CN103973249B - 一种可变增益放大器 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例一种可变增益放大器。该可变增益放大器包括依次连接的第一自偏置晶体管负载和可调电阻负载、第一差分对管、第一电阻以及电流源组成的第一级放大电路，还包括第二差分对管、第二自偏置晶体管负载、第二电阻负载以及第三电阻负载组成的第二级放大电路。该可变增益放大器采用了两级放大电路的结构，实现了更高的增益，并简化了增益调节电路。

Description

一种可变增益放大器
技术领域
本发明实施例涉及电子技术领域，尤其涉及一种可变增益放大器。
背景技术
余量放大器设置在多级结构的模数转换器(Analog to Digital Convertor，简称：ADC)的各级之间，用于将上一级的余量信号放大，以方便下一级子ADC进行处理。余量放大器在很大程度上都影响着ADC的噪声、速度以及线性度等性能，并占用了ADC大部分的功耗。
传统的余量放大器是由基于运算放大器的反馈结构实现的，为了满足ADC的速度和精度，以及自身反馈稳定性的要求，运算放大器的增益和带宽需要足够大，因此，功耗也大。另外，在集成电路深亚微米工艺下，由于器件本征增益和电源电压的降低，满足系统要求的运放实现起来越来越困难。
发明内容
本发明提供一种可变增益放大器，以实现更高的增益，并简化增益调节电路。
第一方面，本发明实施例提供一种可变增益放大器，包括依次连接的第一自偏置晶体管负载和可调电阻负载、第一差分对管、第一电阻以及电流源；
其中，所述第一自偏置晶体管负载为所述可变增益放大器的第一级输出提供共模电平，所述可调电阻负载用于接收控制信号，并基于所述控制信号调整所述可变增益放大器的增益；所述第一差分对管用于接收输入信号并对所述输入信号进行放大得到第一级输出的结果；所述第一电阻用于提高所述可变增益放大器的线性度；所述电流源用于提供所述可变增益放大器工作时的偏置电流。
在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述第一自偏置晶体管负载包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极连接，所述可调电阻负载的第三端连接在所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极之间，所述第一晶体管的漏极与所述可调电阻负载的第一端连接，所述第一晶体管的源极与电源第一端连接，所述第二晶体管的漏极与所述可调电阻负载的第二端连接，所述第二晶体管的源极与所述电源第一端连接；
所述第一差分对管包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的漏极与所述可调电阻负载的第一端连接，所述第三晶体管的源极与所述第一电阻的第一端连接，所述第三晶体管的栅极为第一信号输入端，所述第四晶体管的漏极与所述可调电阻负载的第二端连接，所述第四晶体管的源极与所述第一电阻的第二端连接，所述第四晶体管的栅极为第二信号输入端；所述第一信号输入端和所述第二信号输入端用于接收所述输入信号，所述可调电阻负载的第一端和第二端用于提供第一级输出的结果；
所述电流源包括栅极依次相连的第五晶体管、第六晶体管以及第七晶体管，所述第五晶体管的漏极连接外部偏置电流源，所述第五晶体管的源极接电源第二端，所述第六晶体管的漏极与所述第一电阻的第一端连接，所述第六晶体管的源极接电源第二端，所述第七晶体管的漏极与所述第一电阻的第二端连接，所述第七晶体管的源极接电源第二端。
结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式，在第二种可能的实现方式中，所述第一自偏置晶体管负载为P型金属氧化物半导体MOS晶体管负载；所述第一差分对管为N型金属氧化物半导体MOS差分对管；所述第五晶体管、所述第六晶体管及所述第七晶体管均为NMOS晶体管；所述电源第一端为电源正电压端，所述电源第二端为接地端或电源负电压端。
结合第一方面或第一方面的第一种可能的实现方式，在第三种可能的实现方式中，所述第一自偏置晶体管负载为NMOS晶体管负载；所述第一差分对管为PMOS差分对管；所述第五晶体管、所述第六晶体管及所述第七晶体管均为PMOS晶体管；所述电源第二端为电源正电压端，所述电源第一端为接地端或电源负电压端。
