的速度会变得更慢,更加有利于减少气孔的产生。
容易理解的是,步骤S34和步骤S35设置的温度还可以是其它温度与时间,只需步骤S34为荧光粉浆和白色多孔陶瓷基板在T3温度加热以去除部分硅油,步骤S35为荧光粉浆和白色多孔陶瓷基板在温度T1加热0.2小时以上,且满足Tb-100℃≤T3<T1≤Tb+200℃即可,其中Tb为硅油的闪点温度。但是当T3和T1的温度比较接近的时候,两次加热硅油的挥发速度并没有明显的差异,因此这里的温度T1、T3优选满足T1—T3≥100℃。
S36、将被荧光粉浆涂覆的透明陶瓷基板在还原气氛中烧结成型,以得到荧光粉片。
步骤S36的说明请参见对步骤S25的说明。
S37、对荧光粉片进行去应力退火。
由于荧光粉片在烧结后的冷却过程中,靠近基板的部分和暴漏在空气中的部分冷却的速度不一样而会产生较大热应力,使得荧光粉片容易翘曲。为了减少荧光粉片的热应力,增加了步骤S37:对荧光粉片进行去应力退火。去应力退火是在荧光粉片降低到室温以后,再将荧光粉片加热到玻璃粉的软化温度与玻璃态转变温度之间,再缓慢冷却。此时,加热的过程中荧光粉片的微观结构并没有改变,而应力得到释放。冷却的过程中,荧光粉靠近基板的部分和暴漏在空气中的部分之间的温度更加接近,从而减小了热应力。因此,本实施例制备的荧光粉具有更高的强度。
当然,获得透射式的波长转换装置还以通过其它方法。例如增加荧光粉片从基板上脱模的步骤,从而获得荧光粉片并用于透射式波长转换装置。为了能够比较容易地将荧光粉片从基板上脱离,我们可以使用光滑的金属板,例如铝板。铝板等金属板和荧光粉片的热膨胀系数不匹配,二者烧结后的结合力相对于陶瓷基板会低很多,因此荧光粉片从金属板上脱离相对比较容易。同时为了防止在高温下金属板烧结变黑,可以采用在还原性气氛烧结成型的方法。
以上所述仅为本发明的实施方式,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种波长转换装置的制作方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
A、获取一定量的硅油、荧光粉、玻璃粉;
B、将所述硅油、荧光粉、玻璃粉混合均匀以得到荧光粉浆;
C、将所述荧光粉浆涂覆在基板上;
D、将所述被荧光粉浆涂覆的基板放置在T1温度加热0.2小时以上,其中Tb-100℃≤T1≤Tb+200℃,Tb为所述硅油的闪点;
E、将所述被荧光粉浆涂覆的基板烧结成型,以得到荧光粉片。
2.根据权利要求1所述的波长转换装置的制作方法,其特征在于:所述步骤E中所述被荧光粉浆涂覆的基板烧结温度为T2,其中T2满足Tg-100℃≤T2≤Tg+100℃且T2—T1≥100℃,Tg为所述玻璃粉的软化温度。
3.根据权利要求2所述的波长转换装置的制作方法,其特征在于:所述步骤C和步骤D之间还包括步骤:将所述被荧光粉浆涂覆的基板放置在T3温度中加热,以去除部分硅油,且Tb-100℃≤T3<T1≤Tb+200℃,T1—T3≥100℃。
4.根据权利要求2所述的波长转换装置的制作方法,其特征在于,所述荧光粉与玻璃粉的体积比为0.9~0.24。
5.根据权利要求4所述的波长转换装置的制作方法,其特征在于,所述荧光粉与玻璃粉的体积比为1.46。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的波长转换装置的制作方法,其特征在于,所述玻璃粉为高温玻璃粉,所述步骤E为将所述被荧光粉浆涂覆的基板在还原气氛中烧结以得到荧光粉片。
7.根据权利要求6所述的波长转换装置的制造方法,其特征在于:所述高温玻璃粉为硼硅酸玻璃粉。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的波长转换装置的制作方法,其特征在于:所述基板为白色多孔陶瓷基板。
9.根据权利要求8所述的波长转换装置的制作方法,其特征在于,所述步骤C包括:
将一透明玻璃板覆盖在所述白色多孔陶瓷基板的表面,该透明玻璃板的软化温度小于等于所述玻璃粉的软化温度;
将所述荧光粉浆涂覆在透明玻璃板上。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的波长转换装置的制作方法,其特征在于:所述基板为透明陶瓷板,该透明陶瓷板的软化温度高于所述步骤E中荧光粉浆与基板的烧结温度。
CN201310093876.0A 2013-03-21 2013-03-21 一种波长转换装置的制作方法 Active CN104061531B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310093876.0A CN104061531B (zh) 2013-03-21 2013-03-21 一种波长转换装置的制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310093876.0A CN104061531B (zh) 2013-03-21 2013-03-21 一种波长转换装置的制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104061531A true CN104061531A (zh) 2014-09-24
CN104061531B CN104061531B (zh) 2015-11-25

