CN103945313A - 芯片布置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

在各种实施例中，公开了一种用于制造芯片布置的方法，该方法包括：将传声器芯片键合到第一载件，传声器芯片包括传声器结构；沉积粘合剂材料使之从传声器结构侧向地布置；并将传声器结构布置到第二载件的空腔中，使得粘合剂材料将传声器芯片固定到第二载件的空腔中。

Description

芯片布置及其制造方法

技术领域

各种实施例总体上涉及芯片布置及其制造方法。

背景技术

图1是示出了常规硅传声器100的截面透视图的示意图。在一些常规的硅传声器微机电系统（MEMS）芯片100中，有效区域包括典型地具有数百纳米的厚度的非常薄的膜102以及悬置在通孔106之上的对电极104。从背侧蚀刻具有膜102的微机电系统（MEMS）芯片100。对电极104典型地也是非常薄的。膜102与对电极104两者均是部分金属化的。声波将冲击在膜102上。这将导致膜102振荡。通过测量由于膜102的振荡所造成的电容改变来检测声波。该传声器的性能通常取决于膜的背侧（即，与其中声波所冲击的前侧相对侧）上的容积。

图2是示出了常规硅传声器200中可能存在的各种部件的图解。该硅传声器包括具有膜204的微机电系统（MEMS）芯片202。MEMS芯片202被安装在基板206上并接线键合至基板206。硅传声器200还可以包括可选的逻辑芯片208。微机电芯片202和可选的逻辑芯片208可以通过多个电引线相连接。硅传声器200还具有盖件210以覆盖微机电芯片202和可选的逻辑芯片208。

图3是示出了另一常规硅传声器300的截面侧视图的示意图。微机电系统（MEMS）芯片302被安装在基板304上。专用集成电路（ASIC）芯片306也被安装到基板304上。ASIC芯片306以接线键合到MEMS芯片302上。ASIC芯片306还以接线键合到基板304。导电性盖件308被用来覆盖MEMS芯片302和ASIC芯片306。盖件308具有允许声音输入或进入的开口或孔310，这样使得声波能够到达MEMS芯片302。MEMS芯片302下方的借助于蚀刻被去除的容积是背侧容积。盖件308可以用作对电磁波的屏蔽、并且因此被电连接到基板304。出于可靠性的原因（诸如保护暴露的铝金属化部分免于腐蚀），ASIC芯片306通常覆盖有聚合物。

常规硅传声器的制造典型地涉及许多处理步骤且/或需要使用复杂的机器。由于背侧容积受到用于制作MEMS芯片的晶片的厚度的限制，因此还难以调整背侧容积来优化硅传声器的性能。

发明内容

在各种实施例中，公开了一种用于制造芯片布置的方法，该方法包括：将传声器芯片键合到第一载件，传声器芯片包括传声器结构；沉积粘合剂材料使之从传声器结构侧向地布置；并将传声器结构布置到第二载件的空腔中，使得粘合剂材料将传声器芯片固定到第二载件的空腔。

附图说明

在附图中，贯穿不同的视图，类似的参考符号总体上指代相同的部分。附图不必是按比例的，而是总体上将重点放在图示本发明的原理。在以下说明中，参照附图对本发明的各种实施例进行描述，在附图中：

图1示出了常规硅传声器的截面透视图；

图2是示出了常规硅传声器中可能存在的各种部件的图解；

图3示出了另一常规硅传声器的截面侧视图；

图4示出了根据各种实施例的芯片布置的截面视图；

图5示出了根据各种实施例的用于制造芯片布置的制造方法；

图6示出了根据各种实施例的芯片布置的截面视图；

图7示出了根据各种实施例的芯片布置的截面视图；

图8（包括图8A至图8E）示出了根据各种实施例的用于制造芯片布置的方法，其中图8A是示出了在沉积粘合剂材料之前的根据各种实施例的包括传声器芯片和另外的芯片的模块的截面侧视图的示意图；其中图8B是示出了在施加粘合剂材料之前的根据各种实施例的位于第一载件上的多个模块的平面顶视图的示意图；其中图8C是示出了在沉积粘合剂材料之后的在图8A中所示的根据各种实施例包括传声器芯片和另外的芯片的模块的截面侧视图的示意图；其中图8D是示出了在施加粘合剂材料之后的在图8B中所示的根据各种实施例的位于载件上的模块的平面顶视图；其中图8E是示出了图8C中所示的根据各种实施例的与第二载件布置在一起的第一芯片模块和第二芯片模块的截面侧视图的示意图；

