CN103928382B - 基底支撑装置和使用该基底支撑装置的热处理装置 - Google Patents

基底支撑装置和使用该基底支撑装置的热处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN103928382B
CN103928382B CN201410011529.3A CN201410011529A CN103928382B CN 103928382 B CN103928382 B CN 103928382B CN 201410011529 A CN201410011529 A CN 201410011529A CN 103928382 B CN103928382 B CN 103928382B
Authority
CN
China
Prior art keywords
heating
heat
heater
heating target
room
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201410011529.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103928382A (zh
Inventor
李铸炯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zeus Co Ltd
Original Assignee
Zeus Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zeus Co Ltd filed Critical Zeus Co Ltd
Publication of CN103928382A publication Critical patent/CN103928382A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103928382B publication Critical patent/CN103928382B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

本发明公开了一种基底支撑装置及使用该基底支撑装置的热处理装置。基底支撑装置包括本体构件和多个支撑构件,多个加热对象彼此分离地叠置在本体构件上,多个支撑构件沿本体构件内的每个加热对象的表面设置并支撑每个加热对象的表面。

Description

基底支撑装置和使用该基底支撑装置的热处理装置
相关申请的交叉引用
本申请主张2013年1月10日提交的韩国专利申请第2013-0002868号的优先权和权益,其发明内容通过援引全文并入本文。
技术领域
本发明涉及一种基底支撑装置及使用该基底支撑装置的热处理装置,更具体地涉及一种能够在支撑加热对象时防止待热处理的加热对象下垂并向每个加热对象的边缘大致均匀地传热的基底支撑装置和使用该基底支撑装置的热处理装置。
背景技术
通常,加热器在被供电时放热,并且加热器典型地形成长杆形状。此时,由于加热器在生热方面被配置为使得其相对两端与其中间部不同,所以使加热器难以执行沿纵长方向的均匀的热处理。另外,在设有这样的加热器的热处理装置中,热量不能均匀地传输到加热对象。
现有技术包括韩国专利第10-0835588号(题为“室加热器”,2008年5月30日公布)。
发明内容
本发明涉及基底支撑装置和使用该基底支撑装置的热处理装置,能够在支撑加热对象时防止待热处理的加热对象下垂,并向每个加热对象的边缘大致均匀地传热。
根据本发明的方案,提供一基底支撑装置,其包括:本体构件,多个加热对象在本体构件上彼此分离地叠置;以及多个支撑构件,沿本体构件内的每个加热对象的表面设置并支撑每个加热对象的表面。
这里,支撑构件可包括:多个框架,在所述本体构件内被设置成与每个加热对象的表面相对应地彼此分离;以及多个支撑间隔件,从彼此分离的每个框架伸出并支撑每个加热对象。
另外,每个支撑间隔件可包括:支撑托架,联接到所述框架;以及支撑销,从所述支撑托架伸出并支撑每个加热对象。
而且,每个所述支撑构件可还包括旋转轴,所述旋转轴被设置成用于所述框架,所述支撑间隔件被可旋转地联接到所述旋转轴。
而且,每个所述支撑构件可还包括弹性地支撑所述框架和所述支撑间隔件的弹性构件。
另外,基底支撑装置可还包括连接所述本体构件和所述支撑构件的扩张段,以允许所述支撑构件沿纵长方向移动。
根据本发明的方案,提供一种热处理装置,其包括:上述的基底支撑装置;以及加热器,在所述本体构件内与所述支撑构件平行地设置并加热多个加热对象。
这里,每个加热器可包括:加热单元,划分成加热区和冗余区(dummyregion),所述冗余区形成为从所述加热区的相对两端延伸,并且所述加热单元从所述加热区发出热量;补偿单元,划分成连接区和补偿区,所述补偿区形成为从所述连接区的相对两端延伸,并且所述补偿单元从所述补偿区发出热量;以及固定单元,所述加热单元和所述补偿单元都被固定到所述固定单元。
而且,所述加热区和所述补偿区中的每一者均可包括反射热量的反射部。
同时,热处理装置可还包括室,所述室容置所述加热器、所述本体构件和所述支撑构件,而且所述室包括热处理加热对象的空间。
而且,热处理装置可还包括高温电缆,所述高温电缆被保持在所述室中并被电连接至所述加热器,以禁止或防止发出的热量与向加热器供给的电力发生干扰。
而且,室可包括:壳体,所述壳体中形成热处理加热对象的空间;以及打开/关闭门,可拆卸地联接到所述壳体,使得所述空间被打开/关闭。
而且,热处理装置可还包括将用于热处理加热对象的处理气体注入到所述室中的供气单元。
而且,供气单元可包括:供气段,供应处理气体;多个排出段,在所述室的内部相互分离并将处理气体排出到所述室中;以及分配段,连接所述供气段和所述多个排出段,并将处理气体分配到所述多个排出段。
另外,供气单元可还包括排放段,排放段布置成面对排出段并排出供应到该室中的处理气体。
附图说明
通过参照附图具体地描述本发明的示例性的第一实施例,本发明的以上和其它目的、特征和优点将变得对本领域普通技术人员显而易见,其中:
图1是示出根据本发明的第一实施例的热处理装置的正视图;
图2是示出根据本发明的第一实施例的热处理装置的侧视图;
图3是示出根据本发明的第一实施例的热处理装置的操作的剖视图;
图4和5示出根据本发明的第一实施例的热处理装置中的室的关闭状态;
图6和7示出根据本发明的第一实施例的热处理装置中的室的打开状态;
图8是示出根据本发明的第一实施例的热处理装置中的锁定构件的必要部件的立体图;
图9是示出根据本发明的第一实施例的加热器的立体图;
图10是图9的分解图;
图11是示出根据本发明的第一实施例的加热器的剖视图;
图12是示出本发明的第一实施例中的固定单元的侧视图;
图13是示出本发明的第一实施例中的加热器的第一联接状态的剖视图;
图14是示出本发明的第一实施例中的加热器的第二联接状态的剖视图;
图15是示出根据本发明的第一实施例的热处理装置的支撑构件的联接状态的侧视图;
图16是示出根据本发明的第一实施例的热处理装置的支撑构件的必要部件的分解图;
图17示出根据本发明的第一实施例的热处理装置的支撑构件的操作;
