CN104038179A - 声波装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种声波装置。在本文中所描述的实施例可以提供一种声波装置、一种制造声波装置的方法以及包括声波装置的系统。该声波装置可以包括在基板上的变换器，并且接触件与变换器耦接。声波装置还可以包括在该变换器周围限定封闭开口的壁层和帽部。通孔可以在接触之上穿过该帽部和壁层来设置，并且顶部金属可以设置在该通孔中。顶部金属可以在通孔中形成支柱并且在通孔上的帽部上形成焊点。支柱可以在焊点和接触件之间提供电连接。在一些实施例中，声波装置可以形成为基板晶片上的晶片级封装件。
Description
技术领域
本公开的实施例总体涉及电子电路的领域，更具体地涉及声波装置。
背景技术
诸如表面声波(surface acoustic wave,SAW)装置和体声波(bulkacoustic wave,BAW)装置等声波装置用于例如射频(radio frequency,RF)滤波器和变换器等许多应用。声波装置通常包括在基板上的一对变换器，其中焊点提供与变换器的电连接。由于设计和制造的限制，焊点通常紧挨着基板结构放置。这需要基板在形成声波装置的焊点之前被切割，并且这引起装置的较大足迹。
发明内容
本公开涉及一种用于形成声波装置的方法，包括：在压电基板的第一表面上形成壁层，所述压电基板具有形成在所述第一表面上的声波变换器和接触件，其中所述壁层形成在所述变换器周围并且具有在所述变换器之上的开口；在所述变换器之上形成在所述壁层上的帽部以封闭所述开口；形成穿过所述帽部的通孔，其中所述通孔在所述接触件上方延伸穿过所述壁层；以及在所述通孔中沉积顶部金属，其中所述顶部金属在所述通孔中形成支柱并且在所述帽部上形成焊点，以在所述焊点和所述接触件之间提供电连接。
本公开还涉及一种声波装置，包括：具有第一表面的压电基板；设置在所述第一表面上的声波变换器；与所述声波变换器耦接的接触件；在所述第一表面上的壁层，所述壁层设置在所述变换器周围并且在所述变换器之上限定开口；在所述壁层上的帽部，所述帽部封闭在所述变换器之上的开口；在所述接触件上方的、穿过所述帽部和所述壁层的通孔；在所述通孔上方的、所述帽部上的焊点；以及支柱，所述支柱设置在所述通孔中以在所述焊点和在所述接触件之间提供电连接。
附图说明
结合附图通过以下的详细描述将容易理解实施例。为了便于描述，相同的附图标记指代相同的结构元件。在附图的各个图中，出于示例而不是出于限制的目的示出了实施例。
图1示意性地示出了根据各个实施例的声波装置的侧面横截面视图。
图2示意性地示出了根据各个实施例的另一声波装置的侧面横截面视图。
图3是根据各个实施例的制造声波装置的方法的流程图。
图4A-4L示意性地示出了根据各个实施例的、在图3的方法中的各个操作之后的声波装置。
图5示出了根据各个实施例的具有外罩的声波装置。
图6示意性地示出了根据各个实施例的具有与连接器对准的支柱的声波装置的顶部横截面视图。
图7示意性地示出了根据各个实施例的具有偏离连接器的支柱的声波装置的顶部横截面视图。
图8示意性地示出了根据各个实施例的具有与多个支柱耦接的焊点的声波装置的顶部横截面视图。
图9示意性地示出了根据各个实施例的具有与多个连接器耦接的焊点的声波装置的顶部横截面视图。
图10示意性地示出了根据各个实施例的包括声波装置的示例性系统。
具体实施方式
本公开的实施例提供声波装置的技术和配置。在以下的详细描述中，引用构成该描述中的一部分的附图，在各个附图中相同的附图标记指明相同的部件，其中以说明可以实践本公开的主题的实施例的方式进行图示。要理解的是，在不脱离本公开的范围的情况下可以使用其它的实施例并且可以做结构上的或者逻辑的变化。因此，以下详细描述没有限制的意思，并且实施例的范围由附加的权利要求和它们的等效例来限定。
出于本公开的目的，词组“A和/或B”意思指(A)、(B)或者(A和B)。出于本公开的目的，词组“A、B和/或C”意思指(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或者(A、B以及C)。
本说明书可以使用词组“在实施例中（in an embodiment）”或者“在实施例中（in embodiments）”，其可以指代相同或者不同实施例中的一个或更多个实施例。此外，如对于本公开的实施例所使用的术语“包括(comprising)”、“包括(including)”、“having(具有)”等是同义的。术语“耦接”可以指代直接连接、间接连接或者间接通信。
术语“与...耦接”以及它的派生词可以在本文使用。“耦接”可以表示以下的一个或更多个含义。“耦接”可以表示两个或更多个元件处于直接的物理接触或者电接触。然而，“耦接”也可以表示两个或更多个元件彼此间接接触，但是仍彼此协作或者交互，并且可以表示一个或更多个其它元件耦接或者连接在被认为彼此耦接的元件之间。
在各个实施例中，词组“第一层形成，设置或者配置在第二层上”可以表示第一层形成、设置或者配置在第二层上方，以及第一层的至少一部分可以与第二层的至少一部分直接接触(例如直接物理和/或电接触)或者间接接触(例如在第一层和第二层之间具有一个或更多个其它层)。
