CN103958724B - 用于局部蒸镀基底的迁移掩模和其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于局部蒸镀基底(20)的迁移掩模(1)以及一种用于制造这种迁移掩膜的方法。迁移掩膜(1)带有透明的中间载体(2)，在中间载体的后侧(14)布置有层堆(13)，该层堆包括由吸收辐射的材料构成的吸收层(6)、在吸收层上的连续的覆盖层(10)和在覆盖层上的连续的待蒸发材料的蒸发层(12)。为了在流水作业中也能局部差异地蒸发较高熔点的材料，层堆(13)不包括反射层(4)，并且掩模结构由结构化的吸收层(6)或由嵌在中间载体(2)中的结构化的反射层(4)来构造。

Description

用于局部蒸镀基底的迁移掩模和其制造方法

技术领域

本发明涉及一种利用高熔点材料来局部蒸镀基底的迁移掩模。本发明同样涉及一种用于制造这种掩模的方法。

背景技术

迁移掩模用于以如下方式将结构传递到基底上，即，将待制造的结构塑造在掩模上并借助掩模传递到基底上。在半导体技术中，光刻得到非常广泛的使用，以便通过照射被遮掩的基底而在基底上塑造掩模结构。在此，在大多情况下，基底上的结构借助减去法(substraktivesVerfahren)也就是说在其中减少材料的方法来制造。

一种替选的方法(其中，掩模同样用于将能量局部差异地输入到基底中)是使用阴影掩模来在基底上的之前已沉积出的涂层中制造结构。阴影掩模例如使用在如下地方，即，用于光刻的过程和化学物质不与或者并非以足够的程度与所关联的过程、例如用于在OLEDs中制造阴极的过程兼容。在布置在涂层上或其上方的阴影掩模的情况中，对层的处理对于被遮盖的或不被遮盖的区域来说是不同的。

然而在阴影掩模中，待传递的结构的由于掩模厚度所造成的不利的高宽比而受到限制的分辨率被证明是有问题的。分辨率由辐射源的脉冲时间以及由阴影掩模的光吸收层中的以及阴影掩模的其余子层中的热传导来决定。基于可由此使用的掩模的大小，掩模的机械稳定性也限制了阴影掩模的实用性。

从DE102009041324A1公知一种用于借助迁移掩模来局部蒸镀基底的方法。在该方法中使用透明的中间载体，以便将有机涂层材料从中间载体局部蒸发到基底上。在此，结构在基底上的构造通过额外的也就是说添加材料的方法来实现。为了蒸镀，涂层材料全面地沉积在迁移掩模上，但随后仅在所期望的位置蒸发。为此，在其中间载体上的迁移掩模在需要的结构中具有反射区域和吸收区域。如果迁移掩模定位在基底上或其上方，那么会通过能量辐射来实现能量输入并因此仅在如下区域中实现蒸发，即，在这些区域中涂层材料由于迁移掩模的反射结构和吸收结构而吸收足够多的能量用以蒸发。由于在该方法中待沉积的层厚度在小于100nm的范围内，脉冲式的能量输入对于蒸发有机材料来说是足够的。在DE102009041324A1中，在连续的流水作业(Durchlaufverfahren)中实现对基底的蒸镀。

此外，迁移掩模的在DE102009041324A1中描述的层结构尤其是基于其蒸发温度和其热膨胀性而不适用于蒸发金属。由于较高的温度而需要较高的能量输入，该能量输入在迁移掩模的不同材料中又产生热传播和热膨胀的效果。结果例如是产生层应力、扩散过程和反应过程。根据待蒸发的层的特性和在已涂层的迁移掩模上的材料组合，这些效应即使在其它不同于金属性材料的情况中也会出现。

发明内容

因此，本发明基于的任务是给出一种迁移掩模和其制造方法，其它不同于有机材料的、甚至高熔点的材料、例如金属也能够利用该方法局部差异地蒸发，并且该方法也可应用在流水作业中。