图18是示出根据本发明的第一实施例的高温电缆的第一示例的剖视图;
图19是示出根据本发明的第一实施例的高温电缆的第二示例的剖视图;
图20是示出根据本发明的第二实施例的热处理装置的侧视图;
图21示出根据本发明的第一实施例的热处理装置中的加热对象的分区状态;
图22示出根据本发明的第一实施例的热处理装置中的加热对象的分区状态的温度补偿加热器的配置;
图23示出根据本发明的第二实施例的热处理装置中的加热对象的分区状态的温度补偿加热器的配置;
图24示出根据本发明的第三实施例的热处理装置;
图25是示出根据本发明的第三实施例的热处理装置中的供气单元的立体图;
图26示出根据本发明的第三实施例的热处理装置中的供气单元的排出段的安装;以及
图27示出根据本发明的第三实施例的热处理装置中的供气单元的排出段的旋转状态。
附图标记列表
100:室 110:壳体
130:打开/关闭门 200:温度补偿加热器
201:反射部 210:控制区
211:边缘区 213:第一调整区
215:第二调整区 230:温度传感器
213:第一传感器 213:第二传感器
215:第三传感器 300:加热单元
301:加热区 303:冗余区
310:加热管 303:加热热线
350:加热连接器 370:加热引线
371:加热固定部 373:加热端子
375:加热联接器 400:补偿单元
401:补偿区 403:连接区
410:补偿管 430:补偿热线
450:补偿连接器 470:补偿引线
471:补偿固定部 473:补偿端子
475:补偿联接器 500:固定单元
501:加热支撑件 502:补偿支撑件
503:加热孔 504:补偿孔
505:加热固定凹部 506:补偿固定凹部
600:本体构件 610:座
611:紧固凹部 613:紧固盖
630:分离件 650:扩张托架
700:支撑构件 710:框架
711:支撑凹部 730:支撑间隔件
731:支撑托架 733:支撑销
750:旋转轴 770:弹性构件
780:扩张段 781:扩张路径
783:扩张耳轴 800:高温电缆
810:导体 820:紧接头
830:绝缘体 850:金属管
870:密封件 880:连接构件
900:滑动构件 910:引导构件
930:可移动构件 1000:锁定构件
1001:固定托架 1100:保持构件
1110:保持架 1130:保持架驱动器
1300:第一固定构件 1310:第一固定通道
1500:第二固定构件 1510:第二固定通道
1600:固定部 1800:路径构件
1810:导轨 1830:载体
2000:供气单元 2010:供气段
2011:供应管 2020:排出段
2021:排出管 2022:排出缝
2023:冗余管(dummy tube) 2024:冗余缝(dummy slit)
2030:分配段 2031:分支管
2040:排出托架 2050:角度调整器
2051:调整导轨 2053:调整突出部
2060:排放段
M:加热对象 C:控制器
具体实施方式
在下文中,将参照附图详细描述根据本发明的实施例的基底支撑装置及使用该基底支撑装置的热处理装置。在图中,为了清楚起见,某些线、层、部件、元件或特征的厚度可能被夸大。而且,将在下文中提到的技术术语是考虑到它们在本发明中的功能而定义的术语,其可根据用户的意图、实践等变化,使得术语应基于说明书的内容而被定义。
图1是示出根据本发明的第一实施例的热处理装置的正视图。图2是示出根据本发明的第一实施例的热处理装置的侧视图。图3是示出根据本发明的第一实施例的热处理装置的操作的剖视图。图4和5示出根据本发明的第一实施例的热处理装置中的室的关闭状态。图6和7示出根据本发明的第一实施例的热处理装置中的室的打开状态。图8是示出根据本发明的第一实施例的热处理装置中的锁定构件的必要部件的立体图。
参照图1至图8,根据本发明的第一实施例的热处理装置包括加热器200、本体构件600和支撑构件700,并能够使用加热器200发出的热量热处理例如基底等加热对象M,加热对象M被容置在本体构件600内并由支撑构件700支撑。
加热器200发出热量以热处理该加热对象M。加热对象M和加热器200都设置在本体构件600内。支撑构件700被设置在本体构件600内,使得加热对象M与加热器200分离。
在本发明的第一实施例中,温度补偿加热器被用作加热器200。由此,使施加于加热对象M的热量的温度大致分布均匀,而且能够提高加热对象M的热处理性能。
这里,本体构件600和支撑构件700构成根据本发明的第一实施例的基底支撑装置,并能够稳定地支撑加热对象M,同时防止加热对象M下垂。
在根据本发明的第一实施例的热处理装置中,加热对象M被容置在本体构件600内,支撑构件700支撑加热对象M的下侧。加热器200布置在上方并与加热对象M隔开。随着向加热器200供电,加热对象M的上部能够被加热器200发出的热量热处理。
图9是示出根据本发明的第一实施例的加热器的立体图,图10是图9的分解图。图11是示出根据本发明的第一实施例的加热器的剖视图,图12是示出本发明的第一实施例中的固定单元的侧视图。图13是示出本发明的第一实施例中的加热器的第一联接状态的剖视图,图14是示出本发明的第一实施例中的加热器的第二联接状态的剖视图。
参照图9至图14,根据本发明的第一实施例的加热器200向加热对象M发出热量,并允许待加热的加热对象M具有基本上均匀的温度分布。
加热器200包括加热单元300、补偿单元400和固定单元500。
加热单元300可被划分成加热区301和冗余区303,冗余区从加热区301的相对两端延伸。这里,通过所供给的电力从加热区301发出热量,所供给的电力通过冗余区303传输到加热区301。
加热区301可设有反射发出的热量的反射部201。加热区301发出的热量能被反射部201集中在加热对象M上。这里,反射部201应不会因发出的热量而变形或氧化。而且,反射部201应不会因发出的热量而使反射效率下降。
在本发明的第一实施例中,反射部201可由金形成,并形成在加热管310上。首要的是,金制的反射部201既不会在400℃以上的温度下变形,也不会使反射效率下降。
反射部201可形成在加热管310的内壁上。形成在加热管310的内壁上的反射部201能够避免被外力刮擦。可选地,反射部201可形成在加热管310的外壁上。形成在加热管310的外壁上的反射部201允许容易沉积。
在本发明的第一实施例中,反射部201通过沉积法形成。然而,不限于此,反射部201可使用已知的各种方法在加热管310上形成。
这里,反射部201被设置成用于加热器200的加热区301和补偿区401,并反射加热器200发出的热量。在此情况下,反射部201适于反射布置在加热器200以下的加热对象M上的热量。这里,当加热对象M叠置时,自然发出的热量能够升高以辅助性地热处理该叠置的加热对象M的下部。
除加热管310之外,加热单元300包括加热热线330、加热连接器350和加热引线370。
加热管310具有中空的管状,并被划分成加热区301和冗余区303。加热管310由透明或半透明的材料形成,以便能够很容易地发出热量并防止因发出的热量而变形或损坏。例如,加热管310可由透明或半透明的中空石英管、或透明或半透明的中空玻璃管形成。