结合第一方面至第一方面的第三种可能的实现方式，在第四种可能的实现方式中，所述可变增益放大器还包括第二差分对管、第二自偏置晶体管负载、第二电阻负载以及第三电阻负载；
其中，所述第二差分对管包括第八晶体管以及第九晶体管，所述第八晶体管的栅极与所述第三晶体管的漏极连接，所述第八晶体管的漏极与所述第二电阻负载的第一端连接，所述第八晶体管的源极与所述电源第一端连接，所述第九晶体管的栅极与所述第四晶体管的漏极连接，所述第九晶体管的漏极与所述第三电阻负载的第二端连接，所述第九晶体管的源极与所述电源第一端连接；所述第八晶体管的栅极和所述第九晶体管的栅极用于接收所述第一级输出的结果；
所述第二自偏置晶体管负载包括第十晶体管和第十一晶体管，所述第十晶体管的栅极与所述第十一晶体管的栅极连接，所述第十晶体管的漏极与所述第二电阻负载的第一端连接，所述第十晶体管的源极与所述电源第二端连接，所述第十一晶体管的漏极与所述第三电阻负载的第二端连接，所述第十一晶体管的源极与所述电源第二端连接；
所述第二电阻负载的第二端与所述第三电阻负载的第一端连接，所述第二电阻负载的第二端和所述第三电阻负载的第一端均连接在所述第十晶体管的栅极与所述第十一晶体管的栅极之间，所述第二电阻负载的第一端和所述第三电阻负载的第二端提供第二级输出的结果。
结合第一方面的第四种可能的实现方式，在第五种可能的实现方式中，当所述电源第一端为电源正电压端，所述电源第二端为接地端或电源负电压端时，所述第二自偏置晶体管负载为NMOS晶体管负载，所述第二差分对管为PMOS差分对管。
结合第一方面的第四种可能的实现方式，在第六种可能的实现方式中，当所述电源第二端为电源正电压端，所述电源第一端为接地端或电源负电压端时，所述第二自偏置晶体管负载为PMOS晶体管负载，所述第二差分对管为NMOS差分对管。
结合第一方面的第四种至第六种可能的实现方式，在第七种可能的实现方式中，所述第二电阻负载与所述第三电阻负载为阻值相同的固定电阻。
结合第一方面至第一方面的第七种可能的实现方式，在第八种可能的实现方式中，所述可调电阻负载包括多个开关和多个电阻，所述多个开关中的每个开关接收所述控制信号中的一个控制位，并在所述控制位的作用下打开或关闭，以使能或去使能与该开关对应的电阻。
结合第一方面的第八种可能的实现方式，在第九种可能的实现方式中，所述控制信号中的多个控制位是温度计码形式。
本发明实施例提供的可变增益放大器，包括依次连接的第一自偏置晶体管负载和可调电阻负载、第一差分对管、第一电阻以及电流源组成的第一级放大电路，还包括第二差分对管、第二自偏置晶体管负载、第二电阻负载以及第三电阻负载组成的第二级放大电路。所述可变增益放大器采用了两级放大电路的结构，实现了更高的增益，并简化了增益调节电路。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明可变增益放大器实施例一的原理图；
图2为本发明可变增益放大器中可调电阻负载的实现原理图；
图3为本发明可变增益放大器实施例二的原理图；
图4为本发明可变增益放大器实施例三的原理图；
图5为本发明增益校准方法实施例一的流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1为本发明可变增益放大器实施例一的原理图。包括依次连接的第一自偏置晶体管负载PMOS1和PMOS2、可调电阻负载R1、第一差分对管NMOS1和NMOS2、第一电阻R0以及电流源NMOS3、NMOS4和NMOS5；
其中，所述第一自偏置晶体管负载PMOS1和PMOS2为所述可变增益放大器的第一级输出提供共模电平，所述可调电阻负载R1用于接收控制信号，并基于所述控制信号调整所述可变增益放大器的增益；所述第一差分对管NMOS1和NMOS2用于接收输入信号并对所述输入信号进行放大得到第一级输出的结果；所述第一电阻R0用于提高所述可变增益放大器的线性度；所述电流源NMOS3、NMOS4和NMOS5用于提供所述可变增益放大器工作时的偏置电流。
具体地，所述第一自偏置晶体管负载包括第一晶体管PMOS1和第二晶体管PMOS2，所述第一晶体管PMOS1的栅极与所述第二晶体管PMOS2的栅极连接，所述可调电阻负载R1的第三端VM连接在所述第一晶体管PMOS1的栅极与所述第二晶体管PMOS2的栅极之间，所述第一晶体管PMOS1的漏极与所述可调电阻负载R1的第一端P连接，所述第一晶体管PMOS1的源极与电源Vdd第一端连接，所述第二晶体管PMOS2的漏极与所述可调电阻负载R1的第二端N连接，所述第二晶体管PMOS2的源极与所述电源Vdd第一端连接。
