CN104031459A - 一种Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液及制备方法、光敏树脂溶液、黑矩阵的制备方法、彩膜基板 - Google Patents

一种Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液及制备方法、光敏树脂溶液、黑矩阵的制备方法、彩膜基板 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液及制备方法、光敏树脂溶液、黑矩阵的制备方法、彩膜基板，涉及显示技术领域中的纳米技术，该纳米晶溶液中的纳米晶粒径尺寸较小，对紫外-可见光范围内的光均有吸收，利用该纳米晶溶液制备而成的黑矩阵可在具有较小厚度的同时获得良好的遮光性能。该纳米晶溶液中，分散在纳米晶溶液中的纳米晶的粒径为5～20nm，纳米晶的带隙宽度为0.8～1.5ev，纳米晶的晶粒表面具有有机官能团。用于Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液的制备及其在黑矩阵中的应用。

Description

一种Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液及制备方法、光敏树脂溶液、黑矩阵的制备方法、彩膜基板
技术领域
本发明涉及显示技术领域中的纳米技术，尤其涉及一种Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液及制备方法、光敏树脂溶液、黑矩阵的制备方法、彩膜基板。
背景技术
目前，为改进各像素间的对比度，防止相邻像素间产生混光，从而降低显示品质，在彩膜基板中的各像素之间设置有黑矩阵(BlackMatrix，简称为BM)的网格形式的黑色膜层。
在常规的黑矩阵制备中，使用通过在整个玻璃基板上沉积和蚀刻作为颜料的铬(Cr)而形成图案的方法，这种制备方法工艺复杂，同时原料铬存在高反射率、易于产生铬废液而造成的环境污染等问题。
因此，研究人员开发出将黑色颜料(如炭黑)分散于树脂膜层中，利用黑色的吸光特性来达到一定的遮光效果；然而，利用将黑色颜料分散于树脂膜层构成的黑矩阵仍具有至少以下缺点：
其一、由于大部分黑色颜料(如炭黑)的粒径尺寸较大(通常为微米μm级别)，与树脂等溶剂的分散性较差，影响黑矩阵的膜层均匀性及成膜附着力。
其二、为了保证黑矩阵的良好遮光效果，需要极大地增加黑色颜料的使用量，使得树脂膜层的整体厚度较大，降低了彩膜基板整体的平坦性，导致显示品质下降。
基于此，本领域技术人员亟待寻求一种具有更佳遮光性能、且粒径尺寸较小的新型遮光材料。
发明内容
本发明的实施例提供一种Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液及制备方法、光敏树脂溶液、黑矩阵的制备方法、彩膜基板，该纳米晶溶液中的纳米晶粒径尺寸较小，对紫外-可见光范围内的光均有吸收，利用该纳米晶溶液制备而成的黑矩阵可在具有较小厚度的同时获得良好的遮光性能。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面、本发明实施例提供了一种Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液，分散在所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液中的Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶的粒径为5～20nm，所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶的带隙宽度为0.8～1.5ev，所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶的晶粒表面具有有机官能团。
第二方面、本发明实施例提供了一种上述所述的Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液的制备方法，该方法包括，将0.25mmol乙酰丙酮铜、0.5mmol乙酰丙酮锌、以及0.25mmol氯化亚锡加入到12ml的油胺溶液中，形成混合溶液；对所述混合溶液进行加热直至110℃，并进行抽真空处理，直到所述混合溶液中不再产生气泡，停止抽真空处理，并向所述混合溶液中通入氮气；对所述混合溶液进行加热直至160℃，向所述混合溶液中加入体积为2ml、浓度为1mol/L的磷酸三丁酯-碲前驱液；对所述混合溶液进行加热直至200℃，反应5min；反应结束后使所述混合溶液冷却至室温，向所述混合溶液中加入分散剂，获得所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液。
优选的，在氮气气氛保护下，通过将单质碲溶解于磷酸三丁酯溶剂中获得所述磷酸三丁酯-碲前驱液。
优选的，所述反应结束后使所述混合溶液冷却至室温，向所述混合溶液中加入分散剂，获得所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液包括，反应结束后使所述混合溶液冷却至室温，向所述混合溶液中加入正己烷溶液，获得所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液；其中，所述正己烷溶液的加入量为所述混合溶液体积的5～10倍。