加热热线330插入加热管310,以与加热区301相对应,并通过所供给的电力而发出热量。加热对象M能够由加热热线330发出的热量加热。在本发明的第一实施例中,加热热线330可由铁铬铝电阻丝形成。
加热连接器350电连接至加热热线330,以与冗余区303相对应。在加热热线330插入加热管310的状态下,加热连接器350向加热热线330稳定地传输所供给的电力,不会因发出的热量而变形或损坏。
这里,在加热热线330和加热连接器350之中,加热热线330可至少形成为螺旋状。由于加热热线330和加热连接器350中的插入加热管310的加热热线330至少形成为螺旋状,所以加热热线330和加热连接器350能够稳定地插入加热管310,并防止加热引线370、加热连接器350和加热热线330之中的电连接接头短路。
在根据本发明的第一实施例的加热器200中,每个冗余区303的长度均很短,使得其不会干涉每个加热连接器350的运动,因此仅仅加热热线330能够形成为螺旋状。然而,优选的,加热热线330和加热连接器350都形成为螺旋状。
当没有形成为螺旋状时,在被插入加热管310之后,加热热线330和加热连接器350可能都会发生下垂。加热器200发出的热量的温度可能不均匀,而且加热引线370、加热连接器350和加热热线330之间的电连接接头可能发生短路。
加热引线370充当向加热热线330供电的端子。加热引线370电连接至加热连接器350,并固定到固定单元500。
每个加热引线370均包括加热固定部371和加热端子373。
加热固定部371电连接至加热连接器350,并正向适配到固定单元500中。由于加热固定部371正向适配到固定单元500中,所以能够防止加热引线370旋转。
加热固定部371形成为圆形以外的各种形状。在本发明的第一实施例中,加热固定部371形成六角形的形状。这里,加热固定部371可设有单独的端子,其伸出成有利于电连接到加热连接器350。
加热端子373从加热固定部371伸出。加热端子373适于从固定单元500露出,使得能够被供电。加热端子373经由连接构件880稳定地连接至高温电缆800(将在以下描述)。然而,不局限于连接构件880,加热端子373可经由不同的已知构件稳定地连接至电缆800。
加热引线370可还包括加热联接器375。
加热联接器375联接到加热端子373,使得加热固定部371紧密接触固定单元500。在本发明的第一实施例中,加热联接器375可具有螺母形状,以便螺接到伸出的加热端子373。因此,加热端子373可设有螺接加热联接器375的螺纹。
当加热联接器375螺接到加热端子373时,可以防止加热端子373因加热固定部371而旋转,并防止加热热线330或加热连接器350旋转。
补偿单元400可划分成连接区403和补偿区401,补偿区401从连接区403的相对两端延伸。这里,所供给的电力沿连接区403传输到补偿区401,通过所供给的电力从补偿区401发出热量。
每个补偿区401可设有反射发出的热量的反射部201。补偿区发出的热量能被反射部201集中在加热对象M上。这里,反射部201应不会因发出的热量而变形或氧化。而且,反射部201应不会因发出的热量而使反射效率下降。
在本发明的第一实施例中,连接区403可划分成与加热区301相对应,补偿区401可划分成与冗余区303相对应。
在本发明的第一实施例中,反射部201可由金形成,并形成在补偿管410上。首要的是,金制的反射部201既不会在400℃以上的温度下变形,也不会使反射效率下降。
反射部201可形成在补偿管410的内壁上。形成在补偿管410的内壁上的反射部201能够避免被外力刮擦。可选地,反射部201可形成在补偿管410的外壁上。形成在补偿管410的外壁上的反射部201允许容易沉积。
在本发明的第一实施例中,反射部201通过沉积法形成。然而,不限于此,反射部201可使用已知的各种方法在补偿管410上形成。
除补偿管410之外,补偿单元400包括补偿热线430、补偿连接器450和补偿引线470。
补偿管410具有中空的管状,并划分成连接区403和补偿区401。补偿管410由透明或半透明的材料形成,以便能够很容易地发出热量并防止因发出的热量而变形或损坏。例如,补偿管410可由透明或半透明的中空石英管、或透明或半透明的中空玻璃管形成。在本发明的第一实施例中,加热管310和补偿管410可具有相同尺寸和材料。
补偿热线430插入补偿管410,以与补偿区401相对应,并通过所供给的电力发出热量。加热对象M能够由补偿热线430发出的热量加热。特别地,补偿热线430发出的热量加热该加热对象M的边缘。由此,可以在加热对象M的边缘和中心处提供大致均匀的温度分布。在本发明的第一实施例中,补偿热线430可由铁铬铝电阻丝形成。
补偿连接器450电连接至补偿热线430,以与连接区403相对应。在被插入补偿管410的状态下,补偿连接器450向补偿热线430稳定地传输所供给的电力而不会因补偿热线430发出的热量变形或损坏。
这里,在补偿热线430与补偿连接器450之中,补偿热线430可至少形成为螺旋状。由于补偿热线430和补偿连接器450之中的插入补偿管410的补偿热线430至少形成为螺旋状,所以补偿热线430和补偿连接器450能够稳定地插入补偿管410,并能够防止补偿引线470、补偿连接器450和补偿热线430之间的电连接接头短路。
在根据本发明的第一实施例的加热器200中,由于每个补偿区401的长度形成为比加热对象M的宽度或长度短,所以补偿连接器450可在连接区403发生下垂。所有的补偿热线430和补偿连接器450都能够形成为螺旋状。然而,考虑到补偿区401和连接区403的长度,仅补偿热线430能够形成为螺旋状。
当没有形成为螺旋状时,在被插入补偿管410之后,补偿热线430和补偿连接器450都会发生下垂。加热器200发出的热量的温度可能不均匀,而且补偿引线470、补偿连接器450和补偿热线430之间的电连接接头可能短路。
补偿引线470充当向补偿热线430供电的端子。补偿引线470电连接至补偿连接器450,并固定到固定单元500。
每个补偿引线470包括补偿固定部471和补偿端子473。
补偿固定部471电连接至补偿连接器450,并正向适配到固定单元500中。由于补偿固定部471正向适配到固定单元500中,所以能够防止补偿引线470旋转。
补偿固定部471形成为圆形以外的各种形状。在本发明的第一实施例中,补偿固定部471形成为六角形的形状。这里,补偿固定部471可设有单独的端子,其伸出成有利于电连接到补偿连接器450。
补偿端子473从补偿固定部471伸出。补偿端子473适于从固定单元500露出,使得能够被供电。补偿端子473经由连接构件880稳定地连接至高温电缆800(将在以下描述)。然而,不局限于连接构件880,补偿端子473可经由不同的已知构件稳定地连接至电缆800。
每个补偿引线470可还包括补偿联接器475。
补偿联接器475联接到补偿端子473,使得补偿固定部471紧密接触固定单元500。在本发明的第一实施例中,补偿联接器475可具有螺母形状,以便螺接到伸出的补偿端子473。因此,补偿端子473可设有螺接该补偿联接器475的螺纹。
当补偿联接器475螺接到补偿端子473时,可以防止补偿端子473因补偿固定部471而旋转,并防止补偿热线430或补偿连接器450旋转。
加热单元300和补偿单元400都被固定到该固定单元500。固定单元500被成对地设置,并被联接到加热单元300的相对两端和补偿单元400的相对两端。
因为加热单元300和补偿单元400都被联接到固定单元500,所以根据本发明的第一实施例的加热器200能够实现模块化。
每个固定单元500可设有加热支撑件501和加热孔503。加热支撑件501与加热管310的端部联接,加热引线370的加热端子373穿过加热孔503。因此,加热支撑件501与加热固定凹部505连通,加热孔503与加热固定凹部505连通。
作为一个示例,加热支撑件501可凹入并绕加热管310适配。作为另一示例,加热支撑件501可伸出并适配到加热管310中。
而且,加热固定凹部505可在固定单元500中形成。加热固定部371适配到加热固定凹部505中,以便禁止或防止加热引线370旋转。由于加热固定部371正向适配到加热固定凹部505中,所以在加热联接器375和加热支撑件501联接时,能够防止加热引线370旋转。
而且,每个固定单元500可设有补偿支撑件502和补偿孔504。补偿支撑件502与补偿管410的端部联接,补偿引线470的补偿端子473穿过补偿孔504。因此,补偿支撑件502与补偿固定凹部506连通,补偿孔504与补偿固定凹部506连通。
在本发明的第一实施例中,补偿支撑件502可凹入并绕补偿管410适配。在本发明的第二实施例中,补偿支撑件502可伸出并适配到补偿管410中。
而且,补偿固定凹部506可在固定单元500中形成。补偿固定部471适配到补偿固定凹部506中,以便禁止或防止补偿引线470旋转。由于补偿固定部471正向适配到补偿固定凹部506中,所以当补偿联接器475和补偿支撑件502联接时,能够防止补偿引线470旋转。
在根据本发明的第一实施例的加热器200中,由于加热引线370和补偿引线470螺接到固定单元500,所以加热单元300和补偿单元400能够单独地维护。
在根据本发明的第一实施例的本体构件600中,多个加热对象M相互分离和叠置。本体构件600包括座610和分离件630。
当加热器200与加热对象M平行设置时,每个座610支撑所设置的加热器200。这里,座610设有紧固凹部611,以便允许加热器200的固定单元500被安置并支撑在紧固凹部611。而且,紧固盖613可装卸地附接到紧固凹部611,由此座610能够对被安置并支撑在紧固凹部611的固定单元500进行稳定地固定。而且,单独的加热器200通过紧固盖613的可拆卸附接而可拆卸地附接到本体构件600,由此单独的加热器200能够容易维护。
座610可设有支撑构件700。加热器200和支撑构件700被分离件630分离。当加热对象M相互隔开布置时,分离件630能够使供加热器200支撑其上的座610相互分离。而且,当加热对象M相互隔开布置时,分离件630能够使具有支撑构件700的座610相互分离。另外,分离件630使供加热器200支撑其上的座610和具有支撑构件700的座610相互分离。
本体构件600可设有扩张托架650。扩张托架650联接到本体构件600,支撑构件700联接到扩张托架650,以便可沿纵长方向移动。
图15是示出根据本发明的第一实施例的热处理装置的构件的联接状态的侧视图,图16是示出根据本发明的第一实施例的热处理装置的支撑构件的必要部件的分解图。图17示出根据本发明的第一实施例的热处理装置的支撑构件的操作。
参照图15至图17,根据本发明的第一实施例的多个支撑构件700彼此分隔开,并沿加热对象M的表面设置在本体构件600内。支撑构件700支撑加热对象M的表面。
每个支撑构件700包括框架710和支撑间隔件730。
多个框架710联接到本体构件600。框架710设置在本体构件600上,以与处于相互分离状态的加热对象M的表面相对应。这里,每个框架710可设有保持支撑间隔件730的支撑凹部711。
支撑间隔件730被设置成用于框架710,支撑间隔件730支撑容置在本体构件600内的加热对象M。支撑间隔件730形成为从框架710以相互分离的状态伸出。这里,每个支撑间隔件730包括联接到框架710的支撑托架731和从支撑托架731伸出的支撑销733,以便支撑加热对象M。支撑销733可与加热对象M的表面点接触或线接触。
支撑间隔件730能够以可旋转或可提升的方式联接到框架710。每个支撑构件700可还包括旋转轴750。为框架710设置旋转轴750,支撑间隔件730可旋转地联接到旋转轴750。换言之,旋转轴750形成为穿过框架710和支撑托架731,使得支撑间隔件730能够旋转。
每个支撑构件700可还包括弹性构件770。弹性构件770弹性支撑支撑间隔件730的支撑托架731和框架710。弹性构件770弹性支撑旋转的支撑间隔件730。由此,当支撑间隔件730旋转时,弹性构件770允许支撑间隔件730稳定地支撑加热对象M。
例如,当加热对象M被装载在本体构件600内时或当加热对象M从本体构件600卸载时,支撑间隔件730可倾斜以避免与加热对象M干涉。在此情况下,可能需要单独的致动器(图中未示)。
而且,支撑间隔件730可回到其原始的位置,以便稳定地支撑容置的加热对象M。在此情况下,可使用弹性构件770的弹性回复力,或可使用单独的致动器(图中未示)。尽管图中未示,但是支撑间隔件730可提升地联接到框架710,以便禁止或防止干涉加热对象M。
这里,扩张段780可形成为使得支撑构件700能够沿纵长方向移动。扩张段780连接本体构件600与支撑构件700,使得支撑构件700能够沿纵长方向移动。
扩张段780可包括扩张路径781和扩张耳轴783,支撑构件700在纵长方向沿扩张路径781移动,扩张耳轴783联接到支撑构件700并沿扩张路径781移动。
例如,当扩张路径781以长槽形状在本体构件600中或本体构件600的扩张托架650中形成时,扩张耳轴783可形成为从支撑构件700的框架710伸出并可滑动地插入扩张路径781。
而且,当扩张路径781以长槽形状在支撑构件700的框架710中形成时,扩张耳轴783可形成为从本体构件600或本体构件600的扩张托架650伸出且可滑动地插入扩张路径781。
这样,由于形成扩张段780,所以当通过加热器200的加热而扩张或收缩时,框架710能够稳定地伸展或缩回。因此,能够防止框架710弯曲,支撑构件700能够稳定地支撑加热对象M。
根据本发明的第一实施例的热处理装置可还包括室100。室100提供热处理加热对象M的空间。因此,加热器200、本体构件600和支撑构件700被容置在室100中。室100包括壳体110和打开/关闭门130。
壳体110是形成加热对象M的热处理空间的外壳。打开/关闭门130可拆卸地联接到壳体110,使得空间被打开/关闭。壳体110和打开/关闭门130可使用锁定构件1000(以下描述)设定或释放空间的关闭状态。
根据本发明的第一实施例的热处理装置可还包括高温电缆800,因为支撑构件700和具有加热器200的本体构件600都被容置在室100中。
图18是示出根据本发明的第一实施例的高温电缆的第一示例,图19是示出根据本发明的第一实施例的高温电缆的第二示例的剖视图。
