CN103966543B - 铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置，该铝硅/铝碳化硅复合材料包括激光焊接层和铝碳化硅层，激光焊接层位于铝碳化硅层的上表面；激光焊接层为经喷射沉积形成的铝硅材料。本发明提供的复合材料通过在铝碳化硅材料表面同步集成具有良好激光焊接特性的喷射沉积铝硅层。由于喷射沉积得到的铝硅材料层氧含量≤1000×10^-6，硅相粒径小且彼此深度连接形成网状，提高了所得复合材料的激光焊接焊缝的稳定性，使其能满足微电路组件壳体材料的要求。

Description

铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置

技术领域

本发明涉及电子封装领域，特别地，涉及一种铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置。

背景技术

微电路组件壳体封装时所用材料需要能同时满足高热导率、低密度、膨胀系数与低温共烧陶瓷匹配、良好的机械性能与加工特性、良好的激光焊接特性等要求，才能使得封装后壳体可靠性有所保障。同时微电路组件壳体封装材料在生产过程中壳体底板的变形量不能大于0.10mm。现在该壳体封装材料主要采用铝合金、铜合金、柯伐合金、W/Cu合金等材料。但铝合金和铜合金膨胀系数过高，柯伐合金密度过大且热导率太低，而W/Cu合金虽然热导率和膨胀系数均较理想，但昂贵的价格和过高的密度，又使W/Cu合金难以满足微电路组件壳体封装材料的全部要求。

钟鼓，吴树森，万里等在发表于《材料导报》2008，22(2)：13-17的《高SiCp或高Si含量复合材料研究进展》中提到，高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料(本文中简称铝碳化硅材料)和喷射沉积高体积分数硅增强铝基复合材料(本文中简称喷射沉积铝硅材料)是新发展起来的两种新型复合材料，它们具有高热导率、低密度和热膨胀系数可设计等特点适于作为微电路组件的封装壳体材料。

现有技术中以硅-碳化硅层状预制件为原料，经真空压力浸渗制备得到的铝硅-铝碳化硅复合材料。但由于采用真空压力浸渗法得到的铝硅-铝碳化硅封装材料表层铝硅中的硅相表面存在氧化层，且所得铝硅-铝碳化硅复合材料中硅颗粒(光学显微镜结果如图1所示)粗大，存在很多粒径大于100μm的硅颗粒，硅颗粒表面的氧化层和粗大的硅颗粒，导致封装时盖板与壳体的焊缝可靠性不足，无法满足激光焊接的需要。

发明内容

本发明目的在于提供一种铝硅/铝碳化硅复合材料及其制备方法、电子封装装置，以解决现有技术中电子封装壳体与盖板通过激光焊接时焊缝不稳定的技术问题。

为实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种铝硅/铝碳化硅复合材料，复合材料包括激光焊接层和铝碳化硅层，激光焊接层位于铝碳化硅层的上表层；激光焊接层为经喷射沉积形成的铝硅材料层。

进一步地，激光焊接层硅相之间连通且含氧量≤1000×10^-6；激光焊接层硅相粒径≤100μm。

进一步地，激光焊接层中硅的质量百分比≤55％。

根据本发明的另一方面还提供了一种上述铝硅/铝碳化硅复合材料的制备方法，包括以下步骤：

1)将喷射沉积制得的铝硅材料层置于碳化硅预制件顶面，得到复合预制件，并将复合预制件放入模具中在600℃～650℃下恒温预热小时2～3小时；

2)熔化铝合金；

3)抽真空后充惰性气体至压力为1.5MPa～2.0MPa下恒温恒压5分钟～15分钟后至增压至8MPa～12MPa，得到铝硅/铝碳化硅复合材料。

进一步地，碳化硅预制件通过干法模压法或粉末注射成型法制得，碳化硅预制件的密度为1.91g/cm³～2.35g/cm³。

根据本发明的另一方面还提供了一种电子封装装置，包括壳体和盖板，壳体包括底板和围绕底板设置的围栏，复合材料中，至少围栏为上述的铝硅/铝碳化硅复合材料。

进一步地，壳体具有矩形结构；围栏的侧壁和底板为铝碳化硅层，75mm＜壳体内腔长度≤95mm，50mm＜壳体内腔宽度≤65mm，1.5mm≤底板的厚度≤2.5mm。