图1示意性地示出了根据各个实施例的集成声波装置100的截面图。声波装置100可以是例如表面声波(SAW)装置或者体声波(BAW)装置。声波装置100可以包括具有设置在基板104的表面112上的一个或更多个声波变换器108a-b的压电基板104。在一些实施例中，声波变换器108a-b可以是叉指式变换器。变换器108a-b可以包括诸如钛(Ti)和/或铝(Al)的任何合适的材料。
在一些实施例中，声波变换器108a-b可以包括通过延迟线116隔开的输入变换器108a和输出变换器108b。输入变换器108a可以将输入电信号转换为声波(例如表面声波或者边界声波)。声波可以越过延迟线116到输出变换器104b。输出变换器104b可以将声波转换为输出电信号。其它实施例可以包括其它数量或者配置的变换器108a-b。
在一些实施例中，声波装置100可以形成射频滤波器以接收输入电信号并且基于该输入信号来生成经滤波的输出电信号。在其它实施例中，声波装置100可以是诸如声波感测器等另一类型的声波装置。
在各个实施例中，声波装置100还可以包括耦接到变换器108a-b中的一个或更多个变换器的接触件120a、120b以及120c。接触件120a-c可以促进与变换器108a-b的电连接和/或提供用于声波装置100的层的结构支撑(例如使得另一个层不直接耦接到变换器108a-b)。接触件120a-c可以是由凸块下(under-bump)金属形成。
在声波装置100中接触件120a-c可以具有任何合适的配置。例如，接触件120a可以是耦接到输入变换器108a的输入接触件，接触件120c可以是耦接到输出变换器108b的输出接触件和/或接触件120b可以是耦接到输入和输出变换器108a-b两者的接地接触件。其它实施例可以包括比图1中所示出的那些更多或者更少的接触件。另外或者替换地，其它实施例可以包括与图1中所示出的那些不同的接触件的配置或者布置。此外，图1示出了声波装置100的截面图，并且在一些实施例中，声波装置100可以包括可以位于装置100的不同截面中的附加接触件(未示出)。
在各个实施例中，声波装置100还可以包括壁层124，该壁层124设置在变换器108a-b周围的第一表面112上并且在各个变换器108a-b上限定出开口128a-b。尽管在图1的截面图中未示出，壁层124可以包围变换器108a-b。壁层124还可以包括在各个接触件120a-c上方的孔132a-c，该孔132a-c可以形成通孔136a-c的一部分。
在各个实施例中，声波装置100还可以包括在壁层124上的帽部140，该帽部140可以封闭在变换器108a-b上方的开口128a-b。帽部140还可以包括在壁层124的孔132a-c上方的孔144a-c，该孔144a-c和132a-c可以结合以形成通孔136a-c。
在各个实施例中，声波装置100还可以包括设置在各个通孔136a-c中的支柱148a-c。支柱148a-c可以与在帽部140上的各个焊点152a-c电耦接。支柱148a-c可以在焊点152a-c和各个接触件120a-c之间提供电连接。支柱148a-c可以包括顶部金属。
在各个实施例中，帽部140和/或壁层124可以包括光可限定的干膜材料，诸如光可限定的干膜环氧树脂。如同所示，这可以允许帽部140和壁层124在变换器108a-b上方形成封闭开口128a-b。另外或者替换地，形成干膜环氧树脂的帽部140和壁层124可有助于通过帽部140和壁层124来在帽部140和/或支柱148a-c上形成焊点152a-c以提供与接触件120a-c的电连接。
在一些实施例中，用于形成帽部140和/或壁层124的光可限定的干膜材料可以具有至少160摄氏度的玻璃转化温度。这可以使得帽部140和/或壁层124能够在高温下的处理(例如达到玻璃转化温度)期间和/或之后保持封闭开口128a-b。此外，光可限定的干膜材料可以配置为在受到高压(例如大于1兆帕)时保持封闭开口128a-b的结构完整性。
在各个实施例中，声波装置100可以是形成在基板104的晶片上的晶片级封装件。包括声波装置100的多个声波装置可以形成在晶片上。该晶片然后可以被切割，以隔开该声波装置。
图2示出了根据各个实施例的温度补偿声波装置200。温度补偿声波装置200可以包括与声波装置100类似的特征。例如，温度补偿声波装置200可以包括具有设置在基板204的表面212上的堆叠层的基板204，该堆叠层包括变换器208a-b、接触件220a-c、壁层224、帽部240、支柱248a-c以及焊点252a-c。
在各个实施例中，温度补偿声波装置200还可以包括设置在变换器208a-b上方的外涂层氧化物256(例如在接触件220a和220b之间以及在接触件220b和220c之间)。外涂层氧化物256可以促进在一定温度范围内声波装置200的操作。
在一些实施例中，温度补偿声波装置可以包括设置在外涂层氧化物256下的平坦化氧化物(未示出)。在一些实施例中，可以在将外涂层氧化物沉积在平坦化氧化物上之前抛光平坦化氧化物（如，通过化学机械抛光）。