图9示出了根据各种实施例的芯片布置的截面视图；

图10（包括图10A至图10C）示出了根据各种实施例的制造芯片布置的方法；其中图10A是示出了根据各种实施例的位于载件上的多个模块的截面侧视图的示意图；其中图10B是示出了第二载件的示意图，该第二载件在其一侧上具有导电性金属；并且其中图10C示出了被放在一起并被单片化以形成多个芯片布置的第一载件和第二载件。

具体实施方式

以下详细说明参考了附图，这些附图通过图示方式示出了可以实践本发明的具体细节和实施例。

词语“示例性的”在此用来意指“充当一个实例、例子、或图示”。在此被描述为“示例性的”任何实施例或设计不必被解释为是比其他实施例或设计更优选或更有利的。

关于形成在侧或表面“之上”的沉积材料所使用的词语“之上”在此可以用来意指所沉积的材料可以“直接”形成在所暗指的侧或表面上，例如，与其直接接触。关于形成在侧或表面“之上”的沉积的材料所使用的词语“之上”在此可以用来意指所沉积的材料可以“间接地”形成在所暗指的侧或表面上，其中在所暗指的侧或表面与该沉积的材料之间布置有一个或多个附加层。

本公开的各个方面提供了一种改进的芯片布置和一种制造该芯片布置的方法，其能够至少部分地解决上述挑战中的一些。

图4是示出了根据各种实施例的芯片布置400的截面视图的示意图。在各种实施例中，芯片布置400可以包括：第一载件402、键合到第一载件402的传声器芯片404，传声器芯片404包括传声器结构406。芯片布置400可以进一步包括从传声器结构406侧向布置的粘合剂材料408a、408b。芯片布置400可以进一步包括具有空腔412的第二载件410，其中，传声器结构406被布置在第二载件410的空腔412中，使得粘合剂材料408将传声器芯片404固定到第二载件410的空腔412。

粘合剂材料408可以由双面胶带提供，其中例如该胶带的两面都可以涂覆有热熔性材料。在各种实施例中，热熔性材料可以被理解为如下材料，该材料可以在预定的高温下（例如在从约70℃至约230℃范围的温度下、例如在从约140℃至约230℃范围的温度下）被粘性地活化。在各种实施例中，热熔性材料可以包括以下材料中的一种或多种或者可以由其组成：

-聚对苯二甲酸乙二酯（PET），它可以具有在从约70℃至约160℃范围内的活化温度；

-腈橡胶，它可以具有在从约200℃至约220℃范围内的活化温度；

-腈酚醛（nitrilic phenole），它可以具有在从约200℃至约220℃范围内的活化温度；

-酚醛树脂；

-热塑性共聚酰胺；

-等等。

在各种实施例中，热熔过程可以包括首先在约100℃的温度将胶带平滑且柔和地预粘合到第一载件402，之后在约200℃的温度将胶带与第一载件402一起按压到第二载件410。

第一载件402可以由任何合适的材料形成，诸如PET（聚对苯二甲酸乙二酯）（例如，具有溅射的金属屏蔽）、无粘合剂的金属化PI（聚酰亚胺）、或者层压板（聚合物和胶以及金属箔）或例如任何其他合适的金属化聚合物。

第二载件410可以由任何合适的材料形成，诸如任何合适的塑料材料，诸如PVC（聚氯乙烯）、PC（聚碳酸酯）、PET（聚对苯二甲酸乙二酯）或ABS（烷基苯磺酸酯）。

换言之，传声器芯片404被附接到第一载件402。第一载件402使用粘合剂材料408a、408b被附接到第二载件410，使得传声器芯片404被声学地密封在第二载件410的空腔412内。

可以通过调整第二载件410的空腔412的大小来可调整背侧容积。背侧容积可以不再受到用于制造MEMS芯片的晶片的限制。在各种实施例中，空腔412可以具有在从约0.4mm至约2mm范围内（例如在从约0.5mm至约1.5mm范围内、例如在从约0.6mm至约1mm范围内、例如约0.8mm）的深度。此外，空腔412（即，由粘合剂材料408a、408b布置在其上的水平边缘限定的、传声器结构伸入其中的中空空间）可以具有在从约1mm至约3mm的范围内（例如在从约1.2mm至约2mm的范围内、例如在从约1.3mm至约1.5mm的范围内）的长度和/或宽度（在圆形表面形状的情况下，是直径）。