进一步地，作为围栏的铝硅/铝碳化硅复合材料的激光焊接层中含硅质量百分比为40～55％，余量为铝。

进一步地，所述盖板为含硅质量百分比为40％～55％喷射沉积铝硅材料。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的复合材料通过在铝碳化硅上铜同步集成具有良好激光焊接特性的喷射沉积铝碳化硅层。由于喷射沉积得到的铝硅材料层氧含量≤1000×10^-6，且硅颗粒粒径小且彼此深度连接形成网状，提高了所得复合材料的激光焊接焊缝的稳定性，使其能满足微电路组件壳体材料的要求。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明作进一步详细的说明。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是背景技术中铝硅-铝碳化硅复合材料中铝硅材料的光学显微组织图；

图2是本发明优选实施例的喷射沉积铝硅材料的的光学显微组织图；

图3是本发明优选实施例的电子封装装置横截面示意图；

图4是本发明优选实施例的电子封装壳体立体示意图；

图5是本发明优选实施例所用真空压力渗透渗铝过程示意图；

图6是本发明优选实施例微组装工艺流程图；

图7是本发明优选实施例的电子封装壳体的俯视示意图；以及

图8是图7A-A线剖视侧视示意图。

图例说明：

1、铝碳化硅层；11、壳体；12、围栏；13、底板；2、激光焊接层；3、芯片；4、盖板；41、外围区域；42、中间区域；5、低温共烧陶瓷基板；51、高温钎焊料；6、同轴连接件；7、低温钎焊料层；70、炉体；71、抽真空管；72、充惰性气体口；73、上室；74、下室；75、隔板；731、复合预制件；732、碳化硅预制件；733、模具；734、第一加热板；735、引液管；741、升降杆；742、铝液；743、坩埚；744、第二加热板。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

本文中电子封装装置是指安装集成电路内置芯片时所用的管壳，能起到安防固定密封，保护集成电路内置芯片的作用。

喷射沉积法得到的铝硅材料硅颗粒尺寸小，含氧量≤1000×10^-6，能提高激光焊接焊缝的稳定性。因而本发明通过采用喷射沉积法得到的铝硅材料作为激光焊接层，避免使用其他方法制备得到的铝硅材料表面的氧化层对激光焊接焊缝稳定性的影响。

本发明提供了一种铝硅/铝碳化硅复合材料，复合材料包括激光焊接层2和铝碳化硅层1，激光焊接层2位于铝碳化硅层1的上表层；激光焊接层2为经喷射沉积形成的铝硅材料层。

喷射沉积过程大体上可以分成金属熔体释放、液流雾化、雾化液滴飞行、雾滴沉积和沉积体凝固五个阶段，整个过程在惰性气氛下进行。在喷射沉积过程中，喷射沉积得到的铝硅以10²K/s～10⁴K/s的速度冷却。所制得的铝硅材料中硅相颗粒细小、组织均匀，能抑制高合金化材料中的宏观和微观偏析，有利于材料获得好的物理性能和力学性能。经过常规后续处理(如热等静压、热锻等)消除沉积过程中形成的少量疏松后，就得到致密的喷射沉积铝硅坯件。铝硅材料可以为市售的铝硅，但该铝硅必须为通过喷射沉积法制得。发明人通过对比实验发现在众多铝硅材料中，喷射沉积得到的铝硅材料具有良好的激光焊接特性，能保证焊缝在数十次的温度循环条件下稳定不开裂。

优选采购铝硅材料时还需通过光学显微镜筛选出铝硅材料各硅颗粒之间形成网络连接(如图2所示，为各凸起的硅颗粒的边缘相互融合连接，相比图1中硅颗粒的少量连接而言。)，各硅颗粒粒径≤100μm，同时还要测定铝硅材料中氧含量≤1000×10^-6，才可以作为激光焊接层使用。之后根据激光焊接层的尺寸加工。喷射沉积铝硅材料采用电感耦合等离子光谱分析仪测量，其氧含量≤1000×10^-6，表明喷射沉积所得铝硅材料硅相表面几乎无氧化膜层。喷射沉积法制得的铝硅材料由于其细小的硅颗粒和无表面氧化层，因而具有优良的激光焊接特性，适于作为激光焊接层使用。

铝碳化硅层1可以为常用的铝碳化硅材料，优选采用SiC的体积百分比为55％～60％，余量为铝或铝合金的铝碳化硅材料。该铝碳化硅材料的膨胀系数与激光焊接层2铝硅材料的膨胀系数相匹配，使得组装电子元器件时，壳体11变形小，耐受极端环境能力强。

