CN103959487A - 具有厚金属层的半导体发光器件 - Google Patents

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Abstract

根据本发明的实施例的器件包括含有夹在n型区和p型区之间的发光层的半导体结构以及第一和第二金属接触，其中，所述第一金属接触与所述n型区直接接触，所述第二金属接触与所述p型区直接接触。第一和第二金属层分别设置在所述第一和第二金属接触上。所述第一和第二金属层厚到足以对所述半导体结构进行机械支撑。所述器件的与所述第一和第二金属层之一相邻的侧壁的一部分是反射性的。

Description

具有厚金属层的半导体发光器件
技术领域
本发明涉及具有厚金属层的半导体发光器件。
背景技术
包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、诸如表面发射激光器（VCSEL）的垂直腔激光二极管以及边缘发射激光器在内的半导体发光器件属于当前可获得的最为有效的光源之一。在能够跨越可见光谱工作的高亮度发光器件的制造当中，当前引人注意的材料系统包括III-V族半导体，尤其是镓、铝、铟、氮的二元、三元和四元合金，它们又被称为III族氮化物材料。典型地，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其他外延技术在蓝宝石、碳化硅、III族氮化物或其他适当的衬底上外延生长具有不同成分和掺杂剂浓度的半导体层的层叠结构，由此来制造III族氮化物发光器件。所述层叠结构往往包括形成于所述衬底之上的一个或多个掺有例如Si的n型层、形成于所述一个或多个n型层之上的处于有源区内的一个或多个发光层以及形成于所述有源区之上的掺有例如Mg的一个或多个p型层。在所述n型区和p型区上形成电接触。
图1示出了一种包括大面积金属到金属互连的LED，在US 7,348,212中对其给出了更加详细的说明。图1所示的结构包括附着至底座70的倒装芯片发光器件。所述倒装芯片器件包括附着至半导体器件层74的衬底73，所述半导体器件层包括至少一个设置在n型区和p型区之间的发光或有源层。n型接触71和p型接触72电连接至半导体结构74的n型和p型区。在接触71和72上形成薄金属层76a和77a，在底座70上形成薄金属层76b和77b。在底座70上，或者在接触71和72上，因而在区域76a和77a上或者在区域76b和77b上镀敷厚的可延展的金属层78和79。金属层78和79被选择为是可延展的、具有高导热性和导电性的并且适度地抗氧化。例如，金属层78和79可以是具有良好的导热性的Au；具有比Au还好的导热性的Cu；Ni；或者比Au或Cu便宜的Al。金属层78和79可以具有1微米和50微米之间的厚度，并且经常具有5微米和20微米之间的厚度。
发明内容
本发明的目的在于提供一种包括厚金属层的半导体器件，所述厚金属层对所述半导体器件提供机械支撑，因而不需要底座支撑所述半导体器件。
根据本发明的实施例的器件包括含有夹在n型区和p型区之间的发光层的半导体结构以及第一和第二金属接触，其中，所述第一金属接触与所述n型区直接接触，所述第二金属接触与所述p型区直接接触。第一和第二金属层分别设置在所述第一和第二金属接触上。所述第一和第二金属层厚到足以对所述半导体结构进行机械支撑。所述器件的与所述第一和第二金属层之一相邻的侧壁的一部分是反射性的。
根据本发明的实施例的方法包括提供多个半导体器件的晶片，所述晶片包括含有夹在n型区和p型区之间的发光层的半导体结构以及用于每个半导体器件的第一和第二金属接触，其中，每个第一金属接触与所述n型区直接接触，每个第二金属接触与所述p型区直接接触。分别在所述晶片上的每个半导体器件的第一和第二金属接触上形成第一和第二金属层。所述第一和第二金属层厚到足以在后续处理期间对所述半导体结构进行支撑。在形成第一和第二金属层之后，形成填充所述第一和第二金属层之间的空间的电绝缘层。所述方法还包括形成与所述第一和第二金属层之一的侧壁相邻设置的反射区。
附图说明
图1示出了具有厚的可延展的金属互连的现有技术LED。
图2示出了适于在本发明的实施例中使用的半导体LED。
图3示出了形成于半导体LED的金属接触上的厚金属层。
图4示出了使电绝缘层平坦化之后的图3的结构。
图5是图4中的截面图所示的结构的平面图。
图6示出了在对形成于所述厚金属层之上的电绝缘层构图之后的图4的结构。
图7示出了形成接合焊盘之后的图6的结构。
图8示出了形成于半导体LED的接触上的厚金属层和镀敷重新分布层。
图9是图8中的截面图所示的结构的平面图。
图10示出了在形成电绝缘层并使其平坦化之后图8的结构。
图11示出了形成接合焊盘之后的图10的结构。
图12A和12B是图11中的截面图所示的结构的不同实现的平面图。
图13示出了具有用于锚固电绝缘材料的凹陷的厚金属层的一部分。
图14示出了具有用于锚固电绝缘材料的突起的厚金属层的一部分。
图15示出了具有多个用于锚固电绝缘材料的特征的厚金属层的一部分。
图16、17、18、19、20和21说明了图14所示的突起锚固特征的形成。
图22示出了具有反射侧壁的器件。
具体实施方式
图2示出了适于在本发明的实施例中使用的半导体发光器件。尽管在下文的讨论当中，半导体发光器件是发射蓝光或UV光的III族氮化物LED，但是也可以采用LED以外的半导体发光器件，例如，激光二极管，以及由其他材料系统制成的半导体发光器件，例如，其他III-V族材料、III族磷化物、III族砷化物、II-VI族材料、ZnO或者基于Si的材料。
可以通过首先在生长衬底10上生长半导体结构而形成图2所示的器件，这是本领域已知的。生长衬底10可以是任何适当的衬底，例如，蓝宝石、SiC、Si、GaN或者复合衬底。可以首先生长n型区14，其可以包括多个具有不同成分和掺杂剂浓度的层，例如，所述层可以是比如缓冲层或成核层的准备层和/或被设计为促进生长衬底的去除的层，它们可以是n型的或者非人为掺杂的，所述层还可以是针对为了使发光区有效发光而所希望具有的特定光学、材料或电学特性设计的n型、甚至p型器件层。在所述n型区之上生长发光或有源区16。适当的发光区的例子包括单个厚的或者薄的发光层，或者含有多个通过阻挡层隔开的薄的或者厚的发光层的多量子阱发光区。之后，可以在所述发光区之上生长p型区18。与所述n型区类似，所述p型区可以包括多个具有不同成分、厚度和掺杂剂浓度的层，所述多个层包括非人为掺杂的层或者n型层。所述器件中的所有半导体材料的总厚度在一些实施例中小于10μm，在一些实施例中小于6μm。
在所述p型区上形成p接触金属20。所述p接触金属20可以是反射性的并且可以是多层叠置结构。例如，所述p接触金属可以包括用于与p型半导体材料发生欧姆接触的层、反射金属层以及避免或减少反射金属的迁移的防护金属层。之后，通过标准光刻操作对所述半导体结构构图，并对其进行蚀刻，以去除所述p接触金属的整个厚度的一部分、p型区的整个厚度的一部分以及发光区的整个厚度的一部分，从而形成至少一个露出了n型区14的表面的台面，在所述台面上形成金属n接触22。
图2所示的器件的平面图看起来类似于图5所示的平面图。n接触22可以具有与厚金属层26相同的形状，如下文所述。p接触20可以具有与厚金属层28相同的形状，如下文所述。所述n接触和p接触通过间隙24电隔离，可以采用固体、电介质、电绝缘材料、空气、环境气体或任何其他适当的材料填充所述间隙。所述p接触和n接触可以是任何适当的形状，并且可以按照任何适当的方式布置。对半导体结构构图以及形成n接触和p接触对于本领域技术人员是已知的。因此，n接触和p接触的形状和布置不限于图2和图5所示的实施例。
而且，尽管在图2中示出了单个发光器件，但是应当理解，图2所示的器件形成于包括很多这样的器件的晶片上。在具有多个器件的晶片上的各个器件之间的区域13内，可以将所述半导体结构向下蚀刻到绝缘层，所述绝缘层可以是作为所述半导体结构的一部分的绝缘半导体层或者可以是图2所示的生长衬底。
在下面的附图当中，通过结构12以简化的形式表示图2所示的LED结构，该结构包括含有n型区、p型区和发光区的半导体结构以及n接触和p接触。
在本发明的实施例中，在LED的n接触和p接触上形成厚金属层。可以在将多个器件的晶片划片成各个器件或者较小的器件组之前在晶片尺度上形成厚金属层。所述厚金属层可以在对多个器件的晶片划片之后支撑图2的器件结构，并且在一些实施例中可以在去除生长衬底期间支撑图2的器件结构。
图3示出了形成于LED 12的n接触和p接触上的厚金属层。在一些实施例中，首先形成图3未示出的基础层。所述基础层是在其上沉积厚金属层的一个或多个金属层。例如，所述基础层可以包括粘附层（将其材料选择为具有与n接触和p接触的良好粘附性）以及种子层（将其材料选择为与所述厚金属层具有良好的粘附性）。粘附层的适当材料的例子包括但不限于Ti、W以及诸如TiW的合金。种子层的适当材料的例子包括但不限于Cu。可以通过任何适当的技术形成一个或多个基础层，例如，所述技术包括溅射或蒸镀。
可以通过标准光刻技术对所述一个或多个基础层构图，从而使所述基础层仅出现在要形成厚金属层的位置。替换性地，可以在所述基础层之上形成光致抗蚀剂层，并通过标准光刻技术对其构图以形成开口，在所述开口处将要形成厚金属层。
在所述LED 12的n接触和p接触之上同时形成厚金属层26和28。厚金属层26和28可以是任何适当的金属，例如，铜、镍、金、钯、镍-铜合金或其他合金。厚金属层26和28可以通过任何适当的技术形成，包括（例如）镀敷。厚金属层28和30在一些实施例中可以处于20μm和500μm之间，在一些实施例中可以处于30μm和200μm之间，在一些实施例中可以处于50μm和100μm之间。厚金属层26和28在后面的处理步骤期间，尤其是在去除生长衬底期间支撑所述半导体结构，并提供将热量导离所述半导体结构的热通路，这可以提高器件的效率。
在形成厚金属层26和28之后，在所述晶片之上形成电绝缘材料32。电绝缘材料32填充厚金属层26和28之间的间隙30，还填充LED 12之间的间隙34。可以可选地将电绝缘材料32设置到厚金属层26和28的顶部之上。将电绝缘材料32选择为使金属层26和28电隔离，并且具有与厚金属层26和28中的金属匹配或者相对接近的热膨胀系数。例如，电绝缘材料32在一些实施例中可以是环氧树脂或硅树脂。可以通过任何适当的技术形成电绝缘材料32，包括（例如）重叠模压（overmolding）、注塑模制、旋涂和喷涂。重叠模压的执行如下：提供适当尺寸和形状的模具。采用例如硅树脂或环氧树脂的液体材料填充所述模具，其将在固化时形成硬化的电绝缘材料。将所述模具和所述LED晶片放到一起。之后对所述模具加热，从而使所述电绝缘材料固化（硬化）。之后，使所述模具和LED晶片分离，从而使电绝缘材料32留在LED之上、LED之间并填充每一LED上的任何间隙。在一些实施例中，向模塑料增加一种或多种填料，以形成具有优化的物理和材料特性的复合材料。
图4示出了可选的处理步骤，其中，通过（例如）去除覆盖厚金属层26和28的任何电绝缘材料而使所述器件平坦化。可以通过任何适当技术去除电绝缘材料32，例如，包括微珠喷砂、快速切削、刀片切削、研磨、抛光或化学机械抛光。不去除厚金属层26和28之间的电绝缘材料30，并且不去除相邻LED之间的电绝缘材料34。
图5是图4中的截面图所示的结构的平面图。图4所示的截面是在图5所示的轴处取得的。形成于图2所示的n接触上的厚金属层26是圆形的，但是其可以是任何形状。厚金属层26受到形成于图2所示的p接触上的厚金属层28的包围。厚金属层26和28通过包围厚金属层26的电绝缘材料30而电隔离。电绝缘材料34包围所述器件。
可以通过形成额外的绝缘材料层和金属层而改变电连接至n型区和p型区的金属层的形状和放置（即，可以使厚金属层26和28重新分布），如图6和图7所示。在图6中，形成了电绝缘层36，之后通过标准光刻技术对其构图，以形成与厚金属层26对准的开口38以及与厚金属层28对准的开口40。电绝缘层36可以是任何适当的材料，其包括但不限于电介质层、聚合物、苯并环丁烯、硅的氧化物、硅的氮化物、硅树脂和环氧树脂。可以通过任何适当的技术形成电绝缘层36，包括但不限于等离子体增强CVD、旋涂、喷涂和模制。
在图7中，分别在开口38和40内，分别在厚金属层26和28上形成金属接合焊盘42和44。在一些实施例中，金属接合焊盘42和44适于通过（例如）回流焊接而连接至诸如PC板的结构。例如，接合焊盘42和44可以是镍、金、铝、合金、金属的叠置结构或焊料。可以通过任何适当的技术形成接合焊盘42和44，例如，包括镀敷、溅射、蒸镀或丝网印刷。将接合焊盘42电连接至图1的n型区14。将接合焊盘44电连接至图1的p型区18。
用于形成具有厚金属层和接合焊盘的器件的替代过程的起始如图8所示。在图8中，如上文参考图3所述，形成了厚金属层26和28。之后，分别在厚金属层26和28上形成重新分布层46和48。重新分布层46和48小于厚金属层26和28。例如，可以首先在厚金属层26和28之上形成光致抗蚀剂层、之后通过对所述光致抗蚀剂层构图而在所述光致抗蚀剂层内设置其中将形成重新分布层46和48的开口，由此形成重新分布层46和48。之后，通过任何适当的技术形成重新分布层46和48。例如，重新分布层46和48可以是通过镀敷形成的铜。
图9是图8中的截面图所示的结构的平面图的例子。在受到厚金属层28包围的厚金属层26上形成重新分布层46。间隙24使厚金属层26和28电隔离。重新分布层48形成于厚金属层28上，但是其具有比厚金属层28更小的横向延伸范围。
在图10中，如上文参考图3所述，在图8所示的结构之上形成电绝缘材料50。之后，如上文参考图4所述，使所述电绝缘材料平坦化。电绝缘材料50填充厚金属层26和28之间的间隙51、重新分布层46和48之间的间隙52以及相邻LED之间的间隙54。
在图11中，分别在重新分布层46和48之上形成接合焊盘56和58。接合焊盘56和58可以与上文参考图7描述的接合焊盘相同。图12A和12B示出了图11中的截面图所示的结构的平面图的例子。在图12A所示的实施例中，电连接至重新分布层46的接合焊盘56具有比重新分布层46和厚金属层26大得多的横向延伸范围。电连接至重新分布层48的接合焊盘58具有与重新分布层48类似的横向延伸范围。在图12B所示的实施例中，接合焊盘56基本上与接合焊盘58具有相同的尺寸和形状。间隙57使接合焊盘56和58电隔离。
在一些实施例中，将生长衬底10从图7所示的结构或者图11所示的结构上去除。可以通过任何适当的技术去除所述生长衬底，例如，包括激光剥离、蚀刻、诸如研磨的机械技术或者这些技术的组合。在一些实施例中，所述生长衬底是蓝宝石，通过晶片级激光剥离将其去除。由于蓝宝石衬底在去除之前不必受到减薄，而且尚未受到划片，因而可以将其重新用作生长衬底。可以可选地通过（例如）光电化学蚀刻对通过去除生长衬底而露出的半导体结构的表面进行减薄和粗糙化处理，所述露出表面通常为n型区14的表面。在一些实施例中，生长衬底的全部或部分仍然是最终器件结构的一部分。
之后，将多个器件的晶片划片成各个LED或者LED组。可以通过锯开、划刻、断裂、切割或者分离相邻LED之间的电绝缘材料34或54而使各个LED或LED组分离。
如图7和图11所示，相邻LED之间的电绝缘材料34、54可能相对于其高度而言较窄，这可能导致电绝缘材料在划片期间从LED 12的侧面以及厚金属层26或28脱离。如果电绝缘材料34、54从LED 12脱离，那么由于缺乏支撑可能导致LED 12裂开，这可能导致差的器件性能，甚至导致器件故障。
在一些实施例中，在所述厚金属层的在LED 12的边缘处与电绝缘材料34、54发生接触的侧面上形成三维锚固特征，从而将电绝缘材料34、54锚固到适当位置上。所述三维锚固特征打断了所述厚金属层的平滑的、平直侧壁。图13、14和15示出了锚固特征的例子。尽管图13、14和15示出了形成于电连接至p型区18的厚金属层28的侧壁上的锚固特征，但是所述锚固特征可以形成于厚金属层26或厚金属层28之一上，也可以形成于这两者上。而且，作为在面向器件边缘的侧壁上形成锚固特征的替代或者添加，可以在处于LED内部的厚金属层的侧壁上形成锚固特征（例如，在与电绝缘材料51接触的厚金属层26或28的侧壁上，如图11所示）。
在图13所示的结构中，锚固特征是形成于厚金属层28的侧壁当中的凹陷60，否则该侧壁将是平直的。采用电绝缘材料34、54填充凹陷60，以锚固所述电绝缘材料。
在图14所示的结构中，锚固结构是从厚金属层28的侧壁突出的突起62，否则所述侧壁将是平直的。
在图15所示的结构中，所述锚固特征是一系列凹陷和/或突起64。
可以通过一系列金属成形、电绝缘材料成形、平坦化和构图步骤形成凹陷60或突起62，如图16、17、18、19、20和21所示。仅示出了厚金属层28的一部分。也可以如图所示形成具有锚固特征的厚金属层26。可以将图16、17、18、19、20、21所示的过程与图3、4、6、7所示的过程，或者图8、10、11所示的过程一起使用。尽管在下文的描述当中，所述金属层部分是通过镀敷形成的，所述电绝缘材料部分是通过模制形成的，但是可以采用任何适当的金属沉积或绝缘材料沉积技术。