图5是展示了根据各种实施例的制造芯片布置的方法500的示意图。根据各种实施例，用于制造芯片布置的方法500可以包括：将传声器芯片键合到第一载件，传声器芯片包括传声器结构（在502中）；沉积粘合剂材料使之从传声器结构侧向地布置（在504中）；并将传声器结构布置到第二载件的空腔中，使得粘合剂材料将传声器芯片固定到第二载件的空腔（在506中）。

换言之，具有微芯片结构的传声器芯片可以结合到第一载件。粘合剂材料可以从微芯片结构侧向地沉积。可以使用粘合剂材料将第一载件附接到第二载件，使得传声器芯片被声学地密封在第二载件的空腔中。

各种实施例可以提供一种用于形成传声器的简单且具有成本效益的方法。

在各种实施例中，传声器结构可以被布置到第二载件的空腔中，使得粘合剂在第一载件与第二载件之间形成声学密封。在各种实施例中，将传声器结构布置到第二载件的空腔中可以包括将第一载件按压到第二载件的空腔中。在各种实施例中，可以在从约150℃至约250℃的温度使用在从约50N至约150N范围内的压力来进行按压。

在各种实施例中，传声器芯片可以经由倒装芯片键合被键合到第一载件。在各种实施例中，将传声器芯片键合到第一载件可以包括基板上倒装芯片工艺。倒装芯片键合可以指将半导体芯片与载件互连的工艺。倒装芯片技术可以使得有可能增加载件上元件的组装密度，并且与接线键合技术相比可以允许更直接且更稳定的电互连。

在各种实施例中，多个传声器芯片可以键合到第一载件。换言之，该方法可以进一步包括将另外的多个传声器芯片键合到第一载件上，每个后续传声器芯片都包括传声器结构。该方法还可以进一步包括沉积粘合剂材料使之从多个传声器结构中的每个传声器结构侧向地布置。该方法可以进一步包括将多个传声器结构中的每个传声器结构布置到第二载件的多个空腔中的空腔中，使得粘合剂材料将多个传声器芯片中的每个传声器芯片固定到第二载件的多个空腔中的每个空腔。该方法还可以进一步包括将第一载件与第二载件单片化以形成多个芯片布置。可以使用单一工艺来同时制造多个芯片布置，从而可能产生较低的制造成本。

在各种实施例中，该传声器结构可以包括被配置成接收音波的至少一个膜。在各种实施例中，该至少一个膜可以包括至少一个电极。传声器结构可以进一步包括至少一个对电极。每个对电极可以与每个膜间隔开，使得对电极与膜中的至少一个电极形成电容性结构。当膜接收到音波时，膜可以偏转或振荡，从而改变对电极与膜中至少一个电极之间的距离。电容性结构的电容可以因此发生变化。以这种方式，传声器结构可以能够检测到音波。

在各种实施例中，传声器芯片包括耦合到对电极上的第一电互连和耦合到膜中的至少一个电极上的第二电互连。第一电互连和第二电互连可以被配置成电耦合到另外的芯片或者芯片布置中的电互连或者外部电互连。电互连可以被配置成将电信号从传声器芯片中携带出来。电信号可以是由于该膜的偏转或振荡而由传声器芯片产生的。在各种实施例中，电互连可以被配置成将电信号携带进入传声器芯片中。电信号可以用来例如控制膜的刚度。

在各种实施例中，另外的芯片被键合到第一载件，其中另外的芯片被电耦合到传声器芯片。在各种实施例中，另外的芯片被电耦合到传声器芯片。另外的芯片可以经由第一载件电耦合到传声器芯片。与接线键合技术相比，这可以提供更稳健且更稳定的电互连。可替代地，在各种实施例中，另外的芯片可以经由接线键合件电耦合到传声器芯片。在各种实施例中，另外的芯片可以经由第一载件并且经由接线键合件而电耦合到传声器芯片。

在各种实施例中，另外的芯片可以被配置成处理由传声器芯片发出的多个信号。换言之，另外的芯片被配置成对从传声器芯片接收到的一个或多个信号进行信号处理。在各种实施例中，另外的芯片可以被配置成控制传声器芯片，诸如变化传声器芯片的灵敏度。另外的芯片可以包括逻辑芯片或者可以包括专用集成电路（ASIC）芯片。在各种实施例中，另外的芯片可以是或者可以包括硬接线逻辑芯片和/或可编程逻辑芯片（诸如可编程处理器，例如，可编程微处理器）。

在各种实施例中，第一载件可以是芯片卡。在各种实施例中，第一载件可以具有约35mm的宽度。将传声器芯片键合到第一载件可以是芯片卡工艺。这可以允许使用用于制造芯片卡的现有设备、并且可以消除对可能昂贵的专用设备的需要。

在各种实施例中，该用于制造芯片布置的方法可以进一步包括使该粘合剂材料熔化。使粘合剂材料熔化可以包括将粘合剂材料从约110℃加热至约130℃、或者从约100℃加热至约120℃、或者从约105℃加热至约115℃。在各种实施例中，使粘合剂材料熔化包括层压工艺。在各种实施例中，使粘合剂材料熔化包括点胶工艺（dispensing process）或印刷工艺。

在各种实施例中，粘合剂材料包括热熔性材料。热熔性材料也可以被称为热熔性粘合剂。热熔性材料是热塑性粘合剂的一种形式。热熔性材料可以被配置成在施加或沉积前通过加热元件来进行熔化。换言之，该方法可以包括使热熔性材料熔化。所熔化的热熔性材料可以使用层压或点胶或印刷来进行施加或沉积。换言之，使该热熔性材料熔化可以包括层压工艺、或点胶工艺、或印刷工艺。热熔性材料可以被配置成当例如在约25℃的室温从加热元件去除时快速凝固。在各种实施例中，热熔性材料可以被配置成在少于5分钟或少于2分钟或少于1分钟或少于30秒内凝固。换言之，沉积热熔性材料或粘合剂材料可以包括在所熔化的热熔性材料或所熔化的粘合剂材料凝固之前沉积热熔性材料或粘合剂材料。沉积热熔性材料或粘合剂材料可以包括在从加热元件去除后5分钟内、或2分钟内、或1分钟内、或30秒内沉积热熔性材料或粘合剂材料。热熔性材料可以沉积为是从传声器结构侧向地布置的。热熔性材料可以施加到或沉积在第一载件上，其中热熔性材料是从传声器结构侧向地布置的。第一载件与第二载件可以放在一起，使得传声器芯片（即键合到第一载件的传声器芯片）的传声器结构是处于第二载件的空腔中。可以使施加到或沉积在第一载件上的热熔性材料或粘合剂材料与第二载件（直接地或物理地）相接触。在热熔融材料凝固时，传声器芯片可以被固定到第二载件的空腔中。粘合剂材料或热熔性材料可以是从传声器结构侧向地布置的。

可替代地，粘合剂或热熔性材料可以被施加到第二载件上。第一载件和第二载件可以放在一起，使得传声器芯片（即键合到第一载件上的传声器芯片）的传声器结构是处于第二载件的空腔中。可以使施加到或沉积在第二载件上的热熔性材料或粘合剂材料与第一载件相接触。在热熔性材料凝固时，传声器芯片可以被固定到第二载件的空腔中。粘合剂材料或热熔性材料可以是从传声器结构侧向地布置的。

热熔性材料可以提供优于基于溶剂的粘合剂的若干优点。热熔性材料可以减少或消除挥发性有机化合物。干燥或固化步骤可以被消除。热熔性粘合剂可以具有长的存放期并且通常可以在没有特殊预防措施的情况下丢弃。

在各种实施例中，粘合剂材料是在传声器芯片已被键合到第一载件上之后沉积的。在各种实施例中，粘合剂材料包括选自下组的材料，该组由以下各项组成：聚对苯二甲酸乙二酯（PET）、腈橡胶以及人造天然橡胶。在各种实施例中，粘合剂材料可以被布置成具有在从约30μm至约150μm范围内（例如在从约50μm至约100μm范围内、例如在从约70μm至约80μm范围内）的层厚度。

