CN103943748B - 发光元件 - Google Patents

发光元件 Download PDF

Info

Publication number
CN103943748B
CN103943748B CN201310022242.6A CN201310022242A CN103943748B CN 103943748 B CN103943748 B CN 103943748B CN 201310022242 A CN201310022242 A CN 201310022242A CN 103943748 B CN103943748 B CN 103943748B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light
emitting component
electrode
isolation layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310022242.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103943748A (zh
Inventor
陈宏哲
沈建赋
陈昭兴
杨於铮
王佳琨
林植南
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
Epistar Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epistar Corp filed Critical Epistar Corp
Priority to CN201810895552.1A priority Critical patent/CN108807633B/zh
Priority to CN201310022242.6A priority patent/CN103943748B/zh
Publication of CN103943748A publication Critical patent/CN103943748A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103943748B publication Critical patent/CN103943748B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/387—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

本发明提供一发光元件结构，包含：一半导体叠层，包含一凹槽及一平台，其中此凹槽具有一底部，此平台具有一上表面；一第一隔绝层位于此凹槽内及此平台上表面的部分区域；第一电极包含一第一层和一第二层，其中：第一层包含一第一导电材料，位于此平台上表面的部分区域上；及第二层包含一第二导电材料，位于第一层之上。

Description

发光元件
技术领域
本发明关于一种发光元件，特别是关于一种电极具有第一层与第二层的发光元件。
背景技术
发光二极体是半导体元件中一种被广泛使用的光源。相较于传统的白炽灯泡或萤光灯管，发光二极体具有省电及使用寿命较长的特性，因此逐渐取代传统光源而应用于各种领域，如交通号志、背光模组、路灯照明、医疗设备等产业。
随着发光二极体光源的应用与发展对于亮度的需求越来越高，如何增加其发光效率以提高其亮度，便成为产业界所共同努力的重要方向。
第9图描述了现有的LED封装体30：包括封装结构31、由封装结构31封装的半导体LED晶片32，其中半导体LED晶片32具有一p-n接面33，封装结构31通常是热固性材料，例如环氧树脂(epoxy)，或者热塑胶材料。半导体LED晶片32透过一焊线(wire)34与两导电支架35、36连接。因为环氧树脂(epoxy)在高温中会有劣化(degrading)现象，因此只能在低温环境运作。此外，环氧树脂(epoxy)具很高的热阻(thermalresistance)，使得第9图的结构只提供了半导体LED晶片32高阻值的热散逸途径，而限制了LED封装体30的低功耗应用。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种发光元件，可在高温环境运作，且适于低功耗应用。
本发明提供一发光元件，包含：一半导体叠层，包含一凹槽及一平台，其中凹槽具有一底部，平台具有一上表面；一第一隔绝层位于凹槽内及平台上表面的部分区域；第一电极包含一第一层和一第二层，其中：第一层包含一第一导电材料，位于平台上表面的部分区域上；及第二层包含一第二导电材料，位于第一层之上。
本发明提供一发光元件，其中形成第一电极第一层的第一导电材料和形成第一电极第二层的第二导电材料不同；第一电极第一层对此发光元件产生光线的反射率大于第一电极第二层对此光线的反射率，且第二层对此光线的反射率大于60%。
