CN103973232A - 用于射频集成电路的设备 - Google Patents

用于射频集成电路的设备 Download PDF

Info

Publication number
CN103973232A
CN103973232A CN201410017974.0A CN201410017974A CN103973232A CN 103973232 A CN103973232 A CN 103973232A CN 201410017974 A CN201410017974 A CN 201410017974A CN 103973232 A CN103973232 A CN 103973232A
Authority
CN
China
Prior art keywords
input
operator scheme
equipment
radio
auxiliary transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201410017974.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103973232B (zh
Inventor
约尼·克里斯蒂安·考科沃里
若纳·尤哈尼·雷基
亚里·约翰内斯·海基宁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd
Original Assignee
Zyray Wireless Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zyray Wireless Inc filed Critical Zyray Wireless Inc
Publication of CN103973232A publication Critical patent/CN103973232A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103973232B publication Critical patent/CN103973232B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/193—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0277—Selecting one or more amplifiers from a plurality of amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • H03F1/223—Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively with MOSFET's
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/195—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
    • H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45183—Long tailed pairs
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/006—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40—Circuits
    • H04B1/44—Transmit/receive switching
    • H04B1/48—Transmit/receive switching in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/06—A balun, i.e. balanced to or from unbalanced converter, being present at the input of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/09—A balun, i.e. balanced to or from unbalanced converter, being present at the output of an amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/111—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a dual or triple band amplifier, e.g. 900 and 1800 MHz, e.g. switched or not switched, simultaneously or not
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/429—Two or more amplifiers or one amplifier with filters for different frequency bands are coupled in parallel at the input or output
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45352—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising a combination of a plurality of transistors, e.g. Darlington coupled transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45394—Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC of the dif amp comprising FETs whose sources are not coupled, i.e. the AAC being a pseudo-differential amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45544—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising one or more capacitors, e.g. coupling capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45554—Indexing scheme relating to differential amplifiers the IC comprising one or more coils
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45631—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more capacitors, e.g. coupling capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45638—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more coils
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45644—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising a cross coupling circuit, e.g. comprising two cross-coupled transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45—Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45731—Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising a transformer
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7206—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch in the bias circuit of the amplifier controlling a bias voltage in the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7209—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched from a first band to a second band
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7215—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch at the input of the amplifier
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7236—Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers by (a ) switch(es)
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

本发明公开了用于射频集成电路的设备，其中，公开了用于射频集成电路的设备低噪声放大器，该射频集成电路具有自适应输入和操作模式选择。低噪声放大器包括可在不同配置下进行操作的两个输入端。操作模式可以以以下方式来选择：当使用单端配置时分别使用单个输入端，或者对于差分配置使用两个输入端。此外，在单端操作中，输入可匹配不同频率。关于操作模式的信息从外部元件获得。当设计使用特定射频集成电路的装置时可确定待使用操作模式，或者可通过使用射频集成电路的装置动态地确定待使用操作模式。