Family

ID=51549378

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310093876.0A Active CN104061531B (zh) 2013-03-21 2013-03-21 一种波长转换装置的制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104061531B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105047795A (zh) * 2015-08-26 2015-11-11 朱中华 一种荧光基板及发光装置的制备方法
WO2016078557A1 (zh) * 2014-11-21 2016-05-26 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 一种波长转换结构的制备方法及相关波长转换结构
CN106950617A (zh) * 2015-12-14 2017-07-14 精工爱普生株式会社 波长转换元件及其制造方法、照明装置、投影仪
CN109786538A (zh) * 2018-12-06 2019-05-21 上海师范大学 一种仿自然光led健康照明器件及其制备方法
CN109873070A (zh) * 2018-09-19 2019-06-11 上海师范大学 一种用于led照明的发光陶瓷及其制备方法和应用
CN110416387A (zh) * 2019-06-28 2019-11-05 苏州紫灿科技有限公司 一种高散热白光激光片及制备方法
CN110488560A (zh) * 2018-05-14 2019-11-22 中强光电股份有限公司 波长转换元件及其形成方法、波长转换模块以及投影装置
CN111380037A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置及其制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS581767A (ja) * 1981-06-26 1983-01-07 Matsushita Electronics Corp 管球用接着剤
CN1912743A (zh) * 2005-08-11 2007-02-14 东京应化工业株式会社 用于形成功能性图案的感光性树脂组合物及功能性图案的形成方法
CN102437255A (zh) * 2011-11-25 2012-05-02 上海祥羚光电科技发展有限公司 旋转涂覆法制备白光led用荧光片
WO2012081411A1 (ja) * 2010-12-13 2012-06-21 東レ株式会社 蛍光体シート、これを用いたledおよび発光装置ならびにledの製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS581767A (ja) * 1981-06-26 1983-01-07 Matsushita Electronics Corp 管球用接着剤
CN1912743A (zh) * 2005-08-11 2007-02-14 东京应化工业株式会社 用于形成功能性图案的感光性树脂组合物及功能性图案的形成方法
WO2012081411A1 (ja) * 2010-12-13 2012-06-21 東レ株式会社 蛍光体シート、これを用いたledおよび発光装置ならびにledの製造方法
CN102437255A (zh) * 2011-11-25 2012-05-02 上海祥羚光电科技发展有限公司 旋转涂覆法制备白光led用荧光片

