CN104040857B - 具有半桥自适应死区时间的变换器控制器、电路和方法 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及用于控制采用脉冲宽度调制(PWM)的电力变换器的控制器、电路和方法。控制器的至少一个逻辑块(13、15、16)被配置为清除被配置成控制半桥(1、2)中的其他电力半导体开关(2)的指令(4)，以便其他电力半导体开关(2)保持在非导通状态，而反并联二极管(6)允许电流(5)在一个方向上通过，称为二极管的正向，同时在相反的方向上阻断电流。如果在指令的状态的持续时间期间，二极管(6)而不是其他电力半导体开关导通，则后者的切换指令(4)被忽略。控制器还被配置为修改从电力半导体开关(3)切换到另一电力半导体开关(4)或反之亦然之间的死区时间间隔(T死区)，以避免传递函数(25)中的不连续。

Description

具有半桥自适应死区时间的变换器控制器、电路和方法
技术领域
本公开涉及一种用于电力变换器的控制器。更具体地，本公开涉及一种用于控制采用脉冲宽度调制(PWM)的电力变换器的控制器、电路和方法。
背景
本领域中，电力变换器通过脉冲宽度调制后(PWM，脉冲宽度调制)的电压源逆变器驱动向输出端提供了可调的电压和频率。电力变换器可以被用于不间断电源(UPS)、电动机，等。PWM指令在电力变换器中被用于控制到电气设备的电力，通过现代电子电力开关这变得切实可行。开关的占空比(导通-时间与整个周期时间的比率)被改变以实现当求随时间的平均值时的期望的平均输出电压、平均输出电流等。
典型的电力变换器是开关电力变换器。它具有两个或更多的电力半导体器件，例如电力半导体开关。电力半导体开关可以，例如，通过绝缘-栅双极晶体管(IGBT)来实现。在正确或错误的情况下，一个简单的逻辑错误—在错误的时刻接通晶体管—可能导致灾难性故障。当由于所要求的PWM，晶体管的状态必须改变时，导通的晶体管被关断。然后，延迟(称为死区时间)之后，另一个晶体管导通。该延迟被添加以确保没有两个晶体管同时导通的可能性。死区时间是必要的以防止开关电力变换器的电源的短路。
尽管死区时间短，但它导致了与所期望的输出的偏离。该偏离导致降低的输出电压、畸变的机器电流和转矩脉动。在开关输出级的死区时间还导致电力电路传递函数的非线性，其可能是难以清除的。
由于死区时间，也永不可能达到最大调制深度。PWM的最大实际占空比被电力变换器指令之间的死区时间限制。死区时间限制了电力变换器可以消耗在激活状态的作为所考虑的总时间的一部分的时间。电力变换器对于最小允许指令脉冲的系统要求也限制了占空比。由于这些限制，电力变换器的容量没有被充分利用。例如，具有15kHz的开关频率、2μS的死区时间和2μS最小脉冲的逆变器可以达到最大调制深度的仅94％。损失理论上调制范围的6％，其转化为6％的效率损耗。这导致最大可达到的输出电压上的大部分损耗以及闭环系统中输出电压波形上的另外的负面影响，例如由于PWM指令的过早饱和。
一种已知的改善损耗和性能的解决方案已经增加了DC母线电压以补偿调制深度的损耗。然而，这增加了电力变换器系统的成本。本发明旨在克服如上所述的问题中的一个或多个。
发明概述
在一个方面，本公开涉及一种用于采用脉冲宽度调制的电力变换器的控制器。所述控制器包括配置为使所述控制器生成用于在导通和非导通状态之间切换电力半导体开关的指令的至少一个控制模块。所述控制器被配置为生成从所述电力半导体开关切换到另一个电力半导体开关之间的延迟时间间隔。所述控制器还被配置为清除被配置为控制所述电力半导体开关的指令以便所述电力半导体开关保持在非导通状态。现在二极管允许电流在一个方向上通过所述电力半导体开关，同时在相反的方向上阻断电流。所述控制器还被配置为修改从所述电力半导体开关切换到所述另一电力半导体开关之间的所述延迟时间间隔。