进一步地，所述可调电阻负载R1可以包括多个开关S1～Sn和多个电阻R0和R，所述多个开关S1～Sn中的每个开关接收所述控制信号中的一个控制位，并在所述控制位的作用下打开或关闭，以使能或去使能与该开关对应的电阻，如图2所示，图2中的R0为固定电阻，两个R0中间引出端，即可调电阻负载R1的第三端VM连接在所述第一晶体管PMOS1的栅极与所述第二晶体管PMOS2的栅极之间，其余电阻为相同的两个电阻R并联组成的电阻阵列，通过开关的打开和关闭，改变电阻阵列的等效电阻值，从而实现电路增益的可编程控制。实际应用中，所述开关S1～Sn接收的控制信号中的多个控制位采用温度计码的形式进行编程控制，以保证增益变化的单调性。也就是通过每一位数字控制信号控制一个开关，如果一位数字控制信号是1，对应的开关打开，如果数字控制信号是0，对应的开关关闭，反之亦然。在一些实施例中，所述开关也可以采用其他编码方式进行编程控制，本实施例不对控制开关的编码方法进行限制。
所述第一差分对管包括第三晶体管NMOS1和第四晶体管NMOS2，所述第三晶体管NMOS1的漏极与所述可调电阻负载R1的第一端P连接，所述第三晶体管NMOS1的源极与所述第一电阻R0的第一端连接，所述第三晶体管NMOS1的栅极为第一信号输入端INP，所述第四晶体管NMOS2的漏极与所述可调电阻负载R1的第二端N连接，所述第四晶体管NMOS2的源极与所述第一电阻R0的第二端连接，所述第四晶体管NMOS2的栅极为第二信号输入端INN；所述第一信号输入端INP和所述第二信号输入端INN用于接收所述输入信号，所述可调电阻负载R1的第一端P和第二端N用于提供第一级输出的结果；OUTP和OUTN是差分输出，用来输出该图1所示的一级放大器的输出信号。
所述电流源包括栅极依次相连的第五晶体管NMOS3、第六晶体管NMOS4以及第七晶体管NMOS5，所述第五晶体管NMOS3的漏极连接外部偏置电流源I，所述第五晶体管NMOS3的源极接电源第二端，所述第六晶体管NMOS4的漏极与所述第一电阻R0的第一端连接，所述第六晶体管NMOS4的源极接电源第二端，所述第七晶体管NMOS5的漏极与所述第一电阻R0的第二端连接，所述第七晶体管NMOS5的源极接电源第二端。具体的，在图1所示的实现方式中，所述电源Vdd第一端为电源正电压端，所述电源Vdd第二端为接地端或电源负电压端。
在另一种可行的实施方式中，所述第一自偏置晶体管负载可以为NMOS晶体管负载，所述第一差分对管可以为PMOS差分对管；所述第五晶体管、所述第六晶体管及所述第七晶体管均可以为PMOS晶体管；所述电源Vdd第二端为电源正电压端，所述电源Vdd第一端为接地端或电源负电压端，具体可参见后面的图4对应的实施例。
本实施例的技术方案，包括依次连接的第一自偏置晶体管负载和可调电阻负载、第一差分对管、第一电阻以及电流源；其中，所述第一自偏置晶体管负载为所述可变增益放大器的第一级输出提供共模电平，所述可调电阻负载用于接收控制信号，并基于所述控制信号调整所述可变增益放大器的增益；所述第一差分对管用于接收输入信号并对输入信号进行放大得到第一级输出的结果；所述第一电阻用于提高所述可变增益放大器的线性度；所述电流源用于提供所述可变增益放大器工作时的偏置电流。从而通过调节所述可调电阻负载的等效电阻值，实现电路增益的可编程控制；并通过采用温度计码对所述可调电阻的开关实现编程控制，保证了增益变化的单调性。
图3为本发明可变增益放大器实施例二的原理图。如图3所示，在上述实施例的基础上，本实施例提供的可变增益放大器还可以包括第二差分对管PMOS3和PMOS4、第二自偏置晶体管负载NMOS6和NMOS7、第二电阻负载R2以及第三电阻负载R3；
其中，所述第二差分对管包括第八晶体管PMOS3以及第九晶体管PMOS4，所述第八晶体管PMOS3的栅极与所述第三晶体管NMOS1的漏极连接，所述第八晶体管PMOS3的漏极与所述第二电阻负载R2的第一端连接，所述第八晶体管PMOS3的源极与所述电源Vdd第一端连接，所述第九晶体管PMOS4的栅极与所述第四晶体管NMOS2的漏极连接，所述第九晶体管PMOS4的漏极与所述第三电阻负载R3的第二端连接，所述第九晶体管PMOS4的源极与所述电源Vdd第一端连接；所述第八晶体管PMOS3的栅极和所述第九晶体管PMOS4的栅极用于接收所述第一级输出的结果。
