CN103956419A - 一种led芯片及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种LED芯片及其制作方法。该LED芯片包括多个电气隔离的LED发光外延结构，多个LED发光外延结构的P型电极和N型电极依次电气连接，其分别包括位于LED芯片边缘的至少两个LED发光外延结构的各自的第一P型电极和第一N型电极，多个LED发光外延结构上表面包括第一区域与第二区域，第一区域包括第一P型电极的上表面和第一N型电极的上表面，第二区域包括除第一区域外的区域，第二区域上设置有第一绝缘介质膜层，第一P型电极和第一N型电极分别延伸有一个延伸部，延伸部沿着第一绝缘介质膜层的侧壁向上并从第一绝缘介质膜层的边缘向内延伸。通过上述的LED芯片的结构，能够降低封装的难度，并且实现高压工作模式。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种LED芯片及其制作方法。
背景技术
现有技术中的LED芯片的结构包括正装结构和倒装结构。其中，正装结构的LED芯片在封装时需将衬底粘贴到管壳上，发光区到散热管壳的距离远，因此热阻大，不利于散热。因此，为了提高散热效果，通常选用倒装结构，倒装结构的LED芯片在封装时将芯片电极直接焊接到管壳电极上，具有很低的热阻。但是，倒装结构的LED芯片工作电压低、光效较低以及电极间距小，造成封装困难。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种LED芯片及其制作方法，能够实现高压工作模式，此外还可克服电极间距小而引起的封装困难的缺点。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种LED芯片，其包括衬底和设置在所述衬底上的多个电气隔离的LED发光外延结构。每个LED发光外延结构包括P型电极和N型电极，多个所述LED发光外延结构的P型电极和N型电极通过电连接线依次电气连接。所述P型电极和N型电极分别包括位于LED芯片边缘的至少两个LED发光外延结构的各自的第一P型电极和第一N型电极，多个所述LED发光外延结构的上表面包括第一区域与第二区域，所述第一区域包括所述第一P型电极的上表面和所述第一N型电极的上表面，所述第二区域包括除所述第一区域外的区域；所述第二区域上设置有第一绝缘介质膜层；所述第一P型电极和第一N型电极分别延伸有一个延伸部，所述延伸部沿着所述第一绝缘介质膜层的侧壁向上并从第一绝缘介质膜层的边缘向内延伸。
其中，在每个所述LED发光外延结构的P型电极和N型电极之间的侧壁表面，以及相邻的两个LED发光外延结构的P型电极和N型电极之间的LED发光外延结构的侧壁上设置有第二绝缘介质膜层。
其中，所述第一绝缘介质膜层和所述第二绝缘介质膜层分别包括至少一层氮化硅膜、氧化硅膜、氧化铝膜、氮化铝膜或高分子绝缘膜。
其中，延伸部在所述LED芯片上的投影面积的总和不小于LED芯片面积的80％。
其中，所述延伸部是由铬、镍、钛、钨、金、银、铝或铜中的一种或至少两种形成的金属层。
其中，所述金属层包括位于所述第一P型电极和所述第一N型电极正上方的两个第一金属层以及分别从两个所述第一金属层末端沿第一绝缘介质膜层表面向内延伸的两个第二金属层，其中，所述第二金属层上电镀有加厚层，所述加厚层由金组成或由铜及其上的薄金层组成。
其中，所述加厚层上设置有由金锡合金组成的焊料层。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种LED芯片的制作方法，所述方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上制作多个电气隔离的LED发光外延结构，其中，每个所述LED发光外延结构包括P型电极和N型电极，所述P型电极和N型电极分别包括位于LED芯片边缘的至少两个LED发光外延结构的各自的第一P型电极和第一N型电极，多个所述LED发光外延结构的上表面包括第一区域与第二区域，所述第一区域包括所述第一P型电极的上表面和所述第一N型电极的上表面，所述第二区域包括除所述第一区域外的区域；在多个所述LED发光外延结构的P型电极和N型电极之间设置电连接线，使得多个所述LED发光外延结构依次电气连接；在所述第二区域上设置第一绝缘介质膜层；在所述第一P型电极和第一N型电极表面上分别延伸一延伸部，所述延伸部沿着所述第一绝缘介质膜层的侧壁向上并从第一绝缘介质膜层的边缘向内延伸。