Description

用于射频集成电路的设备
技术领域
本发明涉及用于射频集成电路的设备。本发明的一些实施方式涉及放大器，具体但不排他地，涉及低噪声放大器和低噪声放大器在射频集成电路中的使用以及使用这种射频集成电路的装置。
背景技术
低噪声放大器（LNA）是用于放大例如由无线电通信装置（诸如移动电话）的天线捕获的弱信号的电子放大器。低噪声放大器为射频集成电路（RFIC）中必不可少的元件，其中，它通常为第一放大块。因此，除考虑目标增益、噪声和线性性能外，还应当提供足够的输入匹配从而向前块（如RF/双工滤波器）提供终端阻抗。为了能够支持足够数量的射频波段或极短波段，在单个RF平台内，需要几个低噪声放大器。根据操作模式，每个低噪声放大器需要一个或两个接收器引脚。表述的操作模式在本申请中是指关于接收引脚的操作配置，其中，可使用一个或两个引脚，或者两个引脚均可断开。除上述要求外，可能有另外要求，诸如需要分集接收器，该分集接收器甚至需要更多接收器引脚。
由于几个明显原因，目标是将引脚数目保持为尽可能少。RFIC应当尽可能小，然后，可以是引脚或连接焊盘数目有限的设计，即，虽然连接焊盘的间隔保持较小，但是在不影响安装可靠性的情况下RFIC可方便支持的最大引脚数目受到限制。今后，例如，由于载波聚合可能增加所需要的RF输入端、接口和控制引脚的数目，焊盘数目限制可能成为瓶颈。此外，当RF引脚数目较大时，印刷电路板（PWB）和重新分配层（RDL）上的布线变得麻烦。因此，可能存在其中性能与这些麻烦以及稍长信号布线路径折衷的多个输入端。上述情况如图1所示。
为了减少输入引脚数目的问题，最近趋势已经趋向单端接收器引脚和低噪声放大器。单端（SE）低噪声放大器拓扑结构显然比差分低噪声放大器需要更少输入引脚。缺点在于对干扰敏感；平衡/差分结构在两个分支中感测同一共模干扰，该共模干扰然后在低噪声放大器输出中降低，并且干扰可以容忍。在单端情况下，干扰无法与期望信号分离，并且可能发生减敏现象。然而，单端低噪声放大器在相同操作条件下通常具有较佳动态范围。因此，当选择低噪声放大器的配置时，在性能与所需输入引脚数目之间进行折衷。因此，在RFIC规划开始时，必须在单端/差分低噪声放大器之间做出选择。在第一工程样品已经制造之后，很难改变拓扑结构。
图2a至2f中，示出单端低噪声放大器拓扑结构实例。此外，任何单端低噪声放大器拓扑结构可进行复制，因而可变形为差分低噪声放大器。在蜂窝式产品中，低噪声放大器很少为真正的单端，而是包括无源或有源平衡至非平衡转换器。从单端到差分的转换也可在低噪声放大器之后但在降频转换混频器之前某级处完成。因为通常双平衡混频器结构（差分RF和LO端口两者）为蜂窝式产品提供足够性能，所以接收器前端应当包括差分信号路径。在图中，举例示出以下拓扑结构。在图2a中，平衡至非平衡转换器包含在低噪声放大器输入端。图2b中，平衡至非平衡转换器位于LNA输出端（负载）。在图2c中，信号取自源极，并且漏极节点具有180度相移。在图2d中，第一共源极（CS）级（MINA）之后的电压信号利用MINB进行感测。因为共源极级使相位翻转了180度，所以（粗略）实现平衡信号。图2e公开了具有利用共源极和共栅极级组合创建的平衡信号路径的拓扑结构。在图2f中，MIN、CG的栅极交替地连接到CS级的输出端（MCS的漏极）。
因此，现有技术的问题在于如何在所需引脚数目减少的情况下保持相同性能。大量引脚的问题包括例如空间需求增加、制造成本增加以及设计不灵活。
发明内容
本发明描述了一种用于射频集成电路的具有自适应输入和操作模式选择的低噪声放大器。低噪声放大器包括可操作在不同配置下的两个输入端。此外，在单端操作模式下，输入端可匹配不同频率。操作模式可从包括至少三种操作模式的操作模式集中选择，其中，当单端配置时使用单个输入端，或者对于差分配置使用两个输入端。操作模式可由例如被配置为接收控制信号、存储器位置的引脚，例如被配置为存储操作模式的寄存器或任何适当的指示器表示。当设计使用特定射频集成电路的装置时可确定待使用的操作模式，或者可通过使用射频集成电路的装置动态地确定待使用的操作模式。此外，当未使用低噪声放大器时，可以将两个输入端都断开。
在本发明的实施方式中，本发明实现为用于射频集成电路的设备。实施方式包括：用于接收第一输入信号的装置、用于接收第二输入信号的装置和用于指示操作模式的装置。实施方式根据操作模式来操作，使得操作模式从包括至少三个如下操作模式的操作模式集中选择并且根据用于指示操作模式的所述装置进行选择：用于接收第一输入信号的装置在被配置为从所述第一输入端接收第一射频波段的单端模式下为有效（active），用于接收第二输入信号的装置在被配置为从所述第二输入端接收第二射频波段的单端模式下为有效，或用于接收第一和第二输入信号的装置在被配置为从所述第一和第二输入端接收射频波段的差分模式下为有效。
在本发明又一实施方式中，本发明实现为包括第一输入端和第二输入端的设备，以及根据操作模式操作设备使得操作模式为以下操作模式之一：第一输入端在被配置为从所述第一输入端接收第一射频波段的单端模式下为有效，第二输入端在被配置为从所述第二输入端接收第二射频波段的单端模式下为有效，或第一和第二输入端在被配置为从所述第一和第二输入端接收射频波段的差分模式下为有效。
在本发明又一实施方式中，本发明实现为方法。在该方法中，首先接收根据操作模式的用于放大的输入信号。在单端模式下从第一输入端接收第一射频波段的输入信号；或在单端模式下从第二输入端接收第二射频波段的输入信号；或在差分模式下从第一和第二输入端接收输入信号。然后，放大所述接收信号，并将所述放大信号提供给输出端。