在另一个方面，本公开涉及一种电路，该电路包括所述控制器，其中，至少一个电路块包括至少一个逻辑模块。
在另一个方面，本公开涉及用于控制采用脉宽调制的电力变换器的方法。所述方法包括生成用于在导通和非导通状态之间切换电力半导体开关的指令。所述方法包括：生成从所述电力半导体开关切换到另一个电力半导体开关之间的延迟时间间隔。所述方法还包括清除被配置为控制所述电力半导体开关的指令以便所述电力半导体开关保持在打开状态。所述方法仍然允许电流在一个方向上通过，同时在相反的方向上阻断电流。所述方法还包括修改从所述电力半导体开关切换到所述另一个电力半导体开关之间的所述延迟时间间隔。
上述方面中的至少一个提供了针对背景技术中存在的问题和缺点的一种或多种解决方案。从下面的描述和权利要求书中，本公开的其他技术优点对本领域的技术人员将是明显的。本申请的各种实施方式仅得到所阐述的优点的子集。没有一个优点是各实施方式的关键。任何要求保护权利的实施方式可以在技术上与任何其它要求保护权利的实施方式相结合。
附图简述
附图示例了本公开的典型实施方式，并且与上面给出的一般描述和下面给出的实施方式的详细描述一起，借助实例，用于解释本公开的原理。
图1示出了电力变换器的电路图，其中根据本公开的典型实施方式上部指令被驱动；
图2示出了在根据本公开的典型实施方式的死区时间期间，电力变换器的电路图；
图3示出了电力变换器控制器的电路图，其中根据本公开的典型实施方式下部指令被驱动；
图4是根据本公开的典型实施方式，示出了用于电力变换器的控制器的操作的波形图，其中死区时间被施加；
图5示出了用于电力变换器的控制器的状态图，其中根据本公开的典型实施方式控制器清除电力半导体器件的指令。
图6示出了用于电力变换器的控制器的状态图，其中根据本公开的典型实施方式，控制器清除电力半导体器件的指令并且可变的死区时间被施加；
图7示出了根据本公开的典型实施方式的可变的死区时间的函数；
图8示出了根据本公开的典型实施方式的用于电力变换器的控制器的方框图；以及
图9示出了根据本公开的典型实施方式的控制器的传递函数。
详细描述
本公开的典型实施方式提供了用于控制电力变换器的控制器、电路和方法，该电力变换器采用脉冲宽度调制(PWM)。控制器包括被配置成使控制器生成用于在导通和非导通状态之间切换电力半导体开关的指令的一个或多个逻辑块。控制器被配置为生成从电力半导体开关切换到另一个电力半导体开关之间的延迟时间间隔。控制器还被配置为清除被配置为控制电力半导体开关的指令以便电力半导体开关保持在非导通状态。然而二极管允许电流在一个方向上通过电力半导体开关，称为二极管的正向，同时在相反的方向上阻断电流。控制器还被配置为修改从电力半导体开关切换到另一个电力半导体开关之间的时间间隔。控制器清除其是不适用的电力半导体指令，因为二极管而不是电力半导体开关被使用以在指令的状态的持续时间期间传导电流。从电力半导体开关切换到另一个电力半导体开关之间的时间间隔也被修改了。该时间间隔可以被消除或减少。因此，由于更好的控制，占空比和电力变换器的效率可以得到改善，因为降低占空比的不必要的死区时间延迟可以被消减。