本发明涉及一种迁移掩膜，该迁移掩模带有透明的中间载体，在该中间载体的后侧布置有层堆，该层堆包括由吸收辐射的材料构成的吸收层、在吸收层上的连续的覆盖层和在覆盖层上的连续的待蒸发材料的蒸发层，其中，层堆不包括反射层，并且掩模结构由结构化的吸收层或由嵌在所述中间载体中的结构化的反射层来构造，该吸收层由如下材料构成，即，材料的熔化温度位于蒸发层的材料的沸腾温度之上至少20％，优选至少25％，并且蒸发层由难熔金属或其合金构成，并且蒸发层的材料的反射性比吸收层的材料的反射性要高。

根据本发明，中间载体上的层堆不具有反射层。替选地，无反射的层堆可通过结构化的吸收层来实现或者通过结构化的替代嵌在层堆中地嵌在中间载体中的反射层来实现。在两种情况下，迁移掩模的掩模结构的产生可以通过仅一个结构化步骤来产生，即，要么通过吸收层的结构化要么通过反射层的结构化来产生。

迁移掩模的反射层或吸收层通常理解为相对于用于蒸发的辐射而具有足够高的反射性的材料，以便如下程度地减小直接或间接地通过吸收层输入到蒸发材料中的能量，即，使位于其上的蒸发材料蒸发。相反地，吸收层是基于其吸收能力吸收足够多的能量用以蒸发蒸发材料的层。不违反该限定地，反射层或吸收层在此也始终具有受限的吸收能力或反射能力。

层堆中的材料组合的最小化对于制造迁移掩模来说，主要对于流水作业原理中的大型工业方法来说是有利的。此外证实的是，尤其也对金属的蒸发和其它高熔点的材料来说是有利的，这是因为可以通过具有减少的材料接口的简单结构来降低可能的问题，这些问题与高温和为此需要的以尽可能短的脉冲来输入的高能量有关。

结构化的吸收层此外具有如下优点，即，其支持能量输入与热传播的侧向分离，这尤其是在高的能量输入的情况下有利于较高沸点的蒸发材料，并且此外能够实现结构的较高的分辨率。

因为非常高的温度对于蒸发金属来说是必要的，所以吸收体尤其是相对于热冲击必须具有非常高的热稳定性。利用使用其熔化温度位于蒸发材料的沸腾温度之上至少20％，优选至少25％的吸收材料，迁移掩模得到用于蒸发方法的足够的耐热性。为了蒸发金属，吸收材料可以是依赖于蒸发材料的优选高熔点的材料，例如属于难熔金属的钨、钼和钽、铬、钛、铪或者这些金属的镍合金。尤其是在相关的波长范围内具有良好的吸收特性的这些金属的化合物也是可能的。针对具有较低的沸点的蒸发材料也会考虑例如具有较低的熔点的材料，例如银、金、铝、镁、钙或这些金属的合金。

吸收材料和蒸发材料的材料组合可以通过温度稳定性并且也根据材料兼容性来选择，以便避免迁移掩模上的层分离、层应力和扭曲且以便可以像例如在DE102009041324A1中描述的那样能重复地且长时间稳定地尤其是在流水涂层工艺中使用该材料组合。

对层堆的结构的限制要求尤其是在如下情况中存在，即，待蒸发材料已经由非常难以蒸发的难熔金属、例如铬或钛构成。在所述情况下，当蒸发材料的反射多于吸收材料的反射时，吸收层和整个层堆的热稳定性被证实是有利的。针对这样的难以蒸发的材料，吸收层例如由钨构成，钨在金属中具有最高的熔点(T_m＝3410℃)。

假如根据替选的解决方案，结构化的反射层形成掩模结构并且该层与热负载的层堆分离，那么相同的优点是可用的。在此尤其有利的是，通过中间载体的子层来实现吸收层与反射层之间的热分离，该热分离依赖于中间载体的材料并且在作为常见的中间载体的玻璃中是特别良好的。

此外可能的是，层堆的所有层通过简单的流水作业中的涂层过程的顺序在没有关联的结构化的情况下制造。此外，吸收层的热负载可通过反射一部分能量辐射的反射层以及连续的也就是说未结构化的且因此未通过层中的空隙中断的吸收层来减少。当然，当与反射层的结构相协调的吸收层也被结构化时，这并不与根据本发明的迁移掩模的使用性相冲突。