根据本发明的一个方面，提供了一种用于射频集成电路的设备，该设备包括：第一输入端；第二输入端；其中，所述设备包括自适应操作模式，其中，所述模式从操作模式集中选择，其中，所述集至少包括以下各项：在被配置为从所述第一输入端接收第一射频波段的单端模式下，所述第一输入端有效；在被配置为从所述第二输入端接收第二射频波段的单端模式下，所述第二输入端有效；在被配置为从所述第一输入端和所述第二输入端接收射频波段的差分模式下，所述第一输入端和所述第二输入端有效。
优选地，所述设备包括被配置为从外部装置获得所述操作模式的操作模式指示器。
优选地，以控制信号的形式获得所述操作模式。
优选地，所述第一输入端和所述第二输入端包括输入晶体管。
优选地，所述设备包括第一辅助晶体管和第二辅助晶体管，所述第一辅助晶体管和第二辅助晶体管的栅极分别连接至所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管的输出端，并且所述第一辅助晶体管和所述第二辅助晶体管被配置为根据所述操作模式创建有源平衡至非平衡转换器。
优选地，所述设备还包括第一电容器和第二电容器，其中，所述第一电容器连接在所述第一输入晶体管的输出端与所述第一辅助晶体管的栅极之间，以及所述第二电容器连接在所述第二输入晶体管的输出端与所述第二辅助晶体管的栅极之间。
优选地，所述输入晶体管和所述辅助晶体管中的每一个连接至朝向低阻抗节点的通用阻抗。
优选地，所述第一输入晶体管和所述第二辅助晶体管连接至朝向低阻抗节点的第一公共阻抗，以及所述第二输入晶体管和所述第一辅助晶体管连接至朝向低阻抗节点的第二公共阻抗。
优选地，所述低阻抗节点包括接地或电压供应节点。
优选地，所述设备还包括负反馈电感器，其中，所述第一输入晶体管的输出端和所述第二辅助晶体管的输出端连接到所述负反馈电感器的第一输入端，所述第二输入晶体管的输出端和所述第一辅助晶体管的输出端连接到所述负反馈电感器的第二输入端。
优选地，其中，所述设备还包括：第一负反馈电感器，其中，所述第一输入晶体管的输出端和所述第二辅助晶体管的输出端连接到所述第一负反馈电感器；以及第二负反馈电感器，其中，所述第二输入晶体管的输出端和所述第一辅助晶体管的输出端连接到所述第二负反馈电感器。
优选地，其中，所述设备包括被配置为接收用于指示所述操作模式的至少一个控制信号的至少一个引脚。
优选地，所述设备包括被配置为存储所述操作模式的存储器位置。
优选地，所述操作模式集还包括所述第一输入端和所述第二输入端为无效的模式。
优选地，所述设备为低噪声放大器。
优选地，所述设备为低噪声跨导放大器。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于射频装置的设备，其中，所述设备包括根据上述任一项所述的至少一种设备。
优选地，所述设备还包括分别连接到所述第一输入端和所述第二输入端的外部匹配元件。
优选地，所述外部匹配元件包括不同元件值。
优选地，所述设备为射频集成电路。
根据本发明的又一方面，提供了一种用于无线电通信网络中通信的设备，其中，所述设备包括根据上述任一项所述的设备。
优选地，所述设备为以下各项之一：移动电话、移动通信装置、本地连接装置、基于卫星的定位系统装置、平板计算机或计算机。
根据本发明的再一方面，提供了一种用于射频集成电路的设备，所述设备包括：用于接收第一输入信号的装置；用于接收第二输入信号的装置；用于指示操作模式的装置；所述设备包括自适应操作模式，其中，所述模式从操作模式集中选择，其中，所述集至少包括以下各项：在被配置为从所述第一输入端接收第一射频波段的单端模式下，用于接收所述第一输入信号的装置有效；在被配置为从所述第二输入端接收第二射频波段的单端模式下，用于接收所述第二输入信号的装置有效；在被配置为从所述第一输入端和所述第二输入端接收射频波段的差分模式下，用于接收所述第一输入信号的装置和用于接收所述第二输入信号的装置有效。
优选地，用于指示所述操作模式的所述装置被配置为从外部装置获得指示所述操作模式的值。
优选地，以控制信号的形式获得所述值。
优选地，用于接收所述第一输入信号的所述装置和用于接收所述第二输入信号的所述装置包括输入晶体管。
优选地，所述设备包括用于分别激活到用于接收所述第一输入信号的所述装置和用于接收所述第二输入信号的所述装置的连接的第一装置和第二装置，以及所述第一装置和所述第二装置被配置为根据用于指示所述操作模式的所述装置创建有源平衡至非平衡转换器。
优选地，所述设备还包括：第一电容器和第二电容器，其中，所述第一电容器连接在用于接收所述输入信号的所述第一装置与用于激活连接的所述第一装置之间，以及所述第二电容器连接在用于接收所述输入信号的所述第二装置与用于激活连接的所述第二装置之间。
优选地，用于接收所述输入信号的所述装置和用于激活连接的所述装置中的每个装置均连接至用于朝向低阻抗节点的匹配阻抗的装置。
优选地，所述低阻抗节点包括接地或供应电压。
优选地，用于接收所述输入信号的所述第一装置和用于激活的所述第二装置连接到用于匹配阻抗的第一公共装置，以及用于接收所述输入信号的所述第二装置和用于激活的所述第一装置连接到用于匹配阻抗的第二公共装置。
优选地，所述设备还包括用于负反馈的装置，其中，用于接收所述输入信号的所述第一装置和用于激活的所述第二装置连接到用于负反馈的所述装置的第一输入端，以及用于接收所述输入信号的所述第二装置和用于激活的所述第一装置连接到用于负反馈的所述装置。