图1示出了电力变换器的电路图，其中根据本公开的典型实施方式上部指令被驱动。图1示例了采用PWM调制驱动的电力变换器的操作。图1假设在所有的切换周期期间电流保持为正。电力变换器包括两个电力半导体开关1、2。电力半导体开关1、2可以是，例如，功率MOSFET或绝缘栅双极晶体管(IGBT)。第一电力半导体开关1由上部指令3操作(并可以替代地被称为上部电力半导体开关)。第二电力半导体开关2由下部指令操作(并且可以替代地被称为下部电力半导体开关)。上部指令3处于激活状态，即导通，其命令电力半导体开关1。电力半导体开关1被相应地闭合并导通(处于激活状态)和传导电流。电流流动5由图1中的虚线示出。下部指令4是关断并且处于非-激活状态。因此，电力半导体开关2打开并关断(处于非-激活状态)且不传导电流。
图2示出了电力变换器的电路图，其中根据本公开的典型实施方式死区时间是激活的。切换电力半导体开关1、2之间发生的时间延迟被称为死区时间。死区时间是各状态过渡之间所需要的：从上到下，以及从下到上。死区时间防止电力变换器的任何交叉导通，例如DC电压的DC短路，其由两个电力半导体开关1、2被同时闭合引起。该交叉导通可能导致IGBT桥的破坏。在图2中，上部指令3是关断的，使得电力半导体开关1打开。下部指令4是关断的并且因此电力半导体开关2没有被驱动。因此，没有死区时间的特定的指令。然而，电流只能流动通过二极管6，如电流流动5所示。二极管6可以是续流二极管或反激二极管。在控制器中，二极管6允许电流在一个方向上通过电力半导体开关2，其也可以称为二极管的正向，同时在相反的方向上阻断电流。电流可以流过二极管6，二极管6相对于电力半导体开关2是并联耦合的。在切换周期期间当该电流保持为正时该电流流动。
图3示出了电力变换器控制器的电路图，其中根据本公开的典型实施方式下部指令4被驱动。下部指令4处于激活状态，即导通。电力半导体开关2，例如下部IGBT，被驱动。开关2不能闭合。电流继续流过二极管6并且电流路径5与图2的实例中的相同。当清除用于不导通电流的电力半导体开关的指令时这个事实可以被利用。在图3的实例中，上部指令3是关断的以便电力半导体器件1，例如上部IGBT，是打开并且非-激活的。
参看图4，其示出了示例了用于电力变换器的控制器的操作的波形图，其中施加了死区时间。图4示出了所期望的PWM波形7。所期望的PWM7示例了PWM输出，其被期望从电力控制器输出。控制器接收PWM请求7，以便控制电力变换器产生所要求的PWM电力输出。上部指令3和下部指令4的状态图也被示出。死区时间8(或者称为死区时间的持续时间或从第一电力半导体开关切换到第二电力半导体开关且反之亦然之间的延迟的持续时间)被示出并且也可以被称作t死区时间。最小脉冲9示例了最小允许脉冲t最小脉冲。它是电力半导体开关指令的最小持续时间并且代表了标准的安全措施来安全防范由于过短的脉冲而具有系统故障的电力半导体开关。切换周期10或T切换是在切换循环的周期。T最小关断11是当电力变换器处于关断或非-激活状态时的实际持续时间。
根据示出了在电力变换器的三个可能的状态(上部指令，下部指令和死区时间)下的电流流动5的图1、2和3，关断时间的持续时间对应于以下函数：
T最小关断＝t最小脉冲+2×t死区时间
然后最大实际占空比(激活状态的持续时间与整个周期的比率)是：
例如其中T切换＝66.6μS、T死区时间＝2μS以及T最小脉冲＝2μS、α＝91％。因此输出电压可能只达到输入DC电压的91％。
图5示出了用于电力变换器的控制器的状态图，其中根据本公开的典型实施方式，控制器清除了电力半导体开关2的下部指令4。
根据图1、2和3中的电路图，第二电力半导体开关2，例如下部IGBT，在Iac(图1、2和3所示)输出电流为正时可以从来不传导电流。
IGBT桥是对称的，所以可以假设有负电流的相同条件：在这种情况下，第一电力半导体开关1，例如上部IGBT，在Iac(图1、2和3所示)输出电流为负时可以从来不传导电流。