参照图18和图19,根据本发明的第一实施例的高温电缆800被容置在室100中,并电连接至加热器200,以便禁止或防止发出的热量与供给到加热器200的电力发生干扰。
根据本发明的第一实施例的第一示例的高温电缆800包括导体810、绝缘体830、金属管850和密封件870。
导体810电连接至加热器200,以便向加热器200供电。导体810可由铜或铝材料形成。导体810可经由连接构件880电连接至加热引线370和补偿引线470中的至少一者。
绝缘体830包围导体。绝缘体830防止加热器200发出的热量传输到导体810,并能够屏蔽沿导体810流动的电力。绝缘体830可包括充当矿物绝缘体的氧化镁。
金属管850围绕绝缘体830。能够防止金属管850因加热器200发出的热量而变形或损坏。金属管850可由不锈钢形成。
密封件870密封金属管850的端部。密封件870防止绝缘体830从金属管850的端部露出。密封件870由石英或玻璃材料形成,并适于熔合到金属管850的端部。
根据本发明的第一实施例的第二示例的高温电缆800包括导体810、绝缘体830、金属管850、密封件870和紧接头820。
导体810电连接至加热器200,以便向加热器200供电。导体810可由铜或铝材料形成。导体810可经由连接构件880电连接至加热引线370和补偿引线470中的至少一者。
绝缘体830被分成沿导体810的纵长方向设置并包围导体810的两部分。绝缘体830防止加热器200发出的热量传输到导体810,并能够屏蔽沿导体810流动的电力。绝缘体830可包括充当矿物绝缘体的陶瓷材料或氧化镁。
金属管850围绕绝缘体830。能够防止金属管850因加热器200发出的热量而变形或损坏。金属管850可由不锈钢形成。
密封件870密封金属管850的端部。密封件870防止绝缘体830从金属管850的端部露出。密封件870由陶瓷材料、石英材料或玻璃材料形成,并适于熔合到金属管850的端部。而且,密封件870由陶瓷轴衬形成,并适于联接到金属管850的端部。
紧接头820联接到导体810的端部,并固定绝缘体830、金属管850和密封件870。紧接头820螺接到导体810的端部,由此允许密封件870紧紧地固定到金属管850。这里,导体810可设有用于螺接紧接头820的螺纹。
根据本发明的第一实施例的热处理装置可还包括滑动构件900。滑动构件900连接室100与本体构件600,使得本体构件600能够被放入室100的空间和从该空间取出。容置在室100中的本体构件600能够通过滑动构件900放入和取出。
随着室100的空间被打开/关闭,滑动构件900使本体构件600可滑动地联接到壳体110。滑动构件900允许本体构件600在具有室100的壳体110上滑动,并可包括引导构件910和可移动构件930。
引导构件910安装在室100中,并提供本体构件600的滑动路径。可移动构件930设置为用于本体构件600,并沿引导构件910移动。
根据本发明的第一实施例的热处理装置可还包括锁定构件1000。锁定构件1000设定或释放在其中热处理加热对象M的室100的空间的关闭状态。随着锁定构件1000使空间设定在关闭状态,能够稳定地维持室100的密封。
锁定构件1000包括保持构件1100和第一固定构件1300。保持构件1100选择锁定设定状态。保持构件1100可经由固定托架1001联接到打开/关闭门130。保持构件1100包括保持架1110和保持架驱动器1130。
保持架1110固定地联接到第一固定构件1300,保持架驱动器1130使保持架1110往复运动。例如,保持架驱动器1130可使用气动或液压使保持架1110往复运动。因此,保持架1110通过保持架驱动器1130的操作插入第一固定构件1300,并能够固定联接到第一固定构件1300。
保持构件1100固定联接到第一固定构件1300。第一固定构件1300可设置为用于具有室100的壳体110。当设置以下描述的固定部1600时,第一固定构件1300可设置为用于固定部1600。这里,第一固定构件1300可设有第一固定通道1310,保持构件1100的保持架1110插入第一固定通道1310中。
当室100的空间关闭时,设置成用于打开/关闭门130的保持构件1100的保持架1110通过保持架驱动器1130的操作而插入第一固定构件1300的第一固定通道1310中。然后,由于室100的空间关闭,能够维持室100的密封。
锁定构件1000可还包括第二固定构件1500。第二固定构件1500被设置成与第一固定构件1300隔开,使得保持构件1100被固定联接。因为设置以下描述的固定部1600时,第二固定构件1500可设置成用于固定部1600。这里,第二固定构件1500可设有第二固定通道1510,保持构件1100的保持架1110插入第二固定通道1510中。
当室100的空间打开时,打开/关闭门130与壳体110分离,设置成用于打开/关闭门130的保持构件1100的保持架1110通过保持架驱动器1130的操作插入第二固定构件1500的第二固定通道1510。因此,由于室100的空间保持打开,所以能够稳定地限制与壳体110分离的打开/关闭门130的位置,而且打开/关闭门130容易定位。
尽管图中未示,但是当第一固定构件1300被设置成用于打开/关闭门130时,保持构件1100被设置成用于壳体110或固定部1600。可选地,当第一固定构件1300被设置成用于打开/关闭门130时,一对保持构件1100可分离并设置成用于壳体110和固定部1600。进一步,当第一固定构件1300被设置成用于打开/关闭门130时,一对保持构件1100可分离并设置成用于固定部1600。
根据本发明的第一实施例的热处理装置可还包括固定部1600。固定部1600固定地联接到具有室100的壳体110。随着室100的空间被打开/关闭,固定部1600能够稳定地支撑打开/关闭门130。
根据本发明的第一实施例的热处理装置可还包括路径构件1800。随着室100的空间被打开/关闭,路径构件1800使打开/关闭门130可滑动地联接到固定部1600。
路径构件1800允许打开/关闭门130在固定部1600上滑动,并可包括导轨1810和载体1830。导轨1810被设置成用于固定部1600,而且构成打开/关闭门130的滑动路径。载体1830被设置成用于打开/关闭门130,而且沿导轨1810移动。
在下文中,将参描述根据本发明的第二实施例的热处理装置。
图20是示出根据本发明的第二实施例的热处理装置的侧视图。参照图20,根据本发明的第二实施例的热处理装置包括加热器200、本体构件600和支撑构件700,并能够使用加热器200发出的热量来热处理加热对象M,该加热对象M被容置在本体构件600内并由支撑构件700支撑。
根据本发明的第二实施例的热处理装置可还包括室100、高温电缆800、滑动构件900、锁定构件1000、固定部1600和路径构件1800中的至少一个。
这里,在根据本发明的第二实施例的热处理装置中,与根据本发明的第一实施例的热处理装置相同的构造被给予相同的附图标记,并将省略其描述。然而,当供加热器200布置其上的座610通过本体构件600的分离件630彼此隔开时,设置在本体构件600的一侧的座610上的加热器200和设置在本体构件600的另一侧的座610上的加热器200可交替设置。因此,能够更均匀地维持施加于加热对象M的热量的温度分布。