图3示出了根据各实施例的形成声波装置的方法300。参考示例性声波装置400来描述方法300，在图4A-4L中示出了在方法300的各个操作后的该示例性声波装置400。然而，将理解的是方法300可以被修改以形成在本文中所描述的任何声波装置。
此外，以最有助于理解所要求保护的主题的方式依次描述作为多个不连续的操作的各个操作。然而，描述的顺序不应该理解为隐含这些操作必须是顺序相关的。特别地，可以不按照描述的顺序来执行这些操作。可以按照与所描述的实施例不同的顺序来执行所描述的操作。在另外的实施例中可以执行各个附加的操作和/或可以省去所描述的操作。
在块304处，方法300可以包括在压电基板的表面上形成一个或更多个变换器。例如可以通过在基板的表面上图案化基体金属来形成变换器。基体金属可以包括诸如钛和/或铝等任何合适的材料。可以通过诸如等离子体刻蚀或者剥离(liftoff)等任何合适的方法来图案化基体金属。变换器例如可以是叉指式变换器。在一些实施例中，一对变换器(例如输入和输出变换器)可以形成在基板上并且可以通过延迟线来隔开。
图4A示出了根据一些实施例的在块304的操作后的示例性声波装置400。声波装置400可以包括具有形成在基板404的表面412上的变换器408a和408b的压电基板404。在一些实施例中，声波变换器408a-b可以是通过延迟线416隔开的叉指式变换器。
在块308处，方法300可以包括在基板上形成一个或更多个接触件。例如可以通过在基板上图案化凸块下金属来形成接触件。凸块下金属可以包括诸如钛和/或铝等任何合适的材料。例如可以通过剥离来图案化凸块下金属。该接触件可以与变换器中的一个或更多个变换器电连接。
图4B示出了根据块308的一些实施例在基板404上形成接触件420a-c之后的示例性声波装置400。接触件420a可以与变换器408a耦接，接触件420b可以与接触件408a和408b耦接并且耦接在接触件408a和408b之间，以及接触件420b可以与变换器408b耦接。其它实施例可以包括其它配置的变换器408a-b或者接触件420a-c。
在方法300可以用来形成温度补偿声波装置的实施例中，方法300还可以包括在变换器上沉积平坦化氧化物(例如通过物理汽相淀积(physical vapor deposition,PVD)),抛光平坦化氧化物（例如通过化学机械抛光)以及在经抛光的平坦化氧化物上沉积外涂层氧化物(例如通过PVD)。在一些实施例中，可以在基板上形成接触件之前执行这些操作。外涂层氧化物可以被图案化以提供用于接触件的空间。其它实施例可以包括不同的操作顺序或者可以不包括平坦化氧化物或者外涂层氧化物。
在块312处，方法300可以包括在基板上沉积粘附层。粘附层可以沉积在变换器和接触件上。可以通过诸如PVD等任何合适的方法来沉积粘附层。在一些实施例中，粘附层可以是诸如二氧化硅(SiO2)等氧化物。正如以下进一步讨论的，粘附层可以用于壁层的粘接。另外或者替换地，粘附层可以提供钝化层以例如抵御变换器或者接触件的腐蚀。
图4C示出了根据块312的一些实施例在沉积粘附层422之后的示例性声波装置400。
在块316处，方法300可以包括形成在变换器周围的具有一个或更多个开口的壁层。壁层可以包括在不同的变换器周围的分隔的开口(例如图1中的开口128a-b)或者可以包括设置在多个变换器周围的开口(例如图2中的开口228)。壁层还可以包括在一个或更多个接触件上方的孔。正如以下进一步讨论的，该孔可以形成各个通孔的部分。
在一些实施例中，壁层可以由光可限定的干膜环氧树脂形成。另外，在一些实施例中，光可限定的干膜环氧树脂可以具有至少160摄氏度的玻璃转化温度。
图4D示出了根据块316的一些实施例在形成壁层424之后的声波装置400。壁层424包括在变换器408a-b周围的开口428a-b和在接触件420a-c上方的孔432a-c。在其它实施例中，以下进一步讨论的，直到在施加帽部440后才可以形成孔432a-c。
在块320处，方法300可以包括在壁层的顶部上形成帽部。例如可以通过将一片覆盖材料层压在壁层上来形成帽部。帽部可以封闭在变换器周围的开口以保护变换器不受湿气和/或其它元件的影响。在一些实施例中，覆盖材料可以是与壁层相同的材料。例如，覆盖材料可以是光可限定的干膜环氧树脂。在一些实施例中，光可限定的干膜环氧树脂可以具有至少160摄氏度的玻璃转化温度。覆盖材料可以促进在变换器周围的封闭开口的结构完整性。
图4E示出了根据块320的一些实施例在壁层424上层压帽部440之后的声波装置400。
在块324处，方法300可以包括图案化帽部以形成一个或更多个通孔。通孔可以设置在声波装置的各个接触件上方。例如可以通过将帽部中的孔形成(例如光限定)在壁层中的孔上方来形成通孔。
图4F示出了根据块324的一些实施例在形成通孔436a-c之后的声波装置400。例如可以通过将帽部440中的孔444a-c形成在壁层424中的相应孔432a-c上方来形成通孔436a-c。在一些实施例中，如图4F所示，帽部440中的孔444a-c的宽度可以比壁层424中的孔432a-c的宽度更宽。这可以便于孔444a-c与孔432a-c对准以形成通孔436a-c。