再参照图5，当在其不能传导电流的时间期间控制器清除了相对的电力半导体开关指令时(当开关2不传导电流时，清除指令4，)，t最小关断11现在可能是t最小关断＝t最小脉冲，这也示于图5中。
死区时间和相应的死区带可能不是有用的，特别是当在高占空比操作时。在死区时间以后被驱动的电力半导体开关2将永远不会闭合。二极管6如续流二极管导通而不是电力半导体开关2。
因此，控制器被配置为清除电力半导体开关指令。此外，每当该电力半导体开关将不驱动电流时，相应的死区时间可以被清除。例如，当控制器确定Iac为正时，控制器清除下部指令2。每当电力半导体开关2将不驱动电流时，控制器也可以清除相应的死区时间。这个状态图的实例示于图5中。上部指令3现在驱动用于所要求的PWM7的电力半导体开关1。
只要在Iac电流保持为正，电力半导体开关1例如上部IGBT的关断时间对应于二极管6例如续流二极管的导通。
图5的实施方式在指令Iaw上产生非线性。因此传递函数是不连续的。该非线性是由于其中施加了死区带的状态与其中清除了死区的状态之间的实际PWM的显著差异。
图6示出了用于电力变换器的控制器的状态图，其中根据本公开的典型实施方式，控制器清除了电力半导体开关2的指令4且可变死区时间12被施加。控制器被配置为清除电力半导体开关的指令，当它如图5的实施方式中所描述的是无用的时候。在图6的实施方式中，控制器被配置为修改第一电力半导体器件1到第二电力半导体器件2之间的切换时间间隔，从而修改死区时间。死区时间仍被保持即使当它如图5的实施方式中所描述的是无用的时候。死区时间的持续时间按照所要求的PWM的占空比被减少，从而使死区时间成为可变死区时间12。可变死区时间12的持续时间因此相对于所要求的PWM的断开状态t关断PWM被减少。死区时间的减少对系统性能有影响，这是接近最大与最小值的情况。
控制器被配置为修改可变死区时间12。可变死区时间12t可变死区时间是t关断PWM(在附图中标号为23，所要求的PWM的关断时间)的函数25(如图7的实施方式所示)，从而t可变死区时间＝f(t关断PWM)
函数25使用参数(如在图4和5的实施方式中所提及的)
死区时间额定持续时间：t死区时间。这是死区时间的值。
死区时间的额定持续时间的值是常数。
最小允许脉冲9：t最小脉冲
切换周期10：T切换
在图6和7的实施方式中，函数25可以被定义如下，并在图7中的实施方式中示出：
在t关断PWM的时间间隔：[0，t最小脉冲]中，f(t关断PWM)，函数25是等于0的常数。
在t关断PWM的时间间隔[t最小脉冲，t最小脉冲+2×t死区时间]中，f(t关断PWM)是如下所示的线性函数：
f(t关断PWM)＝0,当t关断PWM＝t最小脉冲时
f(t关断PWM)＝t死区时间,当t关断PWM＝t最小脉冲+2×t死区时间时
在t关断PWM的时间间隔[t最小脉冲+2×t死区时间，T切换]中，f(t关断PWM)是等于t死区时间的常数。
参考图6，施加在IGBT指令上的真正的关断时间22现在是t实际关断＝t关断PWM+t实际死区时间。当t关断PWM变化时这是连续的，以便系统的PWM指令Iaw是连续的，并且图5的实施方式中的不连续性可以被消除。
如果要求平滑的响应，则其中t可变死区时间＝t死区时间的点可以从t最小脉冲+2×t死区时间转移到另外的实施方式中的更高的值。
在另外的实施方式中，电力半导体开关指令，例如相反的脉冲，可以在时间间隔26中被消除。在时间间隔24中的指令可以被保持存在。当使用可变死区时间时相反的脉冲可以被消除，并且可变死区时间的值比其额定值t死区时间更低
图6的实施方式提供了更好的增益和更好的占空比。这个增益对于电力变换器是非常重要的。因此，该实施方式使更好的性能或更低的成本成为可能。传递函数是连续的，所以没有不稳定的风险。