在各种实施例中，第二载件包括塑料材料，诸如冲压塑料材料或可热成型的塑料材料。在各种实施例中，可以使用粘合剂将传声器芯片和/或另外的芯片结合（换句话说固定）到第一载件。在各种实施例中，粘合剂可以是非导电性粘合剂。传声器芯片可以借助于传声器芯片上的多个柱形凸起被结合（换句话说固定）到第一载件。在各种实施例中，另外的芯片可以借助于另外的芯片上的多个柱形凸起被结合到第一载件。传声器芯片和/或另外的芯片可以通过使用粘合剂将传声器芯片和/或另外的芯片的柱形凸起结合到第一载件而被结合到第一载件。在各种实施例中，传声器芯片可以借助于触变性模片附接材料而结合（换句话说固定）到第一载件。这可以在制造工艺中保护膜。在各种实施例中，可以提供流动屏障，流动屏障是例如通过（例如）由抗蚀剂（例如光致抗蚀剂）或金属制成的一个或多个突起（例如，高度为约至少10μm）实施的，流动屏障可以被提供为柱形凸起的粘合剂的流动止挡件。

图6是示出了根据各种实施例的芯片布置600的截面视图的示意图。图6示出了芯片布置600，芯片布置包括第一载件602和使用倒装芯片键合而键合到第一载件602的传声器芯片604。（例如，非导电性的）膏626可以用来将传声器芯片604与第一载件602键合。传声器芯片602包括传声器结构606。传声器结构606可以包括被配置成接收音波的膜614。膜614可以包括至少一个电极。传声器结构606可以进一步包括对电极616。膜614的电极与对电极616形成电容性结构。传声器结构606可以包括通孔。膜614和对电极616横跨通孔而悬置。图6还示出了键合到第一载件602的另外的芯片618。（例如，非导电性的）膏626可以用来将另外的芯片与第一载件602键合。另外的芯片618可以经由设在第一载件602上的电互连620而电耦合到传声器芯片604。芯片布置600进一步包括从传声器结构606侧向地布置的粘合剂材料608a、608b，诸如热熔性材料。芯片布置600可以进一步包括具有空腔612的第二载件610，其中，传声器结构606被布置在第二载件610的空腔612中，使得粘合剂材料608将传声器芯片604固定到第二载件610的空腔612中。粘合剂材料608a、608b将第一载件602结合到第二载件610。以这种方式，粘合剂材料608a、608b在第一载件602与第二载件610之间形成声学密封。在各种实施例中，第一载件602上的通孔622可以允许音波到达膜614。

图7是示出了根据各种实施例的芯片布置700的截面视图的示意图。图7示出了芯片布置700，芯片布置包括第一载件702和使用倒装芯片键合而键合到第一载件702的传声器芯片704。（例如，非导电性的）膏726可以用来将传声器芯片704键合到第一载件702。传声器芯片702包括传声器结构706。传声器结构706可以包括被配置成接收音波的膜714。膜714可以包括至少一个电极。传声器结构706可以进一步包括对电极716。膜714的电极可以与对电极716形成电容性结构。传声器结构706可以包括通孔。膜714和对电极716横跨该通孔而悬置。图7还示出了键合到第一载件702的另外的芯片718。另外的芯片718可以经由第一载件702上的电互连720而电耦合到传声器芯片704。（例如，非导电性的）膏726还可以用来将另外的芯片与第一载件702键合。芯片布置700可以进一步包括从传声器结构706侧向地布置的粘合剂材料708a、708b，诸如热熔性材料。芯片布置700可以进一步包括具有空腔712的第二载件710，其中，传声器结构706被布置在第二载件710的空腔712中，使得粘合剂材料708将传声器芯片704固定到第二载件710的空腔712中。粘合剂材料708a、708b将第一载件702结合（或固定）到第二载件710。以这种方式，粘合剂材料708a、708b在第一载件702与第二载件710之间形成声学密封。在各种实施例中，第二载件710上的通孔724可以允许音波到达膜714。