所述第二自偏置晶体管负载包括第十晶体管NMOS6和第十一晶体管NMOS7，所述第十晶体管NMOS6的栅极与所述第十一晶体管NMOS7的栅极连接，所述第十晶体管NMOS6的漏极与所述第二电阻负载R2的第一端连接，所述第十晶体管NMOS6的源极与所述电源Vdd第二端连接，所述第十一晶体管NMOS7的漏极与所述第三电阻负载R3的第二端连接，所述第十一晶体管NMOS7的源极与所述电源Vdd第二端连接。
所述第二电阻负载R2的第二端与所述第三电阻负载R3的第一端连接，所述第二电阻负载R2的第二端和所述第三电阻负载R3的第一端均连接在所述第十晶体管NMOS6的栅极与所述第十一晶体管NMOS7的栅极之间，所述第二电阻负载R2的第一端和所述第三电阻负载R3的第二端提供第二级输出的结果。在图3所示的实现方式中，所述电源Vdd第一端为电源正电压端，所述电源Vdd第二端为接地端或电源负电压端。其中，所述第二电阻负载R2与所述第三电阻负载R3为阻值相同的固定电阻。
进一步的，如图4所示，在另一种实现方式中，所述电源Vdd第二端为电源正电压端，所述电源Vdd第一端为接地端或电源负电压端时，所述第一自偏置晶体管负载也可以是NMOS晶体管，具体可以为图4中的NMOS1和NMOS2；所述第一差分对管也可以为PMOS差分对管，具体可以为图4中的PMOS1和PMOS2；所述第五晶体管、所述第六晶体管及所述第七晶体管均可以为PMOS晶体管，具体可以依次为图4中的PMOS3、PMOS4和PMOS5；所述第二自偏置晶体管负载也可以为PMOS晶体管负载，具体可以为图4中的PMOS6和PMOS7；所述第二差分对管可以为NMOS差分对管，具体可以为图4中的NMOS3和NMOS4。或者也可以采用能够实现同等功能的电子器件，本实施例不对此进行限制。
需要说明的是，在本实施例中，所述可变增益放大器包括两级放大电路，第一级放大电路类似图1中的放大电路，第二级放大电路用来根据第一级放大电路的输出得到最终输出OUTP和OUTN。可调电阻负载可以作为所述可变增益放大器第一级放大电路的差模负载，第二电阻负载和第三电阻负载可以作为所述可变增益放大器第二级放大电路的差模负载，两级放大电路可以实现更高的增益。
本实施例的技术方案，通过设置两级放大电路，可以实现更高的增益。
图5为本发明增益校准方法实施例一的流程图。如图5所示，本实施例提供的增益校准方法可以应用于包括上述实施例的可变增益放大器的多级模数转换器，所述方法具体可以包括：
步骤101、将前级子模数转换器的输入端短接至共模电平，所述前级子模数转换器进行采样和模数转换，分别统计所述前级子模数转换器转换结果的最高位为0和1的概率；调整所述前级子模数转换器中的比较器失调的大小与方向，直至所述前级子模数转换器转换结果的最高位为0和1的概率分别为50％时，完成所述前级子模数转换器比较器的失调校准；
步骤102、将所述可变增益放大器的输入端短接至共模电平，所述可变增益放大器的后级子模数转换器进行采样和模数转换，分别统计所述后级子模数转换器转换结果的最高位为0和1的概率；调整所述后级子模数转换器中的比较器失调的大小与方向，直至所述后级子模数转换器转换结果的最高位为0和1的概率分别为50％时，完成所述可变增益放大器与所述后级子模数转换器比较器整体的失调校准；
步骤103、将所述前级子模数转换器的输入端短接至共模电平，所述前级子模数转换器比较器两端的输出为011…1和100…0，两者的差值为所述前级子模数转换器的最低有效位(Least Significant Bit，简称：LSB)1LSB；根据此时所述可变增益放大器的输出是否等于预期值来判断所述可变增益放大器的增益是否准确；若所述可变增益放大器的输出不等于所述预期值，则通过逐档调节所述可变增益放大器的可调电阻负载的多个开关，使所述可变增益放大器的输出等于所述预期值，完成所述可变增益放大器的增益校准。
其中，所述可变增益放大器输出的增益预期值为ADC系统设定值。
本实施例的技术方案，应用于包括上述实施例的可变增益放大器的多级模数转换器，可以实现前台实时校准可变增益放大器的增益和失调。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种可变增益放大器，其特征在于，包括依次连接的第一自偏置晶体管负载和可调电阻负载、第一差分对管、第一电阻以及电流源；
