CN103956650A

CN103956650A - 一种应用于激光驱动器的温度补偿电路

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Publication number: CN103956650A
Application number: CN201410137326.9A
Authority: CN
Inventors: 黄立
Original assignee: JIAXING HEROIC ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Current assignee: JIAXING HEROIC ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date: 2014-04-04
Filing date: 2014-04-04
Publication date: 2014-07-30
Anticipated expiration: 2034-04-04
Also published as: CN103956650B

Abstract

本发明公开了一种应用于激光驱动器的温度补偿电路，包括外部微处理器、偏置电流产生模块、斜率设定模块、起始补偿温度设定模块、基本调制电流产生模块以及调制电流产生模块，采用数字的方式进行温度补偿，根据半导体激光器的温度特性及应用的需要，通过改变输入的SLOPE、START、MODSET值，就能灵活的调整温度补偿斜率、起始补偿温度以及基本调制电流，从而维持半导体激光器在全温度范围内的消光比稳定。这种补偿方式不需要在激光驱动器芯片外连接片外电阻，节省了空间，并且应用起来极为方便。

Description

一种应用于激光驱动器的温度补偿电路

技术领域

本发明涉及一种温度补偿电路，尤其涉一种应用于激光驱动器的温度补偿电路。

背景技术

在光通信系统中，激光驱动器（LDD，Laser Diode Driver）和半导体激光器是光发射机的重要组成部分。半导体激光器对温度比较敏感，它的输出光功率随温度变化很大。图1示出了不同温度下半导体激光器的光功率-电流特性曲线，随着温度的升高，半导体激光器的阈值电流（Ith）会明显增大，同时半导体激光器的电光转换效率也显著的降低。针对半导体激光器的这种特性，激光驱动器为半导体激光器提供所需要的驱动电流，其驱动电流包括调制电流和偏置电流。

半导体激光器要求工作在-40℃～85℃的温度范围内，平均光功率和消光比（信号为0时平均光功率和信号为1时平均光功率的比值）保持稳定。但是由于半导体激光器的阈值电压会随温度升高而增大，为了保证平均光功率不变，通常需要采用自动功率控制电路（APC环路）来调整偏置电流的大小。如果自动功率控制的偏置电流发生变化，此时如果调制电流不变，则消光比的变化会超出正常范围。为了消除温度变化对半导体激光器特性的影响，还需对调制电流进行温度补偿。

目前，主要有两种方式进行温度补偿：一种是主动制冷，如附加冷却系统或采用帕尔贴（Peltier）制冷器以保持激光器结温恒定；另一种方案就是在芯片内部设计温度补偿电路对调制电流进行补偿。比较而言，前一种方案会占用更大的面积、消耗额外的能量，现在都倾向于后一种方案。

目前应用于激光驱动器的温度补偿电路大多使用片外电阻，这种方式不仅占用面积大，而且应用起来比较麻烦，需根据半导体激光器的特性及应用需要来选取片外电阻，通过调整片外电阻的大小来改变补偿电流的大小及斜率，现在亟需设计一种占用面积小且能灵活调整补偿电流的电路。

发明内容

本发明所要解决的问题是，不仅可以很好的对激光驱动器的电流进行温度补偿，而且占用面积小，且可以灵活方便的调整补偿电流，为了实现上述目的，本发明提供了一种应用于激光驱动器的温度补偿电路，包括偏置电流产生模块（11）、斜率设定模块（12）、起始补偿温度设定模块（13）、基本调制电流产生模块（14）以及调制电流产生模块（15）；所述偏置电流产生模块（11）与所述斜率设定模块（12）电连接，为所述斜率设定模块（12）提供偏置电流（I_PTAT），所述偏置电流产生模块（11）与起始补偿温度设定模块（13）电连接，为所述起始补偿温度设定模块（13）提供偏置电流（I_REF1），所述偏置电流产生模块（11）与所述基本调制电流产生模块（14）电连接，为所述基本调制电流产生模块（14）提供偏置电流（I_REF2），所述斜率设定模块（12）和所述起始补偿温度设定模块（13）均分别与所述调制电流产生模块（15）电连接；所述调制电流产生模块（15）与所述基本调制电流产生模块（14）电连接；

所述温度补偿电路与外部微处理器（101）电连接，所述外部微处理器（101）向所述斜率设定模块（12）输入控制字SLOPE，所述外部微处理器（101）向所述起始补偿温度设定模块（13）输入控制字START，所述外部微处理器（101）向所述基本调制电流产生模块（14）输入控制字MODSET；

所述斜率设定模块（12）在所述控制字SLOPE的控制下，输出随激光器温度升高而增大的电流（I₁），以确定温度补偿的斜率，其表达式为：

I₁=SLOPE×I_PTAT

所述起始补偿温度设定模块（13）在所述控制字START的控制下，输出与温度无关的电流（I₂），以选取补偿的激光器起始温度，其表达式为：

I₂=START×I_REF

所述基本调制电流产生模块（14）在所述控制字MODSET的控制下，输出与温度无关的基本调制电流（I₃），其表达式为：

I₃=MODSET×I_REF2

所述调制电流产生模块（15）包括电流镜，所述电流（I₁）、电流（I₂）、电流（I₃）输入电流镜得到调制电流（I_modset）。

优选的所述偏置电流产生模块（11）的电路包括：运算放大器（A1）、运算放大器（A2）、运算放大器（A3），PMOS管（M1）、PMOS管（M2）、PMOS管（M3）、PMOS管（M4）、PMOS管（M5）、PMOS管（M6）、PMOS管（M7），NMOS管（M8）、NMOS管（M9）、NMOS管（M10），Poly电阻（R1）、Poly电阻（R2）、Poly电阻（R3）、Poly电阻（R5），扩散电阻（R4）、扩散电阻（R6）和PNP三极管（Q1）。

优选的，所述运算放大器（A1）的正极接输入电压（V_REF），所述电压（V_REF）为与温度无关的带隙基准电压，所述运算放大器（A1）的负极接所述NMOS管（M8）的源极，所述运算放大器（A1）的输出端接所述NMOS管（M8）的栅极，所述Poly电阻（R1）的一端接所述运算放大器（A1）的负极，另一端接所述三极管（Q1）的发射极，所述三极管（Q1）的基极和集电极相连并接地，所述PMOS管（M1）的漏极与所述NMOS管（M8）的漏极相连，所述PMOS管（M1）的栅极和漏极连接，所述PMOS管（M1）与所述PMOS管（M2）共栅极，所述PMOS管（M1）、所述PMOS管（M2）、所述PMOS管（M3）、所述PMOS管（M4）、所述PMOS管（M5）、所述PMOS管（M6）和所述PMOS管（M7）的源极均接电源（VDD），所述PMOS管（M2）的漏极与所述运算放大器（A2）的正极和所述Poly电阻（R2）的一端相连，所述Poly电阻（R2）的另一端接地，所述运算放大器（A2）的负极与所述NMOS管（M9）的源极和所述Poly电阻（R3）的一端连接，所述运算放大器（A2）的输出端与所述NMOS管（M9）的栅极连接，所述Poly电阻（R3）的另一端与所述扩散电阻（R4）的一端连接，所述扩散电阻（R4）的另一端接地，所述NMOS管（M9）的漏极与所述PMOS管（M3）的漏极相连，所述PMOS管（M3）与所述PMOS管（M4）共栅极，所述PMOS管（M4）的漏极输出随温度升高而增大的所述偏置电流（I_PTAT），所述运算放大器（A3）的正极接所述输入电压（V_REF），所述运算放大器的负极与所述NMOS管（M10）的源极和所述Poly电阻（R5）的一端相连，所述Poly电阻（R5）的另一端与所述扩散电阻（R7）的一端相连，所述扩散电阻（R7）的另一端接地，所述运算放大器（A1）的输出端与所述NMOS管（M10）的栅极相连，所述NMOS管（M10）的漏极与所述PMOS管（M5）的漏极相连，所述PMOS管（M5）的栅极与漏极相连，所述PMOS管（M5）、所述PMOS管（M6）和所述PMOS管（M7）共栅极，所述PMOS管（M6）的漏极输出与温度无关的所述偏置电流（I_REF1），所述PMOS管（M7）的漏极输出所述偏置电流（I_REF2）。