在块328处，方法300可以包括(例如在通孔)从接触件中移除粘附层的一个或更多个露出部。例如可以通过等离子体刻蚀来移除粘附层的露出部。
图4G示出了根据块328的一些实施例在移除通孔436a-c中的接触件420a-c上方的粘附层422的部分之后的声波装置400。
在一些实施例中，方法300可以包括在基板上沉积种子层。可以通过诸如PVD等任何合适的方法来沉积种子层。种子层可以由诸如包括钛和/或铜的材料等导电材料形成。种子层可以加强顶部金属(以下进一步讨论)和接触件之间的电连接。
图4H示出了根据块332的一个实施例在施加种子层446后的声波装置400。种子层446可以设置在接触件420a-c上的通孔436a-c中。在一些实施例中，如同所示，种子层446可以施加在基板404的整个表面412上。在其它实施例中，种子层446可以选择性地沉积在通孔436a-c和/或帽部440的部分中。
在块336处，方法300还可以包括图案化用于随后的顶部金属的沉积的一个或更多个顶部金属开口。顶部金属开口可以通过在基板的表面上沉积光阻层来形成，其中光阻层具有在通孔上方的开口。光阻层中的开口可以比一些实施例中的通孔更宽(例如使得帽部中通孔周围的部分露出)。
图4I示出了根据块336的一个实施例的在沉积光阻层450后的声波装置400。光阻层450可以包括在通孔436a-c上方的开口454a-c。
在块340处，方法300还可以包括将顶部金属沉积到通孔中以在通孔中形成支柱。例如可以通过电镀来沉积顶部金属。顶部金属可以包括诸如铜等任何合适的导电材料。顶部金属也可以在通孔上方的开口中设置在帽部上。因此，顶部金属可以形成帽部上的焊点，其可以由光阻层中的开口来限定。支柱可以在焊点和在焊点的下面的相应接触件之间提供电连接。
图4J示出了根据块340的一个实施例在各个通孔436a-c中沉积顶部金属层之后的声波装置400。顶部金属层可以在各个通孔436a-c中形成支柱448a-c并且在帽部440上形成焊点452a-c。支柱448a-c可以在焊点452a-c和各个接触件420a-c之间提供电连接。
在块344处，方法300还可以包括除去光阻层。光阻层可以在块340处沉积顶部金属之后除去。例如通过溶剂洁净来除去光阻层。
图4K示出了根据块344的一个实施例在除去光阻层450后的声波装置400。
在块348处，方法300还可以包括将种子层从声波装置的露出表面除去。例如可以通过湿法净化来除去种子层。在将种子层从声波装置的露出表面除去后，种子层可以设置在顶部金属和各个接触件之间和/或在顶部金属和帽部或者壁层之间。
图4L示出了根据块348的一个实施例在将种子层446从声波装置400的露出表面除去后的声波装置400。种子层446仍然可以在顶部金属448a-c和各个接触件420a-c、壁层424和/或帽部440之间设置在顶部金属448a-c下面。
在一些实施例中，保护层可以沉积在焊点452a-c上。保护层可以防止或者减少焊点452a-c的侵蚀。保护层可以包括诸如金等任何合适的材料。
在一些实施例中，一个或更多个附加层可以形成在帽部440上。例如，诸如电感器或者电容器的一个或更多个无源器件可以形成在帽部440上。这可以允许一个或更多个无源器件与声波装置400的封装件集成。
正如以上讨论的，声波装置400可以形成在基板的晶片上。现有的声波装置的设计和生产方法要求部分形成的声波装置在沉积基体金属(以形成变换器)和凸块下金属(以形成接触件)之后被分割。然而，方法300可以允许多个声波装置形成在上基板的晶片上。该晶片然后可以被切割，以分割该声波装置。
在一些实施例中，声波装置在被分割后可以设置有外罩。外罩可以包围基板和在基板上的堆叠层(例如变换器、基板级接触件、壁、帽部、通孔以及焊点)。外罩还可以包括外罩级接触件，该外罩级接触件与声波装置的各个焊点电耦接以促进在外罩级接触件和基板级接触件之间的电连接。
图5示出了根据各个实施例的包括外罩560的声波装置500。声波装置500包括基板504，其中堆叠层设置在基板504的表面512上，该堆叠层包括变换器508a-b、基板级接触件520a-c、壁层524、帽部540、支柱548a-c以及焊点552a-c。外罩556可以包围基板504和在基板上的层。在一些实施例中，外罩560可以是在堆叠层上方形成在基板上的层状外罩。
在各个实施例中，声波装置500还可以包括外罩级接触件564a-c。外罩级接触件564a-c可以通过连接器568a-c与各个焊点552a-c耦接。因此，外罩级接触件564a-c可以通过各个连接器568a-c、焊点552a-c以及支柱536a-c与各个基板级接触件520a-c电耦接。
在一些实施例中，声波装置500可以包括在帽部540和外罩560之间的一个或更多个附加层。例如，诸如一个或更多个电感器或者电容器等一个或更多个无源器件(未示出)可以由在帽部540上方的一个或更多个层形成。
图6示出了根据各个实施例的声波装置600的顶部截面图。声波装置600包括焊点604a-f，并且支柱608a-f沿着第一方向(例如从纸面向内)延伸到基板上的基板级接触件(例如图5中所示出的基板504上的基板级接触件520a-c)并且连接器612a-f沿着与第一方向相反的第二方向(例如从纸面向外)延伸到外罩上的外罩级接触件(例如图5中所示出的外罩560上的外罩级接触件564a-c)。