其中，所述第一自偏置晶体管负载为所述可变增益放大器的第一级输出提供共模电平，所述可调电阻负载用于接收控制信号，并基于所述控制信号调整所述可变增益放大器的增益；所述第一差分对管用于接收输入信号并对所述输入信号进行放大得到第一级输出的结果；所述第一电阻用于提高所述可变增益放大器的线性度；所述电流源用于提供所述可变增益放大器工作时的偏置电流；
所述第一自偏置晶体管负载包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极连接，所述可调电阻负载的第三端连接在所述第一晶体管的栅极与所述第二晶体管的栅极之间，所述第一晶体管的漏极与所述可调电阻负载的第一端连接，所述第一晶体管的源极与电源第一端连接，所述第二晶体管的漏极与所述可调电阻负载的第二端连接，所述第二晶体管的源极与所述电源第一端连接；
所述第一差分对管包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的漏极与所述可调电阻负载的第一端连接，所述第三晶体管的源极与所述第一电阻的第一端连接，所述第三晶体管的栅极为第一信号输入端，所述第四晶体管的漏极与所述可调电阻负载的第二端连接，所述第四晶体管的源极与所述第一电阻的第二端连接，所述第四晶体管的栅极为第二信号输入端；所述第一信号输入端和所述第二信号输入端用于接收所述输入信号，所述可调电阻负载的第一端和第二端用于提供第一级输出的结果；
所述电流源包括栅极依次相连的第五晶体管、第六晶体管以及第七晶体管，所述第五晶体管的漏极连接外部偏置电流源，所述第五晶体管的源极接电源第二端，所述第六晶体管的漏极与所述第一电阻的第一端连接，所述第六晶体管的源极接电源第二端，所述第七晶体管的漏极与所述第一电阻的第二端连接，所述第七晶体管的源极接电源第二端。
2.根据权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，所述第一自偏置晶体管负载为P型金属氧化物半导体PMOS晶体管负载；所述第一差分对管为N型金属氧化物半导体NMOS差分对管；所述第五晶体管、所述第六晶体管及所述第七晶体管均为NMOS晶体管；所述电源第一端为电源正电压端，所述电源第二端为接地端或电源负电压端。
3.根据权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，所述第一自偏置晶体管负载为NMOS晶体管负载；所述第一差分对管为PMOS差分对管；所述第五晶体管、所述第六晶体管及所述第七晶体管均为PMOS晶体管；所述电源第二端为电源正电压端，所述电源第一端为接地端或电源负电压端。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的可变增益放大器，其特征在于，还包括第二差分对管、第二自偏置晶体管负载、第二电阻负载以及第三电阻负载；
其中，所述第二差分对管包括第八晶体管以及第九晶体管，所述第八晶体管的栅极与所述第三晶体管的漏极连接，所述第八晶体管的漏极与所述第二电阻负载的第一端连接，所述第八晶体管的源极与所述电源第一端连接，所述第九晶体管的栅极与所述第四晶体管的漏极连接，所述第九晶体管的漏极与所述第三电阻负载的第二端连接，所述第九晶体管的源极与所述电源第一端连接；所述第八晶体管的栅极和所述第九晶体管的栅极用于接收所述第一级输出的结果；
所述第二自偏置晶体管负载包括第十晶体管和第十一晶体管，所述第十晶体管的栅极与所述第十一晶体管的栅极连接，所述第十晶体管的漏极与所述第二电阻负载的第一端连接，所述第十晶体管的源极与所述电源第二端连接，所述第十一晶体管的漏极与所述第三电阻负载的第二端连接，所述第十一晶体管的源极与所述电源第二端连接；
所述第二电阻负载的第二端与所述第三电阻负载的第一端连接，所述第二电阻负载的第二端和所述第三电阻负载的第一端均连接在所述第十晶体管的栅极与所述第十一晶体管的栅极之间，所述第二电阻负载的第一端和所述第三电阻负载的第二端提供第二级输出的结果。
5.根据权利要求4所述的可变增益放大器，其特征在于，当所述电源第一端为电源正电压端，所述电源第二端为接地端或电源负电压端时，所述第二自偏置晶体管负载为NMOS晶体管负载，所述第二差分对管为PMOS差分对管。