复合材料起到容纳和保护电路板等电子元件的作用，而激光焊接层则起到将复合材料与其他材料连接的作用，因而将激光焊接层设置于铝碳化硅层1的上表层。

喷射沉积铝硅材料的膨胀系数随其中硅含量的增加而逐渐减小，弹性模量逐渐增大，熔点逐渐增大，材料断裂韧性逐渐减小，激光焊接特性逐渐变差。当喷射沉积铝硅中硅的质量百分比超过55％时，激光焊接时焊缝处易产生裂纹，且在使用过程中激光焊缝处易产生裂纹。因而优选作为激光焊接层2使用的喷射沉积铝硅中硅的质量百分比≤55％，优选为。当喷射沉积铝硅中硅的质量百分比≤45％时，密封效果最优。

本发明的另一发明还提供了复合材料的制备方法，包括以下步骤：

1)将喷射沉积制得的铝硅材料层置于碳化硅预制件顶面，得到复合预制件731，并将复合预制件放入模具中在600℃～650℃下恒温预热2小时～3小时；

2)熔化铝合金得到铝液742；

3)抽真空后充惰性气体至压力1.5MPa～2.0MPa下恒温恒压5分钟～15分钟后再降温增压至8MPa～12MPa，得到铝硅/铝碳化硅复合材料。

该方法通过真空压力浸渗炉来进行。真空压力浸渗炉结构参见图5，真空压力浸渗炉包括炉体70和安装于炉体70顶部的抽真空管71和充惰性气体口72。炉体70内壁中间安装隔板75。隔板75将炉体70内腔分割为上室73和下室74。隔板75中间断开，隔板75的内壁边缘处安装有第一加热板734。第一加热板734内放置不锈钢的模具733。模具733为顶端封闭，底部中心处设有开口的内部空腔结构。模具733中放入复合预制件731。复合预制件731由碳化硅预制件732和覆盖于碳化硅预制件732凸缘四周的激光焊接层2组成。碳化硅预制件732的底面卡接于模具733的底面内侧。模具733底部所设开口内安装有引液管735。引液管735从模具733底部向下室74延伸。下室74底面上安装升降杆741。升降杆741顶面的平台上放置坩埚743。坩埚743内盛放铝液742。坩埚743的外侧围绕设置第二加热板744。第二加热板744安装于升降杆741顶面的平台上。升降杆741可携带处于其平台上的坩埚743和铝液742向引液管735移动。

制备复合材料时首先按上述位置，将复合预制件731放置到模具733中。打开第一加热板734加热上室73，使复合预制件731在600℃～650℃下恒温预热2小时～3小时，起到活化激光焊接层2相接界面上原子的作用，提高反应活性，为后续同步集成扩散做好准备。与此同时，打开第二加热板744加热下室74，在700℃～750℃下恒温2小时～3小时将坩埚743中的铝合金或铝金属熔化得到铝液742。通过抽真空管71将炉体70抽至真空度≤500Pa，防止激光焊接层2与铝碳化硅层1相接界面形成氧化膜。之后用升降杆741抬升坩埚743，并同时充入惰性气体至炉体70内压力达到1.5MPa～2.0MPa，并恒温恒压5分钟～15分钟。通过预先加压至一个较小的压力值，能提高激光焊接层2与铝碳化硅层1之间的连接界面稳定性，防止漏气的发生。如果直接增压至10MPa则无法保证焊缝在使用过程中气密性良好。惰性气体可以为常用惰性气体如氮气、氩气、氦气等。再关闭第一加热板734和第二加热板744。并继续充入惰性气体，炉体70内增压至8MPa～12MPa。使得铝液742在压力作用下经引液管735流入模具733中。在压力作用下，铝液742通过扩散进入碳化硅预制件732的空隙中，制得铝碳化硅层1。与此同时，铝液742与铝硅激光焊接层2产生溶解和扩散。通过按上述条件控制复合预制件731的预热温度、铝液742的温度、炉体70内压力和铝液742与激光焊接层2的接触时间等，使碳化硅预制件732和激光焊接层2连接界面处激光焊接层2和铝碳化硅层1中的铝基体形成连续分布相，从而使铝硅激光焊接层2与铝碳化硅层1的界面上形成冶金结合。因此采用上述方法制备得到的复合材料，激光焊接层2与铝碳化硅层1的连接稳固，加工过程中变形量小。采用上述方法还能将铝碳化硅层1的制备和激光焊接层2与铝碳化硅层1的连接同步完成，提高生产效率，避免使用价格较高的金锡或金锗等钎料，降低了生产成本，提高喷射沉积铝硅材料和铝碳化硅材料结合界面处的气密性和可靠性。