电流电平控制器
电流电平控制器向控制器提供可变死区时间的激活条件。可变死区时间应与相反指令的清除相关联，这在电流在整个切换周期期间保持在相同的方向上时是可能的。
在另一种实施方式中，控制器还包括电流电平控制器16(例如如图8中所示)，以检测在所有的切换周期期间输出电流Iac是否将保持在相同的方向上。电流电平控制器16被配置为检查输出电流Iac的电流电平。如果电流超过阈值，则检测器警示控制器。
电流电平控制器16根据电力变换器的特性确定电流阈值。它对应于在整个工作周期的导通切换周期期间最坏的电流变化。
在本发明的另外的实施方式中，该电流阈值可以通过重新计算下一个最大电流变化被优化在一个较低的值，其可以考虑到被施加到IGBT的下一个占空比和下一个工作周期期间的电感电压。
电流电平控制器根据图5和6的实施方式控制。指令的清除被电流电平控制器使能。可变死区时间由电流电平控制器使能。电流电平控制器被配置以便：
·如果Iac大于清除阈值，则下部电力半导体开关指令4的清除被使能并且另外地，可变死区时间被使能，
·如果Iac小于清除阈值，则上部电力半导体开关指令3的清除被使能并且另外地，可变死区时间被使能。
例如，根据图5的实施方式，当电流低于清除阈值时，可以施加死区时间，并且上部电力半导体开关的实际关断状态的持续时间是
t实际关断＝t关断PWM+t死区时间
当电流超过阈值时，不施加死区时间并且控制器可以将其清除。上部电力半导体开关的实际关断状态的持续时间是t实际关断＝t关断PWM。
图8示出了根据本公开的典型实施方式的用于电力变换器的控制器的方框图。控制器包括至少一个逻辑模块或块，其被配置为执行如图1、2、3、4、5和6的实施方式中所描述的操作和功能。例如一个或多个逻辑块被配置为清除相应的电力半导体开关指令，并施加对应于所接收到的输入死区时间持续时间的指示的死区时间。控制器包括指令生成器模块15。指令生成器15包括这些逻辑块中的一个或多个。指令生成器模块15被配置为执行这些操作。指令生成器15接收PWM指令7和可变死区时间持续时间12作为其输入，可变死区时间持续时间12由死区时间计算器13确定。指令生成器15还从电流电平控制器16接收允许每个IGBT由控制器驱动的消除信号，例如，如前所述。图7的控制器可以通过数字信号处理(DSP)、现场-可编程门阵列(FPGA)、或ASIC来实现。控制器也可以通过软件或硬件来实现以便运行图1至7的操作。
控制器可以被嵌入到电力变换器的中心以代替普通的指令生成器。控制器可以因此控制电力发动机、UPS等电力机械。
图9示出了根据本公开的典型实施方式的控制器的传递函数。图9示出了所要求的PWM函数的实际PWM函数。曲线17示例了具有完美的变换器的理想情况，其没有死区时间和最小脉冲持续时间。曲线18示例了具有标准操作模式没有指令清除(当施加死区时间和最小脉冲持续时间两者时)的变换器的典型实施方式的操作。曲线19示例了操作中具有可变死区时间的变换器的典型实施方式的操作。曲线18和19之间的差别对应于死区带的效果。曲线的钳位(clamp)对应于死区带和最小脉冲持续时间的混合效果。X-轴21代表所要求的占空比并且Y-轴20代表实际的占空比。该典型实施方式的优点可以是更高的占空比。这个增益对于电力变换器是有益。因此获得电力变换器的更好的性能或节省电力变换器的成本是可能的。可变死区时间的典型实施方式提供了连续的传递函数，其从而不具有调节的不稳定的风险。
对于本领域那些技术人员，明显可以对控制器、电路和方法进行各种修改和变化。根据所公开的控制器和方法的说明书和实践的考虑，其它实施方式对于本领域那些技术人员将是明显的。意图是说明书和实例仅被视为示例性的，而真正的范围由以下权利要求及其等同物说明。