优选的，所述斜率设定模块（12）为DAC电流源，由所述偏置电流产生模块（11）提供随温度升高而增大的所述电流（I_PTAT），在所述N位控制字SLOPE的控制下，输出随温度升高而增大的所述电流I₁。通过改变所述N位控制字SLOPE的值就能达到改变所述电流I₁的斜率大小，确定温度补偿的斜率。

优选的，所述起始补偿温度设定模块（13）为线性DAC电流源，由所述偏置电流产生模块（11）提供与温度无关的所述电流I_REF1，在所述N位控制字START的控制下，输出与温度无关的所述电流I₂，通过改变所述N位控制字START的值，可以改变所述电流I₂的大小，用于选取补偿的起始温度。

优选的，所述基本调制电流产生模块（14）为线性DAC电流源，由所述偏置电流产生模块（11）提供与温度无关的所述电流I_REF1，在所述N位控制字MODSET的控制下，输出与温度无关的基本的所述电流I₃，通过改变所述N位控制字MODSET的值可以调整所诉基本调制电流（I₃）的大小。

优选的，所述调制电流产生模块（15）的电路包括：PMOS管（M11）、PMOS管（M12）、PMOS管（M13）、PMOS管（M14）、NMOS管（M15）和NMOS管（M16）。

优选的，所述PMOS管（M11）、所述PMOS管（M12）、所述PMOS管（M13）和所述PMOS管（M14）的源极均接电源（VDD），所述PMOS管（M11）的漏极与栅极相连，所述PMOS管（M11）和所述PMOS管（M12）共栅极，所述PMOS管（M12）的漏极与所述NMOS管（M15）的漏极相连，所述NMOS管（M15）的栅极与漏极相连，所述NMOS管（M15）的源极和所述NMOS管（M16）的源极均接地，所述NMOS管（M15）和所述NMOS管（M16）共栅极，所述NMOS管（M16）的漏极与所述PMOS管（M13）的漏极相连，所述PMOS管（M13）的栅极与漏极相连，所述PMOS管（M13）和所述PMOS管（M14）共栅极。由所述PMOS管（M11）的漏极输入所述电流（I₁），由所述PMOS管（M12）的漏极输入所述电流（I₂），由所述PMOS管（M13）的漏极输入所述基本调制电流（I₃），在所述PMOS管（M14）的漏极输出所述电流（I_modset）。

本发明提出的应用于激光驱动器中的温度补偿电路，采用数字的方式进行温度补偿，据半导体激光器的温度特性及应用的需要，通过改变输入的SLOPE、START、MODSET值，就能灵活的调整温度补偿斜率、起始补偿温度以及基本调制电流，从而维持半导体激光器在全温度范围内的消光比稳定，这种补偿方式不需要在激光驱动器芯片外连接片外电阻，节省了空间，并且应用起来极为方便。

以下将结合附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明，以充分地了解本发明的目的、特征和效果。

附图说明

图1是半导体激光器的光功率-电流曲线图；

图2是本发明的较佳具体实施例的示意图；

图3是本发明的较佳具体实施例中偏置电流产生模块、斜率设定模块、起始补偿温度设定模块、基本调制电流产生模块的电路图；

图4是本发明的较佳具体实施例中调制电流产生模块的电路图。

具体实施方式

如图2所示，为本发明的一个具体实施例的模块示意图，包括偏置电流产生模块11、斜率设定模块12、起始补偿温度设定模块13、基本调制电流产生模块14以及调制电流产生模块15，外部连接外部微处理器101。

外部微处理器101分别向斜率设定模块12、起始补偿温度设定模块13、基本调制电流产生模块14输入N位控制字SLOPE、START和MODSET；

偏置电流产生模块11分别为斜率设定模块12、起始补偿温度设定模块13、基本调制电流产生模块14提供随温度升高而增大的偏置电流I_PTAT、与温度无关的偏置电流I_REF1、偏置电流I_REF2；

斜率设定模块12在N位控制字SLOPE的控制下，输出随温度升高而增大的电流I₁，以确定温度补偿的斜率；

起始补偿温度设定模块13在N位控制字START的控制下，输出与温度无关的电流I₂，以选取补偿的起始温度；

基本调制电流产生模块14在N位控制字MODSET的控制下，输出与温度无关的基本调制电流I₃，以调整基本调制电流的大小；

调制电流产生模块15通过电流镜将电流I₁、电流I₂、基本调制电流I₃结合，得到带温度补偿的调制电流I_modset。

如图3中，偏置电流产生模块11的电路包括：运算放大器A1、运算放大器A2、运算放大器A3，PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7，NMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10，Poly电阻R1、Poly电阻R2、Poly电阻R3、Poly电阻R5，扩散电阻R4、扩散电阻R6和PNP三极管Q1。运算放大器A1的正极接输入电压V_REF，电压V_REF为与温度无关的带隙基准电压，运算放大器A1的负极接NMOS管M8的源极，运算放大器A1的输出端接NMOS管M8的栅极，Poly电阻R1的一端接运算放大器A1的负极，另一端接三极管Q1的发射极，三极管Q1的基极和集电极相连并接地，PMOS管M1的漏极与NMOS管M8的漏极相连，PMOS管M1的栅极和漏极连接，PMOS管M1与PMOS管M2共栅极，PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、PMOS管M6和PMOS管M7的源极均接电源VDD，PMOS管M2的漏极与运算放大器A2的正极和Poly电阻R2的一端相连，Poly电阻R2的另一端接地，运算放大器A2的负极与NMOS管M9的源极和Poly电阻R3的一端连接，运算放大器A2的输出端与NMOS管M9的栅极连接，Poly电阻R3的另一端与扩散电阻R4的一端连接，扩散电阻R4的另一端接地，NMOS管M9的漏极与PMOS管M3的漏极相连，PMOS管M3与PMOS管M4共栅极，PMOS管M4的漏极输出随温度升高而增大的偏置电流I_PTAT，运算放大器A3的正极接输入电压V_REF，运算放大器的负极与NMOS管M10的源极和Poly电阻R5的一端相连，Poly电阻R5的另一端与扩散电阻R7的一端相连，扩散电阻R7的另一端接地，运算放大器A1的输出端与NMOS管M10的栅极相连，NMOS管M10的漏极与PMOS管M5的漏极相连，PMOS管M5的栅极与漏极相连，PMOS管M5、PMOS管M6和PMOS管M7共栅极，PMOS管M6的漏极输出与温度无关的偏置电流I_REF1，PMOS管M7的漏极输出与温度无关的偏置电流I_REF2。斜率设定模块12为DAC电流源，由偏置电流产生模块11提供随温度升高而增大的电流I_PTAT，在N位控制字SLOPE的控制下，输出随温度升高而增大的电流I₁。通过改变N位控制字SLOPE的值就能达到改变电流I₁的斜率大小，确定温度补偿的斜率。起始补偿温度设定模块13为线性DAC电流源，由偏置电流产生模块11提供与温度无关的电流I_REF1，在N位控制字START的控制下，输出与温度无关的电流I₂，通过改变N位控制字START的值，可以改变电流I₂的大小，用于选取补偿的起始温度。基本调制电流产生模块14为线性DAC电流源，由偏置电流产生模块11提供与温度无关的电流I_REF1，在N位控制字MODSET的控制下，输出与温度无关的基本的电流I₃，通过改变N位控制字MODSET的值可以调整所诉基本调制电流I₃的大小。