在本发明的发光元件中，发光元件包括半导体叠层、第一隔绝层及第一电极，其中，第一电极包含第一层和第二层，发光元件的性能不受限于现有的LED封装体的封装结构，可在高温环境运作，且适于低功耗应用。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1-8是本发明第一实施例的发光元件的上视图及剖面图。
图9是现有的发光元件LED封装体结构图。
图10是本发明另一实施例的灯泡分解图。
具体实施方式
为了使本发明的叙述更加详尽与完备，请参照下列描述并配合第1-8图及第10图的图式。依据本发明第一实施例的发光元件的上视图第1A图所示：一发光元件包含一基板(图未示)及一半导体叠层；其中半导体叠层包含：一第一导电型半导体层11，及在第一导电型半导体层11之上形成一活性层(图未示)与一第二导电型半导体层12。蚀刻部分第二导电型半导体层12和活性层以裸露出第一导电型半导体层11。第1B图为沿AA’横截面线(crosssection line)切割的剖面图，包含一凹槽及一平台，其中凹槽具有一底部；平台具有一上表面。于本实施例中，平台上表面为第二导电型半导体层12的一表面：凹槽底部裸露出第一导电型半导体层11，且凹槽穿过活性层21。且当发光元件形成后，利用一电压驱动此发光元件，使第一导电型半导体层11提供电子，第二导电型半导体层12提供电洞，电子与电洞于活性层21结合后发出一光线。如第2A、2B图所示，于凹槽底部第一导电型半导体层11之上形成一第二电极13，且此第二电极13与第一导电型半导体层11电性连接。
如第3A图所示，因沿AA’横截面线及BB’横截面线切割的剖面区域其后续结构及制程不同，故分别叙述如下。首先，沿AA’横截面线切割的剖面区域，如第3B图所示，形成一第一隔绝层14位于凹槽内及平台上表面的部分区域，且包覆第二电极13。
再形成一第一电极第一层15于平台上表面的部分区域上，且和第一隔绝层14彼此分离没有重叠，如第4A、4B图所示。于本实施例中，第一电极第一层15包含一第一导电材料，可例如为金属；其中第一导电材料包含至少一材料选自于银、铂及金所组成的群组，第一电极第一层15厚度为500至5000埃。再形成一第一电极第二层16于第一层15之上，其中第一电极第二层16覆盖第一层15与至少部分第一隔绝层14；如第5A、5B图所示。于本实施例中，第一电极第二层16包含一第二导电材料，可例如为金属；其中第二导电材料包含至少一材料选自于镍、铝、铜、铬及钛所组成的群组。第一电极第二层16厚度为2000埃至1.5μm。于另一实施例中，形成第一层15的第一导电材料和形成第二层16的第二导电材料不同；第一层15对此发光元件所产生光线的反射率大于第二层16对此光线的反射率。第二层16对此光线的反射率较佳大于60%。
如第6A、6B图所示，于第一电极第二层16之上形成一第二隔绝层17；第二隔绝层17的间隔区域露出第一电极第二层16的上表面。其中第二隔绝层17区域与第一隔绝层14区域大致上对应。于本实施例中，于发光元件边缘的第二隔绝层17可与第一隔绝层14直接接触。组成第一隔绝层14的材料与组成第二隔绝层17的材料可相同或不同，二者的组成材料可为氧化硅，氮化硅，氧化铝，氧化锆或氧化钛。如第7A、7B图所示，再于第二隔绝层17之上及第二隔绝层17的间隔区域形成一第一电极垫18；此第一电极垫18与第一电极第一层15和第二层16电性连接。
其次，第3C图所示为沿第3A图的BB’横截面线切割的剖面区域，形成一第一隔绝层14位于凹槽内及平台上表面的部分区域。于本实施例中第二电极13部分上表面没有被第一隔绝层14覆盖的区域形成一通道20。再形成一第一电极第一层15于平台上表面的部分区域上，且和第一隔绝层14彼此分离没有重叠，如第4A、4C图所示。于本实施例中，第一电极第一层15包含一第一导电材料，可例如为金属；其中第一导电材料包含至少一材料选自于银、铂及金所组成的群组。第一电极第一层15厚度为500至5000埃。再形成一第一电极第二层16于第一层15之上，其中第一电极第二层16覆盖第一层15与至少部分第一隔绝层14，如第5A、5C图所示。于本实施例中，第一电极第一层15及第一电极第二层16包覆凹槽。第一电极第二层16包含一第二导电材料，可例如为金属；其中第二导电材料包含至少一材料选自于镍、铝、铜、铬及钛所组成的群组。第一电极第二层16厚度为2000埃至1.5μm。于另一实施例中，形成第一层15的第一导电材料和形成第二层16的第二导电材料不同；第一层15对此发光元件所产生光线的反射率大于第二层16对此光线的反射率。第二层16对此光线的反射率较佳地大于60%。
如第6A、6C图所示，于第一电极第二层16之上及复数个第一隔绝层14之上形成一第二隔绝层17。其中第二隔绝层17部份区域与第一隔绝层14直接接触。组成第一隔绝层14的材料与组成第二隔绝层17的材料可相同或不同，二者的组成材料可为氧化硅，氮化硅，氧化铝，氧化锆或氧化钛。如第7A、7C图所示，再于第二隔绝层17之上及通道20的区域形成一第二电极垫19；且此第二电极垫19与第二电极13电性连接。第8图为形成的发光元件10上视图。
