CN103950886A - 一种mems传感器封装结构及其封装方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种MEMS传感器封装结构及其封装方法，其用于封装MEMS传感器，其特征在于，包括：陶瓷基座，所述陶瓷基座的顶层及底层分别设置有多个金属焊盘；所述陶瓷基座顶层的金属焊盘与MEMS传感器的引线连接，所述MEMS传感器设置在所述陶瓷基座上，所述陶瓷基座底层的金属焊盘与外部电路连接；所述陶瓷基座为至少一层垂直互联结构；一侧壁和顶盖，皆由可伐合金制成。本发明通过选择使用与MEMS传感器材料热膨胀系数接近的陶瓷基座作为封装材料，降低了基座膨胀应力对MEMS传感器的影响，同时利用陶瓷基座实现至少一层垂直互联，可在较小面积内实现MEMS传感器与外围电路的系统级集成，实现高密度系统级封装，实现MEMS传感器的封装灵活性和可拓展性。

Description

一种MEMS传感器封装结构及其封装方法

技术领域

本发明涉及元器件封装结构及其封装方法领域，特别是涉及一种MEMS(微机电系统)传感器封装结构及其封装方法；本发明还涉及利用该封装结构及方法的MEMS加速度计。

背景技术

多芯片模块，是指将多个裸露或/和封装的集成电路芯片以及单个或多个无源元器件，如电阻、电容、电感等，集成到一个封装基座上形成一个系统或功能模块的一种技术。目前，电子元器件芯片朝着越来越复杂的方向发展，而传统的IC集成器件封装和金属管壳封装都会带来困难。例如，MEMS传感器(如MEMS加速度计和MEMS陀螺仪)，为了提高其性能，往往需要增加可动质量块的厚度，如果使用传统IC集成器件封装技术，国内外标准的LCC(无引脚芯片载体)封装管壳的腔体深度往往不能满足MEMS厚度的要求，这样就势必造成为了满足其厚度而去重新开模，LCC陶瓷管壳的开模费用是很高的，而且周期很长；就金属管壳而言，传统的金属管壳采用可伐合金，尽管其膨胀系数和玻璃接近，但是MEMS传感器如MEMS加速度计及MEMS陀螺仪电路较为复杂，MEMS产品不止包含表头，还包含其配套的处理电路，为了解决这个问题，需要在其上面粘接一个或多个陶瓷基座，在陶瓷基座上实现引线互联。极大地造成了封装及微组装工序的复杂度，而且芯片的整体面积很大，增大了成本，不利于批量生产。

文件CN101656244A公开了一种金属层和介质层交替出现的多层互联结构，但是，过多导线布置于基底表面，走线困难；文件CN103414447A公开了一种低温共烧陶瓷LTCC限幅滤波器，包括内设有无源器件的低温共烧陶瓷基座、金属外壳器件和金属外壳，在低温共烧陶瓷基座的表面设有源元件，但是该技术方案不能解决复杂模块的布局问题，而且封装体膨胀应力会对芯片造成影响。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术的不足，提供了一种根据需要可方便拓展为多层级结构的基座，并可将导线分层布设于基座中，可解决走线困难的问题；提供了一种低封装应力和气密性较好的封装结构，同时提供了该封装结构的封装方法，有效地提高了生产效率，降低了成本，适用于高温高湿等恶劣环境。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案为：

一种MEMS传感器封装结构，所述封装结构包括：

陶瓷基座，所述陶瓷基座的顶层及底层分别设置有多个金属焊盘；所述陶瓷基座顶层的金属焊盘与MEMS传感器的引线连接，所述MEMS传感器设置在所述陶瓷基座上，所述陶瓷基座底层的金属焊盘与外部电路连接；所述陶瓷基座为至少一层垂直互联结构；