其中，在衬底上制作多个电气隔离的LED发光外延结构进一步包括：在多个所述LED发光外延结构之间设置沟槽；光刻并掩膜所述P型电极、部分N型电极以及所述沟槽的底部，且在每个所述LED发光外延结构的P型电极和N型电极之间的侧壁表面、以及相邻的两个LED发光外延结构的P型电极和N型电极之间的LED发光外延结构的侧壁上设置第二绝缘介质膜层；以及刻蚀出所述P型电极、部分N型电极以及所述沟槽的底部。
其中，在第二区域上设置第一绝缘介质膜层之前，还包括步骤：光刻并掩膜住第一P型电极和第一N型电极；以及在第二区域上设置第一绝缘介质膜层之后，还包括步骤：刻蚀出第一P型电极和第一N型电极。
其中，设置电连接线的步骤进一步包括：采用蒸发或溅射工艺在多个LED发光外延结构的P型电极和N型电极之间形成电连接线。
其中，所述延伸一延伸部的步骤进一步包括：在所述第一P型电极、第一N型电极和所述第一绝缘介质层上电镀一金属层，并使得所述金属层表面齐平，其中，所述金属层包括位于所述第一P型电极和所述第一N型电极正上方的两个第一金属层、分别从两个所述第一金属层末端沿第一绝缘介质膜层表面向内延伸的两个第二金属层、以及位于两个第二金属层之间的第三金属层；对所述第一金属层和第二金属层进行光刻并掩膜；刻蚀第三金属层，使得两个第二金属层之间的介质层暴露出来；以及刻蚀并露出所述第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和第二金属层形成所述延伸部。
其中，所述方法进一步包括：在所述第二金属层上电镀一加厚层，所述加厚层由金组成或由铜及其上的薄金层组成。
其中，所述方法进一步包括：在加厚层上设置一由金锡合金组成的焊料层。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明的LED芯片由多个电气隔离的LED发光外延结构的P型电极和N型电极通过电连接线依次电气连接，并且在LED芯片边缘的至少两个LED发光外延结构的各自的第一P型电极和第一N型电极外的区域上设置有第一绝缘介质膜层，第一P型电极和第一N型电极分别延伸有一个延伸部，延伸部沿着第一绝缘介质膜层的侧壁向上并从第一绝缘介质膜层的边缘向内延伸。因此，通过多个LED发光外延结构电气连接，加大了作为LED芯片的封装电极的第一P型电极和第一N型电极之间的距离，从而降低了封装的难度，并且工作电压可以由多个LED发光外延结构的工作电压形成，实现高压工作模式。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种LED芯片的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种LED芯片的制作方法的流程图；
图3a-3l是图2所示的LED芯片的制作方法的工艺流程图。
具体实施方式
请参阅图1，图1是本发明实施例提供的一种LED芯片的结构示意图。如图1所示，本实施例的LED芯片10包括衬底11和设置在衬底11上的多个电气隔离的LED发光外延结构12。其中，每个LED发光外延结构12包括P型电极121和N型电极122，多个LED发光外延结构12的P型电极121和N型电极122通过电连接线13依次电气连接，使得LED芯片10的工作电压可以由多个LED发光外延结构12的工作电压形成，从而实现高压工作模式。本实施例中，所述P型电极121和N型电极122分别包括位于LED芯片10的边缘的两个LED发光外延结构12的各自的第一P型电极1211和第一N型电极1221。
本实施例中，多个LED发光外延层12的上表面包括第一区域100与第二区域101。其中，第一区域100包括第一P型电极1211的上表面和第一N型电极1221的上表面，第二区域101包括除第一区域100外的区域。第二区域101上设置有第一绝缘介质膜层14，第一绝缘介质层14的表面平整，从而保护了在第二区域101的LED发光外延结构12及电连接线13不受外部影响。
在其他实施例中，第一区域100还可以包括位于LED芯片10的边缘的两个以上的LED发光外延结构12的各自的第一P型电极1211的上表面和第一N型电极1221的上表面。具体包括的LED发光外延结构12的个数由实际情况而定，在此不再赘述。