第10图是本发明另一实施例的灯泡分解图。灯泡40包含一灯罩41，一透镜42，一发光模组44，一灯座45，一散热鳍片46，一结合部47及一电性接头48。其中发光模组44更包含一载板43及复数个上述实施例的发光元件10位于此载板43之上。
上述第二电极13、第一电极垫18、及第二电极垫19的材料可选自：铬(Cr)、钛(Ti)、镍(Ni)、铂(Pt)、铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、钨(W)、锡(Sn)、或银(Ag)等金属材金。基板(图未示)为一成长及/或承载基础。候选材料包含透光基板；其中透光基板材料可为蓝宝石（Sapphire）、铝酸锂（LiAlO2）、氧化锌（ZnO）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、玻璃、钻石、CVD钻石、类钻碳（Diamond-Like Carbon；DLC）、尖晶石(spinel,MgAl2O4)、氧化硅(SiOX)及镓酸锂(LiGaO2)。
上述第一导电型半导体层11及第二导电型半导体层12是彼此中至少二个部分的电性、极性或掺杂物相异、或者是分别用以提供电子与电洞的半导体材料单层或多层（「多层」是指二层或二层以上，以下同。），其电性选择可以为p型、n型、及i型中至少任意二者的组合。活性层21是位于第一导电型半导体层11及第二导电型半导体层12之间，为电能与光能可能发生转换或被诱发转换的区域。电能转变或诱发光能者如发光二极体、液晶显示器、有机发光二极体；光能转变或诱发电能者例如为太阳能电池、光电二极体。上述第一导电型半导体层11、活性层21及第二导电型半导体层12其材料包含一种或一种以上的元素选自镓(Ga)、铝(Al)、铟(In)、砷(As)、磷(P)、氮(N)以及硅(Si)所构成群组。
依据本发明的另一实施例的发光元件是一发光二极体，其发光频谱可以藉由改变半导体单层或多层的物理或化学要素进行调整。常用的材料例如为磷化铝镓铟（AlGaInP）系列、氮化铝镓铟（AlGaInN）系列、氧化锌（ZnO）系列等。活性层(未显示)的结构例如为：单异质结构（singleheterostructure；SH）、双异质结构（double heterostructure；DH）、双侧双异质结构（double-side double heterostructure；DDH）、或多层量子井（multi-quantumwell；MQW）。再者，调整量子井的对数也可以改变发光波长。
于本发明的一实施例中，第一导电型半导体层11与基板(图未示)间尚可选择性地包含一缓冲层(buffer layer，图未示)。此缓冲层是介于二种材料系统之间，使基板的材料系统“过渡”至半导体系统的材料系统。对发光二极体的结构而言，一方面，缓冲层是用以降低二种材料间晶格不匹配的材料层。另一方面，缓冲层也可以是用以结合二种材料或二个分离结构的单层、多层或结构，其可选用的材料例如为：有机材料、无机材料、金属、及半导体等；其可选用的结构例如为：反射层、导热层、导电层、欧姆接触（ohmic contact）层、抗形变层、应力释放（stress release）层、应力调整（stress adjustment）层、接合（bonding）层、波长转换层、及机械固定构造等。在一实施例中，此缓冲层的材料可为AlN、GaN，且形成方法可为溅镀(Sputter)或原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)。
第二导电型半导体层12上更可选择性地形成一第二导电型接触层(图未示)。接触层是设置于第二导电型半导体层远离活性层21的一侧。具体而言，第二导电型接触层可以为光学层、电学层、或其二者的组合。光学层是可以改变来自于或进入活性层21的电磁辐射或光线。在此所称的「改变」是指改变电磁辐射或光的至少一种光学特性，前述特性是包含但不限于频率、波长、强度、通量、效率、色温、演色性（renderingindex）、光场（lightfield）、及可视角（angle of view）。电学层是可以使得第二导电型接触层的任一组相对侧间的电压、电阻、电流、电容中至少其一的数值、密度、分布发生变化或有发生变化的趋势。第二导电型接触层的构成材料是包含氧化物、导电氧化物、透明氧化物、具有50%或以上穿透率的氧化物、金属、相对透光金属、具有50%或以上穿透率的金属、有机质、无机质、萤光物、磷光物、陶瓷、半导体、掺杂的半导体、及无掺杂的半导体中至少其一。于某些应用中，第二导电型接触层的材料为氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化铟锌、氧化锌铝、与氧化锌锡中至少其一。若为相对透光金属，其厚度约为0.005μm~0.6μm。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (20)

1.一发光元件，其特征在于，包含：
一半导体叠层，包含多个凹槽及一平台，其中该多个凹槽各具有一底部，该平台具有一上表面；
一第一电极包含一第一层和一第二层，其中该第一层包含一第一导电材料，位于该平台的该上表面上，且该第二层包含一第二导电材料，位于该第一层之上；
多个第二电极分别位于该多个凹槽的各该底部；
一第一隔绝层位于该多个凹槽，且位于该平台的该上表面的一部分上，其中该第一隔绝层包含多个通道以裸露该多个第二电极；
一第二隔绝层覆盖该第一隔绝层并覆盖第一电极的该第二层的一部分，且包含一间隔区域以露出该第一电极的该第二层的另一部分；
一第一电极垫位于该第二隔绝层上，并与该第一电极相接触；以及
一第二电极垫位于该多个第二电极上，并与该多个第二电极相接触。
2.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，更包含一基板位于该半导体叠层之下。
3.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该半导体叠层更包含：一第一导电型半导体层、一活性层及一第二导电型半导体层，其中该活性层可发出一光线，且该多个凹槽穿过该活性层。
4.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，该多个凹槽的该底部裸露该第一导电型半导体层，且该平台的该上表面为该第二导电型半导体层的一表面。
5.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该第二隔绝层位于该第一电极的该第二层与该第一电极垫之间。
6.如权利要求5所述的发光元件，其特征在于，该第二隔绝层部分区域与该第一隔绝层直接接触。
7.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该第一导电材料与该第二导电材料不同。
8.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，该第一层对该光线的反射率大于该第二层对该光线的反射率。
9.如权利要求3所述的发光元件，其特征在于，该第二层对该光线的反射率大于60％。
10.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该第一导电材料及/或该第二导电材料包含金属。
11.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该第一层厚度为500埃至5000埃及/或该第二层厚度为2000埃至1.5μm。
12.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该第一电极的该第一层与该第一隔绝层彼此分离。
13.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该第一电极包覆该多个凹槽。
14.如权利要求7所述的发光元件，其特征在于，该第二隔绝层的该间隔区域露出该第一电极的该第一层。
15.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，于该发光元件的一上视图下，沿着该半导体叠层周围的该第一导电型半导体层露出。
16.如权利要求15所述的发光元件，其特征在于，该第一隔绝层覆盖位于该半导体叠层周围的该第一导电型半导体层。
17.如权利要求16所述的发光元件，其特征在于，该第二隔绝层覆盖位于半导体叠层周围的该第一导电型半导体层。
18.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，还包含一第二导电型接触层位于该第二导电型半导体层上，其中该第二导电型接触层的材料为氧化铟锡、氧化镉锡、氧化锑锡、氧化铟锌、氧化锌铝、与氧化锌锡中至少其一。
19.如权利要求1所述的发光元件，其特征在于，该第一导电材料包含至少一材料选自于银、铂及金所组成的群组，该第二导电材料包含至少一材料选自于镍、铝、铜、铬及钛所组成的群组。
20.一发光元件，包含：
一半导体叠层，包含多个凹槽及一平台，其中该多个凹槽各具有一底表面，该平台具有一上表面；
一第一电极包含一第一层和一第二层，其中该第一层包含一第一导电材料，该第二层包含一不同于该第一导电材料的第二导电材料；
多个第二电极分别位于该多个凹槽的各该底表面；
一第一隔绝层位于该多个凹槽，且位于该平台的该上表面的一部分上，其中该第一隔绝层包含多个通道以裸露该多个第二电极；
一第二隔绝层位于该第一隔绝层上，其中该第一隔绝层的一区域对应于该第二隔绝层的一区域；
一第一电极垫位于该第二隔绝层上，并与该第一电极相接触；以及
一第二电极垫位于该多个通道上，并与该多个第二电极相接触。
CN201310022242.6A 2013-01-22 2013-01-22 发光元件 Active CN103943748B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810895552.1A CN108807633B (zh) 2013-01-22 2013-01-22 发光元件
CN201310022242.6A CN103943748B (zh) 2013-01-22 2013-01-22 发光元件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310022242.6A CN103943748B (zh) 2013-01-22 2013-01-22 发光元件

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810895552.1A Division CN108807633B (zh) 2013-01-22 2013-01-22 发光元件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103943748A CN103943748A (zh) 2014-07-23
CN103943748B true CN103943748B (zh) 2018-08-31

Family

ID=51191334

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810895552.1A Active CN108807633B (zh) 2013-01-22 2013-01-22 发光元件
CN201310022242.6A Active CN103943748B (zh) 2013-01-22 2013-01-22 发光元件

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810895552.1A Active CN108807633B (zh) 2013-01-22 2013-01-22 发光元件

Country Status (1)

Country Link
CN (2) CN108807633B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI625868B (zh) 2014-07-03 2018-06-01 晶元光電股份有限公司 光電元件及其製造方法
JP7118227B2 (ja) * 2019-12-18 2022-08-15 晶元光電股▲ふん▼有限公司 光電部品

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101645482A (zh) * 2008-08-05 2010-02-10 夏普株式会社 氮化物半导体发光元件及其制造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100671924B1 (ko) * 2003-02-19 2007-01-24 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 소자
KR20080002553A (ko) * 2006-06-30 2008-01-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 리페어식각 방법
CN102779918B (zh) * 2007-02-01 2015-09-02 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件
JP5130730B2 (ja) * 2007-02-01 2013-01-30 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP5305790B2 (ja) * 2008-08-28 2013-10-02 株式会社東芝 半導体発光素子
TWI415308B (zh) * 2009-12-21 2013-11-11 Harvatek Corp 用於增加發光效率及散熱效果之晶圓級發光二極體封裝結構及其製作方法
CN102487062A (zh) * 2010-12-04 2012-06-06 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101645482A (zh) * 2008-08-05 2010-02-10 夏普株式会社 氮化物半导体发光元件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103943748A (zh) 2014-07-23
CN108807633A (zh) 2018-11-13
CN108807633B (zh) 2020-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10644202B2 (en) Electrode of light-emitting device
TW201603319A (zh) 光電元件及其製造方法
TWI538184B (zh) 發光二極體陣列
US8928026B2 (en) Optoelectronic device and method for manufacturing the same
CN103943748B (zh) 发光元件
CN102916102B (zh) 光电元件
CN103117332B (zh) 光电元件
JP6903087B2 (ja) 発光素子
JP7312789B2 (ja) 発光素子
JP6501845B2 (ja) 発光素子
CN108630720B (zh) 发光二极管阵列
TWI589025B (zh) 發光元件
TWI528592B (zh) 光電元件
JP6218386B2 (ja) 発光素子
TWI659545B (zh) 發光元件
TWI659549B (zh) 發光元件
TWI612653B (zh) 發光二極體
TW201832356A (zh) 發光二極體
CN102956780A (zh) 光电元件及其制造方法
CN105322066A (zh) 光电元件及其制造方法
TW201626556A (zh) 發光二極體陣列

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant