CN103946991B - 太阳能电池装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种太阳能电池装置及其制备方法。根据实施例所述的太阳能电池装置包括：形成在支撑基板上的太阳能电池；在所述太阳能电池上的包括光固化聚合物的聚合物粘合层；以及在所述聚合物粘合层上的保护面板。

Description

太阳能电池装置及其制造方法
技术领域
实施例涉及太阳能电池装置及其制造方法。
背景技术
太阳能电池可以定义为利用光照射在P-N结二极管上时产生电子的光伏效应将光能转化成电能的装置。根据构成结型二极管的材料，太阳能电池可以分为硅太阳能电池、主要包含I-III-VI族化合物或III-V族化合物的化合物半导体太阳能电池、染料敏化太阳能电池以及有机太阳能电池。
太阳能电池的最小组成是单元。一般来说，一个单元产生约0.5V至约0.6V的非常小的电压。因此，将多个单元在基板上相互串联起来以产生几伏到几百伏电压的面板结构被称作是模块，具有若干安装在框架内的模块的结构被称作是太阳能电池装置。
通常情况下，太阳能电池装置具有如下结构：玻璃/填充材料(乙烯-醋酸乙烯酯，EVA)/太阳能电池/填充材料(EVA)/表面材料(背板)。一般地，所述玻璃包括低铁钢化玻璃。所述玻璃必须呈现高透光率，并进行处理以减小入射光的表面反射损失。所述填充材料插在所述太阳能电池的前面/背面与所述表面材料之间，以保护脆弱的太阳能电池。一般地，所述填充材料包括热塑性聚合物或热固性聚合物，例如EVA。可以通过在所述太阳能电池上涂覆聚合物、然后同时施加热和压力来制备所述填充材料。然而，当对所述填充材料进行加热过程时，会产生气泡。另外，初期投资成本增加，并且有缺陷产品的返工比较困难。此外，如果所述填充材料长时间暴露在紫外线下，则所述填充材料会变色，并且所述填充材料的防潮性会降低。
发明内容
技术问题
实施例提供一种使用光固化聚合物作为聚合物粘合层的太阳能电池装置及其制造方法。
技术方案
根据实施例所述的太阳能电池装置包括形成在支撑基板上的太阳能电池；在所述太阳能电池上的包括光固化聚合物的聚合物粘合层；以及在所述聚合物粘合层上的保护面板。
根据实施例所述的太阳能电池装置的制造方法包括以下步骤：在支撑基板上制备太阳能电池；在所述太阳能电池上形成聚合物粘合层；在所述聚合物粘合层上形成保护面板。
有益效果
根据实施例所述的太阳能电池装置，采用光固化聚合物替代普通的热塑性/热固性聚合物来形成聚合物粘合层。使用光固化聚合物形成的聚合物粘合层可以更容易地进入所述太阳能电池的微图形中，从而使水汽(H2O)或氧气(O2)渗入太阳能电池最小化。就是说，实施例所述的太阳能电池装置的稳定性和可靠性可以得到提高。
另外，根据本实施例中的太阳能电池装置的制造方法，在照射光之前，可以检查太阳能电池上气泡的存在。因此，当产生了缺陷时，在查出缺陷后可以容易地进行返工。另外，与热过程相比，光照射过程可以较稳定而连续地进行，因此，可以低成本大量地在太阳能电池上涂覆所述聚合物粘合层。
附图说明
图1和图2是剖视图，示出了实施例所述的太阳能电池装置；以及
图3至图7是剖视图，示出了实施例所述的太阳能电池装置的制造方法。
具体实施方式
在实施例的描述中，应该明白，当某一基板、层、膜或者电极被称作是在另一基板、另一层、另一膜或另一电极的“上方”或“下方”时，它可以是“直接”或者“间接”位于该另一基板、层、膜或电极的上方或下放，或者也可以存在一个或多个中间层。层的这种位置参照附图进行了描述。附图所示的要素的尺寸可以为了说明的目的而夸大，可以并不完全反映实际尺寸。
图1和图2是剖视图，示出了实施例所述的太阳能电池装置。参看图1和图2，本实施例所述的太阳能电池装置包括支撑基板10、太阳能电池20、聚合物粘合层30，保护面板40和框架50。
支撑基板10支撑太阳能电池20、聚合物粘合层30以及保护面板40。
支撑基板10可以为刚性面板或柔性面板。另外，支撑基板10可以包括绝缘体。例如，支撑基板10可以包括玻璃基板、塑料基板或者金属基板。更详细地说，支撑基板10可以包括钠钙玻璃基板。此外，支撑基板10可以包括含有氧化铝的陶瓷基板、不锈钢或者具有柔韧性能的聚合物。
太阳能电池20形成在支撑基板10上。太阳能电池20包括多个单元(C1、C2、C3…以及Cn)，这些单元相互间电连接。因此，太阳能电池20可将太阳光转化为电能。
例如，所述单元C1、C2、C3…以及Cn可以彼此串联连接，但本实施例不限于此。此外，所述单元C1、C2、C3…以及Cn可以相互并联地向一个方向延伸。
太阳能电池20可以是包括I-III-IV族半导体化合物的CIGS太阳能电池、硅太阳能电池、或染料敏化太阳能电池，但本实施例不限于此。
详细地说，太阳能电池20可以包括I-III-IV族半导体化合物。参看图2，太阳能电池20包括形成在支撑基板10上的背电极层200、形成在背电极层200上的光吸收层300、形成在光吸收层300上的缓冲层400、形成在缓冲层400上的高阻缓冲层500、以及形成在高阻缓冲层500上的前电极层600。
聚合物粘合层30设置在太阳能电池20上。详细地说，聚合物粘合层30设置于太阳能电池20与保护面板40之间。比如，聚合物粘合层30可以直接与太阳能电池20的上表面和/或侧面接触。聚合物粘合层30可以提高太阳能电池20与保护面板40之间的粘合强度，并保护太阳能电池20免受外部冲击。
聚合物粘合层30可以包括光固化聚合物。也就是说，聚合物粘合层30利用光固化聚合物形成。详细地说，聚合物粘合层30由光固化聚合物构成。光固化聚合物由紫外线进行固化，并且是透明的。在本实施例中，可以使用本领域中广为人知的各种光固化聚合物，没有特别的限制。
光固化聚合物可以包括反应性低聚物、反应性单体以及光引发剂。此外，光固化聚合物可进一步包括添加剂，例如隔离剂、增滑剂、塑化剂、表面活性剂或分散剂。
例如，光固化聚合物可以包括约25wt％至约79wt％的反应性低聚物、约19.9wt％至约60wt％的反应性单体、约1wt％至约10wt％的光引发剂、以及约0.1wt％至约5wt％的添加剂，当然，本实施例不限于此。
所述反应性低聚物可以包括从环氧基树脂(epoxy-based resin)、聚氨酯基树脂、聚酯基树脂、硅基树脂、聚烯/聚硫醇基树脂(polyene/polythiol basedresin)、螺环基树脂(spiran based resin)、环氧树脂或其组合所构成的组中选出的至少一者。详细地说，所述反应性低聚物可以包括环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯或者含硅丙烯酸脂。
另外，可以使用本领域中熟知的各种反应性单体，没有特别的限制。主要使用丙烯酸酯基反应性单体。例如，所述反应性单体可以包括从季戊四醇三丙烯酸酯(pentaeritriol triacrylate，PETA)、二季戊四醇五丙烯酸酯(dipentaeritritol pentaacrylate，DPPA)、二季戊四醇六丙烯酸酯(dipentaeritritolhexaacrylate，DPHA)、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(trimethylolpropantriacrylate，TMPTA)、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸以及甲基丙烯酸甲酯(methyl metaacrylate)所构成的组中选出的至少一者。
另外，所述光引发剂可以包括安息香烷基醚(Benzionalkylether)、二苯甲酮(Benzophenone)、安息香双甲醚(Benzyl dimethylkatal)、羟基环己基苯基甲酮(Hydroxycyclohexylphenyletone)、二氯苯乙酮(1,1-Dichloro acetophenone)、或2-氯噻吨酮(2-Chloro thioxanthone)。详细地说，采用基于α羟基酮的光引发剂，以便保持透明度。
如上所述，根据本实施例中的太阳能电池装置，采用光固化聚合物取代常规的热塑性或热固性聚合物来形成所述聚合物粘合层。采用光固化聚合物形成的聚合物粘合层的可以容易地渗透入微图形(例如，所述太阳能电池的第三划分图形P3)中，从而使水汽(H2O)或氧气(O2)渗入所述太阳能电池最小化，就是说，本实施例所述的太阳能电池装置的稳定性和可靠性可以得到提高。
保护面板40设置于聚合物粘合层30上。保护面板40可以保护太阳能电池20免受外部物理冲击和/或杂质。保护面板40是透明的。例如，保护面板40包括钢化玻璃，该钢化玻璃可以包括低铁钢化玻璃。
框架50围绕太阳能电池20。详细地说，框架50可以围绕太阳能电池20的侧面。例如，参看图1，在支撑基板10、太阳能电池20、聚合物粘合层30以及保护层40的侧面可以形成同一切割面，而框架50可以围绕该同一切割面。
同时，虽然没有在附图中示出，但在框架50与太阳能电池20之间可以设置密封件(未示出)。所述密封件具有优异的粘合性和耐久性。
所述框架和密封件(未示出)可防止杂质进入太阳能电池20。详细地说，所述框架和密封件(未示出)可以防止杂质(诸如外部水汽或灰尘)进入太阳能电池20的侧面。
图3至图7是剖视图，示出了本实施例所述的太阳能电池装置的制造方法。
参看图3至图6，太阳能电池20形成在支撑基板10上。首先，在支撑基板10上形成背电极层200。背电极层200为导电层。背电极层200可以采用Mo、Au、Al、Cr、W和Cu之一形成。
背电极层200可以通过在支撑基板10上形成背电极、然后形成第一图形P1以划分所述背电极来形成。第一图形P1可以通过光刻方法形成。背电极层200被第一图形P1划分。就是说，背电极层200由第一图形P划分成多个背电极。