在下文中,将描述根据本发明的第一实施例的热处理装置中的每个加热对象的热处理操作。
图21示出根据本发明的第一实施例的热处理装置中的加热对象的分区状态,图22示出根据本发明的第一实施例的热处理装置中的加热对象的分区状态的温度补偿加热器的排布。
参照图21和22,根据本发明的第一实施例的热处理装置将每个加热对象M划分为多个控制区210,以便具有不同的温度分布。由此,加热对象M能够适于根据温度补偿加热器200的设置方向而具有均匀的温度分布。
这里,每个加热器200包括加热单元300和补偿单元400。由此,加热对象M能够适于根据加热器200的纵长方向具有均匀的温度分布。
控制区210沿温度补偿加热器200的设置方向设置。每个控制区210包括至少一个加热器200。在本发明的第一实施例中,每个控制区210可包括两个温度补偿加热器200。
多个控制区210可分成边缘区211和多个调整区213和215。这里,如图21所示,多个调整区213和215可包括第一调整区213和第二调整区215。
边缘区211沿温度补偿加热器200的设置方向设置成用于加热对象M的相对两端。例如,边缘区211可以是由加热对象M的相对两端上设置的温度补偿加热器200加热的区域。
第一调整区213设置在边缘区211的朝向加热对象M的中心的内侧。例如,第一调整区213可以是由布置在边缘区211的内侧的温度补偿加热器200加热的区域。
第二调整区215设置在第一调整区213的朝向加热对象M的中心的内侧。例如,第二调整区215可以是由布置在第一调整区213的内侧的温度补偿加热器200加热的区域。
因此,边缘区211和多个调整区213、215具有不同的温度分布。由此,加热对象M能被均匀地加热。例如,温度补偿加热器发出的热量被调整,使得温度补偿加热器200发出的热量的温度在边缘区211最高,向加热对象M的中心下降。由此,加热对象M能被均匀地加热。
这里,根据本发明的第一实施例的热处理装置可还包括温度传感器230和控制器C。温度传感器230检测每个控制区210的温度。
在本发明的第一实施例中,温度传感器230设置在加热对象M与温度补偿加热器200之间的加热对象M的上方,并检测每个控制区210的温度。在本发明的第一实施例中,温度传感器230检测每个控制区210的温度补偿加热器发出的热量的温度。
温度传感器230可包括检测多个控制区210中的每个边缘区211的温度的第一传感器231、检测多个控制区210中的每个第一调整区213的温度的第二传感器233以及检测多个控制区210中的每个第二调整区215的温度的第三传感器235。
温度传感器230检测的温度被发送到控制器C。控制器C根据温度传感器230检测的温度调整每个控制区210中包括的温度补偿加热器200发出的热量。
例如,控制器C可为每个控制区210的温度补偿加热器200发出的热量的温度预设定加热对象M的加热温度。这里,控制器C比较温度传感器230检测的温度和与之对应的预设定温度。由此,能够调整每个控制区中包括的温度补偿加热器200发出的热量的温度。
在下文中,将描述根据本发明的第二实施例的热处理装置中的每个加热对象的热处理操作。
图23示出根据本发明的第二实施例的热处理装置中的加热对象的分区状态的温度补偿加热器的排布。参照图23,根据本发明的第二实施例的热处理装置将每个加热对象M划分为多个控制区210,以便具有不同的温度分布。由此,加热对象M能够适于根据温度补偿加热器200的设置方向具有均匀的温度分布。
这里,每个温度补偿加热器200包括加热单元300和补偿单元400。由此,加热对象M能够适于根据温度补偿加热器200的纵长方向具有均匀的温度分布。
控制区210沿温度补偿加热器200的设置方向设置。每个控制区210包括至少一个温度补偿加热器200。在本发明的第二实施例中,每个控制区210可包括两个温度补偿加热器200。
多个控制区210可分成边缘区211和多个调整区213和215。这里,如图22至图23所示,多个调整区213和215可包括第一调整区213和第二调整区215。
边缘区211沿温度补偿加热器200的设置方向设置成用于加热对象M的相对两端。例如,边缘区211可以是由加热对象M的相对两端上设置的温度补偿加热器200加热的区域。
第一调整区213设置在边缘区211的朝向加热对象M的中心的内侧。例如,第一调整区213可以是由布置在边缘区211的内侧的温度补偿加热器200加热的区域。
第二调整区215设置在第一调整区213的朝向加热对象M的中心的内侧。例如,第二调整区215可以是由布置在第一调整区213的内侧的温度补偿加热器200加热的区域。
因此,边缘区211和多个调整区213、215具有不同的温度分布。由此,加热对象M能被均匀地加热。例如,温度补偿加热器发出的热量被调整,使得温度补偿加热器200发出的热量的温度在边缘区211最高,向加热对象M的中心下降。由此,加热对象M能被均匀地加热。
这里,根据本发明的第二实施例的热处理装置可还包括温度传感器230和控制器C。温度传感器230检测每个控制区210的温度。
在本发明的第二实施例中,温度传感器230被设置成用于支撑间隔件730,所述支撑间隔件730支撑加热对象M或位于加热对象M之下,而且温度传感器230检测每个控制区210上的加热对象M的温度。
温度传感器230可包括检测多个控制区210中的每个边缘区211的温度的第一传感器231、检测多个控制区210中的每个第一调整区213的温度的第二传感器233以及检测多个控制区210中的每个第二调整区215的温度的第三传感器235。
温度传感器230检测的温度被发送到控制器C。控制器C根据温度传感器230检测的温度调整每个控制区210中包括的温度补偿加热器200发出的热量。
例如,控制器C可比较温度传感器230检测的温度与加热对象M的预设定加热温度。由此,能够调整每个控制区中包括的温度补偿加热器200发出的热量的温度。
根据本发明的第二实施例的热处理装置能够反映每个加热对象M的真实的温度,并避免由热量造成的加热对象M的缺陷。
在下文中,将描述根据本发明的第三实施例的热处理装置。
图24示出根据本发明的第三实施例的热处理装置,图25是示出根据本发明的第三实施例的热处理装置的供气单元的立体图。图26示出根据本发明的第三实施例的热处理装置的供气单元的排出段的安装,图27示出根据本发明的第三实施例的热处理装置的供气单元的排出段的旋转状态。
参照图24至图27,根据本发明的第三实施例的热处理装置包括加热器200、本体构件600和支撑构件700,并能够使用加热器200发出的热量热处理加热对象M,该加热对象M被容置在本体构件600内并由支撑构件700支撑。
根据本发明的第三实施例的热处理装置可还包括室100、高温电缆800、滑动构件900、锁定构件1000、固定部1600和路径构件1800中的至少一个。
这里,在根据本发明的第三实施例的热处理装置中,与根据本发明的第一或第二实施例的热处理装置相同的构造被给予相同的附图标记,并将省略其描述。
根据本发明的第三实施例的热处理装置可还包括供气单元2000。供气单元2000将用于热处理加热对象M的处理气体注入室100中。供气单元2000可包括供气段2010、排出段2020和分配段2030。