图8是展示了根据各种实施例的制造芯片布置的方法800的示意图。图8A是示出了在沉积粘合剂材料之前的根据各种实施例的包括传声器芯片和另外的芯片的模块的截面侧视图的示意图。图8B是示出了在施加粘合剂材料之前的根据各种实施例的位于第一载件上的多个模块的平面顶视图的示意图。图8B中的虚线aa’与图8A中所示的截面侧视图的示意图相对应。图8C是示出了在沉积粘合剂材料之后的在图8A中所示的根据各种实施例的包括传声器芯片和另外的芯片的模块的截面侧视图的示意图。图8D是示出了在施加粘合剂材料之后的在图8B中所示的根据各种实施例的位于载件上的模块的平面顶视图的示意图。图8E是示出了在图8C中所示的根据各种实施例的与第二载件布置在一起的第一芯片模块和第二芯片模块的截面侧视图的示意图。首先，传声器芯片804和另外的芯片818可以被键合到第一载件802上。如图8B中所示，多个传声器芯片804和多个另外的芯片818可以被键合到单一载件802。然后可以施加粘合剂材料808，诸如热熔性材料。图8D是示出了在已施加粘合剂材料808之后的在图8B中所示的根据各种实施例的位于载件上的多个芯片布置的平面顶视图的示意图。图8D中的虚线bb’与图8C中所示的截面视图的示意图相对应。模块可以分别与第二载件810布置在一起，使得每个传声器芯片804的传声器结构被布置到第二载件810的空腔812中。第一载件802可以在约200℃的温度和100N的压力被按压到第二载件810的空腔中。这可以允许粘合剂材料808在第一载件802与第二载件810之间形成声学密封。在第一载件802被按压到第二载件810的空腔中之前，可以将导电层沉积在第二空腔中。然后可以例如使用单片化（诸如裸片切割或划片）来将多个芯片布置分开。粘合剂材料808可以被配置成容易地通过单片化来分开。粘合剂材料可以被配置成是可切割或容易划片的。可以在单片化之前进行按压。

图9示出了一个示意图，该示意图示出了根据各种实施例的芯片布置900的截面视图。图9示出了芯片布置900，芯片布置900包括第一载件902和使用倒装芯片键合而键合到第一载件902的传声器芯片904。非导电性膏926可以用来将传声器芯片904与第一载件902键合。传声器芯片902包括传声器结构906。传声器结构906可以包括被配置成接收音波的膜914。膜914可以包括至少一个电极。传声器结构906可以进一步包括对电极916。膜914的电极与对电极916形成电容性结构。传声器结构906可以包括通孔。膜914和对电极916横跨通孔而悬置。图9还示出了键合到第一载件902的另外的芯片918。非导电性的膏926还可以用于将另外的芯片与第一载件902键合。芯片布置900可以进一步包括具有空腔912的第二载件910，其中，传声器结构906被布置在第二载件910的空腔912中，使得粘合剂材料908将传声器芯片904固定到第二载件910的空腔912中。第二载件910可以包括可热成型的塑料。在第二载件910的一侧上可以设有一层导电性材料908。在各种实施例中，导电性材料908可以是粘合剂材料。换言之，导电材料908可以充当导电胶。在各种实施例中，导电材料908可以充当屏蔽。在各种实施例中，第一载件902上的通孔922可以允许音波到达膜914。

图10是展示了根据各种实施例的制造芯片布置的方法1000的示意图。图10A是示出了根据各种实施例的位于第一载件上的多个模块的截面侧视图的示意图，其中每个模块包括传声器芯片和另外的芯片。图10B是示出了第二载件的示意图，该第二载件在其一侧上具有导电性金属。第二载件具有多个空腔。图10C示出了被放在一起并被单片化以形成多个芯片布置的第一载件和第二载件。如图10A中所示，多个传声器芯片1004和多个另外的芯片1018可以被键合到第一载件1012。图10B中所示的第二载件1010可以包括可热成型的塑料。诸如金属之类的导电材料1008可以沉积或附着到第二载件1010。在各种实施例中，导电材料1008可以被镀制到第二载件1010上。第一载件1012被倒装并且第一载件1012与第二载件1010被放到一起。在各种实施例中，第一载件和第二载件被层压在一起。在各种实施例中，导电材料908可以是粘合剂材料。在各种实施例中，传声器结构被布置到第二载件的空腔中，使得粘合剂材料1008在第一载件1012与第二载件1010之间形成声学密封。在第一载件和第二载件被放在一起之后，进行单片化以形成多个芯片布置，如图10C中所示。

仅出于说明的目的而不是作为限制性的例子，术语“基本上”可以被量化为与准确值或实际值相比有+/-5%的变化。例如，短语“A与B是（至少）基本上相同的”可以涵盖这样的实施例：其中A与B是完全相同的，或者其中A可以处于与B（例如，的值）存在+/-5%的变化的范围内，或反之亦然。