优选地，所述设备还包括用于负反馈的第一装置和第二装置，其中，用于接收所述输入信号的所述第一装置和用于激活的所述第二装置连接到用于负反馈的所述第一装置，以及用于接收所述输入信号的所述第二装置和用于激活的所述第一装置连接到用于负反馈的所述第二装置。
优选地，所述操作模式集还包括用于接收所述输入信号的所述第一装置和用于接收所述输入信号的所述第二装置无效的模式。
优选地，所述设备为低噪声放大器。
优选地，所述设备为低噪声跨导放大器。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于射频装置的设备，其中，所述设备包括根据上述任一项所述的设备。
优选地，所述设备还包括分别用于匹配连接到用于接收所述输入信号的所述第一装置和用于接收所述输入信号的所述第二装置的装置。
优选地，所述设备为射频集成电路。
根据本发明的另一方面，提供了一种用于无线电通信网络中通信的设备，其中，所述设备包括根据上述任一项所述的设备。
优选地，所述设备为以下各种之一：移动电话、移动通信装置、本地连接装置、基于卫星的定位系统装置、平板计算机或计算机。
根据本发明的又一方面，提供了一种用于在放大器中进行放大的方法，所述方法包括：根据操作模式接收用于放大的输入信号，其中，所述操作模式为操作模式集中的一种操作模式，其中，所述集至少包括以下各项：在单端模式下从第一输入端接收第一射频波段的输入信号；或者在单端模式下从第二输入端接收第二射频波段的输入信号；或者在差分模式下从第一输入端和第二输入端接收所述输入信号，放大接收的所述信号；以及将放大的所述信号提供给输出端。
优选地，所述方法还包括从外部装置获得所述操作模式。
优选地，获得所述操作模式包括接收控制信号。
优选地，所述放大器为低噪声放大器。
利用单端模式与差分模式之间的自适应模式选择，性能和支持引脚的数目可根据客户需求来优化。此外，引脚自适应可利用印刷电路板布线和前端模块产生另外优化。此外，由于灵活支持各种产品，所以可延长射频集成电路的产品寿命。因为灵活，所以无需设计新集成电路。由于改变集成电路的成本昂贵，所以当集成电路可用于多个产品中时，可实现成本的极大节省。
附图说明
包括以提供对本发明的进一步理解且构成本说明书一部分的附图示出本发明的实施方式，并与具体实施方式一起有助于说明本发明的原理。在附图中：
图1为根据现有技术的图示，
图2a至2f示出根据现有技术的多个单端低噪声放大器拓扑结构，
图3示出根据本发明的实施方式的不同操作模式的图示，
图4a至4b示出根据本发明的示例实施方式，
图5a至5c示出图4a的实施方式的不同操作模式配置，
图6a至6b示出根据本发明的实施方式，
图7a至7b示出本发明的又一实施方式及其根据本发明的实施方式的使用，
图8a至8c示出本发明的又一实施方式，以及
图9示出在RF平台中的根据本发明的低噪声放大器的示例性使用。
具体实施方式
现将详细参考本发明实施方式，其实例在附图中示出。在图中，保持参考标号，这样使得不同图中的具有相同参考标号的元件是指相似元件并且不再对其进行说明。本领域技术人员应当理解，元件无需完全相同，而是可以改变参数。
在图3中，示出本发明的一般原理。本发明将要实现可以自适应支持单端和差分输入端配置的这种LNA。然后，根据所需使用情况，LNA可被配置为支持单端RF滤波器/前端模块（FEM），或者，当期望抗干扰的最佳可能性能时，LNA输入可为全差分。可根据客户需求进行选择，并且自适应RFIC能够支持多种使用情况。此外，在单端配置下，任一输入引脚可被选择为有效输入引脚。例如，在分集接收器（其可能较少受到来自其自身发射器的干扰）中，输入端可用于单端操作模式下，从而节省数个引脚。当适当选择频带组合时，每个LNA在单端模式下可用于两个不同波段；因此，仍有较少或没有未使用引脚，这进一步允许“节省引脚”，或者高效地使用现有引脚。可进行频带组合选择，使得对于每个LNA，从不同时需要两个这种频带。
图3中，示出示例性使用情况。在最上部的情况中，LNA被配置为差分模式，并且在该实例中，目标是支持射频波段A。当适当地设计RF板、匹配元件等时，LNA也可支持射频波段B。然后，在单端配置下，LNA可被配置为支持射频波段A和B，但是每次只有这些射频波段之一为有效。在本实例中，另一引脚的目标是支持射频波段A，并且另一个引脚的目标是支持射频波段B。
在图4a至图4b中，公开了自适应单端/差分低噪声放大器的实例。其示出具有共发共基级的典型共源极放大器。在该实例中，用于接收输入信号的装置为器件MINA和MINB，其用作输入晶体管。有源平衡至非平衡转换器可利用在图4a至图4b的实例中的用于激活的连接到相应电容器CXA和CXB的辅助晶体管MXA和MXB来创建。图4a示出了用于输出的典型LC谐振器结构。在图4b中，输出从变压器TRES的次级绕组获取。利用该配置，例如，可针对最佳混频器性能设置输出DC电平。在以下实例中，描述无变压器设计的LNA结构。激活输入端的决定基于所期望的操作。操作模式可以通过利用控制引脚、存储器位置、寄存器、印刷电路板中的配置信息、安装于装置中的某个其它元件的控制信号或通过可用于切换所需操作模式的任何其它适当的装置来确定。操作模式可以静态确定，或者操作模式可例如通过使用用于将控制操作模式的晶体管设置为断开或闭合状态的控制信号来动态改变，断开或闭合状态在功能上对应于通过使用开关装置将开关设置为关或开。在本发明的配置中，第一和/或第二开关装置包括开关晶体管，每个开关晶体管可被配置为经由将断开状态控制信号输入到相应开关晶体管的输入端子而处于断开状态（对应于开关关断），并且每个开关晶体管可被配置为经由将闭合状态控制信号输入到相应开关晶体管的输入端子而处于闭合状态（对应于开关为导通）。因此，电路拓扑结构可方便地通过将适当的控制信号（例如，数字控制信号）施加于电路内的多个开关晶体管来配置。实际控制信号或控制信号的逻辑和电参数值取决于所使用的晶体管技术。操作模式指示器并未在图4a至图4b中示出；然而，下文参考图8a至图8c公开其实例，并且本领域技术人员理解它可为例如至少两位的存储器或寄存器或者用于设置所需晶体管的任何其它适当的装置。然后，可基于该信息设置晶体管。在该实例中，使用NMOS晶体管。可替代地，可使用PMOS晶体管。然后，输入和辅助晶体管可连接至正极电源，并且谐振器负载将连接到接地节点。