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016078557A1 (zh) * 2014-11-21 2016-05-26 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 一种波长转换结构的制备方法及相关波长转换结构
CN105047795A (zh) * 2015-08-26 2015-11-11 朱中华 一种荧光基板及发光装置的制备方法
CN106950617A (zh) * 2015-12-14 2017-07-14 精工爱普生株式会社 波长转换元件及其制造方法、照明装置、投影仪
CN110488560A (zh) * 2018-05-14 2019-11-22 中强光电股份有限公司 波长转换元件及其形成方法、波长转换模块以及投影装置
CN109873070A (zh) * 2018-09-19 2019-06-11 上海师范大学 一种用于led照明的发光陶瓷及其制备方法和应用
CN109786538A (zh) * 2018-12-06 2019-05-21 上海师范大学 一种仿自然光led健康照明器件及其制备方法
CN111380037A (zh) * 2018-12-27 2020-07-07 深圳光峰科技股份有限公司 波长转换装置及其制造方法
CN110416387A (zh) * 2019-06-28 2019-11-05 苏州紫灿科技有限公司 一种高散热白光激光片及制备方法
CN110416387B (zh) * 2019-06-28 2020-12-01 苏州紫灿科技有限公司 一种高散热白光激光片及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104061531B (zh) 2015-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104061531B (zh) 一种波长转换装置的制作方法
JP6677680B2 (ja) 波長変換装置及びその作製方法、関連する発光装置
JP5334573B2 (ja) 発光変換型led
CN110272208B (zh) 一种绿色荧光玻璃陶瓷及其制备方法和应用
WO2011065322A1 (ja) 発光ダイオードユニットの製造方法
CN106154365B (zh) 一种漫反射层的制备方法及波长转换装置
JP6693360B2 (ja) 光変換部材、照明光源および光変換部材の製造方法
CN106145922A (zh) 一种led用yag透明荧光陶瓷的制备方法
JP2017088781A (ja) 波長変換部材の製造方法及び波長変換部材
JP2012036367A (ja) 蛍光体複合部材
Yang et al. All‐Inorganic Functional Phosphor–Glass Composites by Light Curing Induced 3D Printing for Next‐Generation Modular Lighting Devices
KR101593582B1 (ko) 양자점이 형성된 색변환용 유리 복합체, 이의 제조방법 및 백색광 led 소자
CN114455976B (zh) 荧光玻璃-陶瓷复合材料的制备方法及复合材料
JP2012052061A (ja) 蛍光体複合部材
TWI844519B (zh) 具有增強的無機黏結劑之光轉換裝置
CN114276024B (zh) 一种高显色复合荧光玻璃及其制备方法
CN205282499U (zh) 一种陶瓷荧光基板及发光装置
CN108527960A (zh) 一种荧光陶瓷与蓝宝石复合陶瓷材料及其制备方法
CN107651955A (zh) 一种白光led照明用的复相透明陶瓷及其制备方法
CN102390982B (zh) 一种发白光的低温共烧陶瓷材料及其制备方法
CN105047795A (zh) 一种荧光基板及发光装置的制备方法
CN212335103U (zh) 一种光色可调的双层波长转换材料结构
JP2019008067A (ja) 波長変換部材及びその製造方法
CN103322512B (zh) 一种荧光粉片及其制备方法、相关发光装置
CN118495927A (zh) 一种氧化铝低温共烧荧光陶瓷的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20171102

Address after: 518055 Guangdong city of Shenzhen province Nanshan District Xili town tea light road Shenzhen city integrated circuit design and application of Industrial Park 401

Patentee after: APPOTRONICS Corp.,Ltd.

Address before: 518057 Guangdong city of Shenzhen province Nanshan District Xili town tea light road on the south side of Shenzhen integrated circuit design and application of Industrial Park 402, 403, 410-1, 411 Yi Li Rui Light Technology Development Co. Ltd.

Patentee before: YLX Inc.

TR01 Transfer of patent right
CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 518000 Nanshan District, Shenzhen, Guangdong, Guangdong Province, Guangdong Road, 63 Xuefu Road, high-tech zone, 21 headquarters building, 22 floor.

Patentee after: SHENZHEN GUANGFENG TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 518055 Guangdong province Shenzhen Nanshan District Xili town Cha Guang road Shenzhen integrated circuit design application Industrial Park 401

Patentee before: APPOTRONICS Corp.,Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 518000 20-22, 20-22 headquarters building, 63 high tech Zone, Xuefu Road, Nanshan District, Guangdong Province, Guangdong.

Patentee after: APPOTRONICS Corp.,Ltd.

Address before: 518000 20-22, 20-22 headquarters building, 63 high tech Zone, Xuefu Road, Nanshan District, Guangdong Province, Guangdong.

Patentee before: SHENZHEN GUANGFENG TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address
CP03 Change of name, title or address

Address after: 518000 20-22, 20-22 headquarters building, 63 high tech Zone, Xuefu Road, Nanshan District, Guangdong Province, Guangdong.

Patentee after: SHENZHEN GUANGFENG TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 518055 Guangdong province Shenzhen Nanshan District Xili town Cha Guang road Shenzhen integrated circuit design application Industrial Park 401

Patentee before: APPOTRONICS Corp.,Ltd.