元素列表
电力变换器控制器
1 第一电力半导体器件
2 第二电力半导体器件
3 上部指令
4 下部指令
5 电流流动
6 二极管
7 所要求的PWM
8 死区时间
9 最小脉冲
10 切换周期
11 电力变换器处于关断状态时的持续时间
12 可变死区时间
13 死区时间计算器
15 指令生成器
16 电流电平控制器
17 曲线
18 曲线
19 曲线
20 Y-轴
21 X-轴
22 实际关断时间
23 所要求的PWM的关断时间
24 时间间隔
25 函数
26 时间间隔

Claims (31)

1.一种用于采用脉冲宽度调制的电力变换器的控制器，包括：至少一个控制模块，所述至少一个控制模块被配置为使所述控制器：
生成用于在导通状态和非导通状态之间切换第一电力半导体开关(1)的第一指令(3)；
生成用于在导通状态和非导通状态之间切换第二电力半导体开关(2)的第二指令(4)；
生成从所述第一电力半导体开关切换到所述第二电力半导体开关之间的延迟时间间隔(8)；
清除被配置为控制所述第二电力半导体开关的所述第二指令以便所述第二电力半导体开关保持在所述非导通状态，其中二极管(6)允许电流在一个方向上通过所述第二电力半导体开关，同时在相反的方向上阻断电流；其特征在于，所述至少一个控制模块进一步被配置为使得所述控制器：
在将所述第一电力半导体开关从非导通状态切换至导通状态之前，保持所述延迟时间间隔作为可变延迟时间间隔(12)，所述可变延迟时间间隔附加到关断时间，所述关断时间包含所述脉冲宽度调制按照所要求的脉冲宽度调制(7)处于关断状态(23)的时间；以及
相对于所要求的脉冲宽度调制修改所述可变延迟时间间隔的持续时间。
2.如权利要求1所述的控制器，其中所述控制器被配置为清除所述延迟时间间隔。
3.如权利要求1或2所述的控制器，其中所述控制器被配置为相对于所要求的所述脉冲宽度调制的占空比修改所述可变延迟时间间隔的持续时间。
4.如权利要求1或2所述的控制器，其中所述控制器被配置为相对于所述脉冲宽度调制处于关断状态的时间修改所述可变延迟时间间隔的持续时间。
5.如权利要求1或2所述的控制器，其中所述控制器被配置为相对于所述脉冲宽度调制处于导通状态的时间修改所述可变延迟时间间隔的持续时间。
6.如权利要求1或2所述的控制器，其中所述控制器被配置为相对于所述关断时间的函数修改所述可变延迟时间间隔的持续时间，其中所述函数针对由所述关断时间定义的第一预定时间间隔内的所述可变延迟时间间隔是等于0的常数，所述第一预定时间间隔低于最小允许脉冲持续时间。
7.如权利要求6所述的控制器，其中所述函数包括所述可变延迟时间间隔随着第二预定时间间隔内的所述关断时间线性改变，所述第二预定时间间隔的下限由所述最小允许脉冲持续时间定义。
8.如权利要求1、2或7所述的控制器，其中所述控制器被配置为控制所述第一电力半导体开关以便所述电力半导体开关生成相对于所述指令的脉冲宽度调制。
9.如权利要求3所述的控制器，其中所述控制器被配置为控制所述第一电力半导体开关以便所述电力半导体开关生成相对于所述指令的脉冲宽度调制。
10.如权利要求4所述的控制器，其中所述控制器被配置为控制所述第一电力半导体开关以便所述电力半导体开关生成相对于所述指令的脉冲宽度调制。
11.如权利要求5所述的控制器，其中所述控制器被配置为控制所述第一电力半导体开关以便所述电力半导体开关生成相对于所述指令的脉冲宽度调制。
12.如权利要求6所述的控制器，其中所述控制器被配置为控制所述第一电力半导体开关以便所述电力半导体开关生成相对于所述指令的脉冲宽度调制。