焊点604a-f可以具有用于声波装置600的任何合适的配置。例如，焊点604a和604d可以分别是接收用于声波装置600的输入信号的正输入焊点和负输入焊点；焊点604b和604e可以是接收地电位的接地焊点；和/或焊点604c和604f可以分别是传送用于声波600的输出信号的正和负输出焊点。其它实施例可以包括焊点604a-f的其它配置。
如图6所示，在一些实施例中，连接器612a-f可以在焊点604a-f的横截面中与各个支柱608a-f对齐。
图7示出了根据各个实施例的另一声波装置700的顶部截面图。声波装置700可以包括焊点704a-f、支柱708a-f以及连接器712a-f。如图7所示，连接器712a-f中的一个或更多个可以偏离相应的支柱708a-f。一个或更多个偏离的连接器712a-f可以与相应的支柱708a-f部分地偏离(例如连接器708a和708e，连接器的一部分与支柱重叠、连接器的一部分与支柱与不重叠以及支柱的一部分与连接器不重叠)或者完全地偏离(例如连接器708b-d和708f，整个连接器与支柱不重叠)。
焊点704可以将偏离的连接器712a-f电耦接到相应的支柱708a-f。因此，声波装置700可以便于外罩级接触件的灵活布置。例如，对于基板级接触件在基板上具有不同布置的不同声波装置，外罩级接触件在外罩上的布置可以基本上相同。
图8示出了根据各个实施例的声波装置800的顶部截面图。声波装置800可以包括焊点804a-e、支柱808a-f以及连接器812a-e。声波装置800可以包括与多个支柱808b和808e以及单个连接器812b耦接的焊点804b。在一些实施例中，焊点804b可以形成接地面以将连接器812b连接到支柱808b和808e两者。这可以允许单个外罩级接触件将地电位提供给多个基板级接触件。因此，声波装置800可以不需要在外罩中的地对地连接。
图9示出了根据各个实施例的声波装置900的顶部截面图。声波装置900可以包括焊点904a-f、支柱908a-f以及连接器912a-g。声波装置900可以包括与多个连接器912b和912g耦接的焊点904b。多个连接器912b和912g可以为声波装置提供热耗散。在一些实施例中，连接器912b和912g可以耦接到相同的外罩级接触件。
在一些实施例中，声波装置900可以另外或者替换地包括与多个支柱耦接以提供热耗散的焊点。多个支柱可以耦接到相同的基板级接触件。
在本文中所描述的声波装置的实施例(例如、声波装置100、200、400、500、600、700、800和/或900)和包括这种声波装置的设备可以合并到各种其它设备和系统中。在图10中示出了根据一些实施例的示例性无线通信装置1000的框图。无线通信装置1000可以具有包括一个或更多个RF（射频）功率放大器(power amplifier,PA)1008的RF功率放大器模块1004。RF PA模块1004还可以包括与RF PA1008中的一个或更多个耦接的一个或更多个声波滤波器1012。声波滤波器1012可以是类似于和/或包括声波装置100、200、400、500、600、700、800和/或900。另外或者替换地，可以通过方法300来形成声波滤波器1012。
除了RF PA模块1004之外，无线通信装置1000可以具有如所示彼此耦接的天线结构1014、Tx/Rx（收发）开关1018、收发器1022、主处理器1026以及存储器1030。虽然无线通信装置被示出为具有发送和接收能力，但是其它实施例可以包括具有仅仅发送或者仅仅接收能力的装置。虽然声波滤波器1012被示出为包括在RF PA模块1004内，但是在其它实施例中，声波滤波器1012可以包括在除了RF PA模块1004之外的诸如Tx/Rx开关1018和/或收发器1022等无线通信装置1000的其它部件内。
在各种实施例中，无线通信装置1000可以是但是不限于移动电话、寻呼装置、个人数字助理、文本信息装置、便携式计算机、台式计算机、基站、用户服务站、接入点、雷达、卫星通信装置或者能够无线地发送/接收RF信号的任何其它装置。
主处理器1026可以执行存储在存储器1030中的基本操作系统程序，以便控制无线通信装置1000的总体操作。例如，主处理器1026可以通过收发器1022来控制信号的接收和信号的发送。主处理器1026能够执行存储在存储器1030中的其它处理和程序并且可以根据执行的处理的需要来将数据移入或者移出存储器1030。
收发器1022可以从主处理器1026接收传出数据(例如声音数据、网络数据、电子邮件、信令数据等)，可以生成表示输出数据的RFin信号以及将RFin信号提供给RF PA模块1004。收发器1022也可以控制RF PA模块1004在所选择的频带中并且在全功率或者补偿功率模式下工作。在一些实施例中，收发器1022可以使用OFDM调制来产生RFin信号。