一侧壁，由可伐合金制成，所述侧壁位于所述陶瓷基座上，与所述陶瓷基座连接；

一顶盖，由可伐合金制成，所述顶盖与所述侧壁连接。

本发明还有以下附属特征：

其中，所述陶瓷基座为多层垂直互联结构，层与层之间设有导线。

其中，所述侧壁上设置有能与外部电路焊接的电极连接点。

本发明还提供了一种MEMS传感器封装结构的封装方法，主要包括以下步骤：

第一步、根据MEMS传感器选择相应的陶瓷基座；

第二步、将侧壁与所述陶瓷基座连接；

第三步、将MEMS传感器固定在所述陶瓷基座上，将所述MEMS传感器的引线与所述陶瓷基座顶层的金属焊盘连接；

第四步、将所述侧壁与顶盖相连接。

其中，所述侧壁与所述陶瓷基座的连接方式为焊接、所述侧壁与所述顶盖的连接方式采用平行缝焊。其中，所述MEMS传感器与所述陶瓷基座的连接方式采用共晶焊接、或者胶粘的方式。

其中，所述共晶焊接的焊料为金锡合金，重量组分为金80％和锡20％，在250～400℃焊接。

本发明还提供了一种MEMS传感器封装结构的MEMS加速度计，所述MEMS传感器封装结构中封装有加速度敏感芯片、温度传感器以及集成电路；所述加速度敏感芯片、温度传感器以及集成电路设置在所述陶瓷基座上；所述温度传感器紧邻所述加速度敏感芯片；所述集成电路分别与所述加速度敏感芯片以及所述温度传感器通过导线相电连接。

其中，所述加速度敏感芯片包括多个测量体；每个所述测量体包括：质量块以及梳齿结构；所述梳齿结构包括从所述质量块上延伸出的活动梳齿，以及与所述活动梳齿相互间隔设置的固定梳齿，所述活动梳齿与所述固定梳齿之间形成有差分检测电容；所述梳齿结构为四组，其中，在因加速度产生位移时，第一组梳齿结构、第二组梳齿结构与第三组梳齿结构、第四组梳齿结构活动间隙变化方向相反，第一组梳齿结构和第二组梳齿结构输出一电信号，第三组梳齿结构和第四组梳齿结构输出一电信号。

在其中一个所述测量体中，所述梳齿结构为四组，其中，在膨胀或收缩时，第一组梳齿结构和第二组梳齿结构活动间隙变化方向相反，第三组梳齿结构和第四组梳齿结构活动间隙变化方向相反。

其中，多个所述测量体通过竖质量块相互连接，形成质量块整体，其中，所述质量块整体外还设置有框架，所述质量块整体通过支撑梁与所述框架相连接，所述支撑梁设置在所述质量块整体的四个端角，所述框架上设有防撞止挡，其止挡间隙为1～3微米。

其中，所述温度传感器为微型铂电阻温度传感器，所述温度传感器通过导热胶粘结在所述陶瓷基座上。

对本发明技术方案的实施，可以将复杂芯片中涉及到的大量导线布设于至少一层陶瓷基座中，大大减小了封装面积，提高集成度，从而使得器件整体结构更加紧凑，达到实现小型化的设计目的。同时垂直互联结构极大地缩短了元器件的电连接，有利于减小损耗和串扰，实现信号调理电路与MEMS芯片大规模布线，降低寄生参数，多层基座为一个整体，克服了传统不同材质的基底的膨胀应力对封装芯片的影响。侧壁和顶盖使用可伐合金制成，可伐合金制造灵活，降低了单纯的陶瓷管壳开模成本，而且陶瓷和可伐合金的热膨胀系数与MEMS芯片的热膨胀系数相近，并使用气密性封装工艺。并且本技术方案的实施还具有封装成本低、工艺简单、封装应力小、易于走线布局、可拓展性强等优势，在同一个腔体内实现大规模布线。本技术方案采用陶瓷基座与可伐合金的结合，避免全部陶瓷管壳结构带来的熔封焊封盖工艺，本发明盖板密封采用平行缝焊工艺，成本较低。

附图说明

图1MEMS传感器封装结构的一种实施例

图2MEMS传感器封装结构的另一种实施例

图3MEMS传感器封装结构的第三种实施例

图4MEMS传感器封装结构陶瓷基座

图5焊接了侧壁的MEMS传感器封装结构

图6安装了加速度敏感芯片的MEMS传感器封装结构

图7MEMS传感器封装结构

图8MEMS传感器封装结构开盖俯视图

图9加速度敏感芯片中的测量体结构

图10加速度敏感芯片整体结构

图中：1-陶瓷基座、11-陶瓷基座顶层、12-陶瓷基座中层、13-陶瓷基座底层、2-加速度敏感芯片、3-温度传感器、4-侧壁、5-顶盖、6-金属焊盘、7-电极连接点、8-引线、9-集成电路、21-框架、22-质量块、24-梳齿结构、25-活动梳齿、26-固定梳齿、27-防撞止挡、241-第一组梳齿结构、242-第二组梳齿结构、243-第三组梳齿结构、244-第四组梳齿结构。