在图16中，如上文所述，在LED 12之上镀敷厚金属层的第一部分28A。在图17中，如上文所述，在第一金属部分28A之上模制电绝缘材料34或54的第一部分34A，之后使其平坦化。之后，形成光致抗蚀剂层并对其构图，以形成其中将要形成厚金属层28的第二部分28B的开口。在图18中，在第一金属部分28A上镀敷第二金属部分28B。如图18所示，第二金属部分28B具有比第一金属部分28A大的横向延伸范围。在图19中，在第二金属部分28B之上模制电绝缘材料34或54的第二部分34B，之后使其平坦化。之后形成光致抗蚀剂层并对其构图，以形成其中将要形成厚金属层28的第三部分28C的开口。在图20中，在第二金属部分28B上镀敷第三金属部分28C。如图20所示，第三金属部分28C具有比第二金属部分28B小的横向延伸范围。第二金属部分28B的超出第一金属部分28A和第三金属部分28C延伸的部分形成了突起62，其对电绝缘材料34A、34B和34C进行锚固。本领域技术人员应当清楚，可以对图16、17、18、19、20和21所示的处理步骤进行修改和/或重复，以形成图13、14和15所示的结构中的任何结构。
在上文所述的结构中，器件的侧面，即，图7中的电绝缘材料34和图11中的电绝缘材料54的侧面可能对光具有吸收性。尤其是在利用混合室的应用当中，尽可能使所有表面都呈反射性是很重要的。在一些实施例中，将反射材料添加到绝缘材料34、54，从而在划片之后，使电绝缘材料34、54的侧面呈反射性。例如，可以使高度反射的TiO2和/或硅酸钙颗粒与可以是环氧树脂或硅树脂的电绝缘材料混合，可以例如如上文参考图3所述将其模制或者以其他方式设置到晶片上。
在一些实施例中，除了反射材料之外或者作为反射材料的替代，可以将导热材料添加到绝缘材料34、54。例如，可以将氮化铝、SiO2、石墨、BN或任何其他适当材料的颗粒添加至绝缘材料34、54，以改善所述结构的导热性和/或对所述绝缘材料的热膨胀系数（CTE）进行工程设计，使之更加紧密地匹配所述半导体结构、所述厚金属层或这两者的CTE。
在一些实施例中，如图22所示，对所述器件划片，从而使器件的边缘是厚金属层28的侧壁，而不是电绝缘材料34、54。在一些实施例中，在划片之后，通过（例如）湿法化学蚀刻对厚金属层28的侧壁进行处理，以降低表面粗糙度。降低表面粗糙度可以提高侧壁的反射率。在一些实施例中，在划片之后，在器件仍然附着至用于划片的操纵箔的同时，通过（例如）物理气相沉积或无电镀敷在厚金属层28的侧面上形成诸如Al、Ni、Cr、Pd或Ag涂层的反射金属涂层66、反射合金或者反射涂层的叠置结构。
在一些实施例中，侧面涂层66是在对器件划片之后但器件仍然附着在用于划片的操纵箔上的时候置于器件侧壁上的绝缘反射材料。例如，可以使各个器件分离，并且在各个器件仍然处于操纵箔上的时候采用高度反射材料填充分离狭道。之后，再次使所述高度反射材料分离。可以将多个器件的晶片形成为具有足够宽的分离狭道，以适应两个分离步骤，或者可以使操纵箔伸展两次以适应两个分离步骤。适当的反射材料的例子包括硅树脂，或者采用诸如TiO2颗粒的反射颗粒填充的比如硅树脂或环氧树脂的透明材料。
可以在划片之前或者之后在LED之上形成一个或多个可选的结构，比如，滤光器、透镜、二向色材料或者波长转换材料。可以将波长转换材料形成为使得通过所述波长转换材料对所述发光器件发射并且入射到所述波长转换材料上的光的全部或者仅一部分进行转换。发光器件发射的未经转换的光可以是最终光谱的一部分，但未必一定如此。常用的组合的例子包括与发射黄光的波长转换材料结合的发射蓝光的LED、与发射绿光和红光的波长转换材料结合的发射蓝光的LED、与发射蓝光和黄光的波长转换材料结合的发射UV的LED以及与发射蓝光、绿光和红光的波长转换材料结合的发射UV的LED。可以添加发射其他颜色的光的波长转换材料，以修整器件发射的光的光谱。所述波长转换材料可以是常规磷光体颗粒，量子点、有机半导体、II-VI或III-V族半导体、II-VI或III-V族半导体量子点或纳米晶体、染料、聚合物或者发光的诸如GaN的材料。可以采用任何适当的磷光体，其包括但不限于基于石榴石的磷光体，比如Y3Al5O12:Ce (YAG)、Lu3Al5O12:Ce (LuAG)、Y3Al5-xGaxO12:Ce (YAlGaG)、(Ba1-xSrx)SiO3:Eu (BOSE)，以及基于氮化物的磷光体，例如(Ca,Sr)AlSiN3:Eu和(Ca,Sr,Ba)2Si5N8:Eu。