供气段2010将处理气体供应到室100中。供气段2010由压力容器组成,并能够将压缩储存的处理气体供应到室100中。
排出段2020在室100中彼此分离,并将供气段2010供应的处理气体排出到室100中。每个排出段2020设有排出缝2022,以便允许处理气体被稳定地排出。每个排出段2020可包括排出管2021和冗余管2023。
排出管2021具有中空的形状,并设有排出缝2022,处理气体通过排出缝2022向加热对象M排出。排出管2021固定在室100中,使得处理气体通过排出缝2022稳定地排出。
冗余管2023具有中空的形状,并与分配段2030连通以形成处理气体的流路。冗余管2023插入排出管2021并支撑在排出管2021中,并设有排出处理气体的冗余缝2024。
这里,冗余缝2024的开口方向可与排出缝2022的开口方向相反。通过冗余缝2024排出的处理气体通过中空的排出管2021循环,并排出到排出缝2022。由此,可以降低由排出处理气体引起的噪声,减小处理气体的排出速度并使排出到室100中的处理气体的流动稳定。
分配段2030连接供气段2010与排出段2020,并分配从供气段2010供应到多个排出段2020的处理气体。例如,分配段2030可响应于多个排出段2020而由分配处理气体的歧管组成。
然后,供气段2010通过供应管2011连接至分配段2030,分配段2030通过各分支管2031连接至排出段2020。因此,处理气体能够从供气段2010传输到排出段2020。
这里,供气单元2000可还包括使排出段2020固定到室100的内表面的排出支架2040。
进一步,供气单元2000可还包括角度调整器2050。角度调整器2050连接排出段2020与排出支架2040,以便允许排出段2020旋转。由于角度调整器2050,随着排出段2020旋转,能够调整处理气体向加热对象M排出的方向。
每个角度调整器2050可包括调整导轨2051和调整突出部2053,调整导轨2051形成排出段2020旋转所遵循的路径,调整突出部2053联接到调整导轨2051并沿调整导轨2051移动。
例如,当调整导轨2051形成为凹入或穿过排出托架2040时,调整突出部2053可从排出段2020伸出,以便插入调整导轨2051,并沿调整导轨2051移动。
而且,当调整导轨2051形成为凹入排出段2020的外周表面时,调整突出部2053可从排出托架2040伸出,以便插入调整导轨2051,并沿调整导轨2051移动。
另外,供气单元2000可还包括排放段2060。排放段2060布置成面对排出段2020,使得供应到室100中的处理气体被排出。这里,不限制排放段2060的位置。处理气体能够在室100中均匀地循环并通过排放段2060排出。
根据基底支撑装置和使用该基底支撑装置的热处理装置,可以在支撑加热对象时防止待热处理的加热对象下垂,并向每个加热对象的边缘大致均匀地传热。
根据本发明,基底支撑装置及使用该基底支撑装置的热处理装置能够在支撑加热对象时防止待热处理的加热对象下垂,并向每个加热对象的边缘大致均匀地传热。
进一步,可以防止加热对象因加热对象的下垂而被损坏。
进一步,支撑构件能够应对响应于加热对象的热处理的热膨胀,而且加热对象能够避免因支撑构件的热膨胀而被损坏。
而且,使用加热器和支撑构件的布局结构,可以避免加热器发出的热量的影响,并可以减小加热对象之间的分离距离,以使热处理装置小型化。
进一步,基底支撑装置被构造为抽屉式,由此有利于在不拆卸热处理装置的情况下维护室的内部。
进一步,可以基于模块化的加热器,向每个加热对象的边缘大致均匀地传热。
进一步,加热器使用双重模式,使得可以容易控制个别的温度并向每个加热对象的边缘大致均匀地传热。
而且,加热器的组件得以简化,电力能够被供给至不发出热量的区域上的热线。
进一步,引线容易被固定,并被禁止或防止旋转。防止电连接接头短路,并能够禁止或防止热线旋转。
而且,不用单独的支撑结构就可以防止发出热量的区域和不发出热量的区域上的热线和连接器旋转。
而且,在维护方面,加热器容易并单独地修理和更换。
而且,加热对象容易装载和卸载,能够禁止或防止加热对象的表面被损坏。
而且,能够禁止或防止加热器发出的热量与供给的电力干涉。可以禁止或防止发出的热量在室的空间产生异物或臭气。
而且,与加热器的电连接适于避免在室的空间中与室干涉。
另外,能够提高室的绝热效果,而且能够提高加热对象的热处理性能。
因此对本领域技术人员明显的是,本发明的上述示例性的第一实施例能够进行各种更改而不背离本发明的精神或范围。

Claims (12)

1.一种基底支撑装置,包括:
本体构件,多个加热对象被彼此分离地叠置在所述本体构件上;以及
多个支撑构件,沿所述本体构件内的每个加热对象的表面设置并支撑每个加热对象的表面,
其中所述支撑构件包括:
多个框架,以在所述本体构件内与每个加热对象的表面相对应地彼此分离的方式被设置;以及
多个支撑间隔件,从彼此分离的每个框架伸出并支撑每个加热对象,
其中每个所述支撑构件还包括旋转轴,所述旋转轴被设置成用于所述框架,所述支撑间隔件被可旋转地联接到所述旋转轴。
2.根据权利要求1所述的基底支撑装置,其中每个所述支撑间隔件包括:
支撑托架,联接到所述框架;以及
支撑销,从所述支撑托架伸出并支撑每个加热对象。
3.根据权利要求1所述的基底支撑装置,其中每个所述支撑构件还包括弹性地支撑所述框架和所述支撑间隔件的弹性构件。
4.根据权利要求1所述的基底支撑装置,还包括连接所述本体构件和所述支撑构件的扩张段,以允许所述支撑构件沿纵长方向移动。
5.一种热处理装置,包括:
根据权利要求1至4中任一项所述的基底支撑装置;和
多个加热器,在所述本体构件内与所述支撑构件平行地设置并加热所述多个加热对象,
其中每个所述加热器包括:
加热单元,被划分成加热区和冗余区,所述冗余区被形成为从所述加热区的相对两端延伸,并且所述加热单元从所述加热区发出热量;
补偿单元,被划分成连接区和补偿区,所述补偿区被形成为从所述连接区的相对两端延伸,并且所述补偿单元从所述补偿区发出热量;以及
固定单元,所述加热单元和所述补偿单元都被固定到所述固定单元。
6.根据权利要求5所述的热处理装置,其中所述加热区和所述补偿区中的每一者均包括反射热量的反射部。
7.根据权利要求5所述的热处理装置,还包括室,所述室容置所述加热器、所述本体构件和所述支撑构件,而且所述室包括热处理加热对象的空间。
8.根据权利要求7所述的热处理装置,还包括高温电缆,所述高温电缆被保持在所述室中并被电连接至所述加热器,以禁止或防止发出的热量与向加热器供给的电力发生干扰。
9.根据权利要求7所述的热处理装置,其中所述室包括:
壳体,所述壳体中形成热处理加热对象的空间;以及
打开/关闭门,可拆卸地联接到所述壳体,使得所述空间被打开/关闭。
10.根据权利要求7所述的热处理装置,还包括将用于热处理加热对象的处理气体注入到所述室中的供气单元。
11.根据权利要求10所述的热处理装置,其中所述供气单元包括:
供气段,供应处理气体;
多个排出段,在所述室的内部相互分离并将处理气体排到所述室中;以及
分配段,连接所述供气段和所述排出段,并将处理气体分配到所述多个排出段。