具体实施方式

下面将结合实施例以及附图对本发明加以详细说明，需要指出的是，所描述的实施例仅旨在便于对本发明的理解，而对其不起任何限定作用。

基于本发明产品的使用环境，需长期的户外运行，对加速度计封装工艺的气密性、高温高湿等恶劣环境、封装应力等问题带来了严峻的考验。

参照图1至图8，本发明提供了一种MEMS传感器封装结构，其用于封装MEMS传感器，所述封装结构包括：

陶瓷基座1，所述陶瓷基座1的顶层11及底层13分别设置有多个金属焊盘6；所述陶瓷基座顶层11的金属焊盘6与MEMS传感器的引线8连接，所述MEMS传感器设置在所述陶瓷基座1上，所述陶瓷基座底层13的金属焊盘6与外部电路连接；所述陶瓷基座1为至少一层垂直互联结构；

一侧壁4，由可伐合金制成，所述侧壁4位于所述陶瓷基座1上，与所述陶瓷基座1连接；

一顶盖5，由可伐合金制成，所述顶盖5与所述侧壁4连接。

优选的，所述陶瓷基座1为多层垂直互联结构，层与层之间设有导线。

其中，所述侧壁4上设置有能与外部电路焊接的电极连接点7。

本发明还提供了一种MEMS传感器封装结构及方法的MEMS加速度计，所述MEMS传感器封装结构中封装有加速度敏感芯片2、温度传感器3以及集成电路9；所述加速度敏感芯片2、温度传感器3以及集成电路9设置在所述陶瓷基座1上；所述温度传感器3紧邻所述加速度敏感芯片2；所述集成电路9分别与所述加速度敏感芯片2以及所述温度传感器3通过导线相电连接。

优选地，所述温度传感器3为微型铂电阻温度传感器。并通过导热胶粘接在基座上；将加速度敏感芯片2采用共晶焊接的方式焊接与其膨胀系数相匹配的陶瓷基座1上，避免了胶的热传导温度迟滞，并避免了胶的热应力造成的MEMS加速度计温度漂移和时间漂移。

本实施例使用的共晶焊接的焊料为金锡合金，重量组分为金80％和锡20％，在250～400℃焊接。

所述侧壁4和顶盖5，均由可伐合金制成。本发明的可伐合金主要成分为含镍29％、钴17％的硬玻璃铁基封接合金，该合金在20～450℃范围内具有与陶瓷基座1相近的线膨胀系数，还具有良好的低温组织稳定性，合金的氧化膜致密，容易焊接和熔接，还具有良好的密封特性，此外，可伐合金还具有快速散热和热传导性，可以迅速的将温度变化传导给温度传感器3，这样可以快速地检测到外界对加速度敏感芯片2产生的温度变化。

在所述侧壁4上设置有能与外部电路焊接的电极连接点7，可以将MEMS传感器的电极与所述电极连接点7电连接，这样可减少所述陶瓷基座1的焊盘，布线简单。

在本发明的一个实施例中，所选用的陶瓷基座为低温共烧陶瓷，低温共烧陶瓷具有与加速度敏感芯片相近的热膨胀系数，在温度变化时，会产生较低的热应力，同时，低温共烧陶瓷基座还可以制作至少一层垂直互联结构，可提升系统集成度。

除了低温共烧陶瓷，本领域的技术人员还可以根据具体需要选择氧化铝、氮化铝等其它可以用于MEMS传感器封装的陶瓷材料，选择时可从成本、应力匹配等角度出发考虑。

一方面，所述陶瓷基座1的膨胀系数与加速度计敏感芯片比较接近，从而降低了MEMS加速度计的温度系数；另一方面，陶瓷基座1也具有快速散热和热传导性，可以迅速的将温度变化传导给温度传感器3。而且温度传感器3被设置在紧邻所述加速度敏感芯片2的位置上。这样可以快速地检测到加速度敏感芯片2的温度变化。集成电路9则可以根据温度变化来对加速度敏感芯片2的检测结果进行补偿，实现测量精度。

参照图1，为MEMS传感器封装结构一种实施例，为三层陶瓷基座结构，陶瓷基座1上设置有加速度敏感芯片2及其配套的集成电路9、温度传感器3，陶瓷基座1的顶层11及底层13分别设置有多个金属焊盘6，陶瓷基座1层与层之间设置有导线，用于连接加速度敏感芯片2、温度传感器3以及集成电路9；所述温度传感器3设置在所述加速度敏感芯片2旁；所述陶瓷基座顶层11的金属焊盘6与MEMS传感器的引线8连接，采用共晶焊的方式焊接，所述陶瓷基座底层13的金属焊盘6与外部电路连接。

参照图2，为MEMS传感器封装结构另一种实施例，为单层陶瓷基座结构，所有导线布设在所述陶瓷基座1的表面。其他部件，例如加速度敏感芯片，与图1所示的实施例相似，本领域技术人员可以根据其MEMS加速度计的具体结构对陶瓷基座的层数以及布线方式进行适应性修改，因此不再赘述。

参照图3，为MEMS传感器封装结构另一种实施例，为十层陶瓷基座结构，每层陶瓷基座1在烧结后的厚度大约为1000微米，能够充分满足MEMS传感器封装基座所需要的刚度。对于材料和结构一定的加速度计敏感芯片而言，陶瓷基座的厚度与其产生的热膨胀或收缩的应力成反比；而且陶瓷基座1层与层之间设置的导线与各电子元件可以有无数种连接方式，完全适应陶瓷基座1上各电子元件的任何布局方式。

参照图9和10，本发明中的加速度敏感芯片2包括框架21、多个测量体，每个测量体包括质量块22及梳齿结构24。所述梳齿结构24包括从所述质量块22上延伸出的活动梳齿25，以及与活动梳齿25相间隔的固定梳齿26。通电后，活动梳齿25与固定梳齿26之间形成差分检测电容。优选地，所述梳齿结构24的数量为四组，第一组梳齿结构241和第二组梳齿结构242、第三组梳齿结构243和第四组梳齿结构244分别交叉设置在质量块22的两端。在因加速度产生位移时，第一组梳齿结构241、第二组梳齿结构242与第三组梳齿结构243、第四组梳齿结构244活动间隙变化方向相反，其中，第一组梳齿结构241和第二组梳齿结构242活动间隙变化方向相同，输出一电信号，第三组梳齿结构243和第四组梳齿结构244活动间隙变化方向相同，输出一电信号。所述第一组梳齿结构241和第二组梳齿结构242分别输出一信号，集成电路9对输出的两组信号进行汇总处理，并输出一总信号；第三组梳齿结构243和第四组梳齿结构244分别输出一信号，集成电路9对输出的两组信号进行汇总处理，并输出另一总信号。所述集成电路9根据这两组总信号通过控制算法来测量加速度。

所述第一组梳齿结构241和第二组梳齿结构242的极性相同，所述第三组梳齿结构243和第四组梳齿结构244的极性相同，在实施例中，当外界有一向右的加速度时，所述第一组梳齿结构241和第二组梳齿结构242中活动梳齿25与固定梳齿26之间的活动间隙会增大，所述第三组梳齿结构243和第四组梳齿结构244中活动梳齿25与固定梳齿26之间的活动间隙会减小，使得本加速度计输出两组加速度数据，从而提高了所述加速度计的检测精度。

当温度或应力变化时，活动梳齿25和固定梳齿26之间的间隙会因温度或应力的变化而产生变化，差分检测电容的输出值也会因为间隙的大小变化而变化。然而，本发明中的第一组梳齿结构241和第二组梳齿结构242、第三组梳齿结构243和第四组梳齿结构244的间隙变化方向相反，因同一质量块22上所感受到的温度或应力基本一致，每个梳齿结构之间活动间隙的增大与减小的形变量也基本相同，而所述第一组梳齿结构241和第二组梳齿结构242的极性相同，所述第三组梳齿结构243和第四组梳齿结构244的极性相同，故所述第一组梳齿结构241和第二组梳齿结构242因形变量导致的差分电容变化量抵消，所述第三组梳齿结构243和第四组梳齿结构244因形变量导致的差分电容变化量抵消。因此，加速度敏感芯片2的整体检测电容变化量是不变的。从而抑制了因外部环境的温度或应力变化产生的共模误差，保证了加速度计在温度变化或应力变化下的稳定性。同时，紧邻所述加速度敏感芯片2的温度传感器3可以迅速的检测到温度的变化，并快速地对加速度敏感芯片2的检测结果进行补偿。这样降低了加速度计的温度滞回，此外，多个所述测量体通过竖质量块相互连接，形成质量块22整体，其中，所述质量块22整体外还设置有一框架21，所述质量块22整体通过支撑梁与所述框架21相连接，所述支撑梁设置在所述质量块22整体的四个端角。所述框架21上还设置有防撞止挡27，所述防撞止挡27与质量块22之间的止挡间隙为1-3微米。由于MEMS传感器通常为纳米级结构，其活动梳齿25与固定梳齿26之间的间隙，以及梳齿自身的宽度都非常的细小。当外界的加速度过大时，活动梳齿25与固定梳齿26可能会发生碰撞，造成梳齿的形变，甚至折断。在框架21上设置的防撞止挡27可以起一定的防吸合作用，能够有效地防止因外界加速度过大失效。

参照图4至图7，本发明还提供了一种MEMS传感器封装结构的封装方法，主要包括以下步骤：

第一步、根据MEMS芯片与陶瓷基座的热膨胀系数是否匹配，结构尺寸、电路复杂度以及其封装需求来选择陶瓷基座，所用陶瓷基座常用的有氧化铝、氮化铝、微晶玻璃等，此外还包含氧化铍、碳化硅等。在本实施例中，所述陶瓷基座为低温共烧陶瓷基座。

第二步、将侧壁4与所述陶瓷基座1连接；

第三步、将MEMS传感器固定在所述陶瓷基座1上，将所述MEMS传感器的引线8与所述陶瓷基座顶层11的金属焊盘6连接；

第四步、将所述侧壁4与顶盖5相连接。

其中，所述侧壁4与所述陶瓷基座1的连接方式为共晶焊接、所述侧壁4与所述顶盖5的连接方式采用平行缝焊气密性封装工艺，本实施例中，所述共晶焊接的焊料为金锡合金，重量组分为金80％和锡20％，熔点为280℃，在250～400℃焊接；平行缝焊是一种电阻焊，其原理是在高阻点处产生大量的热，由于热量非常集中，能使盖板与管座焊环的接触处呈熔融状态，凝固后形成一连串的焊点，而焊点能相互交叠，这样就形成了气密性缝焊，达到密封的目的。

本发明可用于中低精度的MEMS传感器中，不需要精密在线调试，降低了成本；也可用于高成品率、一致性较高的MEMS芯片，此时采用一次封装，一次成型工艺。

本发明用于封装MEMS传感器，相比较于IC集成器件封装和金属管壳封装极大地降低了封装开模成本和工艺复杂度，并且可以实现在单腔体内，同时方便封装多个MEMS传感器(如三个MEMS加速度计及三个MEMS陀螺仪组成的IMU)同时加上其处理电路(如DSP电路、MCU电路等)在一个腔体内的大规模布板布线。通过采用陶瓷基底材料，将MEMS传感器、其配套的处理电路设置于基座中。并可以实现大规模电路的多层布线，从而解决了采用现有的LCC封装管壳及金属管壳封装造成的走线困难局面。

通过本发明的实施，本发明还具有以下优点：

多层陶瓷基座1是烧结而成的一体化结构，气密性出色，理化特性好，适用于高温高湿等恶劣环境，具有优良的电互连特性，多层陶瓷基座1可并行加工，侧壁4及顶盖5可利用现有机加工方法和模具，总的封装成本低；在基座表面的开孔和侧壁4与陶瓷基座顶层11的形状可以灵活选择，因此封装方式的适用性好；基座散热性好，可支持大功率器件；容易实现垂直互连，可以在基座内部集成更多的、垂直互连的芯片三维叠层，从而留出宝贵的芯片表面空间，大幅度提升空间利用率、智能化程度和集成密度；所述MEMS传感器能够适应-45度的极限低温环境。

最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。

Claims (12)

1.一种MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

陶瓷基座，所述陶瓷基座的顶层及底层分别设置有多个金属焊盘；所述陶瓷基座顶层的金属焊盘与MEMS传感器的引线连接，所述MEMS传感器设置在所述陶瓷基座上，所述陶瓷基座底层的金属焊盘与外部电路连接；所述陶瓷基座为至少一层垂直互联结构；

一侧壁，由可伐合金制成，所述侧壁位于所述陶瓷基座上，与所述陶瓷基座连接；

一顶盖，由可伐合金制成，所述顶盖与所述侧壁连接。

2.根据权利要求1所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述陶瓷基座为多层垂直互联结构，层与层之间设有导线。

3.根据权利要求1所述的MEMS传感器封装结构，其特征在于，所述侧壁上设置有能与外部电路焊接的电极连接点。

4.一种如权利要求1-3任一项所述的一种MEMS传感器封装结构的封装方法，主要包括以下步骤：

第一步、根据MEMS传感器选择相应的陶瓷基座；

第二步、将侧壁与所述陶瓷基座连接；

第三步、将MEMS传感器固定在所述陶瓷基座上，将所述MEMS传感器的引线与所述陶瓷基座顶层的金属焊盘连接；

第四步、将所述侧壁与顶盖相连接。

5.根据权利要求4所述的MEMS传感器封装结构的封装方法，其特征在于，所述侧壁与所述陶瓷基座的连接方式为焊接、所述侧壁与所述顶盖的连接方式采用平行缝焊。

6.根据权利要求4所述的MEMS传感器封装结构的封装方法，其特征在于，所述MEMS传感器与所述陶瓷基座的连接方式采用共晶焊接、或者胶粘的方式。

7.根据权利要求6所述的MEMS传感器封装结构的封装方法，其特征在于，所述共晶焊接的焊料为金锡合金，重量组分为金80％和锡20％，在250～400℃焊接。

8.一种采用权利要求1-3任一所述的MEMS传感器封装结构的MEMS加速度计，其特征在于，所述MEMS传感器封装结构中封装有加速度敏感芯片、温度传感器以及集成电路；所述加速度敏感芯片、温度传感器以及集成电路设置在所述陶瓷基座上；所述温度传感器紧邻所述加速度敏感芯片；所述集成电路分别与所述加速度敏感芯片以及所述温度传感器通过导线相电连接。

9.根据权利要求8所述的MEMS加速度计，其特征在于，所述加速度敏感芯片包括多个测量体；每个所述测量体包括：质量块以及梳齿结构；所述梳齿结构包括从所述质量块上延伸出的活动梳齿，以及与所述活动梳齿相互间隔设置的固定梳齿，所述活动梳齿与所述固定梳齿之间形成有差分检测电容；所述梳齿结构为四组，其中，在因加速度产生位移时，第一组梳齿结构、第二组梳齿结构与第三组梳齿结构、第四组梳齿结构活动间隙变化方向相反，第一组梳齿结构和第二组梳齿结构输出一电信号，第三组梳齿结构和第四组梳齿结构输出一电信号。

10.如权利要求9所述的MEMS加速度计，其特征在于，在其中一个所述测量体中，所述梳齿结构为四组，其中，在膨胀或收缩时，第一组梳齿结构和第二组梳齿结构活动间隙变化方向相反，第三组梳齿结构和第四组梳齿结构活动间隙变化方向相反。

11.如权利要求9所述的MEMS加速度计，其特征在于，多个所述测量体通过竖质量块相互连接，形成质量块整体，其中，所述质量块整体外还设置有框架，所述质量块整体通过支撑梁与所述框架相连接，所述支撑梁设置在所述质量块整体的四个端角，所述框架上设有防撞止挡，其止挡间隙为1～3微米。

12.如权利要求8所述的MEMS加速度计，其特征在于，所述温度传感器为微型铂电阻温度传感器，所述温度传感器通过导热胶粘结在所述陶瓷基座上。