根据迁移掩模的设计方案，反射层在中间载体中的嵌入通过构造由至少两个子层构成的中间载体来实现，其中，两个子层至少在它们的主要的组成部分方面一致，所述子层在嵌入结构化的反射层的情况下彼此邻接。应该理解的是，那些组成部分仅在少量百分比的范围内彼此有所不同，所述组成部分决定中间载体的特定的特性用于其作为透明的且热稳定的中间载体的应用。这允许由于技术所造成的污染和混合，并且本领域的专业技术人员可轻易看出这对于中间载体的功能性来说是无害的。这例如包括：在由浮法玻璃构成的中间载体的子层上施布由石英玻璃构成的子层。

在该解决方案中有利的是，具有嵌入的反射层的中间载体能够预先制造。

假如中间载体根据设计方案由石英玻璃构成，那么一方面可得到中间载体的非常高的透明性和高的热稳定性。另一方面，利用所谓的旋涂玻璃工艺而可能的是，将高透明的且热稳定的石英玻璃层制造为子层并且嵌入结构化的反射层。在该工艺中，借助旋转涂层(Spin-Coating)通过热处理来硬化施布在具有结构化的反射层的下子层上的玻璃前体。结果是产生了紧凑的中间载体用以进一步加工。

在迁移掩模的另一设计方案中对于如下这些应用，即，其中吸收层由金属或金属合金构成的应用，通过如下方式提高吸收层的吸收能力，即，与吸收层热接触地布置有提高吸收的层。与其它吸收材料、例如金属的氧化物和氮化物相比较，纯金属层大多具有较小的吸收性，这是因为在可见光谱范围内通常30％至60％的射入光线被反射。这导致能量输入减少且因此随之减少吸收温度。该效应通过补充的提高吸收的层来抵消。

能用于能量源的波长的材料可以用作该层的材料，只要这些材料不明显损害层堆的热稳定性和机械稳定性。典型的吸收体例如是难熔金属的氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物或硅化物或者二氧化硅，所述吸收体在宽的频谱范围内具有良好的吸收能力。该层的层厚度大多处于0nm至100nm的范围内。

替选于或补充于该措施，在迁移掩模的在此描述的设计方案中也能够借助施布在中间载体的前侧上的也就是说施布在面向辐射进入的那侧上的抗反射涂层来提高吸收层的吸收性。抗反射涂层也在其结构和功能方面从其它应用中公知。其一个或多个层在其折射率和层厚度方面与中间载体的材料相协调并且必要时以如下方式相互协调，即，通过散射或相消干涉来降低反射。单个层例如可以由MgF构成并具有大于0μm至200μm的典型的层厚度范围。

吸收层和/或蒸发物用于温度匹配和材料匹配的适当的材料组合可以通过层结构的不同设计来支持。因此，根据不同的设计方案，堆结构在使用吸收层和不同的补充的层的情况下是可用的。

补充地，覆盖层的材料选择也以如下方式与吸收层和蒸发层的材料组合有关，即，将至少近乎阻止位于其下的层的材料与蒸发层的材料之间的反应和/或扩散的材料用于覆盖层。

因为在高温时，特定的材料组合，例如铝与钨、钼和钽的组合，倾向于合金的形成或者蒸发材料的去网化，这可能导致扭曲的传递图像。在所述情况下，覆盖层作用为吸收层的和必要时还有反射层的保护层，以免它们被不希望的、例如会在钛和铝或者钨和钛的组合中出现的反应破坏，或者至少使它们不会改变得使吸收特性和必要时反射特性变得使得利用所使用的过程参数的蒸发不再是可能的或者不再具有期望的层特性。即使期望在两种材料之间完全地阻止扩散过程和反应过程，但仅这种程度就已经足够了。