图5a至5c示出图4a的低噪声放大器的不同操作模式的配置。虽然操作模式仅就图4a的实施方式进行讨论，但是本领域技术人员应当理解，这些原理可适用于例如图4b的实施方式。在图5a至5c中，示出单端或差分配置。电路的非有效部分利用虚线绘出。例如，当LNA被配置为图5c中的差分放大器时，MINA和MINB均被激活，并且MXA或MXB关闭。如果LNA被配置为支持单端输入，那么可使用任一输入A或B。例如，当在图5a中使用输入A时，MINA和MXA为有效，MINB和MXB为非有效。相应地，当使用输入B时，MINA和MXA为非有效，MINB和MXB为有效。共发共基装置MCASCP和MCASCM在单端和差分两者情况下均为有效。这些图仅示出示例性情况，而不涉及下文进行更详细说明的任何匹配拓扑结构。
图6a示出晶体管MINA和MXA的源极分别配备有用于匹配朝向低阻抗节点的阻抗（诸如通用阻抗ZIN,S和ZX,S）的装置的实例。根据使用的所选择的晶体管技术，该低阻抗节点可为地或者高工作电压或低工作电压。同样地，晶体管MINB和MXB的源极配备有用于匹配阻抗（诸如通用阻抗ZIN,S和ZX,S）的装置。这些阻抗无需相同，而是可根据需要进行选择。源极节点也可连接在一起，如图6b所示。然后，源极阻抗ZS共用于MIN和MX。根据输入匹配拓扑结构，所期望的使用情况、性能优化及其它期望特性，源阻抗ZIN,S,ZX,S和ZS可包括电阻、电感、互感或零阻抗。
图7a公开了自适应低噪声放大器，该自适应低噪声放大器包括具有用于负反馈差分源的装置LDEG输入匹配拓扑结构。差分源极负反馈电感器LDEG连接到输入装置，使得MINA和MXB共享一个LDEG输入端，MINB和MXA共享另一个LDEG输入端。另一方面，LDEG连接到低阻抗节点，根据选定晶体管技术，该低阻抗节点可包括地或者高工作电压或低工作电压。图7b公开了图7a的实施方式的变形例。在图7b中，匹配拓扑结构分成LDEG,A和LDEG,B。
在单端配置下，如上参考图5所述，输入装置设置为有效。LRES的互感有助于生成具有更多差分性质的输出电流。请注意，MIN和MX可进行不同偏置；动态范围与电流消耗可通过将MIN偏置为具有比MX大的电流进行优化。虽然通过输入装置完成的粗平衡并不完美，但是LRES的互感促使输出模式处的电压具有良好平衡和精确相位差。
外部匹配元件LINA和CINA的值被选择为使得实现输入A处输入匹配条件。除LC型电路外，几个其它设计替代方案可用于实现外部匹配。同样地，外部匹配元件LINB和CINB的值被选择为使得实现输入B处输入匹配条件。如前所述，输入A和B可匹配不同射频波段。然后，LINA和LINB可具有不同值，CINA和CINB亦可如此。此外，源极负反馈线圈可为中心抽头设计，即，具有变化电感值。因此，输入A和B的匹配条件可进行相当独立设置。从隔离角度出发，选择所支持射频波段是安全的，这样使得“非有效”LNA输入的上行链路（发射器）频率与有效LNA的接收频率并不重叠。
图8a至8c示出包括偏置和操作模式选择的示例性实现方式的实施方式。在图8a中，示出图3的变形例。在图中，CTRL引脚用作操作模式指示器的实例。CTRL引脚用于接收控制信号。在图8b中，示出示例配置表。例如，在根据图8c的配置中使用该表。图8c涉及用于提供偏置电压的输入端VBIAS和VBIAS_AUX和用于指示操作模式的输入端CTRL1至CTRL4。如上参考图4所述，控制信号使能能够设置晶体管导通或断开的操作模式的开关。
在射频平台水平，可以按照许多不同方式使用新的低噪声放大器。实例如图9所示，其中，射频波段A、B和C需要分集接收器，而D不需要分集接收器。装置的设计者想要实现对于射频波段A的最佳可能灵敏度。因此，利用在主和分集接收器分支中都差分配置的低噪声放大器支持射频波段A。然而，为了节省一些引脚，射频波段B和C可在主和分集接收器侧“合并”至同一低噪声放大器。此外，射频波段D视为重要射频波段，并且需要良好基准灵敏度以满足客户需求。虽然射频波段D接收器输入未经由双工器与其自身的发射器耦接，但是在验证试验期间，它被视为对片上生成的其它干扰似乎敏感。因此，差分低噪声放大器配置提供较佳灵敏度性能并且可在最终产品中进行选择。
应当注意，术语“连接到”可能表示两个部分之间的直接连接，或者任何数目个中间元件可连接在该部分之间。
在以上具体实施方式中，已经讨论了具有两个输入的低噪声放大器。对本领域的技术人员显而易见的是，相同原理可适用于具有更多个输入的低噪声放大器，诸如三个或四个输入引脚。这种低噪声放大器可支持更多种操作模式，其中，操作模式根据当前需求进行选择。
通常，本发明用于移动电话、移动通信装置、数据通信装置、基于卫星的定位系统装置、平板计算机、便携式计算机及连接到无线电通信网络的类似装置中。
对本领域的技术人员显而易见的是，随着技术的进步，本发明的基本思想可以以各种方式来实现。本发明及其实施方式因此并不限于上述实例；相反，它们可在权利要求的范围内变化。