本实施例中，第一P型电极1211和第一N型电极1221分别延伸一个延伸部120，延伸部120沿着第一绝缘介质膜层14的侧壁向上并从第一绝缘介质膜层14的边缘向内延伸。第一P型电极1211和第一N型电极1221与其各自的延伸部120分别作为LED芯片10的封装电极与外部电路电连接。
本实施例中，第一N型电极1221上的延伸部120直接在第一N型电极1221的上表面沿着第一绝缘介质膜层14的侧壁向上并从第一绝缘介质膜层14的边缘向内延伸。在其他实施例中，第一N型电极1221和其延伸部120也可通过在LED发光外延结构12上挖孔连通来实现。
可选的，延伸部120在LED芯片10上的投影面积的总和不小于LED芯片10面积的80％，以方便与外部电路电连接。
因此，在本实施例中，通过连接线13将多个LED发光外延结构12电气连接，加大了LED芯片10的封装电极之间的距离，进一步的，所述延伸部120加大了LED芯片10的封装电极与外部电路进行电连接的面积，从而降低了封装的难度。
进一步的，根据本发明的设计思路，可以设计多个不同电压的LED芯片10，满足不同的需求。
可选的，衬底11可为蓝宝石衬底、碳化硅(SiC)衬底、硅(Si)衬底、氮化镓(CaN)衬底或者氮化铝(AlN)衬底。
本实施例中，每一LED发光外延结构12还包括从衬底11往上依次设置的且宽度相同的N型氮化镓层123、发光层124以及P型氮化镓层125。其中，P型电极121设置在P型氮化镓层125上，并与P型氮化镓层125电连接，N型电极122设置在衬底11上并与N型氮化镓层123电连接。
在其他可选实施例中，N型氮化镓层123的宽度可设置为大于发光层124和P型氮化镓层125的宽度。N型氮化镓层123相对于发光层124和P型氮化镓125突出的部分与N型电极122电连接。
在其他可选实施例中，N型电极122还可以设置在P型氮化镓层125上并与P型氮化镓层125绝缘。在P型氮化镓层125和发光层123上设置一导通的通孔，通孔露出N型氮化镓层123并且表面设置有绝缘物质，N型电极122通过通孔与N型氮化镓层123电连接。
可选的，多个LED发光外延结构12之间设置有沟槽16，并在每个LED发光外延结构12的P型电极121和N型电极122之间的侧壁表面，以及相邻的两个LED发光外延结构12的P型电极121和N型电极122之间的LED发光外延结构12的侧壁上设置有第二绝缘介质膜层17，以实现多个LED发光外延结构12之间的电气隔离，进一步保证每个LED发光外延结构12本身的P型电极121和N型电极122之间的绝缘性。
可选的，第一绝缘介质膜层14和第二绝缘介质膜层17分别包括至少一层氮化硅膜、氧化硅膜、氧化铝膜、氮化铝膜或高分子绝缘膜。并且通过设计第一绝缘介质膜层14、第二绝缘介质膜层17或两者组合的厚度与折射率，使得第一绝缘介质层14和第二绝缘介质层17具有高反射率。因此，可提高LED芯片10的出光效率。
在其他可选实施例中，为了节省设计的成本以及用料成本，也可以将第一绝缘介质膜层14和第二绝缘介质膜层17设置为单层结构，以及不对第一绝缘介质膜层14和第二绝缘介质膜层17的厚度与折射率进行设计。
可选的，延伸部120是由铬、镍、钛、钨、金、银、铝或铜中的一种或两种形成的金属层20。其中，金属层20包括位于第一P型电极和第一N型电极正上方的两个第一金属层201以及分别从两个第一金属层201末端沿第一绝缘介质膜层14表面向内延伸的两个第二金属层202。其中，第一金属层201和第二金属层202相互垂直。
可选的，在第二金属层202上电镀一加厚层30，加厚层30由金或组成，或由铜层及其上的薄金层组成。加厚层30的厚度优选大于0.3微米。进一步在加厚层30上设置一由金锡合金组成的焊料层40，以方便与外部电路电连接。
在另外的实施例中，也可不设置焊料层40，此时在铜加厚层上镀上一层薄金层，以进行保护。其中，薄金层的厚度优选为1000埃。
可以理解，所述第一N型电极1221可通过现有的在LED发光外延结构12上开设通孔的方式，与LED发光外延结构12中的N型层进行连通。此时，所述延伸部120则无需从所述LED芯片10的边缘开始向内延伸，节省了材料，而且缩小了LED芯片10的体积。
本发明还基于前文的LED芯片提供一种LED芯片的制作方法，请一并参阅图2和图3a-3l，图2是本发明实施例提供的一种LED芯片的制作方法的流程图，图3a-3l是图2所示的制作方法对应的工艺流程图。如图2和3a-3l所示，方法包括以下步骤：
步骤S1：提供一衬底11，并在衬底11上制作多个电气隔离的LED发光外延结构12，其中，每个LED发光外延结构12包括P型电极121和N型电极122，P型电极121和N型电极122分别包括位于LED芯片10边缘的至少两个LED发光外延结构12的各自的第一P型电极1211和第一N型电极1221，多个LED发光外延结构的上表面包括第一区域100与第二区域101，第一区域100包括第一P型电极1211的上表面和第一N型电极1221的上表面，第二区域101包括除第一区域100外的区域。
本步骤的具体实现过程如下：
参阅图3a，提供一衬底11，该衬底11可为蓝宝石衬底、碳化硅(SiC)衬底、硅(Si)衬底、氮化镓(CaN)衬底或者氮化铝(AlN)衬底。在衬底11上设置多个LED发光外延结构12。发光外延结构12包括P型电极121、N型电极122、自衬底11向上设置的N型氮化镓123、发光层124以及P型氮化镓125。在多个LED发光外延结构12之间设置矩形的沟槽16。在其他可选的实施中，沟槽16还可以设置梯形或者其他多边形。
参阅图3b，光刻并掩膜住P型电极121、部分N型电极122以及沟槽16的底部。具体为，在LED发光外延结构12及沟槽16上均匀的涂覆光刻胶50，并制出掩膜板60，该掩膜板60对在LED发光外延结构12的P型电极121、部分N型电极122以及沟槽16的底部进行掩膜。
参阅图3c，进而进行曝光、显影等工艺，最终刻蚀出每个LED发光外延结构12的P型电极121和部分N型电极122之间的侧壁以及相邻的两个LED发光外延结构12的P型电极121和N型电极122之间的LED发光外延结构12的侧壁。
本实施例中，掩膜板60的材料为二氧化硅或者氮化硅，具体通过等离子体增强化学气相沉积工艺制出掩膜板。
参阅图3d，在每个LED发光外延结构12的P型电极121和N型电极122之间的侧壁表面，以及相邻的两个LED发光外延结构12的P型电极121和N型电极122之间的LED发光外延结构12的侧壁上设置第二绝缘介质膜层17。具体可通过PECVD、溅射、蒸镀或者旋涂等方式形成第二绝缘介质膜层17。
参阅图3e，刻蚀出P型电极121、部分N型电极122以及沟槽16的底部。具体为使用超声剥离工艺将光刻胶去除，露出的P型电极121、N型电极122以及沟槽16的底部。由此可形成电气隔离的LED发光外延结构12。
步骤S2：在多个LED发光外延结构12的P型电极121和N型电极122之间设置电连接线13，使得多个LED发光外延结构12依次电气连接。
本步骤具体工艺为：
类似步骤S1，光刻并掩膜住P型电极121和N型电极122，具体过程如前文所述，在此不再赘述。
参阅图3f：采用蒸发、溅射或者旋涂等工艺在多个LED发光外延结构12的P型电极121和N型电极122之间形成电连接线13。并进一步刻蚀出P型电极121和N型电极122，具体过程如前文所述，在此不再赘述。
其中，电连接线13可由镍、金、钛、钨、银、铝或铜等金属材料组成。
步骤S3：在第二区域101上设置第一绝缘介质膜层14。
具体为，在设置第一绝缘介质膜层14之前，首先光刻并掩膜住第一P型电极1211和第一N型电极1221，具体过程如前文所述，在此不再赘述。
参阅图3g：在第二区域101上设置第一绝缘介质膜层14，具体可通过PECVD、溅射、蒸镀或者旋涂等方式形成第一绝缘介质膜层14。其中第一介质层14将沟槽16填满，并高于第一P型电极1211和第二N型电极1221。并且在位于第二区域101的多个LED发光外延结构12上形成一平整的表面。
在设置第一绝缘介质膜层14之后，刻蚀出第一P型电极1211和第一N型电极1221。具体为使用超声剥离工艺将光刻胶去除，露出第一P型电极1211和第一N型电极1221。
步骤S4：在第一P型电极1211和第一N型电极1221表面分别延伸一延伸部120，延伸部120沿着第一绝缘介质膜层14的侧壁向上并从第一绝缘介质膜层的边缘向内延伸。
具体而言，请首先参阅图3h：分别在第一P型电极1211、第一N型电极1221和第一绝缘介质层14上电镀一由铬、镍、钛、钨、金、银、铝或铜中的一种或至少两种形成的金属层20，并使得金属层20表面齐平。其中，金属层20包括位于第一P型电极1211和第一N型电极1221正上方的两个第一金属层201、分别从第一金属层201末端沿第一绝缘介质膜层14表面向内延伸的两个第二金属层202以及位于两个第二金属层之间的第三金属层203，所述第二金属层202与第一金属层201垂直设置，所述第三金属层203与第二金属层202相连。其中，所述第一金属层201以及所述第二金属层202将形成所述延伸部120。
在其他实施例中，还可以通过PECVD、溅射、蒸镀或者旋涂等工艺形成金属层20。
参阅图3i：对第一金属层201以及第二金属层202进行光刻并掩膜。其中，光刻和掩膜过程如前文所述，在此不再赘述。
参阅图3j：刻蚀第三金属层203，使得两个第二金属层202之间的介质层暴露出来。
参阅图3k：刻蚀所述第一金属层201以及第二金属层202上的光刻胶，露出所述第一金属层201以及第二金属层202，从而得到延伸部120，也就是，所述延伸部120由所述第一金属层201以及第二金属层202组成。具体刻蚀过程如前文所述，在此不再赘述。
可选的，请参阅图3l，本实施例还在第二金属层202上电镀一加厚层30，加厚层30由金或在铜层上设置薄金层组成。加厚层30的厚度优选大于0.3微米。进一步的，在加厚层30上设置一由金锡合金组成的焊料层40，以方便LED芯片10与外部电路电连接。
在另外的实施例中，也可不设置焊料层40，此时在铜加厚层上镀上一层薄金层，以进行保护。其中，薄金层的厚度优选为1000埃。
以上步骤S1和S3设置的第二绝缘介质膜层17和第一绝缘介质膜层14为至少一层氮化硅膜、氧化硅膜、氧化铝膜或氮化铝膜或高分子绝缘膜，并且通过设计第一绝缘介质膜层14、第二绝缘介质膜层17或两者组合的厚度与折射率，使得第一绝缘介质层14和第二绝缘介质层17具有高反射率。因此，可提高LED芯片10的出光效率。
在其他可选实施例中，为了节省设计的成本以及用料成本，也可以将第一绝缘介质膜层14和第二绝缘介质膜层17设置为单层结构，以及不对第一绝缘介质膜层14和第二绝缘介质膜层17的厚度与折射率进行设计。
可以理解，在其他实施例中，所述第一N型电极1221可通过现有的在LED发光外延结构12上开设通孔的方式，与LED发光外延结构12中的N型层进行连通。此时，所述延伸部120则无需从所述LED芯片10的边缘开始向内延伸，节省了材料，而且缩小了LED芯片10的体积。
综上所述，通过连接线13将多个LED发光外延结构12电气连接，加大了LED芯片的封装电极之间的距离，进一步的，第一P型电极1211和第一N型电极1221分别延伸一沿着第一绝缘介质膜层14的侧壁向上并从第一绝缘介质膜层14的边缘向内延伸的延伸部120，因此加大了LED芯片10的封装电极与外部电路进行电连接的面积，从而降低了封装的难度，进一步的，工作电压可以由多个LED发光外延结构12的工作电压形成，实现高压工作模式。
进一步的，根据本发明的设计思路，可以设计多个不同电压LED芯片10，满足不同的需求。
进一步的，通过设置具有高反射率的第一绝缘介质膜层14和第二绝缘介质膜层17或两者的组合，提高了LED芯片10的出光效率。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (14)
1.一种LED芯片，包括衬底和设置在所述衬底上的多个电气隔离的LED发光外延结构，其中，每个LED发光外延结构包括P型电极和N型电极，多个所述LED发光外延结构的P型电极和N型电极通过电连接线依次电气连接，其特征在于：
所述P型电极和N型电极分别包括位于LED芯片边缘的至少两个LED发光外延结构的各自的第一P型电极和第一N型电极，多个所述LED发光外延结构的上表面包括第一区域与第二区域，所述第一区域包括所述第一P型电极的上表面和所述第一N型电极的上表面，所述第二区域包括除所述第一区域外的区域；所述第二区域上设置有第一绝缘介质膜层；所述第一P型电极和第一N型电极分别延伸有一个延伸部，所述延伸部沿着所述第一绝缘介质膜层的侧壁向上并从第一绝缘介质膜层的边缘向内延伸。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，在每个所述LED发光外延结构的P型电极和N型电极之间的侧壁表面，以及相邻的两个LED发光外延结构的P型电极和N型电极之间的LED发光外延结构的侧壁上设置有第二绝缘介质膜层。
3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一绝缘介质膜层和所述第二绝缘介质膜层分别包括至少一层氮化硅膜、氧化硅膜、氧化铝膜、氮化铝膜或高分子绝缘膜。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述延伸部在所述LED芯片上的投影面积的总和不小于所述LED芯片面积的80％。
5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述延伸部是由铬、镍、钛、钨、金、银、铝或铜中的一种或至少两种形成的金属层。
6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述金属层包括位于所述第一P型电极和所述第一N型电极正上方的两个第一金属层以及分别从两个所述第一金属层末端沿第一绝缘介质膜层表面向内延伸的两个第二金属层，其中，所述第二金属层上电镀有加厚层，所述加厚层由金组成或由铜及其上的薄金层组成。
7.根据权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述加厚层上设置有由金锡合金组成的焊料层。
8.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上制作多个电气隔离的LED发光外延结构，其中，每个所述LED发光外延结构包括P型电极和N型电极，所述P型电极和N型电极分别包括位于LED芯片边缘的至少两个LED发光外延结构的各自的第一P型电极和第一N型电极，多个所述LED发光外延结构的上表面包括第一区域与第二区域，所述第一区域包括所述第一P型电极的上表面和所述第一N型电极的上表面，所述第二区域包括除所述第一区域外的区域；
在多个所述LED发光外延结构的P型电极和N型电极之间设置电连接线，使得多个所述LED发光外延结构依次电气连接；
在所述第二区域上设置第一绝缘介质膜层；以及
在所述第一P型电极和第一N型电极表面上分别延伸一延伸部，所述延伸部沿着所述第一绝缘介质膜层的侧壁向上并从第一绝缘介质膜层的边缘向内延伸。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上制作多个电气隔离的LED发光外延结构进一步包括：
在多个所述LED发光外延结构之间设置沟槽；
光刻并掩膜所述P型电极、部分N型电极以及所述沟槽的底部，且在每个所述LED发光外延结构的P型电极和N型电极之间的侧壁表面、以及相邻的两个LED发光外延结构的P型电极和N型电极之间的LED发光外延结构的侧壁上设置第二绝缘介质膜层；以及
刻蚀出所述P型电极、部分N型电极以及所述沟槽的底部。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述第二区域上设置所述第一绝缘介质膜层之前，还包括步骤：
光刻并掩膜所述第一P型电极和所述第一N型电极；以及
在所述第二区域上设置所述第一绝缘介质膜层之后，还包括步骤：
刻蚀出所述第一P型电极和所述第一N型电极。
11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述设置电连接线的步骤进一步包括：
采用蒸发或溅射工艺在多个所述LED发光外延结构的P型电极和N型电极之间形成所述电连接线。
12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述延伸一延伸部的步骤进一步包括：
在所述第一P型电极、第一N型电极和所述第一绝缘介质层上电镀一金属层，并使得所述金属层表面齐平，其中，所述金属层包括位于所述第一P型电极和所述第一N型电极正上方的两个第一金属层、分别从两个所述第一金属层末端沿第一绝缘介质膜层表面向内延伸的两个第二金属层、以及位于两个第二金属层之间的第三金属层；
对所述第一金属层和第二金属层进行光刻并掩膜；
刻蚀第三金属层，使得两个第二金属层之间的介质层暴露出来；以及
刻蚀并露出所述第一金属层和第二金属层，所述第一金属层和第二金属层形成所述延伸部。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：
在所述第二金属层上电镀一加厚层，所述加厚层由金组成或由铜及其上的薄金层组成。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：
在所述加厚层上设置一由金锡合金组成的焊料层。
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