尤其是硬材料层例如氮化钛、碳化硅、碳化钨、DLC(类金刚石碳：一种由玻璃相沉积出的、具有金刚石结构的碳化物)或其它材料尤其是相对于高沸点的蒸发材料而具有良好的阻挡特性。因为选择适当的层在此也一定程度地依赖于蒸发材料，所以对于不同的蒸发材料来说，其它材料、例如二氧化硅、氮氧化硅或氮化硅也是足够的。

覆盖层的另一功能在于层应力补偿，其可通过不同的膨胀系数来产生。覆盖层在此可以部分地吸收和补偿由于能量输入而产生的热应力。为了得到该效应或其它有利的效应，覆盖层也可以由多个子层构成。

在本发明的另一设计方案中，如果迁移掩模在吸收层与中间载体之间制造连续的也就是说本身未通过结构化中断的且透明的中间层，那么能够在中间载体与已施布的层之间具有改进的热阻隔。在此不需要将中间层连续地沉积在基底上。根据层沉积的顺序，中间层(补充或替选地还有其它材料)、尤其是反射层可以与吸收层热阻隔。这种热阻隔在较高的能量输入的情况下证实是特别有利的。可以使用耐热且透明的材料，例如二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氮化钛、氮化铝或其它材料。中间层针对不同的目的也可以多层地实施。例如，其可以同时用于抗反射，以便在吸收层中提高吸收。

用于吸收体反射体系统的材料基本上依赖于相应的应用和待沉积的蒸发物以及所使用的用于能量输入的辐射源。相应的应用确定上面说明的热条件并且进而还确定对材料组合的要求。通过上面描述的、用于设计迁移掩模的层结构的选择方案而在很大程度上影响了迁移掩模的吸收特性和应用性。也可有针对性地使用所应用的材料的吸收特性和反射特性，以便得到期望的蒸发能量。然而在许多应用中有利的是：使用如下材料，即，吸收体的吸收性比反射体的吸收性要高。

尤其是为了蒸发金属性的材料，作为用于吸收层的材料的金属，例如钨、钼或钽或者这些金属的金属合金，或者例如铬、钛、铪或其它金属的氮化物、氧化物和碳化物证明是有利的，其总体上具有良好的吸收特性并因此在蒸发金属的情况下适用于反射层的是例如银、铝、铬、钛、铪或其它材料。在组合吸收体/反射体时，对于材料来说要注意的是，吸收体具有比反射体至少少20％的反射，以便能够产生足够高的热对比度。

在迁移掩模的另一设计方案中，在覆盖层与蒸发层之间布置有减少附着的层。该减少附着的层降低两个层之间的附着，从而确保在对基底涂层期间蒸发物与覆盖层的良好的分离。此外，减少附着的层能够在蒸发之后实现对迁移掩模的清洁并保护迁移掩模。例如在金属性的蒸发材料的情况下，考虑功能化的三氯硅烷、磷酸和硫醇来用作减少附着的层的材料。

此外，在另一设计方案中可以在覆盖层与吸收层之间和/或在覆盖层与反射层之间布置有用于改善所提到的层之间的附着的增加附着的层，因为与蒸发层不同地这些层应该持久地或至少比仅一个蒸发周期更长地保留在迁移掩模上。基于吸收层和反射层的已描述的可变布置方案，增加附着的层也可以非常多变地设计。增加附着的层改善了覆盖层与吸收层之间的附着。增加附着的层例如可以由所使用的金属的氧化物、氮化物和/或氮氧化物，例如二氧化硅或者氮化钛构成。

在另一设计方案中，吸收层、替选地或补充地还有位于吸收层与蒸发层之间的中间层和覆盖层具有各向异性的导热能力。各向异性的导热能力意味着：通过例如辐射源的能量输入在吸收层中产生的热量不同速度地或者不同强度地传播。因为迁移掩模应该用于以如下方式局部差异地蒸发材料，即，该材料以在此所期望的结构又沉积在与迁移掩模对置的基底上，所以当至少吸收层具有尽可能小的导热能力时，在如下方向上是特别有利的，即，在所述方向上所期望的结构具有特别小的结构宽度。因为吸收层由于热传导而损失反射层处的能量，所以后者应该具有尽可能小的导热能力。在此，假如应该在基底上产生再次沉积的材料的线条式样，那么低导热能力仅在一个方向上尤其是在侧向上也就是说在与掩模平面平行的一个方向上是必要的，而在不同方向上具有关键规格的较复杂的结构中，这种低导热能力在与掩模平面平行的所有方向上是必要的。