6.根据权利要求4所述的可变增益放大器，其特征在于，当所述电源第二端为电源正电压端，所述电源第一端为接地端或电源负电压端时，所述第二自偏置晶体管负载为PMOS晶体管负载，所述第二差分对管为NMOS差分对管。
7.根据权利要求5或6所述的可变增益放大器，其特征在于，所述第二电阻负载与所述第三电阻负载为阻值相同的固定电阻。
8.根据权利要求7所述的可变增益放大器，其特征在于，所述可调电阻负载包括多个开关和多个电阻，所述多个开关中的每个开关接收所述控制信号中的一个控制位，并在所述控制位的作用下打开或关闭，以使能或去使能与该开关对应的电阻。
9.根据权利要求8所述的可变增益放大器，其特征在于，所述控制信号中的多个控制位是温度计码形式。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103973249B (zh) * 2014-05-09 2017-01-25 华为技术有限公司 一种可变增益放大器
US10608592B2 (en) * 2017-02-23 2020-03-31 Mediatek Inc. Linear amplifier having higher efficiency for envelope tracking modulator
CN107749746A (zh) * 2017-11-10 2018-03-02 北京无线电测量研究所 一种数控增益放大器
CN107800394A (zh) * 2017-12-08 2018-03-13 成都前锋电子仪器有限责任公司 一种可变增益控制电路
CN110277966B (zh) * 2019-05-09 2023-03-14 上海类比半导体技术有限公司 一种自校准电路及校准方法
CN110348157B (zh) * 2019-07-18 2022-04-12 北京智芯微电子科技有限公司 动态比较器的噪声仿真方法及系统
CN111030623A (zh) * 2019-12-25 2020-04-17 武汉邮电科学研究院有限公司 一种校准直流失调的可调增益放大器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102088424A (zh) * 2010-12-24 2011-06-08 厦门优迅高速芯片有限公司 一种信号检测装置
CN102109869A (zh) * 2010-12-08 2011-06-29 西安电子科技大学 驱动电路

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101414817B (zh) * 2007-10-18 2011-08-10 瑞昱半导体股份有限公司 开关电路
CN101257466B (zh) * 2008-03-28 2011-12-28 华为技术有限公司 对设备输出的直流偏移进行衰减的装置和方法
CN101697479B (zh) * 2009-10-30 2012-02-08 凌阳科技股份有限公司 可调增益低噪声放大器
CN101826843A (zh) * 2010-05-06 2010-09-08 复旦大学 一种在低增益时线性度优化的可变增益放大器
CN203423670U (zh) * 2013-07-16 2014-02-05 陕西北斗恒通信息科技有限公司 一种可变增益的模拟加法器
CN103973249B (zh) * 2014-05-09 2017-01-25 华为技术有限公司 一种可变增益放大器

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102109869A (zh) * 2010-12-08 2011-06-29 西安电子科技大学 驱动电路
CN102088424A (zh) * 2010-12-24 2011-06-08 厦门优迅高速芯片有限公司 一种信号检测装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CMOS可变增益放大器的设计;王学贞;《中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑》;20130715(第7期);正文第1-59页 *

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