13.如权利要求1、2或7所述的控制器，其中所述控制器被配置为接收用于控制所述第一电力半导体开关的脉冲宽度调制指令。
14.如权利要求3所述的控制器，其中所述控制器被配置为接收用于控制所述第一电力半导体开关的脉冲宽度调制指令。
15.如权利要求4所述的控制器，其中所述控制器被配置为接收用于控制所述第一电力半导体开关的脉冲宽度调制指令。
16.如权利要求5所述的控制器，其中所述控制器被配置为接收用于控制所述第一电力半导体开关的脉冲宽度调制指令。
17.如权利要求6所述的控制器，其中所述控制器被配置为接收用于控制所述第一电力半导体开关的脉冲宽度调制指令。
18.如权利要求1、2或7所述的控制器，其中所述二极管与所述第二电力半导体开关并联耦合。
19.如权利要求3所述的控制器，其中所述二极管与所述第二电力半导体开关并联耦合。
20.如权利要求4所述的控制器，其中所述二极管与所述第二电力半导体开关并联耦合。
21.如权利要求5所述的控制器，其中所述二极管与所述第二电力半导体开关并联耦合。
22.如权利要求6所述的控制器，其中所述二极管与所述第二电力半导体开关并联耦合。
23.如权利要求1、2或7所述的控制器，包括电流电平控制器(16)，所述电流电平控制器被配置为检测电流(lac)是否超过阈值并且向所述控制器发送用于清除所述第二指令的允许消息。
24.如权利要求3所述的控制器，包括电流电平控制器(16)，所述电流电平控制器被配置为检测电流(lac)是否超过阈值并且向所述控制器发送用于清除所述第二指令的允许消息。
25.如权利要求4所述的控制器，包括电流电平控制器(16)，所述电流电平控制器被配置为检测电流(lac)是否超过阈值并且向所述控制器发送用于清除所述第二指令的允许消息。
26.如权利要求5所述的控制器，包括电流电平控制器(16)，所述电流电平控制器被配置为检测电流(lac)是否超过阈值并且向所述控制器发送用于清除所述第二指令的允许消息。
27.如权利要求6所述的控制器，包括电流电平控制器(16)，所述电流电平控制器被配置为检测电流(lac)是否超过阈值并且向所述控制器发送用于清除所述第二指令的允许消息。
28.如权利要求23所述的控制器，所述控制器可操作用来检测所述电流是否在所述脉冲宽度调制的循环周期(10)的全部期间都将保持在同一方向上。
29.如权利要求24-27中任一项所述的控制器，所述控制器可操作用来检测所述电流是否在所述脉冲宽度调制的循环周期(10)的全部期间都将保持在同一方向上。
30.一种电路，包括根据权利要求1-29中任一项所述的控制器，其中至少一个电路块包括所述至少一个逻辑模块。
31.一种用于控制采用脉冲宽度调制的电力变换器的方法，包括：
生成用于在导通状态和非导通状态之间切换第一电力半导体开关(1)的第一指令(3)；
生成用于在导通状态和非导通状态之间切换第二电力半导体开关(2)的第二指令(4)；
生成从所述第一电力半导体开关切换到所述第二电力半导体开关之间的延迟时间间隔(8)；
清除被配置为控制所述第二电力半导体开关的所述第二指令以便所述第二电力半导体开关保持在打开状态并且仍然允许电流在一个方向上通过，同时在相反的方向上阻断电流，其特征在于，所述方法进一步包括：
在将所述第一电力半导体开关从非导通状态切换至导通状态之前，保持所述延迟时间间隔作为可变延迟时间间隔(12)，所述可变延迟时间间隔附加到关断时间，所述关断时间包含所述脉冲宽度调制按照所要求的脉冲宽度调制(7)处于关断状态(23)的时间。
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