渗透完成后，复合材料随炉冷却后去除模具733得到铝硅/铝碳化硅复合材料。

通过试验发现，喷射沉积得到的铝硅即使采用上述方法进行同步集成，铝硅材料中的硅颗粒仍保持细小状态，不影响该铝硅材料所具有的良好激光焊接特性。

碳化硅预制件732可以通过常用的干法模压方法或粉末注射成型方法制得，所制得碳化硅预制件732的密度为1.91g/cm³～2.35g/cm³。此密度的碳化硅预制件732制得的铝碳化硅层1能满足微电子焊接对壳体11变形的要求，同时能满足电子封装对壳体11密度不能过高的要求。

本文中铝合金可以为Al-Si系铸造合金，如ZL101，ZL102等；也可以为6000系变形铝合金，如6063等；还可以为3000系变形铝合金，如3003等。

铝硅/铝碳化硅复合材料的加工方法可以为电火花线切割、金刚石砂轮磨削、聚金刚石刀具铣削、表面镀覆等手段。

以碳化硅原料为起始物料直到完成微组装，工艺流程图如图6所示。本文中微组装是指微电子封装技术，即利用钎焊技术及微细连接技术，将半导体元器件及其它构成要素在框架和基板上布置固定及连接，引出接线端，并通过激光焊接工艺将壳体与盖板进行连接，构成整体结构的工艺。

1)称取碳化硅颗粒A(平均粒径：80μm)：碳化硅颗粒B(平均粒径：14μm)：聚乙烯醇溶液：磷酸二氢铝按重量比为70∶30∶4.5∶2，用搅拌捏合机混合1小时后造粒，在压力为100MPa下加压成型制成碳化硅素坯，经3℃/分钟速率升至800℃恒温1.5小时烧结后得到碳化硅预制件732，采用线切割工艺加工出激光焊接层2；

2)采用上述真空气压渗透方法制得铝硅/铝碳化硅复合材料；

3)对所得复合材料进行机械加工获得所需形状的壳体并进行壳体表面的镀覆理；

4)将低温共烧陶瓷基板、芯片和同轴连接件等微组装至壳体中；

5)激光焊接盖板4和壳体，得到微电子组件。

以上步骤均按常规工艺进行。盖板与壳体的激光焊接典型工艺如下：脉冲频率22Hz，功率120W，峰值电流200A，焊接速度150mm/min，光斑重叠率88～92％。采用该激光焊接工艺配合激光焊接层2，能获得熔合强度较高的焊缝。

本发明的另一方面还提供了一种电子封装装置，该电子封装装置包括壳体11和盖板4，壳体11包括底板13和围绕底板13设置的围栏12，至少围栏12为上述铝硅/铝碳化硅复合材料；壳体11具有矩形结构；围栏12的底部和底板13的为铝碳化硅层1。

为了使处于复合材料底部的铝碳化硅层1发挥容纳电路板的作用，复合材料制成壳体11时可以为任意常用的能容纳电子元器件的壳体11构造。优选复合材料作为壳体11使用时的结构如图3所示，铝碳化硅层1向内凹陷形成壳体11。铝碳化硅层1突起的四周形成围栏12。铝碳化硅层1的底部形成壳体底板13。组装集成电路内置芯片时，底板13的内表面上安装低温共烧陶瓷基板5。低温共烧陶瓷基板5的顶面上设置多个高温钎焊料层51。

芯片3分别安装于高温钎焊料层51上焊接上。围栏12的侧壁上设置多个，同轴连接件6插设于通孔中。同轴连接件6的外表面通过低温钎焊料层7与通孔内壁焊接。围栏12的顶面上设置激光焊接层2。以低温钎焊料层7、高温钎焊料层51中所用高温钎焊料和低温钎焊料可以互换，按常规方法使用即可。

当需要密封电子元器件时，盖板4将壳体11的开口端面盖住。盖板4可以为任意常用的电子封装盖板。该盖板可以为任意与激光焊接层2具有良好焊接特性的材料，如铝合金、喷射沉积铝硅或铝合金/铝碳化硅复合盖板等。组件功能调试完毕后采用激光焊接将盖板4焊接至激光焊接层2上封闭壳体11。