第三方面、本发明实施例提供了一种光敏树脂溶液，所述光敏树脂溶液用于制备黑矩阵，所述光敏树脂溶液包括，遮光材料、有机溶剂、以及树脂；其中，所述遮光材料由Cu、Zn、Sn、S、Se、以及Te的三元或四元化合物构成。
优选的，所述遮光材料为上述权利要求1所述的Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液。
优选的，所述光敏树脂溶液的浓度为0.5～100g/L。
优选的，所述有机溶剂为乙醇、或乙二醇、或正丁醇、或异丁醇、或异戊醇、或叔戊醇、或丙三醇中的至少一种；或，所述有机溶剂为乙二胺、或异丁胺、或二异丙胺、或己二胺、或三乙胺中的至少一种；或，所述有机溶剂为乙酸、或丙酸、或乙二酸中的至少一种。
第四方面、本发明实施例提供了一种黑矩阵的制备方法，所述制备方法用于彩膜基板中的黑矩阵的制备，所述方法包括，形成光敏树脂溶液；其中，所述光敏树脂溶液为上述权利要求5至8中任一项所述的光敏树脂溶液；对完成彩色层制备的基板进行清洗；通过掩模板，采用溶液法将所述光敏树脂溶液喷涂到所述基板具有所述彩色层的一面上；对喷涂有所述光敏树脂溶液的基板进行干燥处理，获得所述黑矩阵。
优选的，所述形成光敏树脂溶液包括，将所述遮光材料分散于所述有机溶剂中，形成混合溶液；将所述混合溶液分散于所述树脂中，形成所述光敏树脂溶液。
优选的，所述溶液法包括喷涂法、喷墨打印法、丝网印刷法。
第五方面、本发明实施例提供了一种彩膜基板，包括采用上述权利要求任一项所述的制备方法制备的黑矩阵。
本发明实施例提供了一种Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液，分散在所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液中的Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶的粒径为5～20nm，所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶的带隙宽度为0.8～1.5ev，所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶的晶粒表面具有有机官能团。所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液中的Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶的粒径尺寸较小，且表面具有有机官能团，分散性较强；对紫外-可见光范围内的光均有吸收，利用该纳米晶溶液制备而成的黑矩阵可在具有较小厚度的同时获得良好的遮光性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶的模型示意图；
图2为本发明实施例提供的一种Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶的紫外-可见-近红外-吸收光谱图；
图3为本发明实施例提供的一种Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液的制备流程示意图；
图4为本发明实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图。
附图标记：
01-彩膜基板；10-黑矩阵；20-彩色层；100-Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶；101-晶粒；102-有机官能团。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液，如图1所示，分散在所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液中的Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100的粒径为5～20nm，所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100的带隙宽度为0.8～1.5ev，所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100的晶粒101表面具有有机官能团102。
需要说明的是，第一、所述纳米晶是指晶粒尺寸在纳米级别(1～100nm)的晶体。图1仅为显示本发明实施例提供的所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100的模型图，其中，所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100的晶粒表面具有的所述有机官能团与晶粒的相对尺寸不对应于实际尺寸。
第二、本发明实施例提供的所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100中，所述晶粒由Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34半导体化合物构成，该半导体化合物以Cu元素、Zn元素、Sn元素、以及Te元素以化学计量比为2:0.14:0.25:2.34形成。