理想地，所使用的中间层和/或覆盖层也相应地具有各向异性的导热能力。因为这些层处于用于在待传递的材料的方向上进一步传导热量的“路径”上，所以这些层也必须尽可能有效且定向地进一步传导热量。而热量的侧向传播意味着施布在基底上的结构的结构清晰度的损失和品质下降。

利用描述的迁移掩模可以改善在基底上建立的层的材料兼容性、分辨率和可伸缩性。能利用这种迁移掩模执行的蒸镀方法例如相对于制造OLED显示器的现有技术具有优点。因此能够制造OLED显示器，其中，共同形成像素的每个亚像素相应地包括各自的阴极，由此减小电容损耗并因此能够实现较短的切换时间和小的电流需求。

此外，本发明还涉及一种用于制造用来局部蒸镀基底的迁移掩模的方法，其中，在迁移掩模的后侧上像前面所描述的那样制造具有层堆的、透明的中间载体，为了在中间载体中嵌入反射层而在沉积层堆之前于中间载体上沉积且结构化反射层，并且随后在反射层上施布中间载体的覆盖反射层的透明子层，并且为了制造上述子层，借助旋转涂层来沉积且随后硬化玻璃前体。

不同的涂层工艺适用于沉积迁移掩模的上面描述的层。例如溅射、热蒸发、CVD方法、旋转涂层(SpinCoating)或溶胶凝胶法是可能的。也可以使用前体来涂层。在前体的情况下施布例如在化合作用中包含待沉积的金属的化合物。在传递时进行向纯金属的转换。根据迁移掩模的层结构和各层的必需的特性，不仅用于制造整个迁移掩模的单一的方法、例如溅射还有所提到的方法的组合在流水作业中也是可能的。

此外，为了制造单个层的或层系统的结构而使用如干蚀刻或在使用光刻的情况下的湿蚀刻或者机械抛光或机械化学抛光那样的减去法步骤。这些添加法或减去法对于本领域的专业技术人员来说总体上是充分公开的，以便得到最佳的层特性和方法组合。

此外被证实有利的是，将同样地使用不同的技术的预处理步骤和中间处理步骤添加到用于沉积和结构化迁移掩模的层的方法流程中。因此可以例如各层的附着。

制造具有各向异性的导热能力的层在适当地调整过程参数(中间载体温度、沉积速率、气体流量或气体流量与过程压力的比)的情况下实现。尤其是为了在满足导热能力的各向异性条件的吸收层、中间层和/或覆盖层内部产生柱状的也就是说柱体形的结构，在此参考J.A.ThormtoninAnn.Rev.Mater.Sci.1977.7:239-260的详细实施方案。这些柱状结构在其成长方向上具有比在侧向方向上明显更高的传导能力。

附图说明

接下来借助实施例来详细阐述本发明。在附图中：

图1A、图1B、图1C示出包括结构化的吸收层的迁移掩模的可选的层堆；

图2示出具有嵌在中间载体中的反射层的迁移掩模的实施形式；

图3示出借助迁移掩模对基底进行涂层。

具体实施方式

根据图1A、图1B和图1C的根据本发明的迁移掩模1具有结构化的吸收层6，然而不具有反射层4。

根据图1A的实施方案包括由玻璃构成的中间载体2，层堆13沉积在其后侧14上。在此，中间载体2的在基底20(图3)的蒸镀方法中面向基底20的那侧被称为后侧14。

层堆13包括借助溅射来沉积的例如由85nm–500nm厚的钨构成的吸收层6。该吸收层借助光刻和湿化学蚀刻来结构化，从而仅保留有应该在之后沉积在基底(未示出)上的区域。