如果封装过程中壳体11变形过大，壳体11在后续使用过程中不能适应极端的工作环境对封装装置稳定性的要求。因而当将该铝硅/铝碳化硅复合材料用作微电路组件壳体11封装材料时，需保证生产过程中壳体11的底板13的变形量≤0.10mm。本发明通过控制壳体11的尺寸，采用不同膨胀系数的铝碳化硅材料与激光焊接层2及盖板4进行匹配，从而将封装壳体11的整个过程中底板13的变形量≤0.10mm。通过试验发现当壳体11的内部腔体的长度和宽度的增加时，激光焊接层2与铝碳化硅层1之间的膨胀系数差值需逐渐减小，才能将生产过程中壳体底板13的变形量控制在0.10mm以内。

壳体具有矩形结构。此处的具有矩形结构是指壳体内腔可以由多个形状各异的矩形拼接而成。或者可以包括台阶等结构。只要壳体的内腔具有最长边作为长，最短边作为宽即可。举例说明，如图7和8所示，其中壳体内腔的长是指L所表示的长度，壳体内腔的宽为W所表示的长度。底板的厚度为H所表示的长度。

经过大量研究，优选，75mm＜壳体内腔长度≤95mm，50mm＜壳体内腔宽度≤65mm，1.5mm≤内腔底板的厚度≤2.5mm，壳体激光焊接层和盖板均为含硅质量比为40％～55％的喷射沉积铝硅，能使微电路组件生产过程中壳体底板13的变形均≤0.10mm。优选壳体激光焊接层和盖板均为含硅质量比为40％～44％时，微电路组件生产过程中壳体底板13的变形量最小。

优选喷射沉积铝硅作为激光焊接层的厚度为0.8mm～1.6mm，这样才能保证微电路组件生产调试过程中激光焊接层能承受三次开盖处理，不会由于多次开盖导致激光焊接层过薄而无法继续焊接。

优选壳体底板13的铝碳化硅碳化硅的质量百分比均为60％～75％，余量为铝或铝合金。铝碳化硅的膨胀系数随其中碳化硅含量的增加而逐渐减小。铝碳化硅层1的内腔可以通过任意常用成型方法制得，如机械切削或近净成型。优选对铝碳化硅层1的内腔采用近净成型，因铝碳化硅硬度较高，对机械加工过程中的刀具磨损严重，不适于机械加工。采用近净成型则能减少铝碳化硅层1加工过程中对刀具的损耗。

实施例

以下实施例中所用物料均为市售。市售喷射沉积法制得的铝硅材料，需经检测确定各硅颗粒之间形成网络连接，硅相颗粒尺寸≤100μm且含氧量≤1000×10^-6方能使用。

实施例1

1)碳化硅预制件的制备

称取碳化硅颗粒A(平均粒径：63μm)85g和碳化硅颗粒B(平均粒径：12μm)15g、聚乙烯醇溶液20g以及磷酸二氢铝4.5g，用搅拌捏合机混合1小时后造粒，在压力为100MPa下加压成型制成100mm×70mm×10mm尺寸的碳化硅素坯，经3℃/分钟速率升至800℃恒温1.5小时烧结后得到碳化硅预制件，其密度为1.91g/cm³。采用数控铣在碳化硅预制件100mm×70mm的平面上铣削加工出95mm×70mm×1.6mm凹槽。

2)激光焊接层的制备

激光焊接层以喷射沉积得到的铝硅材料为原料加工成尺寸为94.6mm×69.6mm×1.55mm的激光焊接层。所用铝硅材料中含硅质量百分比为55％，硅相粒径平均约为85μm，含氧量为1000×10^-6。

3)电子封装材料的制备

碳化硅预制件上装配激光焊接层后装配到不锈钢模具中。在真空压力浸渗炉中，将上述不锈钢模具置于上室并加热至600℃并恒温2小时，将ZL101铝合金作为基体，放入下室坩埚中预热至750℃并恒温2小时，得到铝液，然后抽真空至400Pa时，用升降杆抬升坩埚后关闭真空高压截止阀，再充入氮气使炉体内压力升至2MPa恒压并使上室和下室恒温5分钟恒温，关闭第一、第二加热板，充入氮气使炉体内压力升至12MPa，不锈钢模具随炉冷却后取出，开模后得到铝硅/铝碳化硅电子封装材料坯料。