Claims (10)

1.一种用于射频集成电路的设备，所述设备包括：
第一输入端；
第二输入端；
其中，所述设备包括自适应操作模式，其中，所述模式从操作模式集中选择，其中，所述集至少包括以下各项：
在被配置为从所述第一输入端接收第一射频波段的单端模式下，所述第一输入端有效；
在被配置为从所述第二输入端接收第二射频波段的单端模式下，所述第二输入端有效；
在被配置为从所述第一输入端和所述第二输入端接收射频波段的差分模式下，所述第一输入端和所述第二输入端有效。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述设备包括被配置为从外部装置获得所述操作模式的操作模式指示器。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其中，以控制信号的形式获得所述操作模式。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的设备，其中，所述第一输入端和所述第二输入端包括输入晶体管。
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述设备包括第一辅助晶体管和第二辅助晶体管，所述第一辅助晶体管和第二辅助晶体管的栅极分别连接至所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管的输出端，并且所述第一辅助晶体管和所述第二辅助晶体管被配置为根据所述操作模式创建有源平衡至非平衡转换器。
6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述设备还包括第一电容器和第二电容器，其中，所述第一电容器连接在所述第一输入晶体管的输出端与所述第一辅助晶体管的栅极之间，以及所述第二电容器连接在所述第二输入晶体管的输出端与所述第二辅助晶体管的栅极之间。
7.根据权利要求5或6所述的设备，其中，所述输入晶体管和所述辅助晶体管中的每一个连接至朝向低阻抗节点的通用阻抗。
8.根据权利要求5或6所述的设备，其中，所述第一输入晶体管和所述第二辅助晶体管连接至朝向低阻抗节点的第一公共阻抗，以及所述第二输入晶体管和所述第一辅助晶体管连接至朝向低阻抗节点的第二公共阻抗。
9.一种用于射频集成电路的设备，所述设备包括：
用于接收第一输入信号的装置；
用于接收第二输入信号的装置；
用于指示操作模式的装置；
所述设备包括自适应操作模式，其中，所述模式从操作模式集中选择，其中，所述集至少包括以下各项：
在被配置为从所述第一输入端接收第一射频波段的单端模式下，用于接收所述第一输入信号的装置有效；
在被配置为从所述第二输入端接收第二射频波段的单端模式下，用于接收所述第二输入信号的装置有效；
在被配置为从所述第一输入端和所述第二输入端接收射频波段的差分模式下，用于接收所述第一输入信号的装置和用于接收所述第二输入信号的装置有效。
10.一种用于在放大器中进行放大的方法，所述方法包括：
根据操作模式接收用于放大的输入信号，其中，所述操作模式为操作模式集中的一种操作模式，其中，所述集至少包括以下各项：
在单端模式下从第一输入端接收第一射频波段的输入信号；或者
在单端模式下从第二输入端接收第二射频波段的输入信号；或者
在差分模式下从第一输入端和第二输入端接收所述输入信号，
放大接收的所述信号；以及
将放大的所述信号提供给输出端。
CN201410017974.0A 2013-01-15 2014-01-15 用于射频集成电路的设备 Active CN103973232B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1300700.0A GB2509777B (en) 2013-01-15 2013-01-15 An apparatus for a radio frequency integrated circuit
GB1300700.0 2013-01-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103973232A true CN103973232A (zh) 2014-08-06
CN103973232B CN103973232B (zh) 2017-04-12

Family

ID=47758009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410017974.0A Active CN103973232B (zh) 2013-01-15 2014-01-15 用于射频集成电路的设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9306513B2 (zh)
CN (1) CN103973232B (zh)
GB (1) GB2509777B (zh)
HK (1) HK1200606A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110120786A (zh) * 2018-02-06 2019-08-13 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 混频器及无线通信装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10340851B2 (en) * 2014-04-22 2019-07-02 Qualcomm Incorporated Differential cascode amplifier with selectively coupled gate terminals
US9647852B2 (en) * 2014-07-17 2017-05-09 Dell Products, L.P. Selective single-ended transmission for high speed serial links
KR101690431B1 (ko) * 2015-09-09 2016-12-27 숭실대학교산학협력단 능동형 발룬이 구비된 증폭기
US9825611B2 (en) * 2016-04-15 2017-11-21 Resonant Inc. Dual passband radio frequency filter and communications device
EP3258597B1 (en) 2016-06-13 2020-07-29 Intel IP Corporation Amplification circuit, apparatus for amplifying, low noise amplifier, radio receiver, mobile terminal, base station, and method for amplifying
US9774302B1 (en) 2016-09-27 2017-09-26 Globalfoundries Inc. Amplifier circuit with single-ended input and differential outputs
CN114123982A (zh) * 2021-11-18 2022-03-01 深圳飞骧科技股份有限公司 一种宽带Doherty功率放大器

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6039180B2 (ja) * 1978-11-28 1985-09-04 日本電気株式会社 センスアンプ
WO2008039503A2 (en) * 2006-09-26 2008-04-03 Farbod Aram Broadband low noise amplifier
US7586458B2 (en) * 2007-03-19 2009-09-08 Ahmadreza Rofougaran Method and system for using a transformer for FM transmit and FM receive functionality
CN101373952B (zh) * 2007-08-24 2010-09-08 锐迪科创微电子（北京）有限公司 可实现差分放大的低噪声放大器及方法
US7746169B2 (en) * 2008-02-06 2010-06-29 Qualcomm, Incorporated LNA having a post-distortion mode and a high-gain mode
US7705683B2 (en) * 2008-06-19 2010-04-27 Broadcom Corporation Method and system for processing signals via an integrated low noise amplifier having configurable input signaling mode
EP2427966B1 (en) * 2009-05-07 2016-08-03 Rambus Inc. Drive supporting multiple signaling modes
CN102790595B (zh) * 2011-05-20 2014-12-17 杭州中科微电子有限公司 一种单端转差分增益可配置射频宽带增益放大器
US8482348B2 (en) * 2011-08-30 2013-07-09 Intel Mobile Communications GmbH Class of power amplifiers for improved back off operation

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110120786A (zh) * 2018-02-06 2019-08-13 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 混频器及无线通信装置
CN110120786B (zh) * 2018-02-06 2023-06-30 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 混频器及无线通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN103973232B (zh) 2017-04-12
US20140225675A1 (en) 2014-08-14
US9306513B2 (en) 2016-04-05
GB2509777B (en) 2016-03-16
HK1200606A1 (zh) 2015-08-07
GB2509777A (en) 2014-07-16
GB201300700D0 (en) 2013-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103973232A (zh) 用于射频集成电路的设备
CN111600559B (zh) 功放输出匹配电路、射频前端模组和无线装置
JP5448163B2 (ja) 再構成可能なインピーダンス整合および高調波フィルタ・システム
KR101594192B1 (ko) 멀티 밴드 전력 증폭기를 위하여 효율적으로 경로를 아이솔레이팅 시킬 수 있는 임피던스 정합 회로
CN104426574B (zh) 通信集成电路
CN103534940B (zh) 正反馈共栅极低噪声放大器
CN106416061A (zh) 宽带功率放大器系统和方法
US20060030282A1 (en) Impedance matching circuit for a multi-band radio frequency device
JP2011015242A (ja) 高周波電力増幅器
CN109964407A (zh) 具有补偿电路的二进制加权衰减器
CN103427857A (zh) 具有使用可编程无源组件的rf分路器的双模接收器
CN104012006A (zh) 带25％占空度无源混频器的接收器中不对称宽通带频率响应的补偿设备
US20080079496A1 (en) Amplifier containing programmable impedance for harmonic termination
CN109075747B (zh) 放大器
CN103312272A (zh) 多模式Doherty功率放大器
US9281888B1 (en) Quadrature signal generator, beamforming arrangement, communication device and base station
WO2014020297A1 (en) Radio frequency transceivers
CN105680803A (zh) 用于低噪声放大器模块的系统和方法
US9531339B2 (en) Integrated circuit for transmitting and receiving an RF signal
CN106100652A (zh) 杂散抑制装置及方法
EP2210338B1 (en) Mixer architecture
CN218124668U (zh) 射频前端模组
US20220393654A1 (en) Biasing solution for push-pull power amplifier for low loadline and high common mode rejection ratio background
JP4376605B2 (ja) 無線通信装置
CN105187088A (zh) 射频电路和电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1200606

Country of ref document: HK

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20170302

Address after: Singapore Singapore

Applicant after: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte. Ltd.

Address before: American California

Applicant before: Zyray Wireless Inc.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20181019

Address after: Singapore Singapore

Patentee after: Annwa high tech Limited by Share Ltd

Address before: Singapore Singapore

Patentee before: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte. Ltd.

TR01 Transfer of patent right
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: WD

Ref document number: 1200606

Country of ref document: HK