掩模结构由10nm–200nm厚的、例如由SiC或DLC(类金刚石碳)构成的覆盖层10覆盖。该层也被溅射。在覆盖层10上借助热真空蒸镀给蒸发层12施加待蒸发的、例如金属性的材料。其例如由铝构成。

除了图1A所示的层堆13中的层以外，根据图1B的实施例还包括中间层8。中间层8施加在中间载体2之上和吸收层6之下。中间层由二氧化硅或氮氧化硅构成，必要时还由两种材料来分级，其具有1nm–100nm范围内的厚度并借助溅射来沉积。石英玻璃、白玻璃和蓝宝石玻璃例如适用于作为中间载体的材料，这些材料在机械和化学方面都是非常稳定的，并且此外具有高的透过性。

在中间载体2的前侧15布置有作为抗反射涂层16的单层。其由MgF构成并借助溅射来沉积。

根据图1C的迁移掩模与根据图1B的掩模的不同之处在于可选的减少附着的层11，其布置在覆盖层10与蒸发层12之间并用于降低两个邻接的层之间的附着。该减少附着的层例如可以由功能化的三氯硅烷、磷酸和硫醇构成。此外示例性地，迁移掩模1在中间载体2的前侧15不包括抗反射涂层16。

然而不同于根据图1B的实施方案，中间层8在此由两个折射率变化的子层构成，从而结合适当的层厚度，除了热分离吸收层6和中间载体2以外还通过干涉效应来得到抗反射性。为此，例如由TiO₂和SiO₂构成的层堆是合适的，为了提高抗反射作用也可以多重使用该层堆。

根据图2的迁移掩模包括例如由银构成的嵌在中间载体2中的反射层4。为了嵌入，中间载体2在其与前侧15对置的表面上进行预备，反射层4借助溅射以85nm–500nm的厚度范围沉积并随后像上面说明的吸收层那样地结构化。

随后，中间载体2的子层3施布在反射层4上。这在以玻璃作为中间载体的情况中借助旋转涂层(通常公知为旋涂玻璃)且利用随后硬化子层3来实现。在中间载体2的其它材料的情况中也可以使用其它方法，例如PVD、CVD。

在中间载体的如此建立的后侧14上首先借助溅射来沉积由CrNx构成的提高吸收的层7。紧接着在层堆13中跟随有吸收层6、覆盖层10和蒸发层12。层堆的这些层参考对图1A的说明，其中，与图1A的实施形式所不同的是，吸收层6没有被结构化。

像图1B描述的那样，中间载体2在其前侧15同样具有抗反射涂层16。

用于沉积和结构化各层的方法可以相应于之前的描述。根据待得到的层和层特性以及期望的设施耗费和成本耗费也可以使用其它上面提到的方法。

像图1a描述的那样，中间层8首先也处在中间载体2上并在其上沉积例如由85nm–100nm厚的钨构成的吸收层6。后者像上面说明的那样侧向地结构化。

例如借助根据图1B的迁移掩模来对基底20进行蒸镀在图3中示出。为此，迁移掩模1的涂有蒸发层12的表面相对于基底20以近物距离(对于光刻来说典型地，例如30μm)或与基底20直接接触地放置。随后，借助辐射源22、例如气体放电灯穿过透明的中间载体2地来照射蒸发材料。类似地，像在光刻中那样，可以通过挡板24来接通或关闭光源22。

通过辐射源22的能量输入，仅结构化的吸收层6得到足够强的加热，从而蒸发层12的材料仅在这些部位蒸发并作为结构化的涂层26在基底20的那些与吸收层6对置的表面区域上积淀。迁移掩模1的结构化的表面与基底22之间的间距越小，那么散射蒸发部分，也就是说在不期望的部位冷凝的蒸发材料的量越少。

由于小的热容量，吸收层6可以在毫秒范围内加热到蒸发温度。在通过挡板关断辐射源22后，吸收层6由于与中间载体2的热联接而快速冷却，该中间载体具有相对大的热容量。利用该方法，小于10μm范围的结构可以从迁移掩模1传递到基底20上。