经磨削、数控铣加工，得到长度为99mm，宽度为69mm，高为9mm的铝硅/铝碳化硅电子封装材料，其中激光焊接层厚度为1.2mm。

4)电子封装材料性能检测

用膨胀仪测量铝碳化硅电子封装材料样品(尺寸为：φ4.5mm×25mm)室温至125℃时的膨胀系数；用激光导热系数测量仪测量铝碳化硅电子封装材料(尺寸为：φ12.7mm×3mm)室温的热导率；用氦谱检漏仪测量铝碳化硅电子封装材料(尺寸为：15mm×10mm×1.5mm)的致密性。用电子万能试验机采用三点弯曲的方法测定铝碳化硅电子封装材料试样的抗弯强度，试样数量均为12件，尺寸为4mm×3mm×40mm，跨距为30mm，压头位移速度为1mm/分钟。用光学显微镜观察激光焊接层一喷射沉积得到的铝硅材料与铝碳化硅材料的界面的结合情况，如表1所示。

表1电子封装材料的各项性能

实施例2

1)碳化硅预制件的制备

称取碳化硅颗粒A(平均粒径：80μm)70g、碳化硅颗粒B(平均粒径：14μm)21g和碳化硅颗粒C(平均粒径2μm)9g、聚乙烯醇溶液20g以及磷酸二氢铝4.5g，用搅拌捏合机混合1小时后造粒，在压力为100MPa下加压成型制成105mm×72mm×10mm尺寸的平板状碳化硅素坯，经3℃/分钟速率升至800℃恒温1.5小时烧结后得到碳化硅预制件，其密度为2.35g/cm³。经数控铣削加工获得如图4所示的碳化硅壳体预制件。

2)激光焊接层的制备

激光焊接层以喷射沉积得到的铝硅材料为原料加工成外环尺寸为98.0mm×71.6mm，内环尺寸为94.2mm×64.2mm，厚度为1.6mm的激光焊接层。所用铝硅材料中含硅质量百分比为44％，硅颗粒粒径平均约为85μm，含氧量为800×10^-6。

3)电子封装材料的制备

碳化硅预制件上装配激光焊接层后装配到不锈钢模具中。在真空压力浸渗炉中，将上述不锈钢模具置于上室并加热至650℃恒温3小时，将6061铝合金作为基体放入下室坩埚中加热至720℃恒温3小时，得到铝液；然后抽真空至100Pa时，用升降杆抬升坩埚后关闭真空高压截止阀，再充入氮气使炉体内压力升至1.5MPa并使上室和下室恒温15分钟恒温，关闭第一、第二加热板，充入氮气使炉体内压力升至8MPa，不锈钢模具随炉冷却后取出。开模后得到铝硅/铝碳化硅电子封装材料壳体坯件。按产品图纸，经磨削、数控铣削等机械加工和表面镀覆后得到铝硅/铝碳化硅电子封装材料壳体。

所得电子封装材料的内腔长度为95mm，宽度为65mm，壳体底层底厚为2.5mm。激光焊接层材料厚度为1.2mm。铝碳化硅材料中SiC的质量百分比为75％，余量为铝合金。

4)盖板的制备及电子封装的组装

采用线切割、铣削等机械加工工艺制备喷射沉积铝硅盖板，该盖板含硅质量比为40％。。按照微组装工艺将低温共烧陶瓷基板、芯片、同轴连接件进行组装获得组件壳体。

5)性能检测

经过组装后壳体变形量为0.07mm。采用激光焊接工艺将壳体与盖板焊接，壳体变形量为0.08mm，按GJB548B-2005方法1014.2A1检测气密性，其值为4.6×10^-3(Pa.cm³)/s，符合GJB548B-2005技术要求。

实施例3

1)碳化硅预制件的制备

称取碳化硅颗粒A(平均粒径：80μm)和碳化硅颗粒B(平均粒径：14μm)，两者质量比为7∶3，采用注射成型工艺制备如图6所示的碳化硅预制件素坯，其外形尺寸为95mm×65mm×10mm，内腔尺寸为85mm×55mm，底部厚度为2.3mm，凹槽处尺寸为89mm×65mm×1.6mm，经脱脂烧结后得到碳化硅预制件，其密度为2.07g/cm³。