如图4所示为调制电流产生模块15的电路包括：PMOS管M11、PMOS管M12、PMOS管M13、PMOS管M14、NMOS管M15和NMOS管M16。PMOS管M11、PMOS管M12、PMOS管M13和PMOS管M14的源极均接电源VDD，PMOS管M11的漏极与栅极相连，PMOS管M11和PMOS管M12共栅极，PMOS管M12的漏极与NMOS管M15的漏极相连，NMOS管M15的栅极与漏极相连，NMOS管M15的源极和NMOS管M16的源极均接地，NMOS管M15和NMOS管M16共栅极，NMOS管M16的漏极与PMOS管M13的漏极相连，PMOS管M13的栅极与漏极相连，PMOS管M13和PMOS管M14共栅极。由PMOS管M11的漏极输入电流I₁，由PMOS管M12的漏极输入电流I₂，由PMOS管M13的漏极输入基本调制电流I₃，在PMOS管M14的漏极输出电流I_modset。

在本实施例中，由于运算放大器A1的正负输入端电压相等，三极管Q1的基极-发射极电压VBE具有负温度系数，因此流过PMOS管M1的电流IM1具有正温度系数，其表达式为：I_M1=(V_REF-V_BE)/R₁。根据PMOS管M1、M2之间的电流镜关系，设n₁为PMOS管M1、M2组成的电流镜的映射比例，则运算放大器正极处电压的表达式为：V_A2+=n₁×(V_REF-V_BE)×R₂/R₁。

Poly电阻R3具有正温度系数，扩散电阻R4具有负温度系数，调整R3、R4的大小，使R3+R4的温度系数接近于0，则I_PTAT电流的表达式为：

I_PTAT=n₂[n₁(V_REF-V_BE)R₂/R₁]/(R₃+R₄) （1）

其中，n₂为PMOS管M3、M4组成的电流镜的映射比例。可以看出I_PTAT具有正温度系数。

同理，Poly电阻R5具有正温度系数，扩散电阻R6具有负温度系数，调整R5、R6的大小，使R5+R6的温度系数接近于0，则基准电流的表达式为：

I_REF1=n₃×V_REF/(R₅+R₆) （2）

I_REF2=n₄×V_REF/(R₅+R₆) （3）

其中，n₃为PMOS管M5、M6组成的电流镜的映射比例，n₄为PMOS管M5、M7组成的电流镜的映射比例。根据上述表达式可知，I_REF与温度无关。

斜率设定模块12为DAC电流源，连接调制电流产生模块15和微处理器单元101，由偏置电流产生模块11提供随温度升高而增大的偏置电流I_PTAT，在N位控制字SLOPE的控制下，输出随温度升高而增大的电流I₁，其表达式如下：

I₁=SLOPE×I_PTAT （4）

其中，SLOPE为控制字的值，取0～2^N-1。通过改变控制字SLOPE的值就能达到改变I₁的斜率大小，从而确定温度补偿的斜率。

起始补偿温度设定模块13为线性DAC电流源，连接调制电流产生模块15和微处理器单元101，由偏置电流产生模块11提供与温度无关的偏置电流I_REF1，在N位控制字START的控制下，输出与温度无关的电流I₂，其表达式如下：

I₂=START×I_REF （5）

其中，SLOPE为控制字的值，取0～2^N-1。通过改变控制字START的值，可以改变I₂的大小，从而选取补偿的起始温度。

基本调制电流产生模块14为线性DAC电流源，连接调制电流产生模块15和微处理器单元101，在N位控制字MODSET的控制下，输出与温度无关的基本的调制电流I₃，其表达式为：