附图标记列表

1迁移掩模

2中间载体

3子层

4反射层

6吸收层

7提高吸收的层

8中间层

10覆盖层

11减少附着的层

12蒸发层

13层堆

14后侧

15前侧

16抗反射涂层

20基底

22辐射源

24挡板

26涂层

Claims (14)

1.一种用于局部蒸镀基底(20)的迁移掩模，所述迁移掩模带有透明的中间载体(2)，在所述中间载体的后侧(14)布置有层堆(13)，所述层堆包括由吸收辐射的材料构成的吸收层(6)、在所述吸收层上的连续的覆盖层(10)和在所述覆盖层上的连续的待蒸发材料的蒸发层(12)，其特征在于，所述层堆(13)不包括反射层(4)，并且掩模结构由结构化的吸收层(6)或由嵌在所述中间载体(2)中的结构化的反射层(4)来构造，所述吸收层(6)由如下材料构成，即，所述材料的熔化温度位于所述蒸发层(12)的材料的沸腾温度之上至少20％，并且所述蒸发层由难熔金属或其合金构成，并且所述蒸发层(12)的材料的反射性比所述吸收层(6)的材料的反射性要高。

2.根据权利要求1所述的迁移掩模，其特征在于，所述中间载体(2)的由如下材料构成的子层(3)位于嵌入的反射层(4)之上，所述材料在其主要的组成部分方面与所述中间载体(2)的与其邻接的子层的材料一致。

3.根据权利要求1所述的迁移掩模，其特征在于，所述中间载体(2)由石英玻璃构成。

4.根据权利要求1所述的迁移掩模，其特征在于，所述吸收层(6)的反射性至少比嵌入的反射层(4)的反射性小20％。

5.根据权利要求1所述的迁移掩模，其特征在于，在所述吸收层(6)与所述中间载体(2)之间布置有连续的、透明的中间层(8)。

6.根据权利要求1所述的迁移掩模，其特征在于，在所述覆盖层(10)与所述蒸发层(12)之间布置有用于降低覆盖层(10)与蒸发层(12)之间的附着的减少附着的层(11)。

7.根据权利要求1所述的迁移掩模，其特征在于，所述中间载体(2)在其前侧(15)具有抗反射涂层(16)。

8.根据权利要求5所述的迁移掩模，其特征在于，吸收层(6)、中间层(8)和/或覆盖层(10)中的至少一层具有各向异性的导热能力。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的迁移掩模，其特征在于，所述吸收层(6)由金属或金属合金构成，并且在所述中间载体(2)与所述吸收层(6)之间且与所述吸收层(6)接触地布置有提高吸收的层(7)。

10.根据权利要求9所述的迁移掩模，其特征在于，所述提高吸收的层(7)单层或多层地构造，并且由介电材料构成。

11.根据权利要求10所述的迁移掩模，其特征在于，所述介电材料是难熔金属的氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物或硅化物或者二氧化硅。

12.根据权利要求1或2所述的迁移掩模，其特征在于，吸收层(6)和/或覆盖层(10)中的至少一层具有各向异性的导热能力。

13.一种用于制造根据权利要求1至12中任一项所述的用于局部蒸镀基底(20)的迁移掩模(1)的方法，所述迁移掩模(1)带有透明的中间载体(2)，在所述中间载体的后侧(14)布置有层堆(13)，其特征在于，如下这样地制造中间载体：为了在所述中间载体(2)中嵌入反射层(4)而在沉积所述层堆(13)之前于所述中间载体(2)上沉积且结构化反射层(4)，并且随后在所述反射层上施布所述中间载体(2)的覆盖所述反射层(4)的透明子层(3)，并且为了制造上述子层(3)，借助旋转涂层来沉积且随后硬化玻璃前体。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述吸收层(6)与所述中间载体(2)之间布置连续的、透明的中间层(8)，在制造吸收层(6)、中间层(8)和/或覆盖层(10)中的至少一层期间，参数：中间载体温度、沉积速率、气体流量或气体流量与过程压力的比以如下方式调整，即，使得相关的层以具有各向异性的导热能力的方式制造。