CN103928456B - 一种阵列基板、显示面板及显示器 - Google Patents

Abstract

本发明所提供的阵列基板、显示面板及显示器，在阵列基板的非显示区域，栅极线与ESD器件的输入端连接，ESD器件的输出端与静电释放线相连，在相邻的两个ESD器件与静电释放线的连接端之间，静电释放线通过TFT与公共电极线相连。当ESD器件释放静电至静电释放线上时，静电优先通过较近的TFT释放至公共电极引线，避免了现有的静电的释放路径较长，而出现栅极线和静电释放线之间静电击伤而短路的问题，提高了静电释放的效率，提高了阵列基板的性能。

Description

一种阵列基板、显示面板及显示器

技术领域

本发明涉及液晶显示器技术领域，更具体地说，涉及一种阵列基板、显示面板及显示器。

背景技术

显示面板主要包括两大类：LCD显示面板（Liquid Crystal Display，液晶显示面板）和OLED显示面板（Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管），TFT（Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管）基板即阵列基板，作为显示面板的核心部件，其性能显得尤为重要。

但是，在现有的阵列基板上，抗静电击伤能力差，经常出现静电击伤现象，从而导致多个栅极线之间短路。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种阵列基板、显示面板及液晶显示器，其中，阵列基板上静电释放及时，避免了栅极线与静电释放线之间击穿而短路的现象发生。

为实现上述目的，本发明的实施例提供了如下技术方案：

一种阵列基板，包括显示区域和非显示区域，所述非显示区内包括公共电极引线、多个ESD器件，位于所述公共电极引线与所述显示区域之间的静电释放线，以及多个延伸自显示区域的栅极线，所述栅极线与所述静电释放线在第一交叠区域交叠且在所述第一交叠区域电性绝缘，所述栅极线与所述公共电极引线在第二交叠区域交叠且在所述第二交叠区域电性绝缘；所述栅极线连接所述ESD器件的输入端，所述ESD器件的输出端连接所述静电释放线，其中，在相邻的两个所述ESD器件与所述静电释放线的连接端之间，所述静电释放线通过TFT与所述公共电极引线相连。

本发明的实施例还提供了一种显示面板，包括上述任意一项所述的阵列基板。

本发明的实施例还提供了一种显示器，包括上述所述的显示面板。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本发明所提供的阵列基板、显示面板及显示器，在阵列基板的非显示区域，栅极线与ESD器件的输入端连接，ESD器件的输出端与静电释放线相连，在相邻的两个ESD器件与静电释放线的连接端之间，静电释放线通过TFT与公共电极线相连。当ESD器件释放静电至静电释放线上时，静电优先通过较近的TFT释放至公共电极引线，避免了现有的静电的释放路径较长，而出现栅极线和静电释放线之间静电击伤而短路的问题，提高了静电释放的效率，提高了阵列基板的性能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有的一种阵列基板的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图3为本申请实施例TFT结构示意图；

图4a～4c为本申请实施例提供的三种具有TFT的俯视图；

图5为本申请实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图6a～6c为本申请实施例提供的一种后续修复过程示意图；

图7为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，在现有的阵列基板上，抗静电击伤能力差，经常出现静电击伤现象。发明人研究发现，造成这种缺陷的原因主要有阵列基板上的静电的释放路径长，从而导致静电释放不及时。

具体的，参考图1所示，为现有的一种阵列基板的结构示意图，阵列基板包括显示区域和非显示区域，且非显示区域包围显示区域。其中，在显示区域内包括有多条栅极线11，且栅极线11排布延伸至非显示区域，并与非显示区域内相应的栅极驱动电路（图中未画出）电性连接。

在非显示区域内还包括有公共电极引线13，且在公共电极引线13与显示区域1之间设置有静电释放线12，静电释放线12的两端分别通过释放器件15与公共电极引线13电性连接。在非显示区域内，栅极线11与静电释放线12在第一交叠区域内交叠，且在第一交叠区域内电性绝缘；栅极线11还与公共电极引线13在第二交叠区域内交叠，且在第二交叠区域内电性绝缘。在第一交叠区域与显示区域之间，栅极线11与静电释放线12通过ESD（Electro-Staticdischarge，静电释放）器件14相连，栅极线11连接ESD器件14的输入端，ESD器件14的输出端与静电释放线12相连。

在上述静电防护结构中，栅极线11产生的静电通过ESD器件14释放至静电释放线，而后静电通过静电释放线12两端部的释放器件15释放至公共点击引线13。由于ESD器件14与静电释放线12的连接端距离释放器件15的距离较长，由ESD器件14释放的静电不能及时的通过释放器件15，最终导致静电释放线12与栅极线11的交叠区域发生静电击伤而短路的现象。

基于此，本发明提供了一种阵列基板，以克服现有技术存在的上述问题，包括显示区域和非显示区域，所述非显示区内包括公共电极引线、多个ESD器件，位于所述公共电极引线与所述显示区域侧边之间的静电释放线，以及多个延伸自显示区域的栅极线，所述栅极线与所述静电释放线在第一交叠区域交叠且在所述第一交叠区域电性绝缘，所述栅极线与所述公共电极引线在第二交叠区域交叠且在所述第二交叠区域电性绝缘。

所述栅极线连接所述ESD器件的输入端，所述ESD器件的输出端连接所述静电释放线，其中，在相邻的两个所述ESD器件与所述静电释放线的连接端之间，所述静电释放线通过TFT与所述公共电极线相连。

在阵列基板的非显示区域，栅极线与ESD器件的输入端连接，ESD器件的输出端与静电释放线相连，在相邻的两个ESD器件与静电释放线的连接端之间，静电释放线通过TFT与公共电极线相连。当ESD器件释放静电至静电释放线上时，静电优先通过较近的TFT释放至公共电极引线，避免了现有的静电的释放路径较长，而出现栅极线和静电释放线之间静电击伤而短路的问题，提高了静电释放的效率，提高了阵列基板的性能。

以上是本发明的核心思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

本申请实施例提供了一种阵列基板，参考图2～6c对本申请实施例进行具体的描述。参考图2所示，为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，其中，阵列基板包括：显示区域和非显示区域。

在非显示区域内包括有公共电极引线23、多个ESD器件24，位于公共电极引线23与显示区域之间的静电释放线22，以及多个延伸自显示区域的栅极线21。

栅极线21与静电释放线22在第一交叠区域A交叠且在第一交叠区域A电性绝缘，栅极线21与公共电极引线23在第二交叠区域B交叠且在第二交叠区域B电性绝缘。

在非显示区域内，栅极线21连接ESD器件24的输入端，ESD器件24的输出端连接静电释放线22，其中，在相邻的两个ESD器件24与静电释放线22的连接端之间，静电释放线22通过TFT25与公共电极引线23相连。

在上述的阵列基板上，TFT相当于静电释放线和公共电极引线之间的静电快速释放通道。栅极线通过ESD器件将静电释放到静电释放线，而后静电通过最近的TFT释放到公共电极引线上。相对于现有的静电的释放途径，本案中可以快速的将静电释放至公共电极引线上。

TFT需要栅极信号进行驱动，才能使TFT导通，为了不改变原有的版图，以及不增加更多的信号线，本申请实施例中，TFT可以优选的为由栅极线、静电释放线和公共电极引线组成的TFT结构，即TFT的栅极为栅极线，该TFT的第一源/漏极为所述静电释放线，以及该TFT的第二源/漏极为所述公共电极线。

参考图3所示，为本申请实施例提供的一种TFT结构示意图，即图2中在第一交叠区域A、第二交叠区域B和第一交叠区域A至第二交叠区域B之间的范围内，且沿所述阵列基板透光方向，包括：

位于透明基板31上的所述栅极线21；

覆盖于所述栅极线21表面的绝缘层32，绝缘层为氮化硅层；

覆盖所述绝缘层32表面，且位于所述静电释放线22和所述公共电极线23下方的非晶硅层33。

相对于上述TFT的结构，本申请还可以通过设计非晶硅层的宽度、栅极线的宽度和/或第二交叠区域内的静电释放线和公共电极引线之间的距离（即沟道的长度），从而根据实际需要调整TFT结构的宽长比、光生漏电流等影响静电释放效果的因素。

具体的，参考图4a～4c所示，对本申请实施例提供的基于上述图3中提供的TFT结构的三种具体的TFT结构进行描述。需要说明的是，申请实施例中并不局限于下列所述的三种具体的TFT的结构，还包括其它由栅极线、静电释放线和公共电极引线组成的TFT结构。

参考图4a所示，为本申请实施例提供的一种TFT的俯视图，在第一交叠区域A、第二交叠区域B和第一交叠区域A至第二交叠区域B之间的范围内：

包括栅极线21、静电释放线22、公共电极引线23、绝缘层32（图4a中未画出）和非晶硅层33，其中，非晶硅层33的宽度可以大于栅极线21的宽度，即非晶硅层33不仅覆盖栅极线21所在的区域，还覆盖栅极线21两侧的透明基板部分区域。

非晶硅层的宽度大于栅极线的宽度，在阵列基板的透光方向，自阵列基板透过的光可以照射到非晶硅层未覆盖栅极线的区域，从而产生光生漏电流，进而提高静电通过TFT的效率。

本申请实施例提供的另一种TFT结构，其非晶硅层的宽度也可以小于栅极线的宽度，防止TFT产生光生漏电流。参见图4b所示，为本申请实施例提供的另一种TFT的俯视图，在第一交叠区域A、第二交叠区域B和第一交叠区域A至第二交叠区域B之间的范围内：

包括栅极线21、静电释放线22、公共电极引线23、绝缘层32（图4a中未画出）和非晶硅层33，其中，非晶硅层33的宽度小于栅极线21的宽度，即非晶硅层33仅仅覆盖栅极线21所在的区域内。并且在公共电极引线23朝向静电释放线22的一侧，位于第二交叠区域B的公共电极引线23的侧边的延长线与所述第二交叠区域B两侧的公共电极引线23的侧边重叠。

对于栅极线的宽度大于非晶硅层的宽度，可以在现有的阵列基板的版图中将栅极线的宽度做大，也可以将非晶硅层的宽度做小，并不做限制。由图4b中可以看出，位于A区域、B区域和A区域至B区域之间的栅极线的宽度为在现有的阵列基板的版图中做大得到的。

另外，参考图4c本申请实施例提供的最后一种TFT的俯视图，其与图4b中所提供的TFT结构基本相同，不同的一点为公共电极引线23朝向静电释放线22的一侧，位于第二交叠区域B的公共电极引线23的侧边的延长线与所述第二交叠区域B两侧的公共电极引线23的侧边不重叠。

图4c中提供的第二交叠区域B的公共电极引线23可以向内凹陷，即第二交叠区B的公共电极引线23与静电释放线22之间的距离大于第二交叠区域B两侧的公共电极引线23与静电释放线22之间的距离。同样的，在第二交叠区域的公共电极引线也可以向静电释放线突出。

在第二交叠区域内公共电极引线朝向静电释放线一侧，改变公共电极引线与静电释放线之间的距离，即为改变TFT的沟道的长度，也就是改变TFT的宽长比。根据实际需要的不同，可以设计将第二交叠区域的公共电极引线设计为凹陷或者突出，并且设计凹陷或者突出的具体大小，故本申请实施例不做具体限制。

进一步的，参考图5所示，为本申请实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，在阵列基板上还包括：

辅助电极线51，所述辅助电极线51的两端分别与所述第一交叠区域A的静电释放线22的两端电性连接，且除所述辅助电极线51两端外，所述辅助电极线51的其他区域与所述静电释放线22无交叠区域，辅助电极线22与其它导电线绝缘。

辅助电极线的为一种后续对阵列基板的修复设计，以图5中C区域为例，参考图6a～6c所示，为对阵列基板上的修复过程示意图，当静电释放线22与栅极线21的第一交叠区域A发生静电击伤而短路后，在辅助电极线51的两端之间，将辅助电极线51与静电释放线21的两个连接端至栅极线21所在区域之间均断开，不仅保证了静电释放线的完整性，同时还避免发生多个栅极线与静电释放线之间短路时，导致的多个栅极线之间短路的情况。

辅助电极线所在的导电层可以位于静电释放线所在的导电层下方，也可以位于静电释放线所在的导电层上方。考虑到制作阵列基板的工序，本申请实施例最为优选的为将辅助电极线形成于静电释放线所在的导电层的上方，且与阵列基板上像素电极位于同一导电层，并且辅助电极线的两端分别通过一个过孔与静电释放线连接。本申请实施例优选的所述辅助电极线为氧化铟锡辅助电极线或氧化铟锌辅助电极线。

本申请实施例中优选的ESD器件可以为一级ESD器件或多级ESD器件，需要根据实际情况进行设计。

本申请实施例提供的阵列基板，在非显示区域，栅极线与ESD器件的输入端连接，ESD器件的输出端与静电释放线相连，在相邻的两个ESD器件与静电释放线的连接端之间，静电释放线通过TFT与公共电极线相连。当ESD器件释放静电至静电释放线上时，静电优先通过较近的TFT释放至公共电极引线，避免了现有的静电的释放路径较长，而出现栅极线和静电释放线之间静电击伤而短路的问题，提高了静电释放的效率，提高了阵列基板的性能。

尤其的，本申请实施例中提供的TFT为由栅极线、静电释放线和公共电极引线组成的TFT结构，既无需对现有的阵列基板的版图重新设计，而且制作工序简单。

本申请实施例还提供了一种显示面板，参考图7所示，为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图，其中，显示面板为液晶面板，包括：

彩膜基板71、阵列基板72和位于彩膜基板和阵列基板之间的液晶层73，其中，阵列基板71为上述实施例任一所述的阵列基板。

需要说明的是，本申请实施例提供的显示面板不仅仅为上述液晶面板，还可以为OLED面板，或者各种包括上述实施例任一所述阵列基板的显示面板，本申请实施例对于显示面板的种类并不做具体限制。

本申请实施例提供了一种显示器，显示器包括显示面板，其中，显示面板为上述实施例所述的任一所述显示面板。具体的，显示器可以为液晶显示器、OLED显示器。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区域和非显示区域，所述非显示区内包括公共电极引线、多个ESD器件，位于所述公共电极引线与所述显示区域之间的静电释放线，以及多个延伸自显示区域的栅极线，所述栅极线与所述静电释放线在第一交叠区域交叠且在所述第一交叠区域电性绝缘，所述栅极线与所述公共电极引线在第二交叠区域交叠且在所述第二交叠区域电性绝缘；

所述栅极线连接所述ESD器件的输入端，所述ESD器件的输出端连接所述静电释放线，其中，在相邻的两个所述ESD器件与所述静电释放线的连接端之间，所述静电释放线通过TFT与所述公共电极引线相连。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT的栅极为所述栅极线，所述TFT的第一源/漏极为所述静电释放线，所述TFT的第二源/漏极为所述公共电极线。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一交叠区域、所述第二交叠区域和所述第一交叠区域至所述第二交叠区域之间范围内，且沿所述阵列基板透光方向，包括：

覆盖于所述栅极线表面的绝缘层；

覆盖所述绝缘层表面，且位于所述静电释放线和所述公共电极引线下方的非晶硅层。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一交叠区域、所述第二交叠区域和所述第一交叠区域至所述第二交叠区域之间范围内，所述非晶硅层的宽度大于所述栅极线的宽度。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述公共电极引线朝向所述静电释放线的一侧，位于所述第二交叠区域的公共电极引线的侧边的延长线与所述第二交叠区域两侧的公共电极引线的侧边重叠。

6.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

辅助电极线，所述辅助电极线的两端分别与所述第一交叠区域的静电释放线的两端电性连接，且除所述辅助电极线两端外，所述辅助电极线的其他区域与所述静电释放线无交叠区域，所述辅助电极线与其它导电线绝缘。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述辅助电极线为氧化铟锡辅助电极线或氧化铟锌辅助电极线。

8.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层为氮化硅绝缘层。

9.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1～8任意一项所述的阵列基板。

10.一种显示器，其特征在于，包括权利要求8所述的显示面板。