CN103956412A - 背镀金属led的切割方法 - Google Patents

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    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
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Abstract

本发明提供了一种背镀金属LED的切割方法，该背镀金属LED包括基板、位于基板上方的N-GaN层、分别位于N-GaN层上方的负极、P-GaN层与正极，以及位于基板下方的金属背板，该方法包括依次进行的如下步骤生长SiO2层、涂覆光刻胶、光刻、蚀刻SiO2沟槽、GaN刻蚀、去光刻胶、SiO2腐蚀、隐形切割。由于采用上述技术方案，利用SiO2和光刻胶做研磨材料，将MESA处的N-GaN全部刻蚀掉，如此可对其进行正面隐形切割，提高出光效率，由于避免了普通紫外切割所引起的侧壁烧焦，减少了吸光，也就提升了亮度。此外，如果做了隐形切割就不用做侧腐蚀SWE的洗边工艺了，简化了前制程的工艺。

Description

背镀金属LED的切割方法
技术领域
本发明涉及一种LED切割方法。
背景技术
现有技术中针对背镀金属的LED，其切割通常采用正表面激光普通切割；这种切割方式带来的缺点是，正表面激光普通切割对LED侧壁出的光吸收较大，影响出光效率。
发明内容
本发明的目的是提高背镀金属LED的出光效率，增加侧壁出光，提高出光效率。
为了达到上述技术目的，本发明提供了一种背镀金属LED的切割方法，所述的背镀金属LED包括基板、位于所述的基板上方的N-GaN层、分别位于所述的N-GaN层上方的负极、P-GaN层与正极，以及位于所述的基板下方的金属背板，该方法包括依次进行的如下步骤：
（a）生长SiO 2 层：生长一层覆盖于所述的N-GaN层、负极、P-GaN层以及正极上方的SiO 2 层；
（b）涂覆光刻胶：在所述的SiO 2 层上方涂覆一层光刻胶；
（c）光刻：通过曝光机蚀刻除去位于分割位置处的光刻胶；
（d）蚀刻SiO 2 沟槽：蚀刻除去位于分割位置处的SiO 2 ；
（e）GaN刻蚀：蚀刻除去位于分割位置处的GaN层；
（f）去光刻胶：去除剩余的光刻胶；
（g）SiO 2 腐蚀：去除剩余的SiO 2 ；
（h）隐形切割：通过隐形切割的方式于分割位置切割所述的基板与金属背板。
优选地，所述的基板为蓝宝石基板。
优选地，所述的金属背板为铝背板。
由于采用上述技术方案，利用SiO 2 和光刻胶做研磨材料，将MESA处的N-GaN全部刻蚀掉，如此可对其进行正面隐形切割，提高出光效率，由于避免了普通紫外切割所引起的侧壁烧焦，减少了吸光，也就提升了亮度。此外，如果做了隐形切割就不用做侧腐蚀SWE的洗边工艺了，简化了前制程的工艺。
附图说明
附图1为背镀金属LED的结构示意图；
附图2为根据本发明的步骤（a）的示意图；
附图3为根据本发明的步骤（b）的示意图；
附图4为根据本发明的步骤（c）的示意图；
附图5为根据本发明的步骤（d）的示意图；
附图6为根据本发明的步骤（e）的示意图；
附图7为根据本发明的步骤（f）的示意图；
附图8为根据本发明的步骤（g）的示意图；
附图9为根据本发明的步骤（h）的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
参见附图1至附图9，为根据本发明的背镀金属LED的切割方法的生产加工流程示意图。如附图1所示，该背镀金属LED包括基板、位于基板上方的N-GaN层、分别位于N-GaN层上方的负极、P-GaN层与正极，以及位于基板下方的金属背板，其中，基板为蓝宝石基板，金属背板为铝背板。
本实施例中的背镀金属LED的切割方法，包括如下步骤：
（a）生长SiO 2 层：如附图2所示，生长一层覆盖于N-GaN层、负极、P-GaN层以及正极上方的SiO 2 层；
（b）涂覆光刻胶：如附图3所示，在SiO 2 层上方涂覆光刻胶；
（c）光刻：如附图4所示，通过曝光机蚀刻除去位于分割位置处的光刻胶；
（d）蚀刻SiO 2 沟槽：如附图5所示，蚀刻除去位于分割位置处的SiO 2 ；
（e）GaN刻蚀：如附图6所示，蚀刻除去位于分割位置处的GaN；
（f）去光刻胶：如附图7所示，去除剩余的光刻胶；
（g）SiO 2 腐蚀：如附图8所示，去除剩余的SiO 2 ；
（h）隐形切割：如附图9所示，通过隐形切割的方式于分割位置切割基板与金属背板。
由于采用上述技术方案，利用SiO 2 和光刻胶做研磨材料，将MESA处的N-GaN全部刻蚀掉，如此可对其进行正面隐形切割，提高出光效率。隐形切割系将激光聚光于工件内部，在工件内部形成变质层，通过扩展胶膜分割晶粒，由于隐形切割可缩小切割道宽度（切割宽度），因此，与一般的切割相比增加由芯片制造长形晶粒个数；由于避免了普通紫外切割所引起的侧壁烧焦，减少了吸光，也就提升了亮度；因此可以抑制加工屑的产生，适用于抗污能力差的工件，适用于抗负荷能力差的工件，且采用不需清洗的干式加工制程，简化了前制程的工艺。
以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (3)

1.一种背镀金属LED的切割方法，所述的背镀金属LED包括基板、位于所述的基板上方的N-GaN层、分别位于所述的N-GaN层上方的负极、P-GaN层与正极，以及位于所述的基板下方的金属背板，其特征在于：该方法包括依次进行的如下步骤：
（a）生长SiO2层：生长一层覆盖于所述的N-GaN层、负极、P-GaN层以及正极上方的SiO2层；
（b）涂覆光刻胶：在所述的SiO2层上方涂覆一层光刻胶；
（c）光刻：通过曝光机蚀刻除去位于分割位置处的光刻胶；
（d）蚀刻SiO2沟槽：蚀刻除去位于分割位置处的SiO2；
（e）GaN刻蚀：蚀刻除去位于分割位置处的GaN层；
（f）去光刻胶：去除剩余的光刻胶；
（g）SiO2腐蚀：去除剩余的SiO2；
（h）隐形切割：通过隐形切割的方式于分割位置切割所述的基板与金属背板。
2.根据权利要求1所述的背镀金属LED的切割方法，其特征在于：所述的基板为蓝宝石基板。
3.根据权利要求1所述的背镀金属LED的切割方法，其特征在于：所述的金属背板为铝背板。
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PB01 Publication
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Address after: 215123 Suzhou Province Industrial Park, Jiangsu new road, No. 8

Applicant after: FOCUS LIGHTINGS TECHNOLOGY CO., LTD.

Address before: 215123 Suzhou Province Industrial Park, Jiangsu new road, No. 8

Applicant before: Focus Lightings Tech Inc.

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Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: FOCUS LIGHTING (SUZHOU) CO., LTD. TO: FOCUS LIGHINGS TECHNOLOGY CO., LTD.

C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140730