第三、通过对所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液进行相关性能测试，如利用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope，简称TEM)、X射线能量色散谱(X-ray Energy DispersiveSpectroscopy，简称EDS))、紫外可见吸收光谱仪(Ultraviolet visibleSpectrophotometer，简称UV-VIS)等相关仪器，可以获得关于所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100的粒径分布、化学元素计量比、以及带隙宽度(Band gap)的相关参数，即：本发明实施例提供的所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液中，所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100的粒径为5～20nm，由于纳米尺度的粒径相比于现有技术中黑色颜料的微米级别的粒径小得多，粒径分布的均匀性较高，且粒径的尺度越小，其比表面积越大，越易于均匀地分散于分散剂中，有利于所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液的稳定存在。
第四、由于所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100的带隙宽度为0.8～1.5ev，如图2所示，由所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100的紫外-可见吸收光谱图可知，所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100在可见-紫外光区域(400nm～700nm)均有明显的吸收带，表面本发明实施例提供的所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液中，所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100对于紫外-可见光均有良好的吸收性，利用所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液制备而成的黑矩阵具有良好的吸光特性。
第五、由于所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100的晶粒101表面具有有机官能团102，利用相似相容原理，可使所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100易于溶解于有机溶剂，易于黑矩阵的成膜。
这里，本发明实施例不对所述有机官能团102的种类和数量加以限定。
本发明实施例提供了一种Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液，分散在所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液中的Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100的粒径为5～20nm，所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100的带隙宽度为0.8～1.5ev，所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100的晶粒101表面具有有机官能团102。所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液中的Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100的粒径尺寸较小，且表面具有有机官能团102，分散性较强；对紫外-可见光范围内的光均有吸收，利用该纳米晶溶液制备而成的黑矩阵可在具有较小厚度的同时获得良好的遮光性能。
在此基础上，本发明实施例还提供了一种上述的所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液的制备方法，如图3所示，所述方法包括：
S01、将0.25mmol乙酰丙酮铜、0.5mmol乙酰丙酮锌、以及0.25mmol氯化亚锡加入到12ml的油胺溶液中，形成混合溶液。
这里，所述mmol毫摩尔(其中，摩尔是物质的量的单位，符号为n)，1毫摩尔(mmol)＝1/1000摩尔(mol)，摩尔(n)与物质的质量(m)的换算关系式为：
n = m M
其中，m表示物质的质量；M标示物质的摩尔质量。
以上述的乙酰丙酮铜为例，所述乙酰丙酮铜又名乙酰丙酮酸铜(II)，分子式为C5H8CuO2，相对分子质量为163.6607，即其摩尔质量的数值等于163.6607，单位为g/mol。
所述乙酰丙酮锌，分子式为C10H14O4Zn，相对分子质量为263.6248，即其摩尔质量的数值等于263.6248，单位为g/mol。
所述氯化亚锡，分子式为SnCl2，相对分子质量为189.616，即其摩尔质量的数值等于189.616，单位为g/mol。
所述油胺溶液，分子式为C18H37N，相对分子质量为267.4931，即其摩尔质量的数值等于267.4931，单位为g/mol。
需要说的是，在上述步骤S01中，对所述乙酰丙酮铜、所述乙酰丙酮锌、以及所述氯化亚锡加入到所述油胺溶液中的顺序不作限定，例如可以是将所述乙酰丙酮铜、所述乙酰丙酮锌、以及所述氯化亚锡加入到反应容器中(如三口烧瓶等)，再向反应容器中加入所述油胺溶液，通过磁力搅拌或超声波震荡使上述反应物质均匀溶解于所述油胺溶液中，也可以是在不断搅拌或震荡过程中，依次加入所述乙酰丙酮铜、所述乙酰丙酮锌、以及所述氯化亚锡。
S02、对所述混合溶液进行加热直至110℃，并进行抽真空处理，直到所述混合溶液中不再产生气泡，停止抽真空处理，并向所述混合溶液中通入氮气。
S03、对所述混合溶液进行加热直至160℃，向所述混合溶液中加入体积为2ml、浓度为1mol/L的磷酸三丁酯-碲前驱液。
此处，所述磷酸三丁酯(Tributyl phosphate，简称为TBP)，其分子式为C12H27O4P，相对分子质量为266.32，常用来作为溶剂、和/或稀有金属的萃取剂。
S04、对所述混合溶液进行加热直至200℃，反应5min。
S05、反应结束后使所述混合溶液冷却至室温，向所述混合溶液中加入分散剂，获得所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液。
需要说明的是，所述“室温”，也称为常温或者一般温度，通常来说，室温有3种范围的定义，即：⑴、23℃±2℃；(2)、25℃±5℃；(3)、20℃±5℃。
这里，由于所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液中的所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100的晶粒101表面具有有机官能团102，通过加入所述分散剂有利于保持所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100处于溶液状态。
此外，本发明实施例不对所述分散剂的种类和加入量做限定，以使所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100稳定分散于溶液中形成所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液为准。所述分散剂例如可以为烷烃类的有机溶剂，其作用是使所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶100分散，避免相互团聚而使粒径增大。
在上述基础上优选的，针对上述步骤S03，可在氮气气氛保护下，通过将单质碲(化学元素为Te)溶解于磷酸三丁酯(TBP)溶剂中获得所述磷酸三丁酯-碲前驱液(简称为TBP-Te)。
针对上述步骤S05，具体的，可在反应结束后使所述混合溶液冷却至室温，向所述混合溶液中加入正己烷(又称为己烷，分子式为C6H14，相对分子质量为86.2)溶液，获得所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液；其中，所述正己烷溶液的加入量为所述混合溶液体积的5～10倍。
基于上述的描述，本发明实施例又提供了一种用于制备黑矩阵的光敏树脂溶液，所述光敏树脂溶液包括，遮光材料、有机溶剂、以及树脂；其中，所述遮光材料由Cu、Zn、Sn、S、Se、以及Te的三元或四元化合物构成。
需要说明的是，所述树脂可以为感光树脂，也可以为非感光树脂，在此不作限定。
进一步优选的，所述遮光材料为上述的所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液。
需要说明的，本领域技术人员可根据上述步骤S01～S05所揭示的制备方法而轻易地制备出由Cu、Zn、Sn、S、Se、以及Te的三元或四元化合物构成的化合物组成的晶粒分散于所述分散剂中形成的纳米晶溶液，故在此优选的遮光材料为上述的所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液并不脱离本发明实施例的主题和范围。
由于所述CZST纳米晶100的带隙宽度为0.8～1.5ev。因此，利用具有所述CZST纳米晶溶液的光敏树脂溶液制备而成的黑矩阵具有良好的吸光性能，并且，由于所述CZST纳米晶100的粒径为5～20nm，且所述CZST纳米晶100的晶粒101表面具有有机官能团102，即所述CZST纳米晶100的分散性较高，由于所述CZST纳米晶100自身具有较强的吸光性，因此，可以在保持所述黑矩阵整体具有良好的吸光性能的基础上，使制备出的所述黑矩阵具有较小的厚度，从而避免了现有技术中厚度较大的黑矩阵影响彩膜基板中彩色层平坦性的问题。
在此基础上，所述光敏树脂溶液的浓度为0.5～100g/L。
这里，所述光敏树脂溶液中的所述有机溶剂可以为乙醇、或乙二醇、或正丁醇、或异丁醇、或异戊醇、或叔戊醇、或丙三醇中的至少一种；或者，所述有机溶剂可以为乙二胺、或异丁胺、或二异丙胺、或己二胺、或三乙胺中的至少一种；再或，所述有机溶剂可以为乙酸、或丙酸、或乙二酸中的至少一种。
在上述基础上，本发明实施例又提供了一种用于彩膜基板中的黑矩阵的制备方法，所述方法包括：
S11、形成光敏树脂溶液；其中，所述光敏树脂溶液为上述任一项所述的光敏树脂溶液。
S12、对完成彩色层制备的基板进行清洗。
S13、通过掩模板，采用溶液法将所述光敏树脂溶液喷涂到所述基板具有所述彩色层的一面上。
这里，所述掩模板上包括多个中空部分，所述中空部分对应所述彩色层中不同颜色的色阻之间的间隙处，即对应于待形成的所述黑矩阵的区域。
S14、对喷涂有所述光敏树脂溶液的基板进行干燥处理，获得所述黑矩阵。
基于此，相比于现有技术中通过蒸镀法、溅射法、刻蚀法等方法制作黑矩阵，本发明实施例通过所述溶液法制备黑矩阵，至少具有如下优点：
其一、由于避免了现有技术中经过多次曝光、显影制备黑矩阵的过程，简化工艺流程的复杂性，降低了对原材料的耗费。
其二、由于通过上述溶液法经干燥处理一次即可完成所述黑矩阵的制备，降低了多次工艺流程中可能引入的工艺缺陷，提高了制备出的所述黑矩阵的质量品质，有利于大规模的工业生产。
其中，上述步骤S11具体可包括以下子步骤：
S111、将所述遮光材料分散于所述有机溶剂中，形成混合溶液。
S112、将所述混合溶液分散于所述树脂中，形成所述光敏树脂溶液。
在此基础上，上述步骤S13中，所述溶液法包括喷涂法、喷墨打印法、丝网印刷法。
此处，所述溶液法例如还可以包括溶液滴落法(Drop)等方法。
本发明实施例还提供了一种彩膜基板01，如图4所示，所述彩膜基板01包括采用上述任一项所述的制备方法制备的所述黑矩阵10。
需要说明的是，图4中仅以所述彩色层包括多个红色光阻(图中标记为R)、绿色光阻(图中标记为G)、蓝色光阻(图中标记为B)为例进行说明，但本发明实施例不限于此，所述彩色层例如还可以包括其他颜色的光阻。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液，其特征在于，分散在所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液中的Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶的粒径为5～20nm，所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶的带隙宽度为0.8～1.5ev，所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶的晶粒表面具有有机官能团。
2.一种如权利要求1所述的Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液的制备方法，其特征在于，包括，
将0.25mmol乙酰丙酮铜、0.5mmol乙酰丙酮锌、以及0.25mmol氯化亚锡加入到12ml的油胺溶液中，形成混合溶液；
对所述混合溶液进行加热直至110℃，并进行抽真空处理，直到所述混合溶液中不再产生气泡，停止抽真空处理，并向所述混合溶液中通入氮气；
对所述混合溶液进行加热直至160℃，向所述混合溶液中加入体积为2ml、浓度为1mol/L的磷酸三丁酯-碲前驱液；
对所述混合溶液进行加热直至200℃，反应5min；
反应结束后使所述混合溶液冷却至室温，向所述混合溶液中加入分散剂，获得所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在氮气气氛保护下，通过将单质碲溶解于磷酸三丁酯溶剂中获得所述磷酸三丁酯-碲前驱液。
4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述反应结束后使所述混合溶液冷却至室温，向所述混合溶液中加入分散剂，获得所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液包括，
反应结束后使所述混合溶液冷却至室温，向所述混合溶液中加入正己烷溶液，获得所述Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液；
其中，所述正己烷溶液的加入量为所述混合溶液体积的5～10倍。
5.一种光敏树脂溶液，其特征在于，所述光敏树脂溶液用于制备黑矩阵，所述光敏树脂溶液包括，遮光材料、有机溶剂、以及树脂；
其中，所述遮光材料由Cu、Zn、Sn、S、Se、以及Te的三元或四元化合物构成。
6.根据权利要求5所述的光敏树脂溶液，其特征在于，所述遮光材料为上述权利要求1所述的Cu2Zn0.14Sn0.25Te2.34纳米晶溶液。
7.根据权利要求5所述的光敏树脂溶液，其特征在于，所述光敏树脂溶液的浓度为0.5～100g/L。
8.根据权利要求5所述的光敏树脂溶液，其特征在于，所述有机溶剂为乙醇、或乙二醇、或正丁醇、或异丁醇、或异戊醇、或叔戊醇、或丙三醇中的至少一种；或，
所述有机溶剂为乙二胺、或异丁胺、或二异丙胺、或己二胺、或三乙胺中的至少一种；或，
所述有机溶剂为乙酸、或丙酸、或乙二酸中的至少一种。
9.一种黑矩阵的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于彩膜基板中的黑矩阵的制备，所述方法包括，
形成光敏树脂溶液；其中，所述光敏树脂溶液为上述权利要求5至8中任一项所述的光敏树脂溶液；
对完成彩色层制备的基板进行清洗；
通过掩模板，采用溶液法将所述光敏树脂溶液喷涂到所述基板具有所述彩色层的一面上；
对喷涂有所述光敏树脂溶液的基板进行干燥处理，获得所述黑矩阵。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述形成光敏树脂溶液包括，
将所述遮光材料分散于所述有机溶剂中，形成混合溶液；
将所述混合溶液分散于所述树脂中，形成所述光敏树脂溶液。
11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述溶液法包括喷涂法、喷墨打印法、丝网印刷法。
12.一种彩膜基板，其特征在于，包括采用上述权利要求9至11任一项所述的制备方法制备的黑矩阵。
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