厚金属层26和28以及填充厚金属层之间和相邻LED之间的间隙的电绝缘材料对所述半导体结构提供机械支撑，因而不需要额外的底座，例如，硅或陶瓷底座。去除底座可以降低器件成本，而且可以简化形成器件所需的处理。
已经详细地描述了本发明，但是本领域技术人员将认识到，在给出了本公开的情况下，可以在不背离文中描述的发明构思的精神的情况下对本发明做出修改。因此，并非旨在使本发明的范围局限于所图示和描述的具体实施例。

Claims (12)

1.一种器件，包括：
包括夹在n型区和p型区之间的发光层的半导体结构；以及
第一和第二金属接触，其中，所述第一金属接触与所述n型区直接接触，所述第二金属接触与所述p型区直接接触；
分别设置在所述第一和第二金属接触上的第一和第二金属层，其中，所述第一和第二金属层厚到足以对所述半导体结构进行机械支撑，并且其中，所述器件与所述第一和第二金属层之一相邻的侧壁的一部分是反射性的。
2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述反射侧壁是设置在所述第一和第二金属层之一的侧壁上的反射金属。
3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述反射侧壁是与所述第一和第二金属层之一的侧壁相邻设置的反射性电绝缘材料。
4.根据权利要求3所述的器件，其中，所述反射性电绝缘材料包括设置在硅树脂和环氧树脂之一内的TiO2。
5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一和第二金属层厚于50μm。
6.一种方法，包括：
提供多个半导体器件的晶片，所述晶片包括：
　　包括夹在n型区和p型区之间的发光层的半导体结构；以及
　　用于每个半导体器件的第一和第二金属接触，其中，每个第一金属接触与所述n型区直接接触，每个第二金属接触与所述p型区直接接触；
分别在所述晶片上的每个半导体器件的第一和第二金属接触上形成第一和第二金属层，其中，所述第一和第二金属层厚到足以在后续处理期间对半导体结构进行支撑；
在形成第一和第二金属层之后，形成填充所述第一和第二金属层之间的空间的电绝缘层；以及
形成与所述第一和第二金属层之一的侧壁相邻设置的反射区。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成第一和第二金属层包括在所述晶片上镀敷第一和第二金属层。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，形成反射区包括采用反射材料形成所述电绝缘层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述反射材料包括与硅树脂和环氧树脂之一混合的TiO2。
10.根据权利要求6所述的方法，其中，形成反射区包括在所述第一和第二金属层之一的侧壁上形成反射金属。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括：
将所述晶片附着到操纵箔；以及
将所述晶片划片成各个半导体器件或者半导体器件组，与此同时所述半导体器件仍然附着在所述操纵箔上；
其中，在所述第一和第二金属层之一的侧壁上形成反射金属包括在对所述晶片划片之后在所述晶片仍然附着至操纵箔的同时沉积反射金属。
12.根据权利要求6所述的方法，还包括：
将所述晶片附着到操纵箔上；以及
将所述晶片划片成各个半导体器件或者半导体器件组，与此同时所述半导体器件仍然附着在所述操纵箔上；
其中，形成与所述第一和第二金属层之一的侧壁相邻设置的反射区包括在所述晶片仍然附着至操纵箔的同时在通过对所述晶片划片而形成的区域内设置与所述侧壁相邻的电绝缘反射片。
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