RF PA模块1004可以放大RFin信号以提供如本文所描述的RFout信号。RFout信号可以被转送到Tx/Rx开关1018并且然后转送到天线结构1014，以便于无线(over-the-air,OTA)发送。在一些实施例中，Tx/Rx开关1018可以包括双工器。按照类似方式，收发器1022可以通过Tx/Rx开关1018从天线结构1014接收进入的OTA信号。收发器1022可以处理进入的信号并且将其发送到主处理器1026，以便进一步处理。
在各种实施例中，天线结构1014可以包括一个或更多个方向和/或全方向的天线(例如,包括偶极天线、单极天线、块状天线、环形天线、微带天线或者适合于RF信号的OTA发送/接收的其它任何类型的天线)。
本领域技术人员将认识到的是，通过示例来给出无线通信装置1000，并且为了简便和清楚，仅仅示出和说明对理解实施例所必需的这样多的无线通信装置的结构和操作。各种实施例根据特定的需求设想了任何合适的部件或者部件的组合来执行与无线通信装置1000有关的任何合适的任务。此外，要理解的是，无线通信装置1000不应该解释为限制可以实施实施例的装置的类型。
尽管在本文中为了说明已经示出和描述了某些实施例，在不脱离本公开的范围的情形下，设计来实现相同目的的各种替换和/或等效的实施例或者实现可以代替所示出和说明的实施例。本申请意在覆盖在本文中讨论的实施例的任何修改或者改变。因此，明显希望仅仅由权利要求书和它们的等效例来限制在本文中所描述的实施例。
Claims (24)
1.一种用于形成声波装置的方法，包括：
在压电基板的第一表面上形成壁层，所述压电基板具有形成在所述第一表面上的声波变换器和接触件，其中所述壁层形成在所述变换器周围并且具有在所述变换器之上的开口；
在所述变换器之上形成在所述壁层上的帽部以封闭所述开口；
形成穿过所述帽部的通孔，其中所述通孔在所述接触件上方延伸穿过所述壁层；以及
在所述通孔中沉积顶部金属，其中所述顶部金属在所述通孔中形成支柱并且在所述帽部上形成焊点，以在所述焊点和所述接触件之间提供电连接。
2.如权利要求1所述的方法，还包括：
在形成所述壁层之前在所述第一表面上沉积粘附层；以及
在沉积所述顶部金属层之前将所述粘附层的露出部从所述接触件除去。
3.如权利要求书2所述的方法，其中所述粘附层包括氧化物。
4.如权利要求书1所述的方法，其中沉积所述顶部金属层包括：
在所述帽部上沉积光阻层以限定在所述通孔之上的开口；
在所述光阻层的开口中沉积所述顶部金属层；以及
除去所述光阻层。
5.如权利要求1所述的方法，还包括：
在沉积所述顶部金属之前将具有导电材料的种子层沉积在所述第一表面上；以及
在沉积所述顶部金属后除去所述种子层的露出部以留下所述顶部金属和所述接触件之间的所述种子层的其余部分。
6.如权利要求书1所述的方法，其中所述壁层和所述帽部由光可限定的干膜材料形成。
7.如权利要求书6所述的方法，其中所述光可限定的干膜材料具有至少160摄氏度的玻璃转化温度。
8.如权利要求书1所述的方法，还包括形成连接器以将所述焊点与在所述声波装置的外罩上的外罩级接触件耦接。
9.如权利要求书8所述的方法，其中所述连接器在穿过所述焊点的横截面中偏离所述支柱。
10.如权利要求书8所述的方法，还包括形成与所述焊点耦接的两个或更多个连接器。
11.如权利要求书1所述的方法，其中所述焊点形成接地平面以将所述接触件耦接到另一接触件。
12.如权利要求1所述的方法，其中所述通孔是第一通孔，并且其中所述方法还包括：
在所述接触件之上形成第二通孔；以及
在所述第二通孔中沉积顶部金属层以在所述第二通孔中形成支柱，从而将所述接触件与所述焊点耦接。
13.如权利要求1所述的方法，还包括在所述帽部上形成一个或更多个层，所述一个或更多个层包括电感器或者电容器。
14.如权利要求1所述的方法，其中所述压电基板是晶片，并且其中所述方法还包括：
在所述晶片上形成多个声波装置；以及
将所述晶片切割，以分割所述多个声波装置。
15.一种声波装置，包括：
具有第一表面的压电基板；
设置在所述第一表面上的声波变换器；
与所述声波变换器耦接的接触件；
在所述第一表面上的壁层，所述壁层设置在所述变换器周围并且在所述变换器之上限定开口；
在所述壁层上的帽部，所述帽部封闭在所述变换器之上的开口；
在所述接触件上方的、穿过所述帽部和所述壁层的通孔；
在所述通孔上方的、所述帽部上的焊点；以及
支柱，所述支柱设置在所述通孔中以在所述焊点和在所述接触件之间提供电连接。
16.如权利要求书15所述的装置，其中所述帽部由光可限定的干膜材料形成，该光可限定的干膜材料具有至少160摄氏度的玻璃转化温度。
17.如权利要求15所述的装置，还包括设置在所述壁层和所述基板之间以将所述壁层粘接到所述基板的粘附层，其中所述粘附层也设置在所述变换器之上以提供钝化层。
18.如权利要求15所述的装置，还包括设置在所述支柱和所述接触件之间的、具有导电材料的种子层。
19.如权利要求15所述的装置，其中所述接触件是基板级接触件，并且其中所述装置还包括：
具有外罩级接触件的层状外罩；以及
将所述焊点与所述外罩级接触件耦接的连接器。
20.如权利要求书19所述的装置，其中所述连接器在所述焊点的横截面中偏离所述支柱。
21.如权利要求书19所述的装置，还包括与所述焊点耦接的两个或更多个连接器。