I₃=MODSET×I_REF2 （6）

其中，MODSET为控制字的值，取0～2^N-1。通过改变控制字MODSET的值可以调整基本调制电流的大小。

调制电流产生模块15将I₁、I₂、I₃通过电流镜结合，得到调制电流I_modset，其表达式为：

I_modset=I₁-I₂+I₃ （7）

本发明采用数字的方式进行温度补偿，根据半导体激光器的温度特性及应用的需要，通过改变输入的SLOPE、START、MODSET值，就能灵活的调整温度补偿斜率、起始补偿温度以及基本调制电流，从而维持半导体激光器在全温度范围内的消光比稳定。这种补偿方式不需要在激光驱动器芯片外连接片外电阻，节省了空间，并且应用起来极为方便。

以上详细描述了本发明的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术无需创造性劳动就可以根据本发明的构思作出诸多修改和变化。因此，凡本技术领域中技术人员依本发明的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。

Claims

1.一种应用于激光驱动器的温度补偿电路，其特征在于，包括偏置电流产生模块（11）、斜率设定模块（12）、起始补偿温度设定模块（13）、基本调制电流产生模块（14）以及调制电流产生模块（15）；所述偏置电流产生模块（11）与所述斜率设定模块（12）电连接，为所述斜率设定模块（12）提供偏置电流（I_PTAT），所述偏置电流产生模块（11）与起始补偿温度设定模块（13）电连接，为所述起始补偿温度设定模块（13）提供偏置电流（I_REF1），所述偏置电流产生模块（11）与所述基本调制电流产生模块（14）电连接，为所述基本调制电流产生模块（14）提供偏置电流（I_REF2），所述斜率设定模块（12）和所述起始补偿温度设定模块（13）均分别与所述调制电流产生模块（15）电连接；所述调制电流产生模块（15）与所述基本调制电流产生模块（14）电连接；

所述斜率设定模块（12）在所述控制字SLOPE的控制下，输出随激光器的温度升高而增大的电流（I₁），以确定温度补偿的斜率，其表达式为：

I₁=SLOPE×I_PTAT

所述起始补偿温度设定模块（13）在所述控制字START的控制下，输出与激光器的温度无关的电流（I₂），以选取补偿的激光器起始温度，其表达式为：

I₂=START×I_REF

所述基本调制电流产生模块（14）在所述控制字MODSET的控制下，输出与激光器温度无关的基本调制电流（I₃），其表达式为：

I₃=MODSET×I_REF2

2.如权利要求1所述的一种应用于激光驱动器的温度补偿电路，其特征在于，所述偏置电流产生模块（11）的电路包括：运算放大器（A1）、运算放大器（A2）、运算放大器（A3），PMOS管（M1）、PMOS管（M2）、PMOS管（M3）、PMOS管（M4）、PMOS管（M5）、PMOS管（M6）、PMOS管（M7），NMOS管（M8）、NMOS管（M9）、NMOS管（M10），Poly电阻（R1）、Poly电阻（R2）、Poly电阻（R3）、Poly电阻（R5），扩散电阻（R4）、扩散电阻（R6）和PNP三极管（Q1）。

