具体实施方式
如图1所示,为本发明实施方式提供的一光通讯装置100,其包括一平面光波导10、一第一基板20、一发光元件30、一收光元件40、一第二基板50、一第一控制器60、一处理器70、一第二控制器80、及一记忆体90。
所述平面光波导10包括一上表面11。所述平面光波导10的内部形成有一导光部12。所述导光部12包括一相对所述上表面11倾斜的第一斜面121及一相对所述上表面11倾斜的第二斜面122。所述第一斜面121及所述第二斜面122均与所述上表面11成45度角。所述上表面11上形成有四个焊垫分别为第一焊垫111、第二焊垫112、第三焊垫113及第四焊垫114。所述第一焊垫111、第二焊垫112、第三焊垫113及第四焊垫114相互间隔设置,其中所述第一焊垫111与第二焊垫112设置在靠近所述第一斜面121的一侧,所述第三焊垫113及第四焊垫114设置在靠近所述第二斜面122的一侧。所述第一焊垫111与所述第三焊垫113相对设置。
本实施方式中,所述第一基板20采用硅材料制成,其包括一安装面21及一与所述安装面21相背的下表面22。所述下表面22承载在所述平面光波导10的所述上表面11上。所述第一基板20靠近所述第一斜面121的一侧开设有一第一收容孔23、一第一贯穿孔24及一第二贯穿孔25。所述第一贯穿孔24及所述第二贯穿孔25环绕所述第一收容孔23。所述第一基板20靠近所述第二斜面122的一侧开设有一第二收容孔26、一第三贯穿孔27及一第四贯穿孔28。所述第三贯穿孔27与所述第四贯穿孔28环绕所述第二收容孔26。所述第一贯穿孔24、所述第二贯穿孔25、所述第三贯穿孔27及所述第四贯穿孔28均收容有电连接至所述第一基板20内部电路的导电材料。所述第一贯穿孔24与所述第三贯穿孔27相对设置。所述安装面21的一侧形成有一第五焊垫211与一第六焊垫212,所述安装面21的另一侧形成有一第七焊垫213与一第八焊垫214。所述第六焊垫212与所述第七焊垫213相对设置。所述第一贯穿孔24内的导电材料的一端与所述第一焊垫111相电性连接,所述第一贯穿孔24内的导电材料的另一端与所述第六焊垫212相电性连接。所述第二贯穿孔25内的导电材料与所述第二焊垫112相电性连接。所述第三贯穿孔27内的导电材料与所述第四焊垫114相电性连接。所述第四贯穿孔28内的导电材料的一端与所述第三焊垫113相电性连接,所述第四贯穿孔28内的导电材料的另一端与所述第八焊垫214相电性连接。
所述发光元件30包括一发光面301,所述发光面301上形成一半球形的第一聚光部302。所述第一聚光部302在所述发光面301通过滴落胶体而形成。在其他实施方式中,所述第一聚光部302也可以通过成型制造而获得,然后粘结至所述发光面301。所述发光元件30为一激光二极管(laser diode, LD)。所述发光元件30收容在所述第一收容孔23内并通过倒装方式(flip chip)电性连接至所述第一焊垫111与所述第二焊垫112,其中所述发光面301朝向所述第一斜面121,所述第一聚光部302与所述第一斜面122相正对。所述第一聚光部302的中心轴与所述第一斜面121成45度角。
所述收光元件40包括一受光面401,所述受光面401上形成一半球形的第二聚光部402。所述第二聚光部402在所述受光面401通过滴落胶体而形成。在其他实施方式中,所述第二聚光部402也可以通过成型制造而获得,然后粘结至所述受光面401。所述收光元件40为一光电二极管(photo diode, PD)。所述收光元件40收容在所述第二收容孔26内,并同样通过倒装方式电性连接至靠近所述第二斜面122的第三焊垫113及所述第四焊垫114。其中所述受光面401朝向所述第二斜面122,所述第二聚光部402与所述第二斜面122相正对。所述第二聚光部402的中心轴与所述第二斜面122成45度角。
本实施方式中,所述第二基板50也采用硅材料制成,其安装在所述第一基板20的安装面21上。所述第二基板50开设有一第五贯穿孔51、一第六贯穿孔52、一第七贯穿孔53、一第八贯穿孔54、一第九贯穿孔55、一第十贯穿孔56、一第十一贯穿孔57及一第十二贯穿孔58。所述第五贯穿孔51、第六贯穿孔52、第七贯穿孔53、第八贯穿孔54、第九贯穿孔55、第十贯穿孔56、第十一贯穿孔57及所述第十二贯穿孔58均收容有电连接至所述第二基板50内部电路的导电材料。所述第五贯穿孔51内的导电材料一端电性连接至所述第五焊垫211。所述第六贯穿孔52内的导电材料的一端与第七贯穿孔53内的导电材料一端均电性连接至所述第六焊垫212。所述第十贯穿孔56内的导电材料的一端与第十一贯穿孔57内的导电材料一端均电性连接至所述第七焊垫213。所述第十二贯穿孔58内的导电材料的一端电性连接至所述第八焊垫214。
所述第一控制器60通过倒装方式电性连接至所述第五贯穿孔51内的导电材料及所述第六贯穿孔52内的导电材料。所述处理器70通过倒装方式电性连接所述第七贯穿孔53内的导电材料及所述第八贯穿孔54内的导电材料。如此,所述发光元件30依次经所述第一控制器60、所述处理器70及所述第一贯孔104、所述第五贯穿孔51内的导电材料、所述第六贯穿孔52内的导电材料、所述第七贯穿孔53内的导电材料及所述第八贯穿孔54内的导电材料电性连接至所述第二基板50及第一基板20。
所述记忆体90通过倒装方式电性连接至所述第九贯穿孔55内的导电材料及所述第十贯穿孔56内的导电材料。所述第二控制器80通过倒装方式电性连接至所述第十一贯穿孔57内的导电材料及所述第十二贯穿孔58内的导电材料。如此,所述收光元件40依次经所述第二控制器80、所述记忆体90、所述第九贯穿孔55、所述第十贯穿孔56、所述第十一贯穿孔57及所述第十二贯穿孔58电性连接至所述第二基板50及第一基板20。
使用时,所述处理器70向第一控制器60发送一激发信号,所述第一控制器60收到激发信号后产生一相应的驱动信号并控制所述发光元件30从所述发光面301发出光。所述发光元件30所发出的光经所述第一聚光部302汇聚后射向所述第一斜面121,然后进入至所述平面光波导10的导光部12,由所述平面光波导10的导光部12传出后投射至所述第二斜面122,再经过所述第二斜面122反射至所述第二聚光部402,最后由所述第二聚光部402汇聚投射所述受光面401,所述收光元件40将光信号转化成为电信号并送到所述第二控制器80进行例如放大处理,所述记忆体90存储所述第二控制器80处理后的电信号。
在其他实施方式中,也可不设置第一聚光部302及第二聚光部402。
相对于现有技术,由于所述发光元件30收容在所述第一收容孔23内,另外,所述收光元件40收容在所述第二收容孔26内,而非直接设置的第一基板20的安装面21上,因此,本发明的光通讯装置100可以大大的减小体积,有利于小型化。
可以理解的是,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形,而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。