22.如权利要求书15所述的装置，还包括将所述焊点耦接到所述接触件的两个或更多个支柱。
23.如权利要求15所述的装置，其中所述声波变换器是输入变换器，所述接触件是第一接触件，所述焊点是第一焊点以及所述支柱是第一支柱，并且其中所述装置还包括：
设置在所述基板的第一表面上的输出变换器；
与所述输出变换器耦接的第二接触件；
在所述第二接触件上方的、所述帽部上的第二焊点；以及
将所述第二焊点电耦接到所述第二接触件的第二支柱。
24.如权利要求15所述的装置，其中所述装置是射频滤波器。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108155886A (zh) * | 2016-12-05 | 2018-06-12 | 三星电机株式会社 | 声波滤波器装置 |
| CN109728790A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-05-07 | 厦门云天半导体科技有限公司 | 一种滤波器的晶圆级封装结构及其工艺 |
| CN110448263A (zh) * | 2019-09-12 | 2019-11-15 | 江苏集萃智能传感技术研究所有限公司 | 一种基于多波段滤光图像传感器的胶囊内窥镜 |
| CN110567896A (zh) * | 2019-09-12 | 2019-12-13 | 江苏集萃智能传感技术研究所有限公司 | 一种基于多波段滤光的便携式分析装置 |
| CN117013974A (zh) * | 2023-10-08 | 2023-11-07 | 深圳新声半导体有限公司 | 一种baw滤波器晶圆级封装方法 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015046870A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-03-12 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置の製造方法 |
| WO2015190166A1 (ja) * | 2014-06-12 | 2015-12-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置 |
| JP6669429B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2020-03-18 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および通信装置 |
| WO2017110308A1 (ja) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
| US11502067B2 (en) * | 2018-07-26 | 2022-11-15 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Package structure and method for manufacturing the same |
| GB2626485B (en) * | 2019-11-27 | 2024-10-09 | Univ Tohoku | Energy confinement in acoustic wave devices |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1291374A (zh) * | 1998-02-17 | 2001-04-11 | 埃普科斯股份有限公司 | 电子元件,尤其是利用声表面波工作的元件－表面波元件 |
| US20080122314A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Takashi Yamashita | Acoustic wave device |
| CN101335508A (zh) * | 2007-06-27 | 2008-12-31 | 日本电波工业株式会社 | 压电部件及其制造方法 |
| US20090096321A1 (en) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device, and manufacturing method therefor |
| CN101924531A (zh) * | 2009-05-26 | 2010-12-22 | 日本电波工业株式会社 | 压电部件及其制造方法 |
| CN101946409A (zh) * | 2008-02-18 | 2011-01-12 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