3.如权利要求2所述的一种应用于激光驱动器的温度补偿电路，其特征在于，所述运算放大器（A1）的正极接输入电压（V_REF），所述电压（V_REF）为与温度无关的带隙基准电压，所述运算放大器（A1）的负极接所述NMOS管（M8）的源极，所述运算放大器（A1）的输出端接所述NMOS管（M8）的栅极，所述Poly电阻（R1）的一端接所述运算放大器（A1）的负极，另一端接所述三极管（Q1）的发射极，所述三极管（Q1）的基极和集电极相连并接地，所述PMOS管（M1）的漏极与所述NMOS管（M8）的漏极相连，所述PMOS管（M1）的栅极和漏极连接，所述PMOS管（M1）与所述PMOS管（M2）共栅极，所述PMOS管（M1）、所述PMOS管（M2）、所述PMOS管（M3）、所述PMOS管（M4）、所述PMOS管（M5）、所述PMOS管（M6）和所述PMOS管（M7）的源极均接电源（VDD），所述PMOS管（M2）的漏极与所述运算放大器（A2）的正极和所述Poly电阻（R2）的一端相连，所述Poly电阻（R2）的另一端接地，所述运算放大器（A2）的负极与所述NMOS管（M9）的源极和所述Poly电阻（R3）的一端连接，所述运算放大器（A2）的输出端与所述NMOS管（M9）的栅极连接，所述Poly电阻（R3）的另一端与所述扩散电阻（R4）的一端连接，所述扩散电阻（R4）的另一端接地，所述NMOS管（M9）的漏极与所述PMOS管（M3）的漏极相连，所述PMOS管（M3）与所述PMOS管（M4）共栅极，所述PMOS管（M4）的漏极输出随温度升高而增大的所述偏置电流（I_PTAT），所述运算放大器（A3）的正极接所述输入电压（V_REF），所述运算放大器的负极与所述NMOS管（M10）的源极和所述Poly电阻（R5）的一端相连，所述Poly电阻（R5）的另一端与所述扩散电阻（R7）的一端相连，所述扩散电阻（R7）的另一端接地，所述运算放大器（A1）的输出端与所述NMOS管（M10）的栅极相连，所述NMOS管（M10）的漏极与所述PMOS管（M5）的漏极相连，所述PMOS管（M5）的栅极与漏极相连，所述PMOS管（M5）、所述PMOS管（M6）和所述PMOS管（M7）共栅极，所述PMOS管（M6）的漏极输出与温度无关的所述偏置电流（I_REF1），所述PMOS管（M7）的漏极输出与温度无关的所述偏置电流（I_REF2）。

4.如权利要求1所述的一种应用于激光驱动器的温度补偿电路，其特征在于，所述斜率设定模块（12）为DAC电流源。

5.如权利要求1所述的一种应用于激光驱动器的温度补偿电路，其特征在于，所述起始补偿温度设定模块（13）为线性DAC电流源。

6.如权利要求1所述一种应用于激光驱动器的温度补偿电路，其特征在于，所述基本调制电流产生模块（14）为线性DAC电流源。

7.如权利要求1所述一种应用于激光驱动器的温度补偿电路，其特征在于，所述调制电流产生模块（15）的电路包括：PMOS管（M11）、PMOS管（M12）、PMOS管（M13）、PMOS管（M14）、NMOS管（M15）和NMOS管（M16）。

8.如权利要求7所述的一种应用于激光驱动器的温度补偿电路，其特征在于，所述PMOS管（M11）、所述PMOS管（M12）、所述PMOS管（M13）和所述PMOS管（M14）的源极均接电源（VDD），所述PMOS管（M11）的漏极与栅极相连，所述PMOS管（M11）和所述PMOS管（M12）共栅极，所述PMOS管（M12）的漏极与所述NMOS管（M15）的漏极相连，所述NMOS管（M15）的栅极与漏极相连，所述NMOS管（M15）的源极和所述NMOS管（M16）的源极均接地，所述NMOS管（M15）和所述NMOS管（M16）共栅极，所述NMOS管（M16）的漏极与所述PMOS管（M13）的漏极相连，所述PMOS管（M13）的栅极与漏极相连，所述PMOS管（M13）和所述PMOS管（M14）共栅极。由所述PMOS管（M11）的漏极输入所述电流（I₁），由所述PMOS管（M12）的漏极输入所述电流（I₂），由所述PMOS管（M13）的漏极输入所述基本调制电流（I₃），在所述PMOS管（M14）的漏极输出所述电流（I_modset）。