在各种实施例的背景下，对数值所应用的词语“约”涵盖了准确值和该值的+/-5%的变化。

虽然已参考具体实施例具体地示出了和描述了本发明，但本领域的技术人员应理解，可以在不脱离由所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围的情况下，对本发明在形式和细节上做出不同改变。因此，本发明的范围是由所附权利要求书指出，并且因此意在涵盖在权利要求书的等效意义和范围内的所有改变。

Claims (25)

1.一种用于制造芯片布置的方法，所述方法包括：

将传声器芯片键合到第一载件，所述传声器芯片包括传声器结构；

沉积粘合剂材料，使所述粘合剂材料从所述传声器结构侧向地布置；并且

将所述传声器结构布置到第二载件的空腔中，使得所述粘合剂材料将所述传声器芯片固定到所述第二载件的所述空腔。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中将所述传声器芯片键合到所述第一载件包括基板上倒装芯片工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将另外的芯片键合到所述第一载件，其中所述另外的芯片被电耦合到所述传声器芯片。

4.根据权利要求3所述的方法，

其中所述另外的芯片经由所述第一载件被电耦合到所述传声器芯片。

5.根据权利要求3所述的方法，

其中所述另外的芯片经由接线键合被电耦合到所述传声器芯片。

6.根据权利要求3所述的方法，

其中所述另外的芯片包括逻辑芯片。

7.根据权利要求3所述的方法，

其中所述另外的芯片包括专用集成电路芯片。

8.根据权利要求3所述的方法，

其中所述另外的芯片被配置成对从所述传声器芯片接收的一个或多个信号进行信号处理。

9.根据权利要求1所述的方法，

其中所述传声器结构包括被配置成接收音波的至少一个膜。

10.根据权利要求1所述的方法，

其中所述粘合剂材料包括热熔性材料。

11.根据权利要求1所述的方法，

其中所述传声器结构被布置到所述第二载件的所述空腔中，使得所述粘合剂材料在所述第一载件与所述第二载件之间形成声学密封。

12.根据权利要求1所述的方法，

其中在所述传声器芯片已被键合到所述第一载件之后，沉积所述粘合剂材料。

13.根据权利要求1所述的方法，

其中将所述传声器结构布置到所述第二载件的所述空腔中包括将所述第一载件按压到所述第二载件的所述空腔中。

14.根据权利要求13所述的方法，

其中在从约150℃至约250℃范围中的温度，使用在从约50N至约150N范围中的压力来进行所述按压。

15.一种芯片布置，包括：

第一载件；

键合到所述第一载件的传声器芯片，所述传声器芯片包括传声器结构；

从所述传声器结构侧向地布置的粘合剂材料；以及

包括空腔的第二载件；

其中所述传声器结构被布置在所述第二载件的所述空腔中，使得所述粘合剂材料将所述传声器芯片固定到所述第二载件的所述空腔。

16.根据权利要求15所述的芯片布置，

其中所述传声器芯片经由倒装芯片键合被键合到所述第一载件。

17.根据权利要求15所述的芯片布置，进一步包括：

键合到所述第一载件的另外的芯片，其中所述另外的芯片被电耦合到所述传声器芯片。

18.根据权利要求17所述的芯片布置，

其中所述另外的芯片经由所述第一载件被电耦合到所述传声器芯片。

19.根据权利要求17所述的芯片布置，

其中所述另外的芯片经由接线键合件被电耦合到所述传声器芯片。

20.根据权利要求17所述的芯片布置，

其中所述另外的芯片包括逻辑芯片。

21.根据权利要求17所述的芯片布置，

其中所述另外的芯片被配置成对从所述传声器芯片接收的一个或多个信号进行信号处理。

22.根据权利要求15所述的芯片布置，

其中所述传声器结构包括被配置成接收音波的至少一个膜。

23.根据权利要求15所述的芯片布置，

其中所述粘合剂材料包括热熔性材料。

24.根据权利要求15所述的芯片布置，

其中所述粘合剂材料被布置成具有在从约30μm至约150μm范围中的层厚度。

25.根据权利要求15所述的芯片布置，

其中所述传声器结构被布置到所述第二载件的所述空腔中，使得所述粘合剂材料在所述第一载件与所述第二载件之间形成声学密封。