| US20120280768A1 (en) * | 2010-12-16 | 2012-11-08 | Panasonic Corporation | Elastic wave device |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101107776B (zh) * | 2005-06-16 | 2010-05-19 | 株式会社村田制作所 | 压电器件及其制作方法 |
| EP1976118A4 (en) * | 2006-01-18 | 2011-12-14 | Murata Manufacturing Co | ACOUSTIC SURFACE WAVE DEVICE AND LIMIT ACOUSTIC WAVE DEVICE |
| CN102227874B (zh) * | 2008-11-28 | 2014-07-23 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置及其制造方法 |
| JP5546203B2 (ja) * | 2009-10-22 | 2014-07-09 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| TW201303501A (zh) * | 2011-03-28 | 2013-01-16 | Hitachi Chemical Co Ltd | 感光性樹脂組成物、感光性薄膜、稜紋圖型之形成方法、中空構造之形成方法及電子零件 |
| WO2012132147A1 (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-04 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
-
2013
- 2013-03-08 US US13/791,600 patent/US9209380B2/en active Active
-
2014
- 2014-03-05 JP JP2014042579A patent/JP2014176089A/ja active Pending
- 2014-03-07 CN CN201410083368.9A patent/CN104038179B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1291374A (zh) * | 1998-02-17 | 2001-04-11 | 埃普科斯股份有限公司 | 电子元件,尤其是利用声表面波工作的元件－表面波元件 |
| US20080122314A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Takashi Yamashita | Acoustic wave device |
| CN101335508A (zh) * | 2007-06-27 | 2008-12-31 | 日本电波工业株式会社 | 压电部件及其制造方法 |
| US20090096321A1 (en) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device, and manufacturing method therefor |
| CN101946409A (zh) * | 2008-02-18 | 2011-01-12 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
| CN101924531A (zh) * | 2009-05-26 | 2010-12-22 | 日本电波工业株式会社 | 压电部件及其制造方法 |
| US20120280768A1 (en) * | 2010-12-16 | 2012-11-08 | Panasonic Corporation | Elastic wave device |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108155886A (zh) * | 2016-12-05 | 2018-06-12 | 三星电机株式会社 | 声波滤波器装置 |
| CN108155886B (zh) * | 2016-12-05 | 2022-06-03 | 三星电机株式会社 | 声波滤波器装置 |
| CN109728790A (zh) * | 2019-01-16 | 2019-05-07 | 厦门云天半导体科技有限公司 | 一种滤波器的晶圆级封装结构及其工艺 |
| CN110448263A (zh) * | 2019-09-12 | 2019-11-15 | 江苏集萃智能传感技术研究所有限公司 | 一种基于多波段滤光图像传感器的胶囊内窥镜 |
| CN110567896A (zh) * | 2019-09-12 | 2019-12-13 | 江苏集萃智能传感技术研究所有限公司 | 一种基于多波段滤光的便携式分析装置 |
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