12.根据权利要求11所述的热处理装置,其中所述供气单元还包括多个排放段,所述排放段被布置成面对所述排出段并排出供应到所述室中的处理气体。
CN201410011529.3A 2013-01-10 2014-01-10 基底支撑装置和使用该基底支撑装置的热处理装置 Expired - Fee Related CN103928382B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0002868 2013-01-10
KR1020130002868A KR101391163B1 (ko) 2013-01-10 2013-01-10 기판 지지 장치와 이것을 이용한 열처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103928382A CN103928382A (zh) 2014-07-16
CN103928382B true CN103928382B (zh) 2017-01-18

Family

ID=50892993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410011529.3A Expired - Fee Related CN103928382B (zh) 2013-01-10 2014-01-10 基底支撑装置和使用该基底支撑装置的热处理装置

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101391163B1 (zh)
CN (1) CN103928382B (zh)
TW (1) TWI519754B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10497606B2 (en) * 2015-02-09 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Dual-zone heater for plasma processing

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1542939A (zh) * 2003-02-27 2004-11-03 Ӧ�ò��Ϲ�˾ 基片支撑件

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002313889A (ja) * 2001-04-10 2002-10-25 Yaskawa Electric Corp 半導体ウエハー把持装置
WO2007018016A1 (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置、冷却ガス供給ノズルおよび半導体装置の製造方法
JP2007182239A (ja) * 2006-01-06 2007-07-19 Nix Inc 板材収納枠
JP2012084637A (ja) * 2010-10-08 2012-04-26 Espec Corp 熱処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1542939A (zh) * 2003-02-27 2004-11-03 Ӧ�ò��Ϲ�˾ 基片支撑件

Also Published As

Publication number Publication date
CN103928382A (zh) 2014-07-16
TWI519754B (zh) 2016-02-01
TW201437588A (zh) 2014-10-01
KR101391163B1 (ko) 2014-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6417560B2 (ja) ガラス生産ライン用位置変更可能ヒータアセンブリおよび生産ラインでガラスの温度を管理する方法
US5603772A (en) Furnace equipped with independently controllable heater elements for uniformly heating semiconductor wafers
CN103928382B (zh) 基底支撑装置和使用该基底支撑装置的热处理装置
NL1030360C2 (nl) Oven en werkwijze voor de productie van fotovoltaïsche zonnecellen gebruikmakend van een diffusieproces.
KR20140108590A (ko) 온수 히트 펌프 및 그 제어 방법
US20070283885A1 (en) Device for vaporizing materials with a vaporizer tube
KR20160007282A (ko) 기판 열처리용 히터 및 이를 이용한 기판 열처리 장치
KR20070118137A (ko) Tft 기판 검사 장치
KR20060116749A (ko) 냉장고 유닛 및/또는 냉동고 유닛 및 그 제어방법
KR101391304B1 (ko) 고온용 케이블과 이것을 이용한 열처리 장치
US6947467B2 (en) Cooling system for heat treating furnace
US20130175256A1 (en) Heating Element Arrangement for a Vacuum Heat Treating Furnace
KR100969696B1 (ko) 가열 장치, 이것을 이용한 기판 처리 장치 및 반도체장치의 제조 방법 및 관통 부재
KR20140017730A (ko) 대용량 고온 증발원
US20150066117A1 (en) Thermotherapy device
KR20080114555A (ko) 가열 장치, 기판처리장치 및 반도체장치의 제조 방법
KR102243268B1 (ko) 히터
KR102243269B1 (ko) 열처리 시스템
CN103813496B (zh) 温度补偿加热器以及使用该温度补偿加热器的热处理设备
KR20160022719A (ko) 기판 열처리 장치
KR102328507B1 (ko) 히터 및 히팅 시스템
KR20220008403A (ko) 챔버 게이트의 오픈시에 바깥쪽 영역의 온도를 보상하는 서셉터
TWI761563B (zh) 內設加熱器的閥
KR102157573B1 (ko) 기판 열처리용 히터 및 이를 이용한 기판 열처리 장치
JP7175348B2 (ja) 基板支持台及びそれを含む基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170118

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee