CN103996736B - 应用于光电电位器中的光敏元件新结构 - Google Patents

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Abstract

提供一种应用于光电电位器中的光敏元件新结构,具有基体、导电带、电阻带和引出电极,所述导电带、电阻带和引出电极采用不同导电性能的金属箔制成并粘贴在基体表面,所述导电带、电阻带和引出电极上端面涂覆光敏层,所述光敏层上端面涂覆密封层。本发明利用不同的金属箔材料替代原有光敏元件中需要蒸镀的电阻带、导电带和引出电极,简化了工艺流程,提高了光敏元件的制造精度,可替代现有光电电位器中的光敏元件,并应用于所有形式的光电电位器中,同时减少蒸镀环节中对环境的污染,具有较高的实用价值。

Description

应用于光电电位器中的光敏元件新结构
技术领域
本发明属电位器技术领域,具体涉及一种应用于光电电位器中的光敏元件新结构。
背景技术
现有的光电电位器中的光敏元件,是由蒸镀导电带、蒸镀电阻带、引出电极、光敏层、密封胶和基体等组成。在制造时光敏层、蒸镀导电带、蒸镀电阻带和引出电极需分别用四种图案样板在基体上分四次蒸镀出来,采用此种工艺,首先必须具备高精度的真空蒸镀技术;其次蒸镀的图案样板需要用机械加工,这样制造出的电阻带误差较大,容易短路;另外在蒸镀过程中,要四次更换图案样板,定位精度很难保证,在更换过程中也容易污染表面,形成屏蔽,造成光敏元件不稳定。上述缺陷,制约了光敏元件的进一步发展,因此有必要提出改进。
发明内容
本发明解决的技术问题:提供一种应用于光电电位器中的光敏元件新结构,通过选用不同导电性能的金属箔材料,根据光敏元件的性能要求分别对导电带、电阻带和引出电极进行几何形状设计,再采用制版、光化和腐蚀等工艺方法分别制成金属箔导电带、金属箔电阻带和金属箔引出电极,再将其粘贴到基体上,然后在其表面上依次涂覆光敏层和密封层。
本发明采用的技术方案:应用于光电电位器中的光敏元件新结构,具有基体、导电带、电阻带和引出电极,所述导电带、电阻带和引出电极采用不同导电性能的金属箔制成并粘贴在基体表面,所述导电带、电阻带和引出电极上端面涂覆光敏层,所述光敏层上端面涂覆密封层。
其中,所述电阻带位于导电带中间且电阻带与导电带之间预留间隙。
进一步地,所述导电带和引出电极采用电阻率小的金基材料制成,所述电阻带采用不同电阻率的康铜材料制成。
进一步地,所述密封层为透光率优良的密封胶。
本发明与现有技术相比利用不同的金属箔材料替代原有光敏元件中需要蒸镀的电阻带、导电带和引出电极,简化了工艺流程,提高了光敏元件的制造精度,可替代现有光电电位器中的光敏元件,并应用于所有形式的光电电位器中,同时减少蒸镀环节中对环境的污染,具有较高的实用价值。
附图说明
图1为本发明结构示意图;
图2为图1的A-A剖视图。
具体实施方式
下面结合附图1-2描述本发明的一种实施例。
应用于光电电位器中的光敏元件新结构,具有基体1、导电带2、电阻带3和引出电极4,所述导电带2、电阻带3和引出电极4采用不同导电性能的金属箔制成并粘贴在基体1表面,所述导电带2、电阻带3和引出电极4上端面涂覆光敏层5,所述光敏层5上端面涂覆密封层6;所述电阻带3位于导电带2中间且电阻带3与导电带2之间预留间隙7;所述导电带2和引出电极4采用导电性能好,可焊性好,与基体附着力牢固,电阻率小的金基材料制成,所述电阻带3采用具有合适的方阻,合适的电阻温度系数的材料制成;所述密封层6采用有良好的的物理性能和化学性能,不吸潮、应力小,对光敏层没有影响,透明并无衍射和散射密封胶。
首先选用导电性能很好的金基材料作为导电带2和引出电极4的材料,根据光敏元件所需电阻值的大小,选用合适的康铜作为电阻带3的材料,将导电带2、引出电极4和电阻带3的材料均通过碾压制成金属箔,再根据电位器阻值的误差精度和符合度误差进行电阻体几何形状的设计,将设计好的几何图形进行照相制版,并在碾压制成的金属箔上进行光化和腐蚀等光刻工艺,然后将制成的金属箔导电带2、金属箔引出电极4和金属箔电阻带3粘贴到基体1上,最后在导电带2、电阻带3和引出电极4上端面涂覆光敏层5,之后在光敏层5上涂覆密封胶6,工艺流程简单,同时提高了光敏元件的制造精度,减少蒸镀环节中对环境的污染,具有较高的实用价值。
上述实施例,只是本发明的较佳实施例,并非用来限制本发明实施范围,故凡以本发明权利要求所述内容所做的等效变化,均应包括在本发明权利要求范围之内。

Claims (3)

1.应用于光电电位器中的光敏元件新结构,具有基体(1)、导电带(2)、电阻带(3)和引出电极(4),其特征在于:所述导电带(2)、电阻带(3)和引出电极(4)采用不同导电性能的金属箔制成并粘贴在基体(1)表面,所述导电带(2)、电阻带(3)和引出电极(4)上端面涂覆光敏层(5),所述光敏层(5)上端面涂覆密封层(6);所述电阻带(3)位于导电带(2)中间且电阻带(3)与导电带(2)之间预留间隙(7)。
2.根据权利要求1所述的应用于光电电位器中的光敏元件新结构,其特征在于:所述导电带(2)和引出电极(4)采用电阻率小的金基材料制成,所述电阻带(3)采用不同电阻率的康铜材料制成。
3.根据权利要求1所述的应用于光电电位器中的光敏元件新结构,其特征在于:所述密封层(6)为透光率优良的密封胶。
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