2)激光焊接层的制备

激光焊接层以喷射沉积得到的铝硅材料为原料加工成外环尺寸为88.50mm×64.6mm，内环尺寸为85.2mm×55.2mm，厚度为1.55mm的焊接层材料。所用铝硅材料中含硅质量百分比为42％，硅颗粒粒径平均约为85μm，含氧量为900×10^-6。

3)电子封装材料的制备

碳化硅预制件上装配激光焊接层后装配到不锈钢模具中。在真空压力浸渗炉中，将上述不锈钢模具置于上室并加热至630℃恒温2.5小时，将6063铝合金作为基体放入下室坩埚中加热至750℃恒温2.5小时，得到铝液；然后抽真空至200Pa时，用升降杆抬升坩埚后关闭真空高压截止阀，再充入氮气使炉体内压力升至1.8MPa并使上、下室恒压恒温8分钟。关闭第一、第二加热板，充入氮气使炉体内压力升至10MPa，不锈钢模具随炉冷却后取出，开模后得到铝硅/铝碳化硅电子封装材料壳体坯件。按产品图纸，经磨削、数控铣削等机械加工和表面镀覆后得到铝硅/铝碳化硅电子封装材料壳体。

该铝硅/铝碳化硅电子封装壳体内腔尺寸为86mm×56mm，壳体底层厚度为2.0mm，铝碳化硅材料中SiC的体积百分比为63％，激光焊接层材料厚度为1.3mm。

4)盖板的制备及电子封装的组装

采用线切割、铣削等机械加工工艺制备喷射沉积铝硅盖板，该盖板含硅质量比为42％。。按照微组装工艺将低温共烧陶瓷基板、芯片、同轴连接件进行组装获得组件壳体。

5)性能检测

经过组装后壳体变形量为0.05mm，采用激光焊接工艺将壳体与盖板焊接，壳体变形量为0.08mm，按GJB548B-2005方法1014.2A1检测气密性，其值为4.2×10^-3(Pa.cm³)/s，符合GJB548B-2005≤5.0×10^-3(Pa.cm³)/s技术要求。

实施例4

与实施例2的区别在于激光焊接层的中硅的质量百分数为40％。经过组装后壳体变形量为0.05mm，采用激光焊接工艺将壳体与盖板焊接，壳体变形量为0.08mm，按GJB548B-2005方法1014.2A1检测气密性，其值为4.2×10^-3(Pa.cm³)/s，符合GJB548B-2005≤5.0×10^-3(Pa.cm³)/s技术要求。

实施例5

与实施例2的区别在于电子封装材料的壳体内腔长为76mm，壳体内腔宽为51mm。壳体底层厚度为1.5mm。经过组装后壳体变形量为0.05mm，采用激光焊接工艺将壳体与盖板焊接，壳体变形量为0.08mm，按GJB548B-2005方法1014.2A1检测气密性，其值为4.2×10^-3(Pa.cm³)/s，符合GJB548B-2005≤5.0×10^-3(Pa.cm³)/s技术要求。

实施例6

与实施例2的区别在于激光焊接层的中硅的质量百分数为40％。经过组装后壳体变形量为0.05mm，采用激光焊接工艺将壳体与盖板焊接，壳体变形量为0.08mm，按GJB548B-2005方法1014.2A1检测气密性，其值为4.2×10^-3(Pa.cm³)/s，符合GJB548B-2005≤5.0×10^-3(Pa.cm³)/s技术要求。

实施例7

与实施例3的区别在于步骤3)中不锈钢模具升温至550^℃下恒温3小时。经过组装后壳体变形量为0.05mm，采用激光焊接工艺将壳体与盖板焊接，壳体变形量为0.08mm，按GJB548B-2005方法1014.2A1检测气密性，其值为4.2×10^-3(Pa.cm³)/s，符合GJB548B-2005≤5.0×10^-3(Pa.cm³)/s技术要求。

实施例8

与实施例3的区别在于步骤3)中充氮气时首先将炉体内的压力增加至2.0MPa并恒压5分钟。经过组装后壳体变形量为0.05mm，采用激光焊接工艺将壳体与盖板焊接，壳体变形量为0.08mm，按GJB548B-2005方法1014.2A1检测气密性，其值为4.2×10^-3(Pa.cm³)/s，符合GJB548B-2005≤5.0×10^-3(Pa.cm³)/s技术要求。

实施例9

与实施例1的区别在于步骤3)中所用基体为纯铝。

经过组装后壳体变形量为0.05mm，采用激光焊接工艺将壳体与盖板焊接，壳体变形量为0.08mm，按GJB548B-2005方法1014.2A1检测气密性，其值为4.2×10^-3(Pa.cm³)/s，符合GJB548B-2005≤5.0×10^-3(Pa.cm³)/s技术要求。

对比例1

与实施例2的区别在于激光焊接时所用盖板为喷射沉积制得的铝硅，其中硅含量为27％(质量分数)。

组装后壳体底面变形量为0.13mm，不符合微电路组件生产要求。

对比例2

与实施例3的区别在于：所用激光焊接层为硅含量为27％的铝硅。

组装后壳体底面变形量为0.15mm，不符合微电路组件使用要求。

对比例3

与实施例2的区别在于：所得电子封装材料的壳体长度为95mm，宽度为65mm，底厚为2.5mm。制备电子封装材料时，在步骤3)中抽真空后未先增压至1.5MPa，而是直接增压至8MPa。

按GJB548B-2005方法1014.2A4检测气密性，其值为8.9×10^-3(Pa.cm³)/s，不符合GJB548B-2005应≤1.0×10^-3(Pa.cm³)/s技术要求，表明铝硅激光焊接层与铝碳化硅层界面处结合不可靠。

对比例4

与实施例3的区别在于：所得电子封装材料壳体的内腔尺寸为86mm×56mm，底部厚度为2.0mm，激光焊接层厚度为1.3mm。步骤3)中未预先增压至1.8MPa，而是直接增压至10MPa。对所得电子封装材料进行焊盖板后，按GJB548B-2005方法1014.2A4检测气密性，其值为9.2×10^-3(Pa.cm³)/s，不符合GJB548B-2005≤1.0×10^-3(Pa.cm³)/s技术要求，表明激光焊接层与铝碳化硅层界面处结合不可靠。

由以上实施例所得结果可知，按本发明提供的方法以喷射沉积制得的铝硅作为激光焊机层，能提高所得电子封装的气密性、降低变形量。盖板与壳体的焊缝稳定可靠，在-65℃～85℃区间经过100次温度循环后，壳体变形量为0.08mm。由对比例1可知，如果不是在喷射沉积得到的铝硅作为激光焊接层，则组装后的器件变形量过大，无法满足微电子封装的需要。由对比例2～3可知，如果不按本发明提供的方法进行真空渗透，所得电子封装材料的激光焊接层与铝碳化硅层的连接界面上存在裂痕，影响材料的可靠性。

以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种铝硅/铝碳化硅复合材料，所述复合材料包括激光焊接层和铝碳化硅层，所述激光焊接层位于所述铝碳化硅层的上表面；其特征在于，所述激光焊接层为经喷射沉积形成的铝硅材料层；所述激光焊接层硅相之间连通且含氧量≤1000×10^-6；所述激光焊接层硅相粒径≤100μm。

2.根据权利要求1所述的材料，其特征在于，所述激光焊接层中硅的质量百分比≤55％。

3.一种权利要求1～2中任一项所述铝硅/铝碳化硅复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)将喷射沉积制得的铝硅材料层置于碳化硅预制件顶面，得到复合预制件，并将所述复合预制件放入模具中在600℃～650℃下恒温预热2小时～3小时；

2)熔化铝合金；

3)抽真空后充惰性气体至压力为1.5MPa～2.0MPa下恒温恒压5分钟～15分钟后再增压至8MPa～12MPa，得到所述铝硅/铝碳化硅复合材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述碳化硅预制件通过干法模压法或粉末注射成型法制得，所述碳化硅预制件的密度为1.91g/cm³～2.35g/cm³。

5.一种电子封装装置，包括壳体和盖板，所述壳体包括底板和围绕底板设置的围栏，其特征在于，至少所述围栏为权利要求1至2中任一项所述的铝硅/铝碳化硅复合材料。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述壳体具有矩形结构；所述围栏的侧壁和所述底板为铝碳化硅层，所述壳体中，75mm＜壳体内腔长度≤95mm，50mm＜壳体内腔宽度≤65mm，1.5mm≤底板的厚度≤2.5mm。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，作为所述围栏的铝硅/铝碳化硅复合材料的激光焊接层中含硅质量百分比为40～44％，余量为铝。

8.根据权利要求5～7中任一项所述的装置，其特征在于，所述盖板为含硅质量百分比为40％～55％喷射沉积铝硅材料。