参看图4，在背电极层200上顺序形成光吸收层300、缓冲层400以及高阻缓冲层500。
光吸收层300包括I-III-VI族化合物。例如，光吸收层300可以具有CIGSS(Cu(IN,Ga)(Se,S)2)晶体结构、CISS(Cu(IN)(Se,S)2)晶体结构、或CGSS(Cu(Ga)(Se,S)2)晶体结构。
光吸收层300可以通过溅射过程或者蒸发过程形成。详细地说，为了形成光吸收层300，利用Cu、In和Ga靶在背电极层200上形成CIG金属前体层。该金属前体层通过硒化过程与Se反应，使得CIGS光吸收层300得以形成。
可以通过化学浴沉积(CBD)方案在光吸收层300上沉积CdS，从而形成缓冲层400。另外，通过溅射过程在缓冲层400上沉积ZnO，从而形成高阻缓冲层500。而后，在光吸收层300、缓冲层400以及高阻缓冲层500上形成第二图形P2。
参看图5，通过在高阻缓冲层500上沉积透明导电材料，在高阻缓冲层500上形成前电极层600。通过在光吸收层300上形成前电极、然后形成第三图形P3以划分该前电极，可以形成前电极层600。
可以通过机械方法形成第三图形P3，使得背电极层200可以部分地露出。例如，第三图形P3的宽度可以在约80微米至约200微米的范围内，但本实施例不限于此。
参看图6，在通过上述过程制备的太阳能电池20上形成聚合物粘合层30。可以通过下述步骤形成聚合物粘合层30：在太阳能电池20上覆盖光固化聚合物；通过用紫外线照射所述光固化聚合物对所述光固化聚合物进行固化。
所述光固化聚合物可以包括反应性低聚物、反应性单体以及光引发剂。此外，所述光固化聚合物可进一步包括添加剂，例如隔离剂、增滑剂、塑化剂、表面活性剂或分散剂。
例如，所述光固化聚合物可以包括约25wt％至约79wt％的反应性低聚物、约19.9wt％至约60wt％的反应性单体、约1wt％至约10wt％的光引发剂、以及约0.1wt％至约5wt％的添加剂，但本实施例不限于此。
所述反应性低聚物可以包括从环氧基树脂(epoxy-based resin)、聚氨酯基树脂、聚酯基树脂、硅基树脂、聚烯/聚硫醇基树脂(polyene/polythiol based resin、螺环基树脂(spiran based resin)、环氧树脂或其组合所构成的组中选出的至少一者。详细地说，所述反应性低聚物可以包括环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯或者含硅丙烯酸脂。
另外，可以使用本领域中熟知的各种反应性单体，没有特别的限制。主要使用丙烯酸酯基反应性单体。例如，所述反应性单体可以包括从季戊四醇三丙烯酸酯(pentaeritriol triacrylate，PETA)、二季戊四醇五丙烯酸酯(dipentaeritritol pentaacrylate，DPPA)、二季戊四醇六丙烯酸酯(dipentaeritritolhexaacrylate，DPHA)、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(trimethylolpropantriacrylate，TMPTA)、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸以及甲基丙烯酸甲酯(methyl metaacrylate)所构成的组中选出的至少一者。
另外，所述光引发剂可以包括安息香烷基醚(Benzionalkylether)、二苯甲酮(Benzophenone)、安息香双甲醚(Benzyl dimethylkatal)、羟基环己基苯基甲酮(Hydroxycyclohexylphenyletone)、二氯苯乙酮(1,1-Dichloro acetophenone)、或2-氯噻吨酮(2-Chloro thioxanthone)。详细地说，采用基于α羟基酮的光引发剂，以便保持透明度。
在太阳能电池20上涂覆具有上述成分的光固化聚合物。例如，可以通过旋涂法、丝网印刷法、棒涂法、喷墨法或浸渍法在太阳能电池20上涂覆所述光固化聚合物，但本实施例不限于此。
根据本实施例中的太阳能电池装置的制造方法，在太阳能电池20上涂覆所述光固化聚合物之后，可以检查太阳能电池20上气泡的存在。因此，如果在太阳能电池20上产生了气泡，则再次进行所述涂覆过程，从而减少了由所述气泡导致的缺陷率。
然后，使光照射到所述光固化聚合物上。此时，光的波长较短。详细地说，用紫外线照射到所述光固化聚合物上。例如，所述光的波长在约150nm至约400nm的范围内，但本实施例不限于此。根据一个实施例中的太阳能电池装置的制造方法，利用UV固化设备使约1000mJ/cm2至约9000mJ/cm2数量的光均匀地照射在所述光固化聚合物上约1分钟至约60分钟，以对所述光固化聚合物进行固化。
如上所述，与采用热塑性或热固性树脂形成的常规聚合物粘合层相比，采用光固化聚合物形成的聚合物粘合层30可以更容易地进入所述太阳能电池的微图形中。参看图6，本实施例所述的光固化聚合物可以更容易地渗入微图形(例如，太阳能电池20上的第三图形P3)中，从而可以使水汽(H2O)或氧气(O2)渗入太阳能电池最小化。就是说，本实施例所述的太阳能电池装置的稳定性和可靠性可以得到提高。另外，与热过程相比，光照射过程可以更加稳定而连续地进行，因此，所述聚合物粘合层能够以较低的成本大量地涂覆在太阳能电池上。
在本说明书中每提及“一个实施例”、“某个实施例”、“示例性实施例”等时意味着，结合该实施例描述的具体特征、结构、或特性包含在本发明的至少一个实施例中。在本说明书中不同地方出现的此类短语不一定都是指同一实施例。另外，当结合任何实施例描述具体特征、结构、或特性时，应当认为，结合其他实施例实现该特征、结构、或特性落入本领域技术人员的能力范围内。
虽然参照本发明的若干说明性实施例对实施例进行了描述，但应该知道，本领域技术人员可以构思出很多其它的变型和实施例，这些变型和实施例落入本发明原理的精神和范围内。更具体地讲，在本发明公开、附图和所附权利要求书的范围内，可以对主题组合结构的组成部分和/或排列作出各种改变和变型。除了所述组成部分和/或排列的改变和变型之外，其它用途对于本领域技术人员而言也是显然的。

Claims (15)

1.一种太阳能电池装置，包括：
太阳能电池，该太阳能电池包括顺序设置在支撑基板上的背电极层、光吸收层和前电极层；
在所述太阳能电池上的包括光固化聚合物的聚合物粘合层；以及
在所述聚合物粘合层上的保护面板，
其中，所述太阳能电池包括：
第一图形，用于划分所述背电极层；
第二图形，形成在光吸收层、缓冲层、高阻缓冲层上；以及
第三图形，用于划分所述前电极层，
其中，所述聚合物粘合层与所述太阳能电池的顶表面和侧表面接触，
其中，所述聚合物粘合层被置于所述第三图形中。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池装置，其中，所述聚合物粘合层包括反应性低聚物、反应性单体以及光引发剂。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池装置，其中，所述聚合物粘合层进一步包括添加剂。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池装置，其中，所述添加剂包括隔离剂、增滑剂、塑化剂、表面活性剂或分散剂。
5.根据权利要求2所述的太阳能电池装置，其中，所述反应性低聚物包括从环氧基树脂(epoxy-based resin)、聚氨酯基树脂、聚酯基树脂、硅基树脂、聚烯/聚硫醇基树脂(polyene/polythiol based resin)、螺环基树脂(spiran basedresin)、环氧树脂及其组合所构成的组中选出的一者。
6.根据权利要求2所述的太阳能电池装置，其中，所述反应性低聚物包括环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯或者含硅丙烯酸脂。
7.根据权利要求2所述的太阳能电池装置，其中，所述反应性单体包括从季戊四醇三丙烯酸酯(pentaeritriol triacrylate，PETA)、二季戊四醇五丙烯酸酯(dipentaeritritol pentaacrylate，DPPA)、二季戊四醇六丙烯酸酯(dipentaeritritol hexaacrylate，DPHA)、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(trimethylolpropantriacrylate，TMPTA)、丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯、丙烯酸以及甲基丙烯酸甲酯(methyl metaacrylate)所构成的组中选出的至少一者。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池装置，其中，在所述支撑基板、所述太阳能电池、所述聚合物粘合层以及所述保护面板的侧面形成同一切割面，并且所述太阳能电池装置还包括围绕该同一切割面的框架。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池装置，还包括在所述太阳能电池与所述框架之间的密封件。
10.一种太阳能电池装置的制造方法，该方法包括：
通过在支撑基板上顺序形成背电极层、光吸收层以及前电极层制备太阳能电池；
在所述太阳能电池上形成聚合物粘合层；以及
在所述聚合物粘合层上形成保护面板，
其中，所述太阳能电池包括：
第一图形，用于划分所述背电极层；
第二图形，形成在光吸收层、缓冲层、高阻缓冲层上；以及
第三图形，用于划分所述前电极层，
其中，所述聚合物粘合层与所述太阳能电池的顶表面和侧表面接触，
其中，所述聚合物粘合层被置于所述第三图形中。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述聚合物粘合层包括：
在所述太阳能电池上涂覆光固化聚合物；以及
通过在所述光固化聚合物上照射紫外线使所述光固化聚合物固化。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述光固化聚合物包括反应性低聚物、反应性单体以及光引发剂。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述反应性低聚物包括从环氧基树脂(epoxy-based resin)、聚氨酯基树脂、聚酯基树脂、硅基树脂、聚烯/聚硫醇基树脂(polyene/polythiol based resin)、螺环基树脂(spiran based resin)、环氧树脂及其组合所构成的组中选出的一者。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述反应性低聚物包括环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯或者含硅丙烯酸脂。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述光固化聚合物通过旋涂法、丝网印刷法、棒涂法、喷墨法或者浸渍法涂覆在所述太阳能电池上。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101460915B1 (ko) * 2013-12-06 2014-11-17 희성전자 주식회사 다중접합 태양 전지의 분리 방법 및 이에 따라 제조된 다중접합 태양 전지 구조
HUE046733T2 (hu) * 2015-04-08 2020-03-30 Flisom Ag Vékonyréteg eszköz elektromosan szigetelõ réteggel

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001036118A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Sharp Corp 太陽電池モジュールおよびその製造方法
WO2010110587A2 (ko) * 2009-03-23 2010-09-30 주식회사 베스트룸 태양전지 모듈의 제조방법 및 그에 따라 제조된 태양전지 모듈

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007527109A (ja) * 2003-07-07 2007-09-20 ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション 太陽電池の封入
US7531740B2 (en) * 2006-12-22 2009-05-12 Lumeta, Inc. Photovoltaic module for roofs
FR2941888B1 (fr) * 2009-02-06 2011-03-25 Arkema France Utilisation d'un film compose de polyolefine dans un module photovoltaique
CN101654607B (zh) * 2009-09-08 2013-01-16 烟台德邦科技有限公司 一种高纯度光热-双固化胶粘剂及其制备方法
US8962986B2 (en) * 2009-10-15 2015-02-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Conductive adhesive, solar cell, method for manufacturing solar cell, and solar cell module
KR101173344B1 (ko) * 2009-10-30 2012-08-10 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001036118A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Sharp Corp 太陽電池モジュールおよびその製造方法
WO2010110587A2 (ko) * 2009-03-23 2010-09-30 주식회사 베스트룸 태양전지 모듈의 제조방법 및 그에 따라